JPH04167397A - 緑色発光薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
緑色発光薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH04167397A JPH04167397A JP2294345A JP29434590A JPH04167397A JP H04167397 A JPH04167397 A JP H04167397A JP 2294345 A JP2294345 A JP 2294345A JP 29434590 A JP29434590 A JP 29434590A JP H04167397 A JPH04167397 A JP H04167397A
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- JP
- Japan
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- insulating layer
- layer
- deposition method
- zns
- light
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産Ｉ」］ｌ土肚分厨−
本発明は緑色発光の薄膜ＥＬ素子の製造方法。
特にその発光層の製造方法に関する。
従漣ｊｕ結紅
薄膜ＥＬ素子はその構造と、電圧印加方式から種々のも
のがあるが、現在実用化されている二重絶縁構造の交流
駆動タイプのものを例にとり説明する。第４図にその断
面構造を示す。この構造は周知のように、ガラス基板１
上に透明電極２（例えばＩＴＯ）、第１絶縁層３（例え
ばＳＩ３Ｎ４ ＋ Ｔａ２０５ ） １発光層４．第２
絶縁層５及び背面電極６（例えばＡＩ）を順次積層した
ものとなっている。
のがあるが、現在実用化されている二重絶縁構造の交流
駆動タイプのものを例にとり説明する。第４図にその断
面構造を示す。この構造は周知のように、ガラス基板１
上に透明電極２（例えばＩＴＯ）、第１絶縁層３（例え
ばＳＩ３Ｎ４ ＋ Ｔａ２０５ ） １発光層４．第２
絶縁層５及び背面電極６（例えばＡＩ）を順次積層した
ものとなっている。
この透明電極２と背面電極６との間に外部から交流電圧
を印加すると発光層４が発光する。
を印加すると発光層４が発光する。
従来、緑色発光薄膜ＥＬ素子を作製する場合、上記発光
層４はＺｎＳ発光母材を抵抗線加熱蒸発源から蒸着し、
同時に発光中心としてＴｂＦ３とＴｂ４Ｏ７の混合物ペ
レットを電子ビーム蒸発源から蒸着する二元蒸着法によ
り形成したＺｎＳ：Ｔｂ０Ｆを用いていた。
層４はＺｎＳ発光母材を抵抗線加熱蒸発源から蒸着し、
同時に発光中心としてＴｂＦ３とＴｂ４Ｏ７の混合物ペ
レットを電子ビーム蒸発源から蒸着する二元蒸着法によ
り形成したＺｎＳ：Ｔｂ０Ｆを用いていた。
Ｈイ よ゛ ４
ところが、前記手段による緑色発光薄膜Ｅｌ、素子では
発光しきい電圧が高く、駆動回路のコストアップや、パ
ネルの信頼性が低下するという問題が発生していた。
発光しきい電圧が高く、駆動回路のコストアップや、パ
ネルの信頼性が低下するという問題が発生していた。
＝ ための
本発明は上記課題を解決するために提案されたもので、
発光層形成において、発光母材と発光中心を同時に蒸着
する二元蒸着法を用い、その際発光母材としてＺｎＳを
抵抗線加熱蒸着法により蒸着し、発光中心としてＴｂＦ
３とＴｂ４Ｏ７の混合物ペレットをイオン化電極を付設
した電子ビーム蒸着法により蒸着することを特徴とする
。
発光層形成において、発光母材と発光中心を同時に蒸着
する二元蒸着法を用い、その際発光母材としてＺｎＳを
抵抗線加熱蒸着法により蒸着し、発光中心としてＴｂＦ
３とＴｂ４Ｏ７の混合物ペレットをイオン化電極を付設
した電子ビーム蒸着法により蒸着することを特徴とする
。
韻
本発明方法による緑色発光薄膜ＥＬ素子によれば、従来
法の利点であるクラスタが無く、発光中心の均一なドー
ピングができるといった点を保持しつつ、発光中心の蒸
発時に蒸発物質のイオン化率をイオン化電極を用いて増
加させることで、発光層内へ発光中心を有効な形で取り
込むことができる。そのため、発光層の結晶性が向上し
、発光しきい電圧が低下する。
法の利点であるクラスタが無く、発光中心の均一なドー
ピングができるといった点を保持しつつ、発光中心の蒸
発時に蒸発物質のイオン化率をイオン化電極を用いて増
