JPH0412060A - 窒化珪素焼結体の製造法 - Google Patents
窒化珪素焼結体の製造法Info
- Publication number
- JPH0412060A JPH0412060A JP2114011A JP11401190A JPH0412060A JP H0412060 A JPH0412060 A JP H0412060A JP 2114011 A JP2114011 A JP 2114011A JP 11401190 A JP11401190 A JP 11401190A JP H0412060 A JPH0412060 A JP H0412060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- raw material
- silicon nitride
- free carbon
- strength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 38
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 101100057143 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) cta3 gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009973 Ti2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- GQUJEMVIKWQAEH-UHFFFAOYSA-N titanium(III) oxide Chemical compound O=[Ti]O[Ti]=O GQUJEMVIKWQAEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N ytterbium(III) oxide Inorganic materials O=[Yb]O[Yb]=O FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は高強度な窒化珪素焼結体の製造状に関するもの
である。
である。
［従来の技術］
従来から、窒化珪素の強度向上、破壊靭性の向上のため
、あるいは粒界相の制御等の目的で窒化珪素にＳｉＣを
添加して焼結することが行なわれている。（特開昭６１
−２６１２６８号公報および’Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｅｒａｍｉｃ
５ｏｃｉｅｔｙ」（Ｆ、Ｆ、ＬＡＮＧＥ） ｖｏｌ、
５６．Ｎｏ、９．ｐ４４ｓ−４５０参照〕すなわち特開
昭６１−２６１２６８号公報には、窒化珪素とＳｉＣか
らなる耐熱性を有する高靭性セラミックス焼結体が開示
されており、また’Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ａ
ｍｅｒｉｃａｎ Ｃｅｒａｍｉｃ ５ｏｃｉｅｔｙ」で
は、窒化珪素−ＳｉＣ複合体が高温強度などの各種特性
に優れていることが報告されている。
、あるいは粒界相の制御等の目的で窒化珪素にＳｉＣを
添加して焼結することが行なわれている。（特開昭６１
−２６１２６８号公報および’Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｅｒａｍｉｃ
５ｏｃｉｅｔｙ」（Ｆ、Ｆ、ＬＡＮＧＥ） ｖｏｌ、
５６．Ｎｏ、９．ｐ４４ｓ−４５０参照〕すなわち特開
昭６１−２６１２６８号公報には、窒化珪素とＳｉＣか
らなる耐熱性を有する高靭性セラミックス焼結体が開示
されており、また’Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ａ
ｍｅｒｉｃａｎ Ｃｅｒａｍｉｃ ５ｏｃｉｅｔｙ」で
は、窒化珪素−ＳｉＣ複合体が高温強度などの各種特性
に優れていることが報告されている。
［発明か解決しようとする課題］
しかしなから、本発明者か種々検討したところ上記した
従来技術のように窒化珪素原料にただ単にＳｉＣを添加
するたけては、使用するＳｉＣ原料の種類によって、得
られる焼結体の表面や内部に粒界相か局所的に結晶化し
た斑点か発生したり、分散性か悪いために焼結体内にＳ
ｉＣの凝集体か残存することがあった。これらは何れも
窒化珪素焼結体の強度低下の原因となることが判明した
。
従来技術のように窒化珪素原料にただ単にＳｉＣを添加
