JPH0411728A - 半導体ウェハの洗浄装置 - Google Patents

半導体ウェハの洗浄装置

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JPH0411728A
JPH0411728A JP2112629A JP11262990A JPH0411728A JP H0411728 A JPH0411728 A JP H0411728A JP 2112629 A JP2112629 A JP 2112629A JP 11262990 A JP11262990 A JP 11262990A JP H0411728 A JPH0411728 A JP H0411728A
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
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    • H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H10P72/0411—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H10P72/0416—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は洗浄用の薬品を含む液体および純水によって半
導体ウェハを洗浄する装置に関する。
（従来の技術） 従来、半導体ウェハの洗浄装置は薬品の混入した液体で
洗浄する薬品槽から純水による最終洗浄槽までの複数の
槽がケース内に並置され、各洗浄槽とも底部から液また
は純水が導入され、薬品槽では該槽からオーバフローし
た液体は再びポンプおよびフィルターを通り循環される
。第６図は従来の洗浄装置における水洗槽を示すもので
あって、図において（１）は洗浄槽であり、（２）はオ
ーバーフロー槽であって、場合によっては洗浄槽（１）
を包囲しその洗浄槽からオーバフローした純水を受ける
ようにオーバフロー槽（２）が備えられ、それらの槽は
ケース（３）内に配置される。ケース（３）には排気ダ
クト（４）が設けられ、且つ洗浄槽（２）を間に挟んで
排気ダクト（４）に向き合って吹出口（５）が配置され
、吹出口（５）からクリーンエアを吹き出し、該クリー
ンエアは洗浄槽（２）の上を通り、排気ダクト（４）か
ら排出される。また、このケース（３）はクリーンルー
ム内に置かれ、クリーンルームの天井部からもフィルタ
ー（６）を通し、クリーンエアが導入され、各洗浄槽（
２）の上方からもエアを吹き付け、薬品を含む洗浄槽か
ら生じる蒸気によって半導体ウェハが影響を受けること
がないようにしている。
各洗浄槽において半導体ウェハはその液または水中に浸
漬され、水洗槽では水が充満オーバフローした状態の後
、洗浄槽下部の弁（７）を開いて槽内の水を放出し１次
いで弁（７）を閉じて下方より純水を導入して充満オー
バフローし、再び放出し、このような動作を数回くり返
し、次の洗浄槽に移動し、所望によりさらに薬品槽で洗
浄した後、水洗槽で同様な動作で洗浄し、純水または超
純水による仕上洗浄で終了する。なお、水をオーバフロ
ーする状態では第７図に示すように、弁（７）は閉じた
状態でオーバフロー槽（２）の底部の孔（２１）および
側部の孔（２２）からＭ１出し、放流する。槽（１）内
の水を放出する際は弁（７）を開き、洗浄槽底部の排出
孔（２３）から放流する。
（発明が解決しようとする課題） 上記のように、この種の洗浄装置はクリーンルーム内に
置かれ、クリーンエアは湿度が低く保たれるため静電気
が生じやすく、また、水洗槽では弁（７）の操作により
洗浄槽での水の出し入れがくり返し行なわれ、とくに水
を放出する際には純水と半導体ウェハの面との摩擦およ
び純水の放出に伴なって槽（１）内に導入されるクリー
ンエアと半導体ウェハの面との摩擦によって、半導体ウ
ェハの面に静電気が発生し、そのため半導体ウェハの面
