JPH0411309A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0411309A JPH0411309A JP11272590A JP11272590A JPH0411309A JP H0411309 A JPH0411309 A JP H0411309A JP 11272590 A JP11272590 A JP 11272590A JP 11272590 A JP11272590 A JP 11272590A JP H0411309 A JPH0411309 A JP H0411309A
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、VTR等の磁気記録再生装置に装備される磁
気ヘッドに関し、特に磁気回路を構成するコイルが薄膜
形成技術によって形成される磁気ヘッドの製造方法に関
するものである。
気ヘッドに関し、特に磁気回路を構成するコイルが薄膜
形成技術によって形成される磁気ヘッドの製造方法に関
するものである。
(従来の技術)
ハイビジョン用のVTR等、高密度の磁気記録が行なわ
れる記録再生装置においては、磁路が金属磁性薄膜によ
って形成されている磁気ヘッドが用いられる(特開平1
−232508 [G11B5/127] )。該磁気
ヘッドは、第14図の如く一対のヘッド半体(100)
(101)をギャップスペーサ(102)を介して突
き合せ、接合ガラス部(107) (108)によって
一体化してなり、各ヘッド半体は、非磁性基板(103
)上に、Fe−Al−5i系等の金属磁性薄膜と5i0
2等の非磁性膜とを交互に積層して、所定のトラック幅
を有するコア半体(104)を形成し、該コア半体上に
接合ガラス層(105)を介して非磁性の保護板(10
6)を固定したものである。
れる記録再生装置においては、磁路が金属磁性薄膜によ
って形成されている磁気ヘッドが用いられる(特開平1
−232508 [G11B5/127] )。該磁気
ヘッドは、第14図の如く一対のヘッド半体(100)
(101)をギャップスペーサ(102)を介して突
き合せ、接合ガラス部(107) (108)によって
一体化してなり、各ヘッド半体は、非磁性基板(103
)上に、Fe−Al−5i系等の金属磁性薄膜と5i0
2等の非磁性膜とを交互に積層して、所定のトラック幅
を有するコア半体(104)を形成し、該コア半体上に
接合ガラス層(105)を介して非磁性の保護板(10
6)を固定したものである。
一方のヘッド半体(100)にはコイル窓(109)が
開設され、該コイル窓を通して両ヘッド半体(100)
(101)にウレメット線等のコイル導線(110)が
巻回されている。
開設され、該コイル窓を通して両ヘッド半体(100)
(101)にウレメット線等のコイル導線(110)が
巻回されている。
(解決しようとする課題)
しかし、ハイビジョン用のVTR等では磁気ヘッドのイ
ンダクタンスを低くする必要から、ヘッド半体及びコイ
ル窓が小形化する傾向にあり、例えば数百ミクロン程度
の小さなコイル窓(109)に直径が20〜30μm程
度の導線(110)を巻数20前後に巻回する必要があ
る。従って、この巻線作業は手作業に頼らざるを得ず、
組立工数の増加のみならず、磁気ヘッドの小形化にも限
界があった。
ンダクタンスを低くする必要から、ヘッド半体及びコイ
ル窓が小形化する傾向にあり、例えば数百ミクロン程度
の小さなコイル窓(109)に直径が20〜30μm程
度の導線(110)を巻数20前後に巻回する必要があ
る。従って、この巻線作業は手作業に頼らざるを得ず、
組立工数の増加のみならず、磁気ヘッドの小形化にも限
界があった。
本発明の目的は、コイルを薄膜形成技術によって形成出
来る磁気ヘッドの製造方法を提供し、これによって磁気
ヘッドの小形化、低インダクタンス化を図ることである
。
