JPH04119668A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は、半導体素子の製造方法に関する。

Ｂ０発明の概要 本発明は、半導体素子の製造方法において、ベベル加工
時に使用される緩衝板を樹脂による緩衝膜で形成するこ
とにより従来使用されていたワックスを不要として作業
性及び歩留まりを向上し、更に緩衝膜の除去を容易にし
たものである。

Ｃ１従来の技術 従来、半導体素子で、縦方向に電圧が印加される素子に
おいては、ベベル加工を施して半導体素子の端面に傾斜
をつけて半導体素子表面の電界強度を内部の電界強度よ
り下げるようにしている。

従来、このベベル加工は第２図に示す方法により行われ
ている。

即ち、第２図（ａ）に示すように、タングステン又はモ
リブデンの熱緩衝板１上に半導体素子を合金してなるペ
レットの半導体素子部２の表面に、シリコンやガラス等
からなるワックス７を塗布し、その上に緩衝板３０を押
圧して圧着を行う。

この緩・坂３０を半導体′１；子部に圧着する際、ベレ
ソｔ−６図示省略したホットプレート等で加熱した後ワ
ックス７をこの上に塗布し、液化したワックスの上から
緩衝板３０を圧接してワックスに発生する気泡を押し出
して密着させる。

次に、このベレットをホットプレートからおろして固化
させるが、このとき緩衝板３０がペレットの対向面と水
平になるようにしてワックスを固化させる。

その後、上記のベレットを第２図（ｂ）に示されるよう
に熱緩衝板１を下にしてターンテーブル４上に水平にセ
ットしてターンテーブル４を回転させると同時に、細い
ノズル６からサンドブラスト（砂）を噴出し、通常３０
″〜７０°程度の角度をつけて溝を形成する。

この溝を形成した後、再びベレットをホットプレートに
載せて加熱し、ワックスを液化させて緩衝板３０をピン
セット等で取り除く。このように緩衝板３０を用いると
サンドブラストでベベル加工をするとき、砂の入射時の
砂の反射によるベベル角の損傷が防止される。

Ｄ１発明が解決しようとする課題 以上のように、従来の製造方法においては緩衝板をワッ
クスにより圧接する方法を採っているため、第３図〜第
４図において説明するような種々の課題が存在する。

第３図（ａ）　、（ｂ）、（ｃ）第４図（ａ）、（ｂ）
、（Ｃ）、第５図における従来技術の半導体素子の構成
は、前述の半導体素子と同様なので詳細な説明は省略す
る。

即ち、第３図（ａ）に示されるように、緩衝板と半導体
素子部の接合手段にワックスを用いているが、半導体素
子部は加熱したとき熱緩衝板との合金による反りが生じ
るため、ペレットの周辺部でワックスが厚くなっている
。

このため第３図（ａ）　、（ｂ）のように気泡が発生し
易くなり、特に第３図（ｃ）のようにベベル加工部に気
泡が生じた場合は、気泡中で砂が散乱してしまう。

このためベベル加工される重要な部分の内側及び外側に
砂の廻り込みによる損傷が起こり、特に内側のダメージ
により素子の耐電圧を劣化させる原因となっている。

また、上記ワックスは発塵性があるため、取り扱いには
十分な注意が必要である。

更に、ペレットのベベル加工を行った後には、緩衝板を
半導体素子部から剥がさなければならないが、上記の方
法においては半導体素子部をホットプレートにのせて加
熱して緩衝板を固定しているワックスを液化させた後に
ピンセット等を用いて緩衝板を挟んで剥がすようにして
いる。

このため、第４図（ｄ）に示すように、ピンセットで緩
衝板を除去する際に半導体素子にピンセットが接触して
ベベル加工した角を損傷する恐れがある。

更にまた、緩衝板は素子に強く接着されているため、第
４図（ｂ）に示されるように横に滑らせて剥がす工程に
おいて、例えば第４図（Ｃ）に示されるように引っ張ら
れた反対側の角がベベルに当たる等の物理的接触により
ベベルの損傷が起こる場合があり、その結果歩留まりが
低下する上、上記のように、ホットプレート上で半導体
素子を加熱しながら作業を行わなければならないため作
業性が悪い等の問題点があった。

本発明はこのような背景の下になされたものであり、ワ
ックスが不要で作業性及び歩留まりが高く、更に除去が
容易な緩衝膜を提供することを目的とする。

８１課題を解決するための手段及び作用本発明は上記の
課題を解決するために、緩衝板を形成してベベル加工を
行う半導体素子の製造方法において、前記緩衝板に代え
、液体状樹脂を塗布するか若しくは粘着フィルムを貼っ
て樹脂による緩衝膜を形成し、この緩衝膜上よりサンド
ブラストでベベル加工を行ない、しかる後に、前記緩衝
膜の除去を行う。

