JPH04107961U - 密着リニアイメ−ジセンサ装置 - Google Patents
密着リニアイメ−ジセンサ装置Info
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- JPH04107961U JPH04107961U JP11609790U JP11609790U JPH04107961U JP H04107961 U JPH04107961 U JP H04107961U JP 11609790 U JP11609790 U JP 11609790U JP 11609790 U JP11609790 U JP 11609790U JP H04107961 U JPH04107961 U JP H04107961U
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、２次元画像入力装置に関する。
本考案は画像入力装置であるイメージセンサに
ポジット基板を用いることにより、読取素子、回
路素子、インサート式コネクタを取りつけられる
ようにしたものである。
ポジット基板を用いることにより、読取素子、回
路素子、インサート式コネクタを取りつけられる
ようにしたものである。
従来、イメージセンサ装置においては、読取素
子の接合位置の精度確保のため、そりや変形の少
ないセラミック基板を用いているものが知られて
いた。
子の接合位置の精度確保のため、そりや変形の少
ないセラミック基板を用いているものが知られて
いた。
従来のセラミック基板を用いたイメージセンサ
装置では、基板の導体は銀−パラジウムや銀−プ
ラチナを主成分としたペーストを焼成したもので
あるため、回路素子の半田づけ性が悪いことや、 セラミックが脆いことにより、インサート式のコ
ネクタが接合できないといった欠点があった。ま
た、上記の欠点のため、コネクタや回路素子を接
合するための基板を別に製作しなければならなか
った。
装置では、基板の導体は銀−パラジウムや銀−プ
ラチナを主成分としたペーストを焼成したもので
あるため、回路素子の半田づけ性が悪いことや、 セラミックが脆いことにより、インサート式のコ
ネクタが接合できないといった欠点があった。ま
た、上記の欠点のため、コネクタや回路素子を接
合するための基板を別に製作しなければならなか
った。
そこでこの考案の目的は、従来のこのような欠
点を解決して、１枚の基板上へ読取素子、回路素
子、インサート式コネクタを接合した密着リニア
イメージセンサを得ることにある。
点を解決して、１枚の基板上へ読取素子、回路素
子、インサート式コネクタを接合した密着リニア
イメージセンサを得ることにある。
上記問題点を解決するためにこの考案は、基板
素材にセラミックとエポキシ樹脂のコンポジット
基板を用い、読取素子の位置精度の確保と回路素
子の半田づけ性向上をはかり、インサート式コネ
クタの取付けが可能になり、基板の一体化が可能
になるようにした。
素材にセラミックとエポキシ樹脂のコンポジット
基板を用い、読取素子の位置精度の確保と回路素
子の半田づけ性向上をはかり、インサート式コネ
クタの取付けが可能になり、基板の一体化が可能
になるようにした。
上記のような密着型イメージセンサの構成によ
れば、コンポジット基板は熱膨張係数がシリコン
チップに近いので、シリコン製の読取素子を実装
しても、基板にそりや変形がおきにくく、読取素
子の位置精度が確保できるのである。またコンポ
ジット基板の導体は銅箔からなるので、回路素子
の半田づけが容易になり、さらにセラミックと樹
脂の複合層を表面のガラスクロス補強層で被覆し
てあるのでインサート式コネクタが接合できるよ
〔実施例〕 以下にこの考案の実施例を図面にもとづいて説
明する。第１図において、コンポジット基板１に
導体パターン５（一部分のみ図示）を形成し、読
取素子２と回路素子３を接合する。前記コンポジ
ット基板１にインサート式のコネクタ４を挿入し
半田づけする。第２図に示すように、読取素子
２、回路素子３、コネクタ４を接合したコンポジ
ット基板１はイメージセンサのシャシー９に固定
される。該シャシー９にはロッドレンズアレイ７
と光源６、保護ガラス８も固定されており、密着
型イメージセンサ装置となる。光源６で原稿１０
を照射し、反遮光がロッドレンズアレイ７を通し
て読取素子２で受光されるのである。前記コンポ
ジット基板１は、エポキシ樹脂とセラミックの複
合基板（商品名セラコム）であるため、ドリル加
工が可能であり、靭性が高いので、インサート式
のコネクタの挿入と半田づけが可能になる。
れば、コンポジット基板は熱膨張係数がシリコン
チップに近いので、シリコン製の読取素子を実装
しても、基板にそりや変形がおきにくく、読取素
子の位置精度が確保できるのである。またコンポ
ジット基板の導体は銅箔からなるので、回路素子
の半田づけが容易になり、さらにセラミックと樹
脂の複合層を表面のガラスクロス補強層で被覆し
てあるのでインサート式コネクタが接合できるよ
〔実施例〕 以下にこの考案の実施例を図面にもとづいて説
明する。第１図において、コンポジット基板１に
導体パターン５（一部分のみ図示）を形成し、読
取素子２と回路素子３を接合する。前記コンポジ
ット基板１にインサート式のコネクタ４を挿入し
半田づけする。第２図に示すように、読取素子
２、回路素子３、コネクタ４を接合したコンポジ
ット基板１はイメージセンサのシャシー９に固定