来る磁気ヘッドの製造方法を提供し、これによって磁気
ヘッドの小形化、低インダクタンス化を図ることである
。
(課題を解決する為の手段)
本発明に係る磁気ヘッドの製造方法は、第1工程におい
て、非磁性基板(1)上に、磁路を構成すべき一対のコ
ア半体の内、少なくとも一方のコア半体が設置されるべ
き領域へ、該コア半体の磁路とは直交する方向へ伸び、
該コア半体の前記直交方向の幅よりも長い帯状の下部導
電体層(44)を、前記磁路方向へ間隔をおいて繰返し
設けて、縞状の下部導電体パターン(4)を形成する。
て、非磁性基板(1)上に、磁路を構成すべき一対のコ
ア半体の内、少なくとも一方のコア半体が設置されるべ
き領域へ、該コア半体の磁路とは直交する方向へ伸び、
該コア半体の前記直交方向の幅よりも長い帯状の下部導
電体層(44)を、前記磁路方向へ間隔をおいて繰返し
設けて、縞状の下部導電体パターン(4)を形成する。
次の第2工程では、前記基板(1)の下部導電体パター
ン(4)上へ、前記各導電体層(44)の両端部を露出
させる位置に、絶縁膜(31)を介して一方のコア半体
となる磁性膜(5)を形成すると共に、該磁性膜(5)
とは離れた位置に他方のコア半体となる磁性膜(51)
を形成する。
ン(4)上へ、前記各導電体層(44)の両端部を露出
させる位置に、絶縁膜(31)を介して一方のコア半体
となる磁性膜(5)を形成すると共に、該磁性膜(5)
とは離れた位置に他方のコア半体となる磁性膜(51)
を形成する。
第3工程では、前記下部導電体パターン(4)上に形成
された磁性膜(5)及び該磁性膜の両側部に突出した前
記下部導電体層(44)の上面へ、隣接する一対の下部
導電体層の相反する方向の端部を互いに連結する帯状の
上部導電体層(72)を、絶縁膜(6)を介して繰返し
設けて、縞状の上部導電体パターン(7)を形成し、前
記上部及び下部導電体パターン(4) (7)によって
、コア半体の周囲に螺旋状に巻回されたコイル導体(4
0)を構成する。
された磁性膜(5)及び該磁性膜の両側部に突出した前
記下部導電体層(44)の上面へ、隣接する一対の下部
導電体層の相反する方向の端部を互いに連結する帯状の
上部導電体層(72)を、絶縁膜(6)を介して繰返し
設けて、縞状の上部導電体パターン(7)を形成し、前
記上部及び下部導電体パターン(4) (7)によって
、コア半体の周囲に螺旋状に巻回されたコイル導体(4
0)を構成する。
更に第4工程では、前記工程を経た基板(1)を切断し
て両コア半体を分離し、夫々コア半体を具えた一対のブ
ロック半体(83)(84)を作製する。
て両コア半体を分離し、夫々コア半体を具えた一対のブ
ロック半体(83)(84)を作製する。
第5工程では、前記両ブロック半体(83)(84)の
切断面を研磨して、ギャップ形成面となるコア半体の端
面が露出した突合せ面(85) (86)を形成し、両
突合せ面(85) (86)間にギャップスペーサ(9
)を介して両ブロック半体(83) (84)を接合一
体化する。
切断面を研磨して、ギャップ形成面となるコア半体の端
面が露出した突合せ面(85) (86)を形成し、両
突合せ面(85) (86)間にギャップスペーサ(9
)を介して両ブロック半体(83) (84)を接合一
体化する。
その後、第6工程では、前記第5工程を経て得られた接
合体に機械加工を施して磁気ヘッドチップを作製する。
合体に機械加工を施して磁気ヘッドチップを作製する。
(作 用)
上記磁気ヘッドの製造方法においては、第1工程での下
部導電体パターン(4)の形成、第2工程での絶縁膜(
31)及び一対の磁性膜(5)(51)の形成、及び第
3工程での上部導電体パターン(7)の形成が、全て周
知の薄膜形成技術によって行なわれる。
部導電体パターン(4)の形成、第2工程での絶縁膜(
31)及び一対の磁性膜(5)(51)の形成、及び第
3工程での上部導電体パターン(7)の形成が、全て周
知の薄膜形成技術によって行なわれる。
