JPH04107866A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH04107866A
JPH04107866A JP2225794A JP22579490A JPH04107866A JP H04107866 A JPH04107866 A JP H04107866A JP 2225794 A JP2225794 A JP 2225794A JP 22579490 A JP22579490 A JP 22579490A JP H04107866 A JPH04107866 A JP H04107866A
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Japan
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buffer region
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Yuji Yamanishi
山西　雄司
Hiroshi Tanida
宏 谷田
Seiki Yamaguchi
山口　誠毅
Hideo Kawasaki
川崎　英夫
Hiroyuki Shindo
裕之 進藤
Toshihiko Uno
宇野　利彦
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Matsushita Electronics Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はモーター駆動等のスイッチング用素子として使
用することができる半導体装置、特に横型ゲート駆動型
バイポーラトランジスタに関する。
従来の技術 従来のゲート駆動型のバイポーラトランジスタは縦型で
この断面構造を第２図に示す。この構造は縦型ＭＯ３Ｆ
ＥＴの半導体基板の下にそれと反対の導電型の領域を形
成したものである。ここではＮチャネルに限ってこの動
作を説明する。先ずゲート１４に正の電圧をかけると、
エミッタ領域１５からベース領域１６を通ってバッファ
領域１７゜１８へ電子が流れ、この電子の流れはコレク
タ領域１９へ吸いこまれる。このときバイポーラ動作が
起こり伝導度の変調によりエミッターコレクタ間の電圧
は低下する。このことでＭＯＳＦＥＴに比べて大幅にオ
ン時の損失を低減でき大電流を扱うスイッチング素子と
しては有利である。なお、１２はソース電極、１３は酸
化シリコン膜である。
発明が解決しようとする課題 上記記載の従来構造では半導体基板つまりチップの裏面
に電圧がかかるため、他の素子や回路を、同じチップ内
に分離領域なしには形成できなかった。もし上記のよう
な集積化を行うばあいには、特別に分離領域を形成する
必要があった。
課題を解決するための手段 本発明では上記の課題を解決するため下記に示す横型構
造をきる。つまり、第一導電型半導体基板中に不純物を
拡散して形成した第二導電型の低濃度バッファ領域内に
第二導電型の高濃度バッファ領域を設け、上記高濃度バ
ッファ領域内に第一導電型のコレクタ領域を設け、上記
低濃度バッファ領域の他の部分に第一導電型のベース領
域を設け、このベース領域の表面にゲート酸化膜を介し
てゲート電極を設け、上記ベース領域内に第二導電型の
エミッタ領域を設け、上記エミッタ領域と上記高濃度バ
ッファ領域の間の上記低濃度バッファ領域表面に低濃度
バッファ領域と逆バイアスされた第一導電型領域を設け
、エミッタ領域は上記コレクタ領域に電気的に接続され
ている構造とする。
作　　　用 このような構造とすることによりゲート駆動型バイポー
ラトランジスタを特別な分離工程なしに他の素子や回路
と集積化することができる。
実施例 以下に、本発明の一実施例における横型ゲート駆動型バ
イポーラトランジスタについて第１図とともに説明する
。第一導電型（たとえばＰ型）の半導体基板１１に不純
物を拡散して第二導電型（たとえばＮ型）のバッファ領
域（延長ドレイン領域）８とを設け、この領域ｓ内に第
二導電型の高濃度バッファ領域６を設ける。また第一導
電型のコレクタ領域５は上記高濃度バッファ領域６内に
設けられ、コレクタ電極１はコレクタ領域５と高濃度バ
ッファ領域６の両方に電気的に接続されている。エミッ
タ電極２は、低濃度バッファ領域８内に形成した第一導
電型のベース領域ｌ○と、このベース領域１０内に設け
た第二導電型のエミッタ領域９の両方にコンタクトをと
っている。
ゲート電極４はシリコン酸化膜３を介してベース領域１
０の表面と多結晶シリコンで形成した。半導体基板１１
表面をおおうシリコン酸化膜３は２ミクロン以上にした
。低濃度バッファ領域８に対して逆バイアスされた第一
導電型領域７が低濃度バッファ領域８表面に設けられて
いる。コレクタエミッタ間に逆電圧がかかったとき、低
濃度バッファ領域８一基板１１間と第一導電型領域７と
低濃度バッファ領域８間の両方がら空乏層が広がるため
、この第一導電型領域７がない構造よりもバッファ領域
の濃度を濃（し、かつ高耐圧を実現できるので、バッフ
ァ領域の長さを大幅に短くできる。なお、エミッターコ
レクタ間の降伏電圧を４００Ｖとするため、半導体基板
１１のコレクタ濃度を３Ｘ１０　　ｅｌｍ　　とした。
なお、第１図中、２はエミッタ電極である。
発明の効果 以上のように、本発明によれば、ゲート駆動型バイポー
ラトランジスタを特別な分離工程なしに他の素子や回路
と集積することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における横型ゲート駆動型バ
イポーラトランジスタの断面図、第２図は従来の縦型ゲ
ート駆動型バイポーラトランジスタの断面図である。 １・・・・・・コレクタ電極、２・・・・・・エミッタ
電極、３・・・・・・シリコン酸化膜、４・・・・・・
ゲート電極、５・・・・・・コレクタ領域、６・・・・
・・高濃度バッファ領域、８・・・・・・低濃度バッフ
ァ領域、７・・・・・・低濃度バッファ領域と逆バイア
スされた第一導電型領域、９・・・・・・エミッタ領域
、１０・・・・・・ベース領域、１１・・・・・・半導
体基板。 代理人の氏名　弁理士　小鑞治　明はが２名蛛 い

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第一導電型の半導体基板に不純物を拡散して形成した第
    二導電型の低濃度バッファ領域内に第二導電型の高濃度
    バッファ領域を設け、上記高濃度バッファ領域内に第一
    導電型のコレクタ領域を設け、上記低濃度バッファ領域
    内の他の部分に第一導電型のベース領域を設け、このベ
    ース領域の表面にゲート酸化膜を介してゲート電極を設
    け、上記ベース領域内に第二導電型エミッタ領域を設け
    、上記エミッタ領域と上記高濃度バッファ領域の間の上
    記低濃度バッファ領域表面に低濃度バッファ領域と逆バ
    イアスされた第一導電型領域を設け、上記エミッタ領域
    を上記コレクタ領域に電気的に接続した半導体装置。
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