加させることで、発光層内へ発光中心を有効な形で取り
込むことができる。そのため、発光層の結晶性が向上し
、発光しきい電圧が低下する。
夾凰旌上
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す二重絶縁構造交流駆動
タイプの緑色発光薄膜ＥＬ素子の構造断面図である。尚
、従来例と同一のものについては同一参照番号を付して
説明する。ガラス基板１上に酸化インジウム、酸化錫か
らなる透明電極ＩＴＯ２を形成し、次に第１絶縁層３と
して蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法等で５Ｉ３Ｎ４ｒ Ｔａ
２０５に代表される金属酸化物・窒化物を単層又は積層
して形成する。この第１絶縁層３上に、発光母材として
ＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法により蒸着し、同時に発光中
心としてＴｂＦ３とＴｂ４Ｏ７の混合物ペレットをイオ
ン化電極を付設した電子ビーム蒸着法により蒸着する二
元蒸着法を用いて形成したＺｎＳ：Ｔｂ０Ｆを緑色発光
層７として形成する。次に第２絶縁層５を第１絶縁層３
と同様の方法で緑色発光層７上に形成する。更に背面電
極６を上記第２絶縁層Ｓ上にＡ１等を電子ビーム蒸着法
等により積層形成することで緑色発光薄膜ＥＬ素子は作
製される。
タイプの緑色発光薄膜ＥＬ素子の構造断面図である。尚
、従来例と同一のものについては同一参照番号を付して
説明する。ガラス基板１上に酸化インジウム、酸化錫か
らなる透明電極ＩＴＯ２を形成し、次に第１絶縁層３と
して蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法等で５Ｉ３Ｎ４ｒ Ｔａ
２０５に代表される金属酸化物・窒化物を単層又は積層
して形成する。この第１絶縁層３上に、発光母材として
ＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法により蒸着し、同時に発光中
心としてＴｂＦ３とＴｂ４Ｏ７の混合物ペレットをイオ
ン化電極を付設した電子ビーム蒸着法により蒸着する二
元蒸着法を用いて形成したＺｎＳ：Ｔｂ０Ｆを緑色発光
層７として形成する。次に第２絶縁層５を第１絶縁層３
と同様の方法で緑色発光層７上に形成する。更に背面電
極６を上記第２絶縁層Ｓ上にＡ１等を電子ビーム蒸着法
等により積層形成することで緑色発光薄膜ＥＬ素子は作
製される。
本発明に係わる緑色発光層７形成装置の概略図を第２図
に示す。第２図に示すように、本発明に係わる緑色発光
層７は、真空チャンバ８内に設置した基板９上に抵抗線
加熱蒸発源ＩＯによりＺｎＳ１１を蒸着し、同時にＴｂ
Ｆ３とＴｂ４Ｏ７の混合物ペレット１２を電子ビーム蒸
発源Ｉ３により蒸発させ、この蒸発物質をイオン化電極
Ｉ４によりイオン化して蒸着する二元蒸着法を用いて形
成される。
に示す。第２図に示すように、本発明に係わる緑色発光
層７は、真空チャンバ８内に設置した基板９上に抵抗線
加熱蒸発源ＩＯによりＺｎＳ１１を蒸着し、同時にＴｂ
Ｆ３とＴｂ４Ｏ７の混合物ペレット１２を電子ビーム蒸
発源Ｉ３により蒸発させ、この蒸発物質をイオン化電極
Ｉ４によりイオン化して蒸着する二元蒸着法を用いて形
成される。
尖凰阻２
本発明は実施例１に示した二重絶縁構造交流駆動タイプ
のものだけでなく、第１絶縁層を形成しない片絶縁構造
のものや、第３図に示した半導体基板（例えばｎ−Ｇａ
Ａｓ） １５上に緑色発光層７を形成し、薄膜層として
半導体層（例えばＺｎ５ｅ：Ｇａ ） ］Ｇ＋透明電極
（例えばＡｕ半透明膜） １７を積層形成した直流駆動
タイプのように適用してもよい。
のものだけでなく、第１絶縁層を形成しない片絶縁構造
のものや、第３図に示した半導体基板（例えばｎ−Ｇａ
Ａｓ） １５上に緑色発光層７を形成し、薄膜層として
半導体層（例えばＺｎ５ｅ：Ｇａ ） ］Ｇ＋透明電極
（例えばＡｕ半透明膜） １７を積層形成した直流駆動
タイプのように適用してもよい。
髪肌旦妨果
以上説明したように、緑色発光薄膜ＥＬ素子の発光層の
形成において、発光母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着
法により蒸着し、同時に発光中心としてＴｂＦ３とＴｂ
４Ｏ７の混合物ペレットをイオン化電極を付設した電子
ビーム蒸着法により蒸着する二元蒸着法により形成した
ＺｎＳ ：Ｔｂ０Ｆを用いることで、発光しきい電圧が