又、第5工程での両ブロック半体(83) (84)の
接合には、周知のガラス接合を用いることが出来る。
接合には、周知のガラス接合を用いることが出来る。
(発明の効果)
本発明に係る磁気ヘッドの製造方法によれば、少なくと
も一方のコア半体に巻装すべきコイルを薄膜形成技術に
よって形成出来るから、コア半体の小形化が可能であり
、磁気ヘッドの低インダクタンス化を図ることが出来る
。
も一方のコア半体に巻装すべきコイルを薄膜形成技術に
よって形成出来るから、コア半体の小形化が可能であり
、磁気ヘッドの低インダクタンス化を図ることが出来る
。
(実施例)
実施例は本発明を説明するためのものであって、特許請
求の範囲に記載の発明を限定し、或は範囲を減縮する様
に解すべきではない。
求の範囲に記載の発明を限定し、或は範囲を減縮する様
に解すべきではない。
第12図は、後述の本発明に係る製造方法により作製さ
れる磁気ヘッドの構造を示しており、非磁性基板(12
)上には、一対のコア半体(8)(81)が磁気ギャッ
プ部(90)を介して突き合わせて設置され、これらの
コア半体(8)(81)の上面に、ガラス接合層(図示
省略)を介して非磁性の保護板(13)が固定される。
れる磁気ヘッドの構造を示しており、非磁性基板(12
)上には、一対のコア半体(8)(81)が磁気ギャッ
プ部(90)を介して突き合わせて設置され、これらの
コア半体(8)(81)の上面に、ガラス接合層(図示
省略)を介して非磁性の保護板(13)が固定される。
一方のコア半体(8)にはコイル窓(87)が開設され
、該コイル窓を通して両コア半体(8)(81)に、C
uの薄膜からなるコイル導体(40)が螺旋状に巻装さ
れている。
、該コイル窓を通して両コア半体(8)(81)に、C
uの薄膜からなるコイル導体(40)が螺旋状に巻装さ
れている。
第13図は、上記コイル導体(40)の長手方向とは直
交する向きに切断した磁気ヘッドの断面を示しており、
前記コイル導体(40)は非磁性基板(12)上に形成
された下部導電体パターン(4)と、コア半体(8)上
に絶縁膜(6)を介して形成された上部導電体パターン
(7)とから構成され、下部導電体パターン(4)を覆
って絶縁膜(31)が形成されると共に、絶縁膜(6)
及び上部導電体パターン(7)と保護板(13)との間
には、接合用の封着ガラス(14)が充填されている。
交する向きに切断した磁気ヘッドの断面を示しており、
前記コイル導体(40)は非磁性基板(12)上に形成
された下部導電体パターン(4)と、コア半体(8)上
に絶縁膜(6)を介して形成された上部導電体パターン
(7)とから構成され、下部導電体パターン(4)を覆
って絶縁膜(31)が形成されると共に、絶縁膜(6)
及び上部導電体パターン(7)と保護板(13)との間
には、接合用の封着ガラス(14)が充填されている。
下部及び上部導電体パターン(4)(7)の断面積は例
えば、夫々50μm2以上に形成される。
えば、夫々50μm2以上に形成される。
以下、上記磁気ヘッドの製造方法について説明する。尚
、説明の簡略化のため、最終的に1個の磁気ヘッドか得
られるまでの工程について図示及び説明を行なうが、同
一の工程を経て、同時に多数の磁気ヘッドを作製するこ
とも可能である。
、説明の簡略化のため、最終的に1個の磁気ヘッドか得
られるまでの工程について図示及び説明を行なうが、同
一の工程を経て、同時に多数の磁気ヘッドを作製するこ
とも可能である。
先ず第1図(a)に示す様に、非磁性基板(1)上に、
後述の如く一対のコア半体が間隔をおいて設置されるべ
き領域へ、磁性薄膜(2)(20)を夫々スパッタリン
グ等の薄膜形成技術によって形成する。
後述の如く一対のコア半体が間隔をおいて設置されるべ
き領域へ、磁性薄膜(2)(20)を夫々スパッタリン
グ等の薄膜形成技術によって形成する。
これらの磁性薄膜(2)(20)は夫々、コア半体の磁