するたけては、使用するＳｉＣ原料の種類によって、得
られる焼結体の表面や内部に粒界相か局所的に結晶化し
た斑点か発生したり、分散性か悪いために焼結体内にＳ
ｉＣの凝集体か残存することがあった。これらは何れも
窒化珪素焼結体の強度低下の原因となることが判明した
。
［課題を解決するための手段］
そして、本発明者は上記した問題か、ＳｉＣ原料中にＳ
ｉＣ以外のフリーカーボン量が一定量以上台まれた場合
に発生することを突き止め、本発明に到達した。
ｉＣ以外のフリーカーボン量が一定量以上台まれた場合
に発生することを突き止め、本発明に到達した。
即ち、本発明によれば、窒化珪素原料に、ＳｉＣ以外の
フリーカーボン量が１．１重量％以下のＳｉＣ原料を添
加し、焼成することを熱処理する窒化珪素焼結体の製造
法、が提供される。
フリーカーボン量が１．１重量％以下のＳｉＣ原料を添
加し、焼成することを熱処理する窒化珪素焼結体の製造
法、が提供される。
また本発明においては、ＳｉＣ原料を熱処理してフリー
カーボンを除去することが好ましい。この場合、窒化珪
素原料とＳｉＣ原料からなる成形体を作製した後適当な
温度て熱処理してフリーカーボンを除去してもよいが、
予めＳｉＣ原料を熱処理した方か効果か大きい。
カーボンを除去することが好ましい。この場合、窒化珪
素原料とＳｉＣ原料からなる成形体を作製した後適当な
温度て熱処理してフリーカーボンを除去してもよいが、
予めＳｉＣ原料を熱処理した方か効果か大きい。
［作用］
ＳｉＣ原料中のフリーカーボン量を一定量以下にするこ
とにより、得られる窒化珪素焼結体における斑点の発生
やＳｉＣの凝集かなくなり、強度低下を起こさなくなる
理由として次のことか考えられる。
とにより、得られる窒化珪素焼結体における斑点の発生
やＳｉＣの凝集かなくなり、強度低下を起こさなくなる
理由として次のことか考えられる。
ＳｉＣ粒子の表面に薄いフリーカーボンが存在すると、
窒化珪素との混合中においてＳｉＣ粒子の分散か悪くな
る。その結果ＳｉＣは不均質に凝集して存在することに
なり、強度を低下させる。
窒化珪素との混合中においてＳｉＣ粒子の分散か悪くな
る。その結果ＳｉＣは不均質に凝集して存在することに
なり、強度を低下させる。
また、凝集体の周ってはフリーカーボンによる還元効果
て局所的に粒界相の組成か変化し、さらにフリーカーボ
ンが核となって粒界相の結晶化か著しく進行してしまう
こともある。これか斑点となって焼結体内に残り焼結体
の強度を低下させる。
て局所的に粒界相の組成か変化し、さらにフリーカーボ
ンが核となって粒界相の結晶化か著しく進行してしまう
こともある。これか斑点となって焼結体内に残り焼結体
の強度を低下させる。
また、フリーカーボンか単独粒子で存在しても上述の還
元効果により斑点か生成し、強度を低下させることが考
えられる。
元効果により斑点か生成し、強度を低下させることが考
えられる。
そこて、フリーカーボンの含有量が一定量以下のＳｉＣ
原料を用いることにより、強度低下のない窒化珪素焼結
体を得ることがてきる。
原料を用いることにより、強度低下のない窒化珪素焼結
体を得ることがてきる。
なお、本発明において用いるＳｉＣ原料としては、α型
、β型、非晶質の何れの種類であってもよい。
、β型、非晶質の何れの種類であってもよい。
本発明では、ＳｉＣ原料の熱処理は、ＳｉＣ原料中のフ
リーカーボンを飛散、除去してＳｉＣ原料中のフリーカ
ーボン量を極力減少させることを目的として行なうもの
てあり、その目的か達成てきれるものてあれば熱処理条
件は限定されないか、好ましくは酸化性の雰囲気下、６
５０〜１２００°Ｃの温度範囲て１〜２０時間行なう。
リーカーボンを飛散、除去してＳｉＣ原料中のフリーカ
ーボン量を極力減少させることを目的として行なうもの
てあり、その目的か達成てきれるものてあれば熱処理条
件は限定されないか、好ましくは酸化性の雰囲気下、６
５０〜１２００°Ｃの温度範囲て１〜２０時間行なう。
さらに好ましくは、酸化性の雰囲気下１０００〜１２０
０℃の温度で１〜３時間行なう。１０００〜１２００℃
ではＳｉＣ粒子の表面に酸化膜か形成され、これによっ
てさらに分散性をよくするものである。
０℃の温度で１〜３時間行なう。１０００〜１２００℃
ではＳｉＣ粒子の表面に酸化膜か形成され、これによっ
てさらに分散性をよくするものである。
次に本発明の製造法の概略を説明する。
まず窒化珪素原料粉末とＳｉＣ以外のフリーカーボン量
が１．１重量％以下であるＳｉＣ原料および希土類酸化
物などの焼結助剤とからなる混合物を調製する。次に得
