JPH06120185A - 洗浄用冶具 - Google Patents
洗浄用冶具Info
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- JPH06120185A JPH06120185A JP27123292A JP27123292A JPH06120185A JP H06120185 A JPH06120185 A JP H06120185A JP 27123292 A JP27123292 A JP 27123292A JP 27123292 A JP27123292 A JP 27123292A JP H06120185 A JPH06120185 A JP H06120185A
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- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 6
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】被洗浄基板の裏面に付着したパーティクルが他
の被洗浄基板の表面に転写しないようにして、パターン
欠陥を低減する。 【構成】底板５に少なくとも２つの側壁４，４が立設さ
れている。そして、該底板５には、複数の被洗浄基板２
を固定保持する複数個の固定部６，６，…が形成されて
いる。加えて、上記底板５には、固定部６，６，…に固
定保持された被洗浄基板２，２，…の間に位置して複数
の仕切り板３，３，…が設けられている。この仕切り板
３，３，…により他の被洗浄基板２，２，…へのパーテ
ィクル付着を防止する。
の被洗浄基板の表面に転写しないようにして、パターン
欠陥を低減する。 【構成】底板５に少なくとも２つの側壁４，４が立設さ
れている。そして、該底板５には、複数の被洗浄基板２
を固定保持する複数個の固定部６，６，…が形成されて
いる。加えて、上記底板５には、固定部６，６，…に固
定保持された被洗浄基板２，２，…の間に位置して複数
の仕切り板３，３，…が設けられている。この仕切り板
３，３，…により他の被洗浄基板２，２，…へのパーテ
ィクル付着を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置や液晶表示
装置等の基板を洗浄するのに用いられる洗浄用冶具に関
し、特に、パーティクルの再付着対策に係るものであ
る。
装置等の基板を洗浄するのに用いられる洗浄用冶具に関
し、特に、パーティクルの再付着対策に係るものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、基板の洗浄工程は、半導体装置な
どの製造工程を中心に低発塵化が進められている。そこ
で、以下、図５および図６に基づいて、従来の洗浄用冶
具の一例について説明する。図５は、従来の洗浄用冶具
の断面構造を示すものである。この図５において、１は
洗浄用冶具、２は被洗浄基板であって、該洗浄用冶具１
は、側板４，４が底板５の両側に立設されると共に、該
底板５に凹状の固定部６，６，…が複数形成されて成
り、該固定部支持部６，６，…に上記被洗浄基板２が固
定支持されている。図６は、上記洗浄用治具１を備えた
洗浄装置の構成図である。この図６において、７は洗浄
槽であって、該洗浄槽７内には上記洗浄用冶具１が設置
されている。さらに、８は給水口、11は水面である。そ
して、上記給水口８より給水方向９に高純度の水を洗浄
槽７に導入し、被洗浄基板２を洗浄する一方、洗浄した
水は洗浄槽７の上部開口より排水方向10に排出されてい
る。
どの製造工程を中心に低発塵化が進められている。そこ
で、以下、図５および図６に基づいて、従来の洗浄用冶
具の一例について説明する。図５は、従来の洗浄用冶具
の断面構造を示すものである。この図５において、１は
洗浄用冶具、２は被洗浄基板であって、該洗浄用冶具１
は、側板４，４が底板５の両側に立設されると共に、該
底板５に凹状の固定部６，６，…が複数形成されて成
り、該固定部支持部６，６，…に上記被洗浄基板２が固
定支持されている。図６は、上記洗浄用治具１を備えた
洗浄装置の構成図である。この図６において、７は洗浄
槽であって、該洗浄槽７内には上記洗浄用冶具１が設置
されている。さらに、８は給水口、11は水面である。そ
して、上記給水口８より給水方向９に高純度の水を洗浄
槽７に導入し、被洗浄基板２を洗浄する一方、洗浄した
水は洗浄槽７の上部開口より排水方向10に排出されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成の洗浄用治具１においては、該洗浄用治具１
に複数の被洗浄基板２，２，…を平行に隣接して保持し
ているのみであるので、被洗浄基板２の裏面に前工程の
搬送機構などで付着したパーティクルＰが水中に浮遊
し、該パーティクルＰが他の被洗浄基板２に再付着する
ことになる。この結果、該被洗浄基板２の表面に形成さ
