JPH04112488A - 緑色発光薄膜ｅｌの製造方法 - Google Patents
緑色発光薄膜ｅｌの製造方法Info
- Publication number
- JPH04112488A JPH04112488A JP2230298A JP23029890A JPH04112488A JP H04112488 A JPH04112488 A JP H04112488A JP 2230298 A JP2230298 A JP 2230298A JP 23029890 A JP23029890 A JP 23029890A JP H04112488 A JPH04112488 A JP H04112488A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- thin film
- green light
- deposition method
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産」Ｌし二重ｍ
本発明は緑色発光の薄膜ＥＬ素子の製造方法に関する。
従】四Ｕ結仁
薄膜ＥＬ素子はその構造と、電圧印加方式から種々のも
のがあるが、現在実用化されている二重絶縁構造の交流
駆動タイプのものを例にとり説明する。第４図にその断
面構造を示す。この構造は周知のように、ガラス基板１
上に透明電極２（例えばＩＴＯ）、第１絶縁層３（例え
ばＳｉ３Ｎ４＋Ｔａ２０３）９発光層４．第２絶縁層５
及び背面電極６（例えばＡＩ）を順次積層したものとな
っている。この透明電極２と背面電極６との間に外部か
ら交流電圧を印加すると発光層４が発光する。
のがあるが、現在実用化されている二重絶縁構造の交流
駆動タイプのものを例にとり説明する。第４図にその断
面構造を示す。この構造は周知のように、ガラス基板１
上に透明電極２（例えばＩＴＯ）、第１絶縁層３（例え
ばＳｉ３Ｎ４＋Ｔａ２０３）９発光層４．第２絶縁層５
及び背面電極６（例えばＡＩ）を順次積層したものとな
っている。この透明電極２と背面電極６との間に外部か
ら交流電圧を印加すると発光層４が発光する。
従来、緑色発光薄膜ＥＬ素子を作製する場合、上記発光
層４はＺｎＳ発光母材とＴｂＦ３発光中心を別々の抵抗
線加熱蒸発源から蒸着する二元蒸着法により形成したＺ
ｎＳ：ＴｂＦ３を用いていた（特開昭５６−１０Ｇ３９
０号公報、特開昭５８−１５７８８８号公報）。
層４はＺｎＳ発光母材とＴｂＦ３発光中心を別々の抵抗
線加熱蒸発源から蒸着する二元蒸着法により形成したＺ
ｎＳ：ＴｂＦ３を用いていた（特開昭５６−１０Ｇ３９
０号公報、特開昭５８−１５７８８８号公報）。
よ”
ところが、前記手段による緑色発光薄膜ＥＬ素子では、
実用上十分な輝度が得られていないという問題があった
。
実用上十分な輝度が得られていないという問題があった
。
−−の１
本発明は緑色発光薄膜ＥＬ素子の輝度を改善するために
提案されたもので、発光層形成において、発光母材と発
光中心を同時に蒸着する二元蒸着法を用い、その際発光
母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法により蒸着し、発
光中心としてＴｂＦ３とＴｂＪ）。
提案されたもので、発光層形成において、発光母材と発
光中心を同時に蒸着する二元蒸着法を用い、その際発光
母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法により蒸着し、発
光中心としてＴｂＦ３とＴｂＪ）。
の混合物ペレットを電子ビーム蒸着法により蒸着するこ
とを特徴とする。
とを特徴とする。
１里
本発明に係わる緑色発光薄膜ＥＬ素子の製造方法によれ
ば、２基の抵抗線加熱蒸発源を用いた従来の二元蒸着法
の利点であるクラスタが無く、発光中心の均一なドーピ
ングができるといった点を保持しつつ、新たに発光中心
としてＴｂｏＦ発光中心を用いることで高輝度を実現で
きる。
ば、２基の抵抗線加熱蒸発源を用いた従来の二元蒸着法
の利点であるクラスタが無く、発光中心の均一なドーピ
ングができるといった点を保持しつつ、新たに発光中心
としてＴｂｏＦ発光中心を用いることで高輝度を実現で
きる。
尖！炎上
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例方法により製造された二重絶
縁構造交流駆動タイプの緑色発光薄膜ＥＬ素子の構造断
面図である。尚、従来例と同一のものについては同一参
照番号を付して説明する。ガラス基板１上に酸化インジ
ウム、酸化錫からなる透明電極ＩＴＯ２を形成し、次に
第１絶縁層３として蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法等でＳｉ
３Ｎ４．Ｔａ２０５に代表される金属酸化物・窒化物を
単層又は積層して形成する。この第１絶縁層３上に、発
光母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法により蒸着し、
同時に発光中心としてＴｂＦ３とＴｂ４Ｏ７の混合物ペ
レットを電子ビーム蒸着法により蒸着する二元蒸着法を
用いて形成したＺｎＳ ：Ｔｂ０Ｆを緑色発光層７とし
て形成する。次に第２絶縁層５を第１絶縁層３と同様の
方法で緑色発光層７上に形成する。
縁構造交流駆動タイプの緑色発光薄膜ＥＬ素子の構造断
面図である。尚、従来例と同一のものについては同一参
照番号を付して説明する。ガラス基板１上に酸化インジ
ウム、酸化錫からなる透明電極ＩＴＯ２を形成し、次に
第１絶縁層３として蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法等でＳｉ
３Ｎ４．Ｔａ２０５に代表される金属酸化物・窒化物を
単層又は積層して形成する。この第１絶縁層３上に、発
光母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法により蒸着し、
同時に発光中心としてＴｂＦ３とＴｂ４Ｏ７の混合物ペ
レットを電子ビーム蒸着法により蒸着する二元蒸着法を
用いて形成したＺｎＳ ：Ｔｂ０Ｆを緑色発光層７とし
て形成する。次に第２絶縁層５を第１絶縁層３と同様の