される。該シャシー９にはロッドレンズアレイ７
と光源６、保護ガラス８も固定されており、密着
型イメージセンサ装置となる。光源６で原稿１０
を照射し、反遮光がロッドレンズアレイ７を通し
て読取素子２で受光されるのである。前記コンポ
ジット基板１は、エポキシ樹脂とセラミックの複
合基板（商品名セラコム）であるため、ドリル加
工が可能であり、靭性が高いので、インサート式
のコネクタの挿入と半田づけが可能になる。
第３図に示すように、コンポジット基板は中心
樹脂複合層１１があり、その外側をガラスクロス
補強層１２で被覆してある。さらに外側に銅箔の
導体層１３が被覆される構造になっている。この
コンポジット基板の熱膨張率が読取素子の素材で
あるシリコン単結晶に近いので、コンポジット基
板に読取素子を接着剤を用いて接合しても、熱膨
張率の差による基板のソリがほとんど発生しなく
なるのである。またコンポジット基板が一体化さ
れているので密着リニアイメージセンサ装置の小
型化にも有利になる。
樹脂複合層１１があり、その外側をガラスクロス
補強層１２で被覆してある。さらに外側に銅箔の
導体層１３が被覆される構造になっている。この
コンポジット基板の熱膨張率が読取素子の素材で
あるシリコン単結晶に近いので、コンポジット基
板に読取素子を接着剤を用いて接合しても、熱膨
張率の差による基板のソリがほとんど発生しなく
なるのである。またコンポジット基板が一体化さ
れているので密着リニアイメージセンサ装置の小
型化にも有利になる。
この考案は以上説明したように、基板の材料に
セラミックとエポキシ樹脂の複合材料を用いるこ
とにより、読取素子、回路素子、インサート式コ
ネクタを一体に取付けられるようにし、基板のソ
リを発生させないようにすることで、高精度で小
型の密着リニアイメージセンサ装置が得られると
いう効果がある。
セラミックとエポキシ樹脂の複合材料を用いるこ
とにより、読取素子、回路素子、インサート式コ
ネクタを一体に取付けられるようにし、基板のソ
リを発生させないようにすることで、高精度で小
型の密着リニアイメージセンサ装置が得られると
いう効果がある。
第１図は本考案にかかる密着リニアイメージセ
ンサ装置の基板の斜視図、第２図は、本考案の実
施例の断面図、第３図はコンポジット基板の構造
を表わす断面図である。 １……コンポジット基板、２……読取素子、４
……コネクタ、１３……導体層。
ンサ装置の基板の斜視図、第２図は、本考案の実
施例の断面図、第３図はコンポジット基板の構造
を表わす断面図である。 １……コンポジット基板、２……読取素子、４
……コネクタ、１３……導体層。
Claims (2)
- 【請求項１】複数の読取素子を所要間隔で直線状あるい
は
千鳥状に配置し、原稿に照射した光の反射光を
ロッドレンズを通して読取るようにした密着リ
ニアイメージセンサにおいて、読取素子、回路
素子、コネクタを接合する基板を一体化したこ
とを特徴とする密着リニアイメージセンサ装
置。 - 【請求項２】基板がエポキシ樹脂とセラミックのコンポ
ジ
ツト基板からなることを特徴とする請求項１記
載の密着リニアイメージセンサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11609790U JPH04107961U (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 密着リニアイメ−ジセンサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11609790U JPH04107961U (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 密着リニアイメ−ジセンサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04107961U true JPH04107961U (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=31931048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11609790U Pending JPH04107961U (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | 密着リニアイメ−ジセンサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04107961U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021078078A (ja) * | 2019-11-13 | 2021-05-20 | キヤノン株式会社 | 画像読取装置及び画像形成装置 |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP11609790U patent/JPH04107961U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021078078A (ja) * | 2019-11-13 | 2021-05-20 | キヤノン株式会社 | 画像読取装置及び画像形成装置 |
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