れたパターンに欠陥を生じ、歩留まりが低下するという
問題点を有していた。
ような構成の洗浄用治具１においては、該洗浄用治具１
に複数の被洗浄基板２，２，…を平行に隣接して保持し
ているのみであるので、被洗浄基板２の裏面に前工程の
搬送機構などで付着したパーティクルＰが水中に浮遊
し、該パーティクルＰが他の被洗浄基板２に再付着する
ことになる。この結果、該被洗浄基板２の表面に形成さ
れたパターンに欠陥を生じ、歩留まりが低下するという
問題点を有していた。
【０００４】本発明は、斯かる点に鑑みてなされたもの
で、被洗浄基板の裏面に付着したパーティクルが他の被
洗浄基板の表面に転写しないようにして、パターン欠陥
を低減する洗浄用冶具を提供することを目的とするのも
である。
で、被洗浄基板の裏面に付着したパーティクルが他の被
洗浄基板の表面に転写しないようにして、パターン欠陥
を低減する洗浄用冶具を提供することを目的とするのも
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１に係る発明が講じた手段は、まず、底板
に少なくとも２つの側壁が立設されている。そして、該
底板には、複数の被洗浄基板を固定保持する複数個の固
定部が形成されている。加えて、上記底板には、固定部
に固定保持された被洗浄基板の間に位置して複数の仕切
り板が設けられた構成としている。また、請求項２に係
る発明が講じた手段は、上記請求項１の発明において、
仕切り板は、高抵抗流体との摩擦により帯電可能な材料
により形成された構成としている。また、請求項３に係
る発明が講じた手段は、上記請求項２の発明において、
仕切り板は、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピ
レンまたはポリ塩化ビニルの何れかで形成された構成と
している。
めに、請求項１に係る発明が講じた手段は、まず、底板
に少なくとも２つの側壁が立設されている。そして、該
底板には、複数の被洗浄基板を固定保持する複数個の固
定部が形成されている。加えて、上記底板には、固定部
に固定保持された被洗浄基板の間に位置して複数の仕切
り板が設けられた構成としている。また、請求項２に係
る発明が講じた手段は、上記請求項１の発明において、
仕切り板は、高抵抗流体との摩擦により帯電可能な材料
により形成された構成としている。また、請求項３に係
る発明が講じた手段は、上記請求項２の発明において、
仕切り板は、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピ
レンまたはポリ塩化ビニルの何れかで形成された構成と
している。
【０００６】
【作用】上記の構成により、本発明では、被洗浄基板の
洗浄時において、該被洗浄基板の背面に付着したパーテ
ィクルが洗浄水に浮遊することになるが、各被洗浄基板
間に仕切り板が位置するので、上記パーティクルが仕切
り板で受け止められ、該仕切り板に付着するか、または
排水されることになり、他の被洗浄基板の表面に再付着
することが防止される。特に、請求項２および３の発明
においては、上記仕切り板に静電気が帯電するので、上
記パーティクルが仕切り板に付着することになり、より
確実にパーティクルの再付着が防止される。
洗浄時において、該被洗浄基板の背面に付着したパーテ
ィクルが洗浄水に浮遊することになるが、各被洗浄基板
間に仕切り板が位置するので、上記パーティクルが仕切
り板で受け止められ、該仕切り板に付着するか、または
排水されることになり、他の被洗浄基板の表面に再付着
することが防止される。特に、請求項２および３の発明
においては、上記仕切り板に静電気が帯電するので、上
記パーティクルが仕切り板に付着することになり、より
確実にパーティクルの再付着が防止される。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例の洗浄用冶具につい
て、図面に基づいて詳細に説明する。なお、従来と同一
構成部分については同一符号でもって示す。図１は、本
発明の実施例における洗浄用冶具の断面構造を示し、図
２は、該洗浄用治具の平面図である。１は洗浄用冶具
で、２は、該洗浄用冶具１に保持される被洗浄基板であ
る。該洗浄用治具１は、少なくとも２つの側壁４，４
と、被洗浄基板２を保持するための底板５と、被洗浄基
板２の間に位置する仕切り板３，３，…を備えている。
そして、上記側板４，４は、底板５の両側に立設されて
おり、該底板５の上面には、上記被洗浄基板２を保持す
るための逆Ｖ字の凹状の固定部６，６，…が所定間隔を
存して多数平行に形成されている。
て、図面に基づいて詳細に説明する。なお、従来と同一
構成部分については同一符号でもって示す。図１は、本
発明の実施例における洗浄用冶具の断面構造を示し、図
２は、該洗浄用治具の平面図である。１は洗浄用冶具
で、２は、該洗浄用冶具１に保持される被洗浄基板であ
る。該洗浄用治具１は、少なくとも２つの側壁４，４
と、被洗浄基板２を保持するための底板５と、被洗浄基
