JPH04113451U - 絶縁物被覆電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 支持板１に半導体チップ３を半田１１で固着
する時の半田１１の不要な流れを良好に阻止する。 【構成】 放熱性を有する支持板１と、この上に半田１
１で固着された半導体チップ３と、保護樹脂１５と、樹
脂封止体５とを有する。支持板１には半導体チップ３を
囲むように溝７が形成されている。この溝７の少なくと
も外側の壁面７ｂは半導体チップ３の方向に倒れるよう
に傾斜している。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、トランジスタ、ＩＣ等の電子素子が支持板にろう付けされた絶縁物 被覆電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術及び考案が解決しようとする課題】

半導体チップ等の電子素子を放熱性を有する金属支持板に半田付けする時、半 田が支持板上に不要に広がることがある。電子素子を含むように支持板を被覆す るエポキシ樹脂等から成る絶縁物被覆体は支持板に対しては良好に密着するが、 半田に対する密着性は良好に得られない。従って、半田が支持板上に広がり過ぎ た場合には、樹脂封止体と支持板との密着性が低下し、これらの界面を通じて水 分等の異物が侵入し易くなり、耐環境性が低下する。

【０００３】 そこで本考案はろう材の不要な流れが防止された絶縁物被覆電子部品を提供す ることを目的とするものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するための本考案は、支持板と、該支持板の一方の主面にろう 接された電子素子と、該電子素子を含むように前記支持板を被覆する絶縁被覆体 とを備えており、前記支持板の一方の主面には平面的に見て前記電子素子を包囲 するように環状の溝が形成されており、前記溝の少なくとも外側の壁面が前記電 子素子に向って傾斜していることを特徴とする絶縁物被覆電子部品に係わるもの である。

【０００５】

【作用】

本考案に従う溝の少なくとも外側の壁面が電子素子に向って傾斜しているので 、電子素子を固着するためのろう材の流れ留めとして良好に機能する。

【０００６】

【実施例】

図１〜図５を参照して本考案の実施例に係わる樹脂封止形半導体装置を説明す る。 本実施例の樹脂封止形半導体装置は、放熱板を兼ねる支持板１、外部リード２ 、半導体チップ（電子素子）３、リード細線４、樹脂封止体（絶縁物被覆体）５ から構成される。支持板１は外部リード２に比べて肉厚の金属板から成り、その 一方の主面のほぼ中央に半導体チップ３を載置するための平坦な半導体チップ載 置領域６を有する。また、支持板１の一方の主面には、図５に示すように互いに 離間した２本の環状溝７、８が形成されている。環状溝７、８は、平面的に見て 半導体チップ載置領域６を包囲している。

【０００７】 内側の環状溝７はその内側（半導体チップ載置領域６側）の壁面７ａと外側（ 半導体チップ載置領域６から離間した側）の壁面７ｂがいずれも傾斜した面とな っており、且ついずれも溝７の底面から半導体チップ載置領域６側に向って傾斜 している。即ち、図３に示す平坦な半導体チップ載置領域６上の仮想垂線Ｈに対 して２つの壁面７ａ、７ｂの延長線がいずれも交差するように傾斜溝７が形成さ れている。

【０００８】 外側の環状溝８の内側の壁面はその底面から半導体チップ載置領域６側に向っ て傾斜した傾斜面となっているが、外側の壁面は支持板１の一方の主面に対して ほぼ垂直な壁面となっている。

【０００９】 環状溝７、８は図２及び図３に示すように形成される。即ち、図２のように一 方の側に傾斜した面を備えた環状の金型９を打込むことによって、内側の環状溝 ７を形成すべき領域に内側の壁面７ａのみが傾斜面となった環状溝７′を形成す る。続いて、同じく、一方の側に傾斜した面を備えた第２の環状の金型１０を溝 ７′の外側に近接して打込むことによって、環状溝７′を包囲するように内側の 壁面のみが傾斜面となった環状溝８を形成する。第２の環状の金型１０を打込ん だ際に環状溝７′の外側の壁面は内側に押圧されて内側に傾斜し、図３のように ２つの壁面７ａ、７ｂが共に同一方向に傾斜した環状溝７が得られる。