方法で緑色発光層７上に形成する。
更に背面電極６を上記第２絶縁層Ｓ上にＡＩ等を電子ビ
ーム蒸着法等により積層形成することで緑色発光薄膜Ｅ
Ｌ素子は作製される。
ーム蒸着法等により積層形成することで緑色発光薄膜Ｅ
Ｌ素子は作製される。
本発明方法により製作した発光層と従来法による発光層
を用いて作製した二重絶縁構造交流駆動タイプの緑色発
光薄膜ＥＬ素子の輝度−印加電圧特性を第２図に示す。
を用いて作製した二重絶縁構造交流駆動タイプの緑色発
光薄膜ＥＬ素子の輝度−印加電圧特性を第２図に示す。
図のように本発明に係わる発光層を用いたものは、従来
のものに比べ輝度が１．５〜２倍高くなっているのがわ
かる。
のものに比べ輝度が１．５〜２倍高くなっているのがわ
かる。
本発明は上記実施例に示した二重絶縁構造交流駆動タイ
プのものだけでなく、第１絶縁層を形成しない月給縁構
造のものや、第３図に示した半導体基板（例えばｎ−Ｇ
ａＡｓ） ８上に緑色発光層７を形成し、薄膜層として
半導体層（例えばＺｎ５ｅ：Ｇａ ）９、透明電極（例
えばＡｕ半透明膜） １０を積層形成した直流駆動タイ
プの緑色発生薄膜ＥＬ素子の製造に適用してもよい。
プのものだけでなく、第１絶縁層を形成しない月給縁構
造のものや、第３図に示した半導体基板（例えばｎ−Ｇ
ａＡｓ） ８上に緑色発光層７を形成し、薄膜層として
半導体層（例えばＺｎ５ｅ：Ｇａ ）９、透明電極（例
えばＡｕ半透明膜） １０を積層形成した直流駆動タイ
プの緑色発生薄膜ＥＬ素子の製造に適用してもよい。
髪肌立立１
以上説明したように緑色発光薄膜ＥＬ素子の発光層形成
において、発光母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法に
より蒸着し、同時に発光中心としてＴｂＦ３とＴｂ４Ｏ
７の混合物ペレットを電子ビーム蒸着法により蒸着する
二元蒸着法により形成したＺｎＳ：Ｔｂ０Ｆを用いるこ
とで、実用上十分な高輝度を得ることができる。
において、発光母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法に
より蒸着し、同時に発光中心としてＴｂＦ３とＴｂ４Ｏ
７の混合物ペレットを電子ビーム蒸着法により蒸着する
二元蒸着法により形成したＺｎＳ：Ｔｂ０Ｆを用いるこ
とで、実用上十分な高輝度を得ることができる。
第１図は、本発明の実施例方法により製造された緑色発
光薄膜ＥＬ素子の構造断面図である。第２図は本発明方
法に係わる発光層と従来法による発光層を用いて作製し
た二重絶縁構造交流駆動タイプの緑色発光薄膜ＥＬ素子
の輝度−印加電圧特性図である。第３図は本発明方法を
適用し得る直流駆動タイプの緑色発光薄膜ＥＬ素子の構
造断面図である。第４図は従来例を説明するための二重
絶縁構造交流駆動タイプの薄膜ＥＬ素子の構造断面図で
ある。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁層、４・・・発光層、５・・・第２絶縁層、６・・
・背面電極、７・・・緑色発光層、８・・・半導体基板
、９・・・半導体層、１０・・・透明電極。 富 図 第 図 叶勅／を足 （Ｖ） 第 図 第 図
光薄膜ＥＬ素子の構造断面図である。第２図は本発明方
法に係わる発光層と従来法による発光層を用いて作製し
た二重絶縁構造交流駆動タイプの緑色発光薄膜ＥＬ素子
の輝度−印加電圧特性図である。第３図は本発明方法を
適用し得る直流駆動タイプの緑色発光薄膜ＥＬ素子の構
造断面図である。第４図は従来例を説明するための二重
絶縁構造交流駆動タイプの薄膜ＥＬ素子の構造断面図で
ある。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁層、４・・・発光層、５・・・第２絶縁層、６・・
・背面電極、７・・・緑色発光層、８・・・半導体基板
、９・・・半導体層、１０・・・透明電極。 富 図 第 図 叶勅／を足 （Ｖ） 第 図 第 図
Claims (1)
- （１）透光性基板上に、発光層と少なくとも１層の薄膜
層を一対の電極によって挟持してなる薄膜ＥＬ素子の発
光層形成において、 発光母材と発光中心を同時に蒸着する二元蒸着法を用い
、その際発光母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法によ
り蒸着し、発光中心としてＴｂＦ＿３とＴｂ＿４Ｏ＿７
の混合物ペレットを電子ビーム蒸着法により蒸着するこ
とを特徴とする緑色発光薄膜ＥＬの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2230298A JPH04112488A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 緑色発光薄膜ｅｌの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2230298A JPH04112488A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 緑色発光薄膜ｅｌの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04112488A true JPH04112488A (ja) | 1992-04-14 |
Family
ID=16905635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2230298A Pending JPH04112488A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 緑色発光薄膜ｅｌの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04112488A (ja) |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP2230298A patent/JPH04112488A/ja active Pending
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