路とは直交する方向に長い帯状パターン部(23)(2
4)を前記磁路方向へ一定間隔で繰返し形成すると共に
、これらのパターン部(23) (24)のヘッド頭部
側にフロント部(21) (22)、前記パターン部(
23)(24)のフロント部(21)とは反対側にバッ
ク部(25)(26)を形成して構成される。第1図(
b)の如く各帯状パターン部(23)(24)間には溝
部(27)が形成されることなる。
路とは直交する方向に長い帯状パターン部(23)(2
4)を前記磁路方向へ一定間隔で繰返し形成すると共に
、これらのパターン部(23) (24)のヘッド頭部
側にフロント部(21) (22)、前記パターン部(
23)(24)のフロント部(21)とは反対側にバッ
ク部(25)(26)を形成して構成される。第1図(
b)の如く各帯状パターン部(23)(24)間には溝
部(27)が形成されることなる。
前記溝部(27)を包囲する壁面に、第2図(a)(b
)に示す如(5i02等からなる絶縁膜(3)を蒸着等
によって形成する。
)に示す如(5i02等からなる絶縁膜(3)を蒸着等
によって形成する。
次に第3図(a )(b )に示す如く、両コア半体が
設置されるべき領域へ、前記絶縁膜(3)を覆って夫々
下部導電体パターン(4)(41)をスパッタリング等
によって形成する。一方の下部導電体パターン(4)は
、前記絶縁膜(3)を覆って該絶縁膜の長手方向へ伸び
、更に該絶縁膜の両側へ突出する複数の帯状下部導電体
層(44)と、前記磁性薄膜(2)のバック部(25)
に沿う下部導電体層(44)の外側の端部に形成された
端子部(42)と、その他の複数の下部導電体層(44
)の内側の端部に夫々形成された逆り字状の接続部(4
5)とを具えている。
設置されるべき領域へ、前記絶縁膜(3)を覆って夫々
下部導電体パターン(4)(41)をスパッタリング等
によって形成する。一方の下部導電体パターン(4)は
、前記絶縁膜(3)を覆って該絶縁膜の長手方向へ伸び
、更に該絶縁膜の両側へ突出する複数の帯状下部導電体
層(44)と、前記磁性薄膜(2)のバック部(25)
に沿う下部導電体層(44)の外側の端部に形成された
端子部(42)と、その他の複数の下部導電体層(44
)の内側の端部に夫々形成された逆り字状の接続部(4
5)とを具えている。
又、他方の下部導電体パターン(41)は、前記絶縁膜
(3)を覆って該絶縁膜の長手方向へ伸び、更に該絶縁
膜の両側へ突出する複数の帯状下部導電体層(44)と
、前記磁性薄膜(20)のバック部(26)に沿う下部
導電体層(44)の外側の端部に形成された端子部(4
3)と、その他の複数の下部導電体層(44)の外側の
端部に夫々形成された逆り字状の接続部(45)と、前
記磁性薄膜(20)のフロント部(22)に沿う下部導
電体層(44)の内側の端部に突設された連結部(46
)とを具えている。
(3)を覆って該絶縁膜の長手方向へ伸び、更に該絶縁
膜の両側へ突出する複数の帯状下部導電体層(44)と
、前記磁性薄膜(20)のバック部(26)に沿う下部
導電体層(44)の外側の端部に形成された端子部(4
3)と、その他の複数の下部導電体層(44)の外側の
端部に夫々形成された逆り字状の接続部(45)と、前
記磁性薄膜(20)のフロント部(22)に沿う下部導
電体層(44)の内側の端部に突設された連結部(46
)とを具えている。
前記端子部(42)(43)が外部回路と接続されて、
コイルに通電されることになる。
コイルに通電されることになる。
次に第4図(a )(b )に示す如く、前記各導電体
層(44)上へ、前記絶縁膜(3)と同一領域に、5i
02等の絶縁膜(31)を蒸着等によって形成する。こ
れによって、絶縁膜(31)の表面と帯状パターン部(
23) (24)の表面とが同一平面に揃えられること
になる。
層(44)上へ、前記絶縁膜(3)と同一領域に、5i
02等の絶縁膜(31)を蒸着等によって形成する。こ