はごみが付着しやすい状態になり、従ってクリーンエア
の中に含まれる僅かな異物または微分子およびオペ−レ
ータやロボットなどから生じるごみが半導体ウェハの面
に付着し１世情りを低下するという問題点があった。
本発明の目的は上記従来技術の問題点を解消することで
あって、それ故、半導体ウェハの面にごみや異物等が付
着するのを回避し得るようにした半導体ウェハの洗浄装
置を提供することである。
（課題を解決するための手段） 本発明による半導体ウェハの洗浄装置の特徴は洗浄槽と
、該洗浄槽の上にクリーンエアを流すため互に向き合っ
て配置された吹出口と排気ダクトを含むと共に、吹出口
にイオナイザーを設置し。
吹出口を通るクリーンエアに電荷を付与、即ちイオン化
するようにしたことである。
他の形態ではイオナイザーは洗浄槽の一方の側方または
相対する両側の側方に設置され、または吹出口と洗浄槽
の側方の両方に設けられる。
（作用） 従って、洗浄槽に流れるクリーンエアはイオナイザ、−
によってイオン化されるので、半導体ウェハの面に静電
気が発生してもクリーンエアとの接触によって中和され
、静電気が除去される。好ましくはイオナイザーの正極
と負極は適当な時間間隔で逆にされ、従ってクリーンエ
アに与えられる電荷を交互に変えることによって半導体
ウエノ）面の静電気を一層良好に中和することができる
。
（実施例） 次に本発明の実施例に関し説明する。第１図は本発明の
好適な一実施例を示すものであって１図示のようにこの
実施例では洗浄装置には洗浄槽（］）およびそれを包囲
するオーバフロー槽（２）が含まれ、複数列に配置され
たオーバフロー槽（２）はケス（３）内に設けられ、ク
リーンルーム内に設置される。洗浄槽（１）とオーバー
フロー槽（２）とはフッ素樹脂または石英などにより一
体に構成される。
またケースにはクリーンエアの吹出口（５）と排気ダク
ト（４）が向き合って配置される。水洗槽としての各洗
浄槽（１）の底部には水を放出するため弁（７）が備え
られている。
この洗浄装置の特徴は第１図および第２図に示すように
、洗浄槽（１）に向っ（吹き出されるクリンエアに電荷
を付与するため吹出口（５）にイオナイザー（１０）を
設置したことである。吹出口（５）としては、クリーン
エアを層流状態で送るため好ましくは図示のように、吹
出口を横方向に延びる細長い開口に仕切り、例えば図示
のように中間の仕切板（５ａ）を設けて開口が上下に区
分される。この場合、イオナイザー（１０）は上下の部
分に配置された例えばＳＵＳからなるバー電極（ｌｏａ
）と中間の仕切板（５ａ）に配置された針状電極（１ｏ
ｂ）（エミッタ）によって構成され、エミッタに正と負
の高電圧（例えば致方ポルト）を印加してコロナ放電を
起こさせ、その周りの空気を正負にイオン化し、帯電体
上の電荷を逆極性のイオンで中和するようになっている
。
また、他−の態様として第３図に示すように、イオナイ
ザーを吹、８口（５）に設ける代りに、洗浄槽（１）の
側方に設けてもよく、図示の実施例のようにオーバフロ
ー槽（２）がある場合、オーバフロー槽（２）における
クリーンエアの流れる方向に平行な相対する一対の側壁
または片側の側壁に設けてもよく、この場合、オーバフ
ロー槽の該側壁はそれぞれ上方に突出して形成され、該
突出部（２ａ）の内側にイオナイザー（１０）が設置さ
れる。このように洗浄槽（２）の側方に設ける場合、イ
オナイザーとしではそれ自体で別個に製作されたイオナ
イザーを用い得る利点がある。
さらに、場合によっては吹出口（５）にイオナイザー（
１０）を設けると共に、洗浄槽（１）の側方、即ちオー
バフロー槽（２）がある場合、オーバフロー槽（２）の
側壁（２ａ）にもイオナイザー（１０）を設けてもよい
。
なお、通常は第２図に見られるように、各列の洗浄槽（
１）もしくはオーバフロー槽（２）はその上に離れて置
かれたカバー（８）で被われ、そのカバの開口部（８ａ
）を通して、その上の天井部から下降するクリーンエア
が導入されるようになっている。
