JPH0496377A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0496377A JPH0496377A JP2214536A JP21453690A JPH0496377A JP H0496377 A JPH0496377 A JP H0496377A JP 2214536 A JP2214536 A JP 2214536A JP 21453690 A JP21453690 A JP 21453690A JP H0496377 A JPH0496377 A JP H0496377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- collector
- conductivity type
- concentration
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置、特に電力用電界効果トランジスタ
に係る。
に係る。
従来の技術
従来のゲート駆動型のバイポーラトランジスタは縦型で
この断面構造を第２図に示した。この構造は縦型ＭＯＳ
ＦＥＴの半導体基板の下にそれと反対の導電型の領域を
形成したものである。ここではＮチャネルに限ってこの
動作を説明する。先ずゲート１２に正電圧をかけると、
エミッタ領域１７とＰ型のベース領域１５．１６は順バ
イアスされ、ホールがエミッタからベースへ流れ、この
ホールの流れはコレクタ（基板）領域１７とヘ−ス領域
１５．１６間の電位差の電位差によって吸い込まれ、増
幅される。つまりバイポーラ動作が起こり伝導度の変調
によりエミッターコレクタ間の電圧は低下する。このこ
とでＭＯＳＦＥＴに比べて大幅にオン時の損失を低減で
き、大電流を扱うスイッチング素子としては有利である
。
この断面構造を第２図に示した。この構造は縦型ＭＯＳ
ＦＥＴの半導体基板の下にそれと反対の導電型の領域を
形成したものである。ここではＮチャネルに限ってこの
動作を説明する。先ずゲート１２に正電圧をかけると、
エミッタ領域１７とＰ型のベース領域１５．１６は順バ
イアスされ、ホールがエミッタからベースへ流れ、この
ホールの流れはコレクタ（基板）領域１７とヘ−ス領域
１５．１６間の電位差の電位差によって吸い込まれ、増
幅される。つまりバイポーラ動作が起こり伝導度の変調
によりエミッターコレクタ間の電圧は低下する。このこ
とでＭＯＳＦＥＴに比べて大幅にオン時の損失を低減で
き、大電流を扱うスイッチング素子としては有利である
。
発明が解決しようとする課題
１項記載の従来構造では、コレクタ電極を、チップの裏
面からとっているため、個別素子としては利用できるが
、他の素子１回路と集積化することはできない。
面からとっているため、個別素子としては利用できるが
、他の素子１回路と集積化することはできない。
課題を解決するための手段
本発明では上記の課題を解決するため、下記に示す横型
構造をとる。つまり、第１導電型半導体基板中に形成し
た横型ゲート駆動型バイポーラトランジスタで、高濃度
の第２導電型領域の中に、第１導電型のコレクタ領域を
有し、上記高濃度の第２導電型領域に接して第２導電型
のベースを有し、ベース領域と第２導電型のエミッタ領
域間の第１導電型基板表面をチャネル領域とし、この上
にゲート酸化膜を介してゲート電極を有し、コレクタ電
極は、コレクタ領域のみからとるか、又はこの領域とこ
の領域をとりかこむ上記高濃度の第２導電型領域の両方
を電気的に接続してとる構造とする。
構造をとる。つまり、第１導電型半導体基板中に形成し
た横型ゲート駆動型バイポーラトランジスタで、高濃度
の第２導電型領域の中に、第１導電型のコレクタ領域を
有し、上記高濃度の第２導電型領域に接して第２導電型
のベースを有し、ベース領域と第２導電型のエミッタ領
域間の第１導電型基板表面をチャネル領域とし、この上
にゲート酸化膜を介してゲート電極を有し、コレクタ電
極は、コレクタ領域のみからとるか、又はこの領域とこ
の領域をとりかこむ上記高濃度の第２導電型領域の両方
を電気的に接続してとる構造とする。
作用
本発明により、ゲート駆動型バイポーラトランジスタの
すべての電極は、半導体基板中にとり出せ、半導体基板
中に他の素子９回路を集積することができる。
すべての電極は、半導体基板中にとり出せ、半導体基板
中に他の素子９回路を集積することができる。
実施例
第１図に本発明の半導体装置の断面を示した。
ベース領域は低能度の領域７と、高濃度の領域６からな
り、高濃度領域は低濃度領域内に存在する。また、コレ
クタ領域５は上記高濃度領域内に存在し、コレクタ電極
１はコレクタ領域のみの場合（ａｌとコレクタ領域と高
濃度ベース領域の両方に電気的に接続されている。ゲー
ト電極４は多結晶シリコンで形成した。基板表面をおお
うシリコン酸化膜３は２ミクロン以上とした。このこと
でコレクターエミッタ間の降伏電圧４００ｖがえられた
。本素子の動作原理は、従来の方法の項で示した従来構