れによって、絶縁膜(31)の表面と帯状パターン部(
23) (24)の表面とが同一平面に揃えられること
になる。
第5図(a)(b)に示す如く、前記磁性薄膜(2)(
20)及び絶縁膜(31)を覆って、主コアとなる一対
の磁性膜(5)(51)をスパッタリング等によって夫
々所定形状に形成する。
20)及び絶縁膜(31)を覆って、主コアとなる一対
の磁性膜(5)(51)をスパッタリング等によって夫
々所定形状に形成する。
更に第6図(a)(b)の如く、磁性膜(5)(51)
の全表面に、SiO++等の絶縁膜(6)(61)を蒸
着等によって形成する。
の全表面に、SiO++等の絶縁膜(6)(61)を蒸
着等によって形成する。
その後、絶縁膜(6)(61)の上面、及び磁性膜(5
)(51)の両側部に突出した下部導電体層(44)の
端部及び接続部(45)の上面へ、第7図(a)(b)
の如く夫々上部導電体パターン(7)(71)を形成す
る。これらの上部導電体パターン(7)(74)は夫々
、絶縁膜(6)(61)上に、前記下部導電体層(44
)とは食違い位置に、間隔をおいて繰返し形成された帯
状の上部導電体層(72)を具えている。
)(51)の両側部に突出した下部導電体層(44)の
端部及び接続部(45)の上面へ、第7図(a)(b)
の如く夫々上部導電体パターン(7)(71)を形成す
る。これらの上部導電体パターン(7)(74)は夫々
、絶縁膜(6)(61)上に、前記下部導電体層(44
)とは食違い位置に、間隔をおいて繰返し形成された帯
状の上部導電体層(72)を具えている。
一方の上部導電体パターン(7)の各導電体層(72)
の内側の端部は、磁性膜(5)から突出して前記下部導
電体パターン(4)の接続部(45)と重なると共に、
各導電体層(72)の外側の端部には、下部導電体層(
44)の外側の端部と重なる逆り字状の接続部(73)
が突設される。更に前記フロント部に最も近い上部導電
体層(72)の内側の端部には連結部(74)が形成さ
れる。
の内側の端部は、磁性膜(5)から突出して前記下部導
電体パターン(4)の接続部(45)と重なると共に、
各導電体層(72)の外側の端部には、下部導電体層(
44)の外側の端部と重なる逆り字状の接続部(73)
が突設される。更に前記フロント部に最も近い上部導電
体層(72)の内側の端部には連結部(74)が形成さ
れる。
これによって、磁性膜(5)を包囲して螺旋状に巻回さ
れた第1のコイル導体部が形成されることになる。
れた第1のコイル導体部が形成されることになる。
又、他方の上部導電体パターン(71)の各上部導電体
層(72)の外側の端部は、磁性膜(51)から突出し
て前記下部導電体パターン(41)の接続部(45)と
重なると共に、各導電体層(72)の内側の端部には、
下部導電体層(44)の内側の端部と重なる逆り字状の
接続部(73)が形成される。
層(72)の外側の端部は、磁性膜(51)から突出し
て前記下部導電体パターン(41)の接続部(45)と
重なると共に、各導電体層(72)の内側の端部には、
下部導電体層(44)の内側の端部と重なる逆り字状の
接続部(73)が形成される。
これによって、磁性膜(51)を包囲して、前記第1の
コイル導体部とは逆向きの螺旋状に巻回された第2のコ
イル導体部が形成されることになる。
コイル導体部とは逆向きの螺旋状に巻回された第2のコ
イル導体部が形成されることになる。
第8図に示す如く、前記工程を経て形成された一対のコ
ア半体(8)(81)の上に、低融点の接合ガラス(図
示省略)を介して非磁性の保護板(11)を固定し、第
9図に示す一体のブロック(82)を作製した後、該ブ
ロック(82)を図中の鎖線に沿って切断して、夫々コ
ア半体(8)(81)を具えた一対のブロック半体を作
製する。
ア半体(8)(81)の上に、低融点の接合ガラス(図
示省略)を介して非磁性の保護板(11)を固定し、第
9図に示す一体のブロック(82)を作製した後、該ブ