板２の間に位置する仕切り板３，３，…を備えている。
そして、上記側板４，４は、底板５の両側に立設されて
おり、該底板５の上面には、上記被洗浄基板２を保持す
るための逆Ｖ字の凹状の固定部６，６，…が所定間隔を
存して多数平行に形成されている。
【０００８】また、上記仕切り板３，３，…は、本発明
の特徴とするもので、上記固定部６，６，…の間の凸部
に連続して底板５に立設され、被洗浄基板２，２，…の
間に位置して該被洗浄基板２，２，…の間を仕切るよう
に設けられている。そして、該仕切り板３，３，…は、
高抵抗流体、例えば、水との摩擦に対して帯電しない材
料で、例えば、アルミニウムで形成されるか、または水
との摩擦により帯電する材料で、例えば、ポリテトラフ
ルオロエチレン（テフロン）、ポリプロピレンまたはポ
リ塩化ビニルの何れかで形成されている。
の特徴とするもので、上記固定部６，６，…の間の凸部
に連続して底板５に立設され、被洗浄基板２，２，…の
間に位置して該被洗浄基板２，２，…の間を仕切るよう
に設けられている。そして、該仕切り板３，３，…は、
高抵抗流体、例えば、水との摩擦に対して帯電しない材
料で、例えば、アルミニウムで形成されるか、または水
との摩擦により帯電する材料で、例えば、ポリテトラフ
ルオロエチレン（テフロン）、ポリプロピレンまたはポ
リ塩化ビニルの何れかで形成されている。
【０００９】図３は、上記洗浄用治具１を備えた洗浄装
置の構成図である。この図３において、７は洗浄槽であ
って、該洗浄槽７内には上記洗浄用冶具１が設置されて
いる。さらに、８は給水口、11は水面である。そして、
上記洗浄槽７は、給水口８より給水方向９に高純度の水
が洗浄槽７に導入され、被洗浄基板２を洗浄する一方、
洗浄した水が洗浄槽７の上部開口より排水方向10に排出
されるように構成されている。
置の構成図である。この図３において、７は洗浄槽であ
って、該洗浄槽７内には上記洗浄用冶具１が設置されて
いる。さらに、８は給水口、11は水面である。そして、
上記洗浄槽７は、給水口８より給水方向９に高純度の水
が洗浄槽７に導入され、被洗浄基板２を洗浄する一方、
洗浄した水が洗浄槽７の上部開口より排水方向10に排出
されるように構成されている。
【００１０】次に、以上のように構成された洗浄用冶具
１について、図１乃至図３に基づき洗浄動作を説明す
る。まず、洗浄槽１には、給水口８により洗浄水、例え
ば、高純度の水が導入されており、該水は、開放されて
いる洗浄槽７の上部より排水方向10に向って排出してい
る。一方、被洗浄基板２は、洗浄用冶具１に保持され、
具体的に、固定部６に固定支持されている。そして、該
各被洗浄基板２，２，…の間には、仕切り板３，３，…
が位置して各被洗浄基板２，２，…を仕切っている。こ
の状態において、上記高純度の水によって各被洗浄基板
２，２，…を洗浄しており、その際、被洗浄基板２，
２，…の裏面から一度洗い落とされたパーティクルＰ
が、水中に浮遊するが、該パーティクルＰは仕切り板
３，３，…で遮断され、他の被洗浄基板２に再付着する
ことが低減される。以上のように本実施例によれば、水
中に浮遊したパーティクルＰを仕切り板３，３，…で受
けとめるので、該パーティクルＰが並列に置かれている
被洗浄基板２の表面に再付着することを低減することが
できる。この結果、上記被洗浄基板２の表面に形成され
たパターンを損傷させることがなく、歩留まりや信頼性
を向上させることができる。
１について、図１乃至図３に基づき洗浄動作を説明す
る。まず、洗浄槽１には、給水口８により洗浄水、例え
ば、高純度の水が導入されており、該水は、開放されて
いる洗浄槽７の上部より排水方向10に向って排出してい
る。一方、被洗浄基板２は、洗浄用冶具１に保持され、
具体的に、固定部６に固定支持されている。そして、該
各被洗浄基板２，２，…の間には、仕切り板３，３，…
が位置して各被洗浄基板２，２，…を仕切っている。こ
の状態において、上記高純度の水によって各被洗浄基板
２，２，…を洗浄しており、その際、被洗浄基板２，
２，…の裏面から一度洗い落とされたパーティクルＰ
が、水中に浮遊するが、該パーティクルＰは仕切り板
３，３，…で遮断され、他の被洗浄基板２に再付着する
ことが低減される。以上のように本実施例によれば、水
中に浮遊したパーティクルＰを仕切り板３，３，…で受
けとめるので、該パーティクルＰが並列に置かれている
被洗浄基板２の表面に再付着することを低減することが
できる。この結果、上記被洗浄基板２の表面に形成され
たパターンを損傷させることがなく、歩留まりや信頼性
を向上させることができる。
【００１１】次に、図１における仕切り板３の材料選定
について説明する。上述したように、上記仕切り板３
は、帯電しない材料を使用する場合と、帯電する材料を
使用する場合があり、例えば、アルミニウムとすると、
高純度の水流との摩擦では、静電気が発生しないが、例
えば、テフロンとすると、静電気が発生し、この静電気
が仕切り板３に帯電することになる。そこで、上記仕切