各列には単一、または複数の洗浄槽（１）が設置される
。なおまた、ここでいう洗浄槽（１）には水洗槽のみで
なく薬品槽も含まれることは云うまでもない。
第５図は洗浄装置の一例を示すものであって、図示のよ
うに、この装置ではオーバフロー槽（２）は複数列に設
置され、例えば第５図に見られるように５列に設置され
、最終洗浄が終ると、スピンドライヤ（９）などによっ
て乾燥される。この例では最初の洗浄が行なわれる薬品
槽（１１）、純水による水洗槽（１２）、薬品槽（１３
）　、水洗槽（１４）および最終洗浄が行なわれる超純
水による水洗槽（１５）の順に配置され、各列に吹出口
（５）および排気ダクト（４）が備えられている。キャ
リアに入れられた半導体ウェハは搬送装Ｗ（ロボット）
により順次移動される。
上記の実施例ではオーバフロー槽（２）が備えられてい
るが、第４図に示すようにオーバフロー槽がない場合も
あり、その場合、薬品槽では洗浄槽（１）の側方に支持
棒（１６）が立てられ、その支持棒によりパイプ固定板
（１７）が設置され、それにより配管（１８）やセンサ
などの器具が取付けられる。この形態では支持棒（１６
）または固定板（１７）によってイオナイザー（１０）
が支持される。
作動時、半導体ウェハは洗浄槽（１）内で洗浄され、そ
の上方は天井部および吹出口（５）からのクリーンエア
が流れ、洗浄槽（１）の上部およびそのまわりはクリー
ンエアの雰囲気になっている。そして、そのクリーンエ
アはイオナイザ＝（１０）によりイオン化されている。
従って、洗浄槽内の水が弁（７）の開放によって放出さ
れ、半導体ウェハ表面と水およびその際吸入される空気
との摩擦によって半導体ウェハに静電気が生−してもク
リーンエアのイオンによって中和されるので、静電気は
直ちに解消される。また、槽や配管等の静電気も中和さ
れ、解消される。
その際、クリーンエア中のイオンの極性を変えるためイ
オナイザー（１０）のエミッタに印加される電極の正負
を適当なサイクルで変えてもよい。
（発明の効果） 上記のように、本発明によれば、洗浄中に半導体ウェハ
に静電気が生じてもクリーンエア中のイオンによって中
和されるので、半導体ウェハに静電気が帯電することは
なく、従って半導体ウェハに微分子や異物が付着する事
態が避けられる。そのため好適に洗浄することができ、
歩留りを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一例による洗浄装置の要部を示す斜視
図、第２図はその概略断面図、第３図は他の実施例を示
す斜視図、第４図はさらに他の実施例を示す側面図、第
５図は洗浄装置の全体を示す平面図、第６図は従来の洗
浄装置を示す概略図、そして第７図は洗浄槽の一例を示
す断面図である。 図中、１：洗浄槽、４：排気ダクト、５：吹出口、１０
：イオナイザー

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）、半導体ウェハを洗浄する洗浄槽と、前記洗浄槽
    を間に挟んで排気用のダクトと向き合って配置されたク
    リーンエアの吹出口を含む半導体ウェハの洗浄装置にお
    いて、 前記吹出口にはそこを通って前記洗浄槽に向って吹き出
    されるクリーンエアに電荷を付与するためイオナイザー
    が設置されていることを特徴とする半導体ウェハの洗浄
    装置。
  2. （２）、さらに前記洗浄槽の側方にもイオナイザーが設
    置されている特許請求の範囲第１項記載の半導体ウェハ
    の洗浄装置。
  3. （３）、半導体ウェハを洗浄する洗浄槽を含む半導体ウ
    ェハの洗浄装置において、前記洗浄槽の上を流れるクリ
    ーンエアに電荷を付与するため前記洗浄槽の少なくも一
    方の側方にイオナイザーが設置されていることを特徴と
    する半導体ウェハの洗浄装置。
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