ロック(82)を図中の鎖線に沿って切断して、夫々コ
ア半体(8)(81)を具えた一対のブロック半体を作
製する。
前記ブロック半体の切断面を研磨して、第10図の如く
コア半体(8)(81)の端面が露出した突合せ面(8
5) (8B)を形成する。両突合せ面(85) (8
6)の内、両コア半体(8)(81)の端面(ギャップ
形成面)には夫々5i02等からなるギャップスペーサ
(9)を形成する。又、一方のブロック半体(83)の
基板端面には、前記連結部(74)と接続して導電膜(
91)を、他方のブロック半体(84)の基板端面には
、前記連結部(46)と接続して導電膜(92)を、夫
々蒸着等によって形成する。
コア半体(8)(81)の端面が露出した突合せ面(8
5) (8B)を形成する。両突合せ面(85) (8
6)の内、両コア半体(8)(81)の端面(ギャップ
形成面)には夫々5i02等からなるギャップスペーサ
(9)を形成する。又、一方のブロック半体(83)の
基板端面には、前記連結部(74)と接続して導電膜(
91)を、他方のブロック半体(84)の基板端面には
、前記連結部(46)と接続して導電膜(92)を、夫
々蒸着等によって形成する。
その後、両ブロック半体(83)(84)を突合せ面(
85) (86)にて接合し一体化する。これによって
、一方のブロック半体(83)の導電膜(91)と他方
のブロック半体(84)の導電膜(92)とが密着し、
第7図(a)に示す右側の磁性膜(5)に形成された上
部導電体パターン(7)の連結部(74)と左側の磁性
膜(51)に形成された下部導電体パターン(41)の
連結部(46)とが前記導電膜(91)(92)を介し
て互いに連結され、第12図に示すコイル導体(40)
が形成されることになる。
85) (86)にて接合し一体化する。これによって
、一方のブロック半体(83)の導電膜(91)と他方
のブロック半体(84)の導電膜(92)とが密着し、
第7図(a)に示す右側の磁性膜(5)に形成された上
部導電体パターン(7)の連結部(74)と左側の磁性
膜(51)に形成された下部導電体パターン(41)の
連結部(46)とが前記導電膜(91)(92)を介し
て互いに連結され、第12図に示すコイル導体(40)
が形成されることになる。
尚、両ブロック半体(83) (84)の接合固定には
、例えば第11図に示す如く、一方のブロック半体(8
3)の突合せ面(85)には垂直方向にガラス溝(80
)を凹設し、他方のブロック半体(84)の突合せ面(
86)には基板(1)及び保護(11)の端面に沿って
ガラス溝(89) (89)を凹設し、両ブロック半体
(83)(84)を突き合せた状態で、これらのガラス
溝(80)(89) (89)に夫々溶着用の低融点ガ
ラス(80)を充填するガラス接合を採用することが出
来る。
、例えば第11図に示す如く、一方のブロック半体(8
3)の突合せ面(85)には垂直方向にガラス溝(80
)を凹設し、他方のブロック半体(84)の突合せ面(
86)には基板(1)及び保護(11)の端面に沿って
ガラス溝(89) (89)を凹設し、両ブロック半体
(83)(84)を突き合せた状態で、これらのガラス
溝(80)(89) (89)に夫々溶着用の低融点ガ
ラス(80)を充填するガラス接合を採用することが出
来る。
最後に、前記ガラス接合工程を経て得られた接合体に、
切断、曲面研磨等の機械加工を施して、第12図に示す
如き磁気ヘッドチップを完成する。
切断、曲面研磨等の機械加工を施して、第12図に示す
如き磁気ヘッドチップを完成する。
上記磁気ヘッドの製造方法によれば、両コア半体(8)
(81)に巻装すべきコイル導体(40)を薄膜形成技
術によって形成出来るから、磁気ヘッドの小形化が可能
であり、これによって低インダクタンス化を図ることが
出来る。又、磁気ヘッド製造工程の大部分が薄膜形成技
術によって構成されるから、従来よりも生産能率が向上