り板３をアルミニウムにした場合と、テフロンにした場
合とにおけるパーティクルＰの付着量を従来例との比較
で説明すると、図４に示すように、被洗浄基板２の裏面
に１００００以上のパーティクルＰが付着している場
合、この状態において、例えば、１０分間洗浄をする
と、従来の技術では、対向して置かれている被洗浄基板
２の表面に５０００個程度のパーティクルＰが再付着す
る。これに対し、本発明の洗浄用冶具１では、仕切り板
３をアルミニウムとして同条件下で洗浄すると、パーテ
ィクルＰの再付着量をおよそ１００個に低減することが
できる。さらに、仕切り板３をテフロンとすると、６０
個に低減することができる。以上のように、上記洗浄冶
具１に被洗浄基板２，２，…の間に位置して仕切り板
３，３，…を設けることにより、被洗浄基板２の表面へ
のパーティクルＰの再付着を低減することができ、特
に、該仕切り板３に帯電する材料であるテフロンなどを
用いると、さらにパーティクル遮断低減効果がある。
について説明する。上述したように、上記仕切り板３
は、帯電しない材料を使用する場合と、帯電する材料を
使用する場合があり、例えば、アルミニウムとすると、
高純度の水流との摩擦では、静電気が発生しないが、例
えば、テフロンとすると、静電気が発生し、この静電気
が仕切り板３に帯電することになる。そこで、上記仕切
り板３をアルミニウムにした場合と、テフロンにした場
合とにおけるパーティクルＰの付着量を従来例との比較
で説明すると、図４に示すように、被洗浄基板２の裏面
に１００００以上のパーティクルＰが付着している場
合、この状態において、例えば、１０分間洗浄をする
と、従来の技術では、対向して置かれている被洗浄基板
２の表面に５０００個程度のパーティクルＰが再付着す
る。これに対し、本発明の洗浄用冶具１では、仕切り板
３をアルミニウムとして同条件下で洗浄すると、パーテ
ィクルＰの再付着量をおよそ１００個に低減することが
できる。さらに、仕切り板３をテフロンとすると、６０
個に低減することができる。以上のように、上記洗浄冶
具１に被洗浄基板２，２，…の間に位置して仕切り板
３，３，…を設けることにより、被洗浄基板２の表面へ
のパーティクルＰの再付着を低減することができ、特
に、該仕切り板３に帯電する材料であるテフロンなどを
用いると、さらにパーティクル遮断低減効果がある。
【００１２】なお、第１の実施例において、仕切り板
３，３，…は洗浄冶具１に固定としたが、仕切り板３，
３，…は、表面にパーティクルＰが付着してもよい被洗
浄基板を用いてもよい。また、請求項１に係る発明にお
いては、仕切り板３，３，…の材料は実施例に限られる
ものではない。
３，３，…は洗浄冶具１に固定としたが、仕切り板３，
３，…は、表面にパーティクルＰが付着してもよい被洗
浄基板を用いてもよい。また、請求項１に係る発明にお
いては、仕切り板３，３，…の材料は実施例に限られる
ものではない。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る発明によ
れば、洗浄用冶具に仕切り板を設けることにより、被洗
浄基板の表面へのパーティクルの付着を確実に低減する
ことができる。このため、半導体装置や液晶表示装置等
の歩留まりや信頼性を向上させることができる。また、
請求項２および３に係る発明によれば、仕切り板を帯電
する材料で形成しているので、帯電した静電気によって
パーティクルを仕切り板に吸着することができることか
ら、より確実に被洗浄基板の表面へのパーティクルの付
着を低減することができる。
れば、洗浄用冶具に仕切り板を設けることにより、被洗
浄基板の表面へのパーティクルの付着を確実に低減する
ことができる。このため、半導体装置や液晶表示装置等
の歩留まりや信頼性を向上させることができる。また、
請求項２および３に係る発明によれば、仕切り板を帯電
する材料で形成しているので、帯電した静電気によって
パーティクルを仕切り板に吸着することができることか
ら、より確実に被洗浄基板の表面へのパーティクルの付
着を低減することができる。
【図１】本発明の実施例における洗浄用冶具の断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例における洗浄用治具の平面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の実施例における洗浄装置の構成図であ
る。
る。
【図４】本発明と従来例とのパーティクル付着の特性図
である。
である。
【図５】従来例における洗浄用冶具の断面図である。
【図６】従来例における洗浄装置の構成図である。
１ 洗浄用冶具 ２ 被洗浄基板 ３ 仕切り板 ４ 側壁 ５ 底板 ６ 固定部 ７ 洗浄槽 ８ 給水口 ９ 給水方向 10 排水方向 11 水面
Claims (3)
- 【請求項１】 底板に少なくとも２つの側壁が立設さ
れ、 該底板には、複数の被洗浄基板を固定保持する複数個の
