JPH04113490A - 電池交換型メモリカード - Google Patents
電池交換型メモリカードInfo
- Publication number
- JPH04113490A JPH04113490A JP2233877A JP23387790A JPH04113490A JP H04113490 A JPH04113490 A JP H04113490A JP 2233877 A JP2233877 A JP 2233877A JP 23387790 A JP23387790 A JP 23387790A JP H04113490 A JPH04113490 A JP H04113490A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- battery
- secondary battery
- memory card
- primary battery
- primary
- Prior art date
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- Pending
Links
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical group [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Power Sources (AREA)
- Stand-By Power Supply Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はSRAM (スタチック・ランダムアクセス・
メモリ)型メモリカードに関する。更に詳しく述べると
、−次電池の交換時に記憶されているデータが発散しな
いように、メモリ素子群に給電し続ける二次電池を内蔵
している電池交換型メモリカードに関するものである。
メモリ)型メモリカードに関する。更に詳しく述べると
、−次電池の交換時に記憶されているデータが発散しな
いように、メモリ素子群に給電し続ける二次電池を内蔵
している電池交換型メモリカードに関するものである。
[従来の技術]
メモリカードは、近年まずまず市場規模拡大の様相をの
せている。とりわけSRAM型メモリカードは、将来さ
らにワードプロセソザ、超小型コンピュータ(パームサ
イズ・コンピユータ)等の小型電子装置においてフロッ
ピーディスクに置き換わるものとして市場が広がってい
る。
せている。とりわけSRAM型メモリカードは、将来さ
らにワードプロセソザ、超小型コンピュータ(パームサ
イズ・コンピユータ)等の小型電子装置においてフロッ
ピーディスクに置き換わるものとして市場が広がってい
る。
SRAMは、それに給電し続けていればその記憶データ
が保持される。そのため殆どの場合メモリカードを使用
機器本体から取り外している間中、記憶データを保持し
続けるように、メモリカード内部にデータ保持用の小型
電池を備えている。その小型電池としてはデータ保持期
間を長くするため通常−次電池が用いられ、その寿命が
きた場合には交換できるようになっている。しかし電池
交換の際、−時的に電源が落ちるとメモリに記憶されて
いるデータは消失する。そこで最近では電池交換時のデ
ータ消失を防くために、−次電池の他に二次電池も内蔵
したメモリカー)−が出現した。その代表的な電源部分
の回路例を第2図に示す。
が保持される。そのため殆どの場合メモリカードを使用
機器本体から取り外している間中、記憶データを保持し
続けるように、メモリカード内部にデータ保持用の小型
電池を備えている。その小型電池としてはデータ保持期
間を長くするため通常−次電池が用いられ、その寿命が
きた場合には交換できるようになっている。しかし電池
交換の際、−時的に電源が落ちるとメモリに記憶されて
いるデータは消失する。そこで最近では電池交換時のデ
ータ消失を防くために、−次電池の他に二次電池も内蔵
したメモリカー)−が出現した。その代表的な電源部分
の回路例を第2図に示す。
使用機器本体に接続され且つ該使用機器本体が正常に動
作している時は、外部入力電源から入力電源ライン10
及び第1のダイオードD1を経てメモリ素子群12 (
SRAM、1. SRAM、2)に給電される。符号1
4はグランド・ラインである。使用機器本体から取り外
されている時は、電池交換型の一次電池BIから第2の
ダイオードD2及び第1の抵抗R0を通してメモリ素子
#12に給電される。
作している時は、外部入力電源から入力電源ライン10
及び第1のダイオードD1を経てメモリ素子群12 (
SRAM、1. SRAM、2)に給電される。符号1
4はグランド・ラインである。使用機器本体から取り外
されている時は、電池交換型の一次電池BIから第2の
ダイオードD2及び第1の抵抗R0を通してメモリ素子
#12に給電される。
入力電源ライン10には充電回路16が設けられ、第3
のダイオードD3を介して二次電池B2に接続され、該
二次電池Btは使用機器本体に接続されている時に充電