する。
(81)に巻装すべきコイル導体(40)を薄膜形成技
術によって形成出来るから、磁気ヘッドの小形化が可能
であり、これによって低インダクタンス化を図ることが
出来る。又、磁気ヘッド製造工程の大部分が薄膜形成技
術によって構成されるから、従来よりも生産能率が向上
する。
又、上記工程を経て得られた第12図の磁気ヘッドにお
いては、両コア半体(8)(81)に対して夫々コイル
導体(40)が所謂バランス巻きされているから、ヘッ
ド効率の点でも優れている。
いては、両コア半体(8)(81)に対して夫々コイル
導体(40)が所謂バランス巻きされているから、ヘッ
ド効率の点でも優れている。
上記実施例の説明は、本発明を説明するためのものであ
って、特許請求の範囲に記載の発明を限定し、或は範囲
を減縮する様に解すべきではない。
って、特許請求の範囲に記載の発明を限定し、或は範囲
を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求
の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である
ことは勿論である。
の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である
ことは勿論である。
例えば上記磁気ヘッドの製造方法では、一対のコア半体
(8)(81)の両方にコイル導体(40)を巻装して
いるが、何れか一方のコア半体にのみ、同様な薄膜形成
工程でコイル導体を形成することも可能である。
(8)(81)の両方にコイル導体(40)を巻装して
いるが、何れか一方のコア半体にのみ、同様な薄膜形成
工程でコイル導体を形成することも可能である。
第1図(a )(b )乃至第11図は本発明に係る磁
気ヘッドの製造方法を示す一連の工程図を示し、第1図
(a )(b )は夫々基板上に磁性薄膜を形成した状
態の斜視図及び断面図、第2図(a )(b )は夫々
基板上に絶縁膜を形成した状態の斜視図及び断面図、第
8図(a )(b )は夫々下部導電体パターンを形成
した状態の斜視図及び断面図、第4図(a)(b)は夫
々下部導電体層上に絶縁膜を形成した状態の斜視図及び
断面図、第5図(a )(b )は夫々磁性膜を形成し
た状態の斜視図及び断面図、第6図(a )(b )は
磁性膜上に絶縁膜を形成した状態を示す斜視図及び断面
図、第7図(a)(b)は夫々絶縁膜上に上部導電体層
を形成した状態の斜視図及び断面図、第8図は保護板を
固定する工程の斜視図、第9図はブロックの斜視図、第
10図は一対のブロック半体の斜視図、第11図は一対
のブロック半体の接合工程を示す斜視図、第12図は本
発明に係る製造方法によって作製される磁気ヘッドの斜
視図、第13図は該磁気ヘッドの要部を示す断面図、第
14図は従来の磁気ヘッドの斜視図である。 (1)・・・基 板 (11)・・・保護板
(3)(31)・・・絶縁膜 (5)(51)・
・・磁性膜(4) (41)・・・下部導電体パターン
(7) (71)・・・上部導電体パターン第9 V!J(b) 茶6図(b) 襲11.@
気ヘッドの製造方法を示す一連の工程図を示し、第1図
(a )(b )は夫々基板上に磁性薄膜を形成した状
態の斜視図及び断面図、第2図(a )(b )は夫々
基板上に絶縁膜を形成した状態の斜視図及び断面図、第
8図(a )(b )は夫々下部導電体パターンを形成
した状態の斜視図及び断面図、第4図(a)(b)は夫
々下部導電体層上に絶縁膜を形成した状態の斜視図及び
断面図、第5図(a )(b )は夫々磁性膜を形成し
た状態の斜視図及び断面図、第6図(a )(b )は
磁性膜上に絶縁膜を形成した状態を示す斜視図及び断面
図、第7図(a)(b)は夫々絶縁膜上に上部導電体層
を形成した状態の斜視図及び断面図、第8図は保護板を
固定する工程の斜視図、第9図はブロックの斜視図、第