固定部が形成される一方、 上記底板には、固定部に固定保持された被洗浄基板の間
に位置して複数の仕切り板が設けられていることを特徴
とする洗浄用治具。 - 【請求項２】 請求項１記載の洗浄用治具において、仕
切り板は、高抵抗流体との摩擦により帯電可能な材料に
より形成されていることを特徴とする洗浄用冶具。 - 【請求項３】 請求項２記載の洗浄用治具において、仕
切り板は、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレ
ンまたはポリ塩化ビニルの何れかで形成されていること
を特徴とする洗浄用冶具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27123292A JPH06120185A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 洗浄用冶具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27123292A JPH06120185A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 洗浄用冶具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120185A true JPH06120185A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17497201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27123292A Withdrawn JPH06120185A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 洗浄用冶具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120185A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4891727A (en) * | 1986-12-18 | 1990-01-02 | Mitsubishi Denki K.K. | Memory device |
| US5868150A (en) * | 1994-11-14 | 1999-02-09 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| US5958146A (en) * | 1994-11-14 | 1999-09-28 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids |
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
| JP2010056416A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ハイブリッド基板の洗浄方法 |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP27123292A patent/JPH06120185A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4891727A (en) * | 1986-12-18 | 1990-01-02 | Mitsubishi Denki K.K. | Memory device |
| US5868150A (en) * | 1994-11-14 | 1999-02-09 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| US5873947A (en) * | 1994-11-14 | 1999-02-23 | Yieldup International | Ultra-low particle disk cleaner |
| US5932027A (en) * | 1994-11-14 | 1999-08-03 | Yieldup International | Cleaning and drying photoresist coated wafers |
| US5958146A (en) * | 1994-11-14 | 1999-09-28 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids |
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
| JP2010056416A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ハイブリッド基板の洗浄方法 |
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