られた混合物を所定の形状に成形して成形体を得る。次
いで、得られた成形体を常圧あるいは加圧窒素雰囲気下
において焼成することにより、ＳｉＣの凝集、又は斑点
の発生のない強度の大きな窒化珪素焼結体を製造するこ
とができる。
が１．１重量％以下であるＳｉＣ原料および希土類酸化
物などの焼結助剤とからなる混合物を調製する。次に得
られた混合物を所定の形状に成形して成形体を得る。次
いで、得られた成形体を常圧あるいは加圧窒素雰囲気下
において焼成することにより、ＳｉＣの凝集、又は斑点
の発生のない強度の大きな窒化珪素焼結体を製造するこ
とができる。
［実施例］
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するか、本
発明はこれらの実施例に限られるものてはない。
発明はこれらの実施例に限られるものてはない。
（実施例１）
純度９７重量％、酸素含有量２．２重量％、炭素含有量
０．０５重量％、モ均粒子径０，６沖層、 ＢＥＴ比表
面積１７ｍ２／ｇの窒化珪素原料粉末と、純度９９．９
重量％、平均粒子径０．３〜２．５延１の第１表記載の
焼結助剤と、純度９９重量％平均粒子径０．３〜（１フ
ルｌ、比表面積ｌ。
０．０５重量％、モ均粒子径０，６沖層、 ＢＥＴ比表
面積１７ｍ２／ｇの窒化珪素原料粉末と、純度９９．９
重量％、平均粒子径０．３〜２．５延１の第１表記載の
焼結助剤と、純度９９重量％平均粒子径０．３〜（１フ
ルｌ、比表面積ｌ。
〜２０ｍ２／ｇのＳｉＣを第１表記載の割合で調合し、
窒化珪素質磁器製玉石と内容積１．２又のナイロン樹脂
製容器を用いて、原料調合物２００ｇに対して玉石１．
８ｋｇ、水３００ｍ１を加え、振動数１２００回／分の
振動ミルて３時間粉砕した。その後、水を蒸発させ粒径
１５０ル膓に造粒し、成形用粉末とした。次に、７ ｔ
ｏｎ／ｃｍ２の圧力て静水圧プレスし、５０ｘ４０ｘ６
ｍｍの成形体を作製し、第１表記載の焼成条件て焼成し
、Ｎｏ、 ］〜１５の焼結体を得た。また、原料中のフ
リーカーボン量が未発明の範囲外のＳｉＣを使用して、
比較例Ｎ。
窒化珪素質磁器製玉石と内容積１．２又のナイロン樹脂
製容器を用いて、原料調合物２００ｇに対して玉石１．
８ｋｇ、水３００ｍ１を加え、振動数１２００回／分の
振動ミルて３時間粉砕した。その後、水を蒸発させ粒径
１５０ル膓に造粒し、成形用粉末とした。次に、７ ｔ
ｏｎ／ｃｍ２の圧力て静水圧プレスし、５０ｘ４０ｘ６
ｍｍの成形体を作製し、第１表記載の焼成条件て焼成し
、Ｎｏ、 ］〜１５の焼結体を得た。また、原料中のフ
リーカーボン量が未発明の範囲外のＳｉＣを使用して、
比較例Ｎ。
、１６〜２０の焼結体を作製した。尚、Ｎｏ、９．１０
，１８．１９の焼結体はホットプレスにより作製した。
，１８．１９の焼結体はホットプレスにより作製した。
得られた窒化珪素焼結体の相対嵩密度（％）および室温
における四点曲げ強度（Ｍ Ｐ ａ ）を測定し、その
結果を第１表に示す。
における四点曲げ強度（Ｍ Ｐ ａ ）を測定し、その
結果を第１表に示す。
なお、第１表中の相対嵩密度は、焼結体の嵩密度をアル
キメデス法により測定し、理論密度に対する相対値とし
て記載した。ただし、理論密度は調合粉末組成と調合物
の密度より計算した。調合物の密度は、Ｓｉ：＋Ｎ＜
：３．２ｇ／ｃｍ’、Ｙ２０＋：５．Ｏｇ／ｃｍ：Ｉ、
Ｙｂ２Ｏ３： ９ 、２ｇ／ｃｍ３．Ｔｉ２Ｏ３：８
、８ｇ／ ＣＩｍ” 、、Ｌ１１２０：ｌ ： ９ 、
４ｇ／ｃｔａ３． Ｅ ｒ２０．、 ： ８．６ｇ／ａ
ｍ’ 、 ＭｇＯ： ３．６５ｇ／ｃｍ３． ＺｒＯ□
： ５．８６ｇ／ｃｍ’、ＳｉＣ：：１．２ｇ／ｃｍ：
′を用いた。また、四点曲げ強度は、ＪＩＳ Ｒ−１，
６０１ｒファインセラミックスの曲げ強さ試験法」に従
って測定した。
キメデス法により測定し、理論密度に対する相対値とし
て記載した。ただし、理論密度は調合粉末組成と調合物
の密度より計算した。調合物の密度は、Ｓｉ：＋Ｎ＜
：３．２ｇ／ｃｍ’、Ｙ２０＋：５．Ｏｇ／ｃｍ：Ｉ、
Ｙｂ２Ｏ３： ９ 、２ｇ／ｃｍ３．Ｔｉ２Ｏ３：８
、８ｇ／ ＣＩｍ” 、、Ｌ１１２０：ｌ ： ９ 、
４ｇ／ｃｔａ３． Ｅ ｒ２０．、 ： ８．６ｇ／ａ
ｍ’ 、 ＭｇＯ： ３．６５ｇ／ｃｍ３． ＺｒＯ□
： ５．８６ｇ／ｃｍ’、ＳｉＣ：：１．２ｇ／ｃｍ：
′を用いた。また、四点曲げ強度は、ＪＩＳ Ｒ−１，
６０１ｒファインセラミックスの曲げ強さ試験法」に従
って測定した。
第１表より明らかな通り、ＳｉＣ以外のフリーカーボン