10図は一対のブロック半体の斜視図、第11図は一対
のブロック半体の接合工程を示す斜視図、第12図は本
発明に係る製造方法によって作製される磁気ヘッドの斜
視図、第13図は該磁気ヘッドの要部を示す断面図、第
14図は従来の磁気ヘッドの斜視図である。 (1)・・・基 板 (11)・・・保護板
(3)(31)・・・絶縁膜 (5)(51)・
・・磁性膜(4) (41)・・・下部導電体パターン
(7) (71)・・・上部導電体パターン第9 V!J(b) 茶6図(b) 襲11.@
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 [1]非磁性の基板上に、磁性膜からなる一対のコア半
体を、ギャップスペーサを介して互いに突き合わせて配
置し、少なくとも一方のコア半体にはコイルが巻装され
ている磁気ヘッドの製造方法において、 非磁性基板(1)上に、少なくとも前記一方のコア半体
が設置されるべき領域へ、該コア半体の磁路とは直交す
る方向へ伸び、該コア半体の前記直交方向の幅よりも長
い帯状の下部導電体層(44)を、前記磁路方向へ間隔
をおいて繰返し設けて、縞状の下部導電体パターン(4
)を形成する第1工程と、 前記基板(1)の下部導電体パターン(4)上へ、前記
各導電体層(44)の両端部を露出させる位置に、絶縁
膜(31)を介して一方のコア半体となる磁性膜(5)
を形成すると共に、該磁性膜(5)とは離れた位置に他
方のコア半体となる磁性膜(51)を形成する第2工程
と、 前記下部導電体パターン(4)上に形成された磁性膜(
5)及び該磁性膜の両側部に突出した前記下部導電体層
(44)の上面へ、隣接する一対の下部導電体層の相反
する方向の端部を互いに連結する帯状の上部導電体層(
72)を、絶縁膜(6)を介して繰返し設けて、縞状の
上部導電体パターン(7)を形成し、前記上部及び下部
導電体パターン(4)(7)によって、コア半体の周囲
に螺旋状に巻回されたコイル導体(40)を構成する第
3工程と、 前記工程を経た基板(1)を切断して両コア半体を分離
し、夫々コア半体を具えた一対のブロック半体(83)
(84)を作製する第4工程と、前記両ブロック半体(
83)(84)の切断面を研磨して、ギャップ形成面と
なるコア半体の端面が露出した突合せ面(85)(86
)を形成し、両突合せ面(85)(86)間にギャップ
スペーサ(9)を介して両ブロック半体(83)(84
)を接合一体化する第5工程と、 第5工程を経て得られた接合体に機械加工を施して磁気
ヘッドチップを作製する第6工程とを具えたことを特徴
とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11272590A JPH0411309A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11272590A JPH0411309A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0411309A true JPH0411309A (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=14593975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11272590A Pending JPH0411309A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0411309A (ja) |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11272590A patent/JPH0411309A/ja active Pending
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