Ｆ、実施例 第１図に本発明の一実施例を示す。

■はタングステンやモリブデン等の熱緩衝板、２は半導
体素子部、３は緩衝膜で、液体状樹脂膜もしくは樹脂に
よる粘着シール等よりなる。４はターンテーブル、５は
液体状樹脂の定量吐出器、６はサンドブラストを噴出す
るノズルである。

次に、本発明の実施例の製造方法について説明する。

第１実施例 まず、第１図（ａ）に示すように、ターンテーブル４の
上に熱緩衝板１を合金した半導体素子部を熱緩衝板を下
にして設置し、この半導体素子部の中心部に定量吐出器
５によりレジンレジストやポリイミド等の液体状樹脂の
滴下を行い、同時に液体状樹脂の材質に応じた例えば１
０〜５００ｒｐｍ程度の回転数で数秒間ターンテーブル
上で半導体素子部を回転させて全面に塗布を行う。

次に、樹脂を均一に広げるために、再度この半導体素子
部をターンテーブル上で、液状樹脂の粘度に応じた回転
数、例えば１０００〜３０００ｒｐｍ程度で回転させる
。その後、材質に適した温度で加熱して硬化させる。

このようにして厚さ数μｍ程度の薄い緩衝膜３ａを形成
した後、従来の製造方法と同様の方法でベベル加工を施
す。

ベベル加工を行った後、発煙硝酸や、ヒドラジン等の有
機アルカリ溶液等を用いて緩衝膜３ａの除去を行う。

第２実施例 第２実施例は、上記のようなターンテーブルを用いずに
第１図（ｂ）に示されるように、ベレットにポリイミド
粘着フィルムもしくはセロファン粘着フィルム等の粘着
シールを貼って緩衝膜３ｂを形成する。

以下、第１の実施例と同様の製造方法でベベル加工を施
し、緩衝膜３ｂの除去を行う。

以上、いずれの方法においても、十分にベベル角を保護
する緩衝膜が形成される。

本実施例においては、液状樹脂や粘着シールを用いて緩
衝膜を形成したが、その他の化学的処理による除去が可
能な素材を用いても良い。

また、上記実施例では形成された緩衝膜を化学的処理に
より除去したが、この緩衝膜は半導体素子よりも硬度が
小さいため、物理的除去を行った場合でも半導体素子と
同程度の硬度である従来の緩衝板に比して損傷を生ずる
危険は少なくなる。

更に、従来の製造方法においては、緩衝板の厚みが数百
μｍになってベベル加工時間が長くなり、またサンドブ
ラストに要する砂も多量を要し、かつ、第５図に示され
るようにサンドブラストは砂を斜めに噴出するため、緩
衝板の厚みに比例して半導体素子部の面積効率が悪くな
っていた。

これに対し、本実施例においては、緩衝膜の厚さがが従
来の百分の一程度の数μｍと薄くなるので、サンドブラ
ストに要する砂の量及びベベル加工時間が短縮されてい
る。

Ｇ１発明の効果 本発明によれば、半導体素子部の緩衝膜を化学処理や簡
単な物理的処理により容易に除去できる液状樹脂や粘着
シール等で形成したことにより、従来技術において緩衝
板と半導体素子部の接着手段となっていたワックスが不
要となるため、従来技術においてワックス内に生じる気
泡により生起されていたベベル加工時の半導体素子部へ
のダメージを解消することができる。

また、上記ワックスは発塵の原因となり易いために取り
扱いが難しかったが、ワックスが不要となるためこれら
をも解消できる。

更に、化学的処理により緩衝膜を除去できるため、従来
はホットプレート上で半導体素子部を加熱しながら物理
的に行っていた緩衝板の除去工程が不要となって作業性
が向上し、かつ半導体素子部への物理的損傷を防ぐこと
ができる。

更にまた、第５図に示されるように、サンドブラストは
砂を斜めに噴出するため、緩衝膜が薄くなることにより
面積効率が向上するという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例における半導体素子の製造
工程の説明図、第２図（ａ）　、（ｂ）　、第の説明図
、第５図（ａ）、（ｂ）は半導体面積効率の説明図であ
る。 １・・・熱緩衝板、２・・・半導体素子部、３・・・緩
衝板、３ａ・・・液体状樹脂による緩衝膜、 ３ｂ・・・樹脂の粘着テープによる緩衝膜、４・・・タ
ーンテーブル、５・・・定量吐出器、６・・・ノズル、 ７・−・ワックス層、 ８・・・ビン ！ット 外１名 第１図 本発明の一実施例の説明図 （ｂ） 熱緩衝板 半導体素子部 緩＆板 液体状樹脂による緩衝膜 樹脂の粘着ナーブによる緩衝膜 ターノテーブル 定量吐出器 ノズル ワックス層 ビンセット 第４図 従来技術における半導体素子の説明図 （Ｃ） （ＣＩ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）緩衝板を形成してベベル加工を行う半導体素子の
   製造方法において、 前記緩衝板を樹脂から成る緩衝膜により形成し、ベベル
   加工を行った後に、前記緩衝膜の除去を行うことを特徴
   とする半導体素子の製造方法。