量が１．１重量％以下のＳｉＣ原料を用いた本発明の実
施例Ｎ０８１〜１５は、相対嵩密度か９８％以上と高く
、しかも室温強度が高いことかわかる。これに対して、
ＳｉＣ以外のフリーカーボン量が１．１重量％を超える
ＳｉＣ原料を用いた比較例Ｎｏ−１６〜２０は相対嵩密
度が９８％以上と高いものの、室温強度が低い。
量が１．１重量％以下のＳｉＣ原料を用いた本発明の実
施例Ｎ０８１〜１５は、相対嵩密度か９８％以上と高く
、しかも室温強度が高いことかわかる。これに対して、
ＳｉＣ以外のフリーカーボン量が１．１重量％を超える
ＳｉＣ原料を用いた比較例Ｎｏ−１６〜２０は相対嵩密
度が９８％以上と高いものの、室温強度が低い。
（実施例２）
フリーカーボン量が０．５１重量％のＳｉＣ原料を、第
２表に示すように、大気中６５０〜１２００℃て１〜２
０時間熱処理したものをＳｉＣ原料として使用し、実施
例１と同一の原料及び方法を用い、第２表記載の焼成条
件で焼結体を作製した。尚、Ｎｏ、２５．２６の焼結体
はホットプレス法により作製した。
２表に示すように、大気中６５０〜１２００℃て１〜２
０時間熱処理したものをＳｉＣ原料として使用し、実施
例１と同一の原料及び方法を用い、第２表記載の焼成条
件で焼結体を作製した。尚、Ｎｏ、２５．２６の焼結体
はホットプレス法により作製した。
得られた窒化珪素焼結体の相対嵩密度（％）および室温
強度（ＭＰａ）を第２表に示す。
強度（ＭＰａ）を第２表に示す。
第２表の結果から明らかなように、ＳｉＣ原料を予め熱
処理してその中のフリーカーボン量を０．１０重量％以
下に減少させると、室温強度かより高くなることがわか
る。
処理してその中のフリーカーボン量を０．１０重量％以
下に減少させると、室温強度かより高くなることがわか
る。
「発明の効果コ
以上説明したように、本発明の製造法によれば、窒化珪
素原料にＳｉＣ以外のフリーカーボン量が１．１重量％
以下のＳｉＣ原料を添加し焼成しているのて、斑点の発
生やＳｉＣの凝集かなく、強度の高い窒化珪素焼結体を
得ることかできる。
素原料にＳｉＣ以外のフリーカーボン量が１．１重量％
以下のＳｉＣ原料を添加し焼成しているのて、斑点の発
生やＳｉＣの凝集かなく、強度の高い窒化珪素焼結体を
得ることかできる。
Claims (2)
- （１）窒化珪素原料に、ＳｉＣ以外のフリーカーボン量
が１．１重量％以下のＳｉＣ原料を添加し、焼成するこ
とを特徴とする窒化珪素焼結体の製造法。 - （２）前記ＳｉＣ原料を熱処理する請求項１記載の窒化
珪素焼結体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114011A JP2573720B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 窒化珪素焼結体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114011A JP2573720B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 窒化珪素焼結体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412060A true JPH0412060A (ja) | 1992-01-16 |
| JP2573720B2 JP2573720B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=14626817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2114011A Expired - Lifetime JP2573720B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 窒化珪素焼結体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2573720B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874570A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-05-06 | エレクトロシユメルツヴエルク・ケンプテン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 多結晶窒化ケイ素と炭化ケイ素から成る実際に孔の無い成形体、および同成形体の均衡熱間圧縮による製造法 |