造のものと同様である。
り、高濃度領域は低濃度領域内に存在する。また、コレ
クタ領域５は上記高濃度領域内に存在し、コレクタ電極
１はコレクタ領域のみの場合（ａｌとコレクタ領域と高
濃度ベース領域の両方に電気的に接続されている。ゲー
ト電極４は多結晶シリコンで形成した。基板表面をおお
うシリコン酸化膜３は２ミクロン以上とした。このこと
でコレクターエミッタ間の降伏電圧４００ｖがえられた
。本素子の動作原理は、従来の方法の項で示した従来構
造のものと同様である。
発明の効果
本発明を用いることで、ゲート駆動型バイポーラトラン
ジスタを有する半導体集積回路が構成できる。
ジスタを有する半導体集積回路が構成できる。
第１図は本発明の半導体装置の断面図、第２図は従来構
造の縦型ゲート駆動型バイポーラトランジスタの断面図
である。 １・・・・・・コレクタ電極、２・・・・・・エミッタ
電極、３・・・・・・シリコン酸化膜、４・・・・・・
ゲート電極、５・・・・・・コレクタ領域、６・・・・
・・高濃度ベース領域、７・・・・・・低濃度ベース領
域、８・・・・・・エミッタ領域、９・・・・・・半導
体基板。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図 １ コレクタ電極 ２ エミー、９＠ネｉ Ｊ シリ］）鈍化職 ５ 】レクダク負城 ６ ＆濃度ベース橢埴 ７ ｇｋ濃虐ベース傾城
造の縦型ゲート駆動型バイポーラトランジスタの断面図
である。 １・・・・・・コレクタ電極、２・・・・・・エミッタ
電極、３・・・・・・シリコン酸化膜、４・・・・・・
ゲート電極、５・・・・・・コレクタ領域、６・・・・
・・高濃度ベース領域、７・・・・・・低濃度ベース領
域、８・・・・・・エミッタ領域、９・・・・・・半導
体基板。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図 １ コレクタ電極 ２ エミー、９＠ネｉ Ｊ シリ］）鈍化職 ５ 】レクダク負城 ６ ＆濃度ベース橢埴 ７ ｇｋ濃虐ベース傾城
Claims (1)
- 第１導電型半導体基板中に形成した横型ゲート駆動型バ
イポーラトランジスタで、高濃度の第２導電型領域の中
に第１導電型コレクタ領域を有し、上記高濃度の第２導
電型領域に接して第２導電型のベースを有し、ベース領
域と第２導電型のソース領域間の第１導電型基板表面を
チャネル領域とし、この上にゲート酸化膜を介してゲー
ト電極を有し、コレクタ電極はコレクタ領域のみからと
るか、又はこの領域とこの領域をとりかこむ上記高濃度
の第２導電型領域の両方を電気的に接続してとることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2214536A JPH0496377A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2214536A JPH0496377A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0496377A true JPH0496377A (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16657360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2214536A Pending JPH0496377A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0496377A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63300560A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Nec Corp | 絶縁ゲ−ト型バイポ−ラトランジスタ |
| JPH027473A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Toshiba Corp | 導電変調型ｍｏｓｆｅｔ |
-
1990
- 1990-08-13 JP JP2214536A patent/JPH0496377A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63300560A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Nec Corp | 絶縁ゲ−ト型バイポ−ラトランジスタ |
| JPH027473A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Toshiba Corp | 導電変調型ｍｏｓｆｅｔ |
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