回路16によって充電される。二次電池B2としては自
己放電が非常に小さいリチウム電池を使用するのが一般
的である。このタイプの電池は、過充電による電池電圧
の上昇を抑えねばならず、充電回路1Gはそのための8
!能を持っている。この二次電池B2は第4のダイオー
ドD4と第2の抵抗R2を介してメモリ素子群12に接
続されており、−次電池B、を交換する時は、二次電池
B2から第4のダイオードD4及び第2の抵抗R2を通
してメモリ素子群12に給電し、その記憶データが発散
しないようになっている。
のダイオードD3を介して二次電池B2に接続され、該
二次電池Btは使用機器本体に接続されている時に充電
回路16によって充電される。二次電池B2としては自
己放電が非常に小さいリチウム電池を使用するのが一般
的である。このタイプの電池は、過充電による電池電圧
の上昇を抑えねばならず、充電回路1Gはそのための8
!能を持っている。この二次電池B2は第4のダイオー
ドD4と第2の抵抗R2を介してメモリ素子群12に接
続されており、−次電池B、を交換する時は、二次電池
B2から第4のダイオードD4及び第2の抵抗R2を通
してメモリ素子群12に給電し、その記憶データが発散
しないようになっている。
[発明が解決しようとする課題1
しかし上記のような従来の回路は、構成が複雑で部品点
数が多(、特別な充電回路も必要になる。このためメモ
リカードの信頼性の向上並びにメモリの大容量化の障害
となる。
数が多(、特別な充電回路も必要になる。このためメモ
リカードの信頼性の向上並びにメモリの大容量化の障害
となる。
本発明の目的は、極めて簡単な回路構成で電池交換型の
メモリカードを構成できる技術を提供することである。
メモリカードを構成できる技術を提供することである。
[課題を解決するための手段]
上記の目的を達成できる本発明は、電池交換式の一次電
池のための正負両極の接続端子の間に一二次電池と電流
制限抵抗との直列回路を接続したメモリカードである。
池のための正負両極の接続端子の間に一二次電池と電流
制限抵抗との直列回路を接続したメモリカードである。
次電池としては例えばリチウム電池が好適であり、その
容量は一次電池の交換時間を考慮すると一次電池の容量
の1/10以下のもので十分である。
容量は一次電池の交換時間を考慮すると一次電池の容量
の1/10以下のもので十分である。
なお、ここでメモリカードとは、SRAMを備えたカー
ドをいい、SRAMのみのカードは無論のこと、SRA
Mの他にMPUなどを搭載したカードも含まれる。
ドをいい、SRAMのみのカードは無論のこと、SRA
Mの他にMPUなどを搭載したカードも含まれる。
[作用]
使用機器本体から取り外したメモリカードは、該メモリ
カードに内蔵さている一次電池からメモリ素子群への給
電によって記憶データが保持される。同時に一次電池か
ら電流制限抵抗を通して二次電池に充電電流を供給し、
該二次電池を充電する。
カードに内蔵さている一次電池からメモリ素子群への給
電によって記憶データが保持される。同時に一次電池か
ら電流制限抵抗を通して二次電池に充電電流を供給し、
該二次電池を充電する。
一次電池の寿命が切れると、それを交換するため一次電
池を取り外す。その時は二次電池からメモリ素子群に給
電し、記憶データを保存する。
池を取り外す。その時は二次電池からメモリ素子群に給
電し、記憶データを保存する。
一次電池の交換作業が完了したならば、新しい一次電池
からメモリ素子群に給電され、同時に二次電池への充電
が行われる。
からメモリ素子群に給電され、同時に二次電池への充電
が行われる。
それ故〜メモリカードに専用の充電回路を設ける必要は
無くなる。
無くなる。
[実施例]
第1図は本発明に係るメモリカードの電源回路の一実施
例を示している。
例を示している。
入力電源ライン10に第1のダイオードDIが接続され
、それを介してメモリ素子群12に接続され、更にグラ
ンド・ライン14に接続される。従ってメモリカードが
使用機器本体に接続され且つその使用機器本体が正常に
動作している時は、外部入力電源からこの経路で給電さ
れる。メモリカードの内部で、メモリ素子群12には交
換可能な一次電池B、と第2のダイオードD2と第1の
抵抗R8の直列回路が接続される。メモリカードが使用
機器本体に装着されていない時は、−次電池B、から第
2のダイオードDt及び第1の抵抗R1の経路でメモリ
素子群12に給電される。
、それを介してメモリ素子群12に接続され、更にグラ
ンド・ライン14に接続される。従ってメモリカードが
使用機器本体に接続され且つその使用機器本体が正常に
動作している時は、外部入力電源からこの経路で給電さ
れる。メモリカードの内部で、メモリ素子群12には交
換可能な一次電池B、と第2のダイオードD2と第1の
抵抗R8の直列回路が接続される。メモリカードが使用
機器本体に装着されていない時は、−次電池B、から第
2のダイオードDt及び第1の抵抗R1の経路でメモリ
素子群12に給電される。
さて本発明の特徴は、二次電池B2と電流制限抵抗R1