【００１０】 内側の環状溝７から離間して囲まれている半導体チップ載置領域６に半導体チ ップ３を半田付けする時は、半導体チップ載置領域６に半田１１を加熱溶融状態 且つ膜状に広げる。続いて、図４に示すチップ吸着保持体（以下、コレットと称 する）１２を用意して、半導体チップ３をコレット１２の空間に対応する壁面１ ３に吸着させる。続いて、図示のように半田１１の上にチップ３を押し付けた後 、矢印１４に示す左右方向にチップ３をコレット１２と共に直線往復運動（スク ラブ運動）させてチップ３を半田１１で固着する。

【００１１】 チップ３のスクラブされる距離、即ちコレット１２をスクラブ運動の一方の側 に移動させた時のチップ３の一方の側縁の位置Ａとコレット１２をスクラブ運動 の他方の側に移動させた時のチップ３の他方の側縁の位置Ｂとの間隔Ｌ1 は内側 の環状溝７の対向する２辺の間隔Ｌ2 よりも小さくなっている。半田１１は上述 のスクラブによって半導体チップ載置領域６よりも外側まで広がるが、溝７の外 側壁面７ｂが流れ留めとして良好に機能するから、半田１１は溝７よりも外側に は広がらない。

【００１２】 次に、リード細線４を周知のワイヤボンディング法によって半導体チップ３と 外部リード２との間に接続する。続いて、シリコン樹脂等から成る保護樹脂１５ をチップ３の上面に滴下して、図１に示すように半導体チップ３とリード細線４ のチップ３への接続部分側を被覆する。保護樹脂１５は半田１１よりも外側まで 広がるが、溝８が流れ留めとして機能するから、保護樹脂１５は溝８よりも外側 には広がらない。

【００１３】 樹脂封止体５はエポキシ系の樹脂から成り、周知のトランスファモールド法に よって支持板１の全面及び外部リード２の一端側を被覆するように形成される。

【００１４】 本実施例の樹脂封止形半導体装置によれば以下の効果が得られる。 （イ） 内側の環状溝７の外側壁面７ｂが半導体チップ載置領域６側に傾斜し ているので半田１１の流れに対して大きな抵抗を有し、半田１１の流れが環状溝 ７で良好に留められて環状溝７の外側まで不要に広がることを防止できる。結果 として、支持板１と樹脂封止体５との密着性が向上し、耐環境性等に優れた樹脂 封止形半導体装置を提供できる。 （ロ） 半導体チップ３を環状溝７で囲まれた領域の内側に配設された半導体 チップ載置領域６でスクラブして固着する。このため、上記（イ）の効果と相俟 って半導体チップ３の下側に所望な厚みの半田１１を確保できる。 （ハ） 外側の環状溝８によって保護樹脂の不要な広がりが防止される。

【００１５】

【変形例】

本考案は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば次の変形が可能なもの である。 （１） 外側の環状溝８は設けなくても良い。しかしながら、外側の環状溝８ は保護樹脂１５の不要な広がりを防止する機能を有するし、外側の環状溝８の形 成に基づいて内側の環状溝７を上述のように容易に形成することができるので、 実施例のように内側の環状溝７を包囲するように外側の環状溝８を設けるのが望 ましい。 （２） 溝７の内側壁面７ａは垂直又は外側壁面７ｂと反対に傾斜していても 良い。 （３） 半導体チップ３をリフロー法即ち半導体チップ２をスクラブせずに半 田１１の溶融−固化のプロセスに伴って固着する方法で半田付けしても良い。

【００１６】

【考案の効果】

以上のように、本考案によれば、ろう材の不要な流れが防止され、耐環境性等 に優れた絶縁物被覆電子部品を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の実施例に係わる樹脂封止形半導体装置
を示す中央縦断面図である。

【図２】図１の環状溝の形成方法を説明するための断面
図である。

【図３】支持板の中央部分の拡大断面図である。

【図４】半導体チップの半田付け方法を説明するための
断面図である。

【図５】支持板の平面図である。

【符号の説明】

１ 支持板 ３ 半導体チップ ７ 環状溝 １１ 半田

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持板と、該支持板の一方の主面にろう
   接された電子素子と、該電子素子を含むように前記支持
   板を被覆する絶縁被覆体とを備えており、前記支持板の
   一方の主面には平面的に見て前記電子素子を包囲するよ
   うに環状の溝が形成されており、前記溝の少なくとも外
   側の壁面が前記電子素子に向って傾斜していることを特
   徴とする絶縁物被覆電子部品。