| JPH03131571A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 高強度窒化珪素質セラミックスの製造方法 |
-
1990
- 1990-04-28 JP JP2114011A patent/JP2573720B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874570A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-05-06 | エレクトロシユメルツヴエルク・ケンプテン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 多結晶窒化ケイ素と炭化ケイ素から成る実際に孔の無い成形体、および同成形体の均衡熱間圧縮による製造法 |
| JPH03131571A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 高強度窒化珪素質セラミックスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2573720B2 (ja) | 1997-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS64349B2 (ja) | ||
| JPS6054976A (ja) | 窒化珪素焼結体 | |
| US5182059A (en) | Process for producing high density SiC sintered bodies | |
| KR20210088361A (ko) | 질화규소 소결체의 제조방법 및 이에 따라 제조된 질화규소 소결체 | |
| JPH06219840A (ja) | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 | |
| JPH0412060A (ja) | 窒化珪素焼結体の製造法 | |
| JP3225873B2 (ja) | ＭｇＯ複合セラミックス及びその製造方法 | |
| JP2745030B2 (ja) | 窒化珪素焼結体およびその製造方法 | |
| JP2002513374A (ja) | 高い強度と応力破断抵抗を有するガス圧焼結された窒化ケイ素 | |
| JP3268020B2 (ja) | 窒化珪素粉末の製造方法 | |
| JPH0459659A (ja) | 窒化珪素焼結体の製造法 | |
| JPH01131069A (ja) | 複合常圧焼結成形体 | |
| JPH09227236A (ja) | 窒化珪素質焼結体及びその製造方法 | |
| CN1159265C (zh) | 一种提高氮化硅基陶瓷性能/价格比的方法 | |
| JPH035371A (ja) | Ｓｉ↓３Ｎ↓４焼結体の製造方法 | |
| JPS62275067A (ja) | 窒化珪素焼結体の製造法 | |
| JP2746760B2 (ja) | 窒化珪素−炭化珪素質複合焼結体およびその製造方法 | |
| JPH08319168A (ja) | サイアロンセラミックスの製造方法 | |
| JP3241215B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体の製造方法 | |
| JPH01131062A (ja) | 複合常圧焼結成形体 | |
| JP2700786B2 (ja) | 高温高強度窒化珪素質焼結体及びその製造方法 | |
| JP3207065B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体 | |
| JPH02307871A (ja) | セラミックス焼結体の製造方法 | |
| JPH10167807A (ja) | ＭｇＯ複合セラミックス及びその製造方法 | |
| JPH0579625B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071024 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101024 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101024 Year of fee payment: 14 |