低下する。このため、駆動回路のコストダウンにつなが
り、パネルの信頼性も向上する。
形成において、発光母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着
法により蒸着し、同時に発光中心としてＴｂＦ３とＴｂ
４Ｏ７の混合物ペレットをイオン化電極を付設した電子
ビーム蒸着法により蒸着する二元蒸着法により形成した
ＺｎＳ ：Ｔｂ０Ｆを用いることで、発光しきい電圧が
低下する。このため、駆動回路のコストダウンにつなが
り、パネルの信頼性も向上する。
第１図は、本発明の実施例を示す緑色発光薄膜ＥＬ素子
の構造断面図である。第２図は本発明方法の実施に用い
る緑色発光層形成装置の概略図である。第３図は実施例
２を示す直流駆動タイプの緑色発光薄膜ＥＬ素子の構造
断面図である。第４図は従来例を説明するための二重絶
縁構造交流駆動タイプの薄膜ＥＬ素子の構造断面図であ
る。 １・・・ガラス基板、 ２・・・透明電極、 ３・・・第１絶縁層、 ４・・・発光層、 ５・・・第２絶縁層、 ６・・・背面電極、 ７・・・緑色発光層、 ８・・・真空チャンバ、 ９・・・基板、 ＩＯ・・・抵抗線加熱蒸発源、 １ｌ−ＺｎＳ。 １２・・・ＴｂＦ３とＴｂ４Ｏ７の混合物ペレット、１
３・・・電子ビーム蒸発源、 １４・・・イオン化電極、 １５・・・半導体基板、 １６・・・半導体層、 １７・・・透明電極。 Ｉｌ！１２１！１１ ８に折て、・・ ］３ 嘴夕子し一ムＪ・喀三ジシ、
の構造断面図である。第２図は本発明方法の実施に用い
る緑色発光層形成装置の概略図である。第３図は実施例
２を示す直流駆動タイプの緑色発光薄膜ＥＬ素子の構造
断面図である。第４図は従来例を説明するための二重絶
縁構造交流駆動タイプの薄膜ＥＬ素子の構造断面図であ
る。 １・・・ガラス基板、 ２・・・透明電極、 ３・・・第１絶縁層、 ４・・・発光層、 ５・・・第２絶縁層、 ６・・・背面電極、 ７・・・緑色発光層、 ８・・・真空チャンバ、 ９・・・基板、 ＩＯ・・・抵抗線加熱蒸発源、 １ｌ−ＺｎＳ。 １２・・・ＴｂＦ３とＴｂ４Ｏ７の混合物ペレット、１
３・・・電子ビーム蒸発源、 １４・・・イオン化電極、 １５・・・半導体基板、 １６・・・半導体層、 １７・・・透明電極。 Ｉｌ！１２１！１１ ８に折て、・・ ］３ 嘴夕子し一ムＪ・喀三ジシ、
Claims (1)
- （１）透光性基板上に、発光層と少なくとも１層の薄膜
層を一対の電極によって挟持してなる薄膜ＥＬ素子の発
光層形成において、 発光母材と発光中心を同時に蒸着する二元蒸着法を用
い、その際発光母材としてＺｎＳを抵抗線加熱蒸着法に
より蒸着し、発光中心としてＴｂＦ＿３とＴｂ＿４Ｏ＿
７の混合物ペレットをイオン化電極を付設した電子ビー
ム蒸着法により蒸着することを特徴とする緑色発光薄膜
ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2294345A JPH04167397A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 緑色発光薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2294345A JPH04167397A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 緑色発光薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167397A true JPH04167397A (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=17806507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2294345A Pending JPH04167397A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 緑色発光薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04167397A (ja) |
-
1990
- 1990-10-30 JP JP2294345A patent/JPH04167397A/ja active Pending
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