との直列回路を一次電池BIの正負両極の接続端子間に
接続する点である。−次電池B、が組み込まれている時
は、該−次電池B1から電流制限抵抗R3を通して充電
電流が流れ、二次電池B2は充電される。二次電池B2
としては例えばリチウム電池を用いる。リチウム電池の
自己放電電流は実用上は無視できる程度に非常に小さい
ため、−次電池B1から二次電池B2への充電損失は殆
ど無視できる。
との直列回路を一次電池BIの正負両極の接続端子間に
接続する点である。−次電池B、が組み込まれている時
は、該−次電池B1から電流制限抵抗R3を通して充電
電流が流れ、二次電池B2は充電される。二次電池B2
としては例えばリチウム電池を用いる。リチウム電池の
自己放電電流は実用上は無視できる程度に非常に小さい
ため、−次電池B1から二次電池B2への充電損失は殆
ど無視できる。
この二次電池B2の容量は、−次電池B1の交換時間を
考慮すると、その容量の1/10程度以下で十分である
。
考慮すると、その容量の1/10程度以下で十分である
。
一次電池B1を交換するため取り外した時、二次電池B
2から電流制限抵抗R3、第2のダイオードD2、抵抗
R0を通してメモリ素子群12に給電され、その記1.
aデータが保持される。
2から電流制限抵抗R3、第2のダイオードD2、抵抗
R0を通してメモリ素子群12に給電され、その記1.
aデータが保持される。
新しい一次電池B+ を装着した後は、該−次電池B1
からメモリ素子群12に給電されると共に電流制限抵抗
R3を介して二次電池B2に充電電流が流れ充電される
。
からメモリ素子群12に給電されると共に電流制限抵抗
R3を介して二次電池B2に充電電流が流れ充電される
。
[発明の効果1
本発明は上記のように二次電池と電流制限抵抗の直列回
路を一次電池の正負両極の接続端子間に接続する構成で
あるため、従来技術のような充電回路が不要となり部品
点数も少なくなり、回路構成は非常に簡素化される。こ
のためメモリカードの信頼性の向上並びにメモリ容量の
増大を図ることができる。
路を一次電池の正負両極の接続端子間に接続する構成で
あるため、従来技術のような充電回路が不要となり部品
点数も少なくなり、回路構成は非常に簡素化される。こ
のためメモリカードの信頼性の向上並びにメモリ容量の
増大を図ることができる。
第1図は本発明に係るメモリカードの一実施例を示す電
源部分の回路図、第2図は従来のメモリカードの電源部
分の回路図である。 10・・・入力電源ライン、12・・・メモリ素子群、
14・・・グランド・ライン、16・・・充電回路、B
、・・・−次電池、B2・・・二次電池、R3・・・電
流制限抵抗。 特許出願人 いわき電子株式会社
源部分の回路図、第2図は従来のメモリカードの電源部
分の回路図である。 10・・・入力電源ライン、12・・・メモリ素子群、
14・・・グランド・ライン、16・・・充電回路、B
、・・・−次電池、B2・・・二次電池、R3・・・電
流制限抵抗。 特許出願人 いわき電子株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電池交換可能な一次電池のための正負両極の接続端
子間に、二次電池と電流制限抵抗との直列回路を接続し
たことを特徴とする電池交換型メモリカード。 2、請求項1において、二次電池はリチウム電池であり
、その容量を一次電池の容量の1/10以下とした電池
交換型メモリカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233877A JPH04113490A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 電池交換型メモリカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233877A JPH04113490A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 電池交換型メモリカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04113490A true JPH04113490A (ja) | 1992-04-14 |
Family
ID=16961968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2233877A Pending JPH04113490A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 電池交換型メモリカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04113490A (ja) |
-
1990
- 1990-09-04 JP JP2233877A patent/JPH04113490A/ja active Pending
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