JPH04122830A - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ

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Publication number
JPH04122830A
JPH04122830A JP24474390A JP24474390A JPH04122830A JP H04122830 A JPH04122830 A JP H04122830A JP 24474390 A JP24474390 A JP 24474390A JP 24474390 A JP24474390 A JP 24474390A JP H04122830 A JPH04122830 A JP H04122830A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
pressure introducing
sensor chip
stress
recession
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24474390A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisashi Sekiyama
関山 久
Motoumi Ichihashi
市橋 素海
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体圧力センサのパッケージ構造に関す
るものである。
〔従来の技術〕
第2図は従来の半導体圧力センサの構造を示す断面図で
ある1図において、1は半導体圧力センサであり、2は
モールド樹脂で形成されたパッケージ、3はその一部で
、上部に突出した圧力導入部、4はリード、5はセンサ
チップ、6はセンサチップ5の裏面と接合して、センサ
チップ5の裏面に形成されているダイヤフラム部を真空
室に形成する台座、7はリード4とセンサチップ5をつ
なぐワイヤである。8は本センサ1の特性測定時に上記
圧力導入部3に接続して圧力を変化させるために使用さ
れる圧力導入パイプである。
次に動作について説明する。
センサの特性測定時において、圧力導入パイプ8を用い
圧力を変化させると、センサチップ5のダイヤフラム部
が応力を受け、圧力に従って出力電圧が変化する。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体圧力センサは以上のように構成されている
が、この構造であると、圧力導入パイプ8の締め付は力
が圧力導入部3に加わるため、センサチップ5まで応力
が伝わり、センサ出力に影響を与えるという問題点があ
った。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、圧力導入部に圧力導入パイプを装着したとき
の出力への影響を小さくすることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体圧力センサは、圧力導入部の根元
付近にくぼみを設けたものである。
〔作用〕
この発明における半導体圧力センサは、圧力導入部の根
元付近にくぼみを設けたことにより、圧力導入パイプの
締め付は応力は、くぼみ部に集中し、センサチップに応
力が伝わりにくくなる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、9はパッケージの圧力導入部3の根元付近
に設けたくぼみである。なおその他の構成は上記第2r
Mのものと同様につき説明を省略する。
次に動作について説明する。
特性測定時、圧力導入パイプ8を用いて圧力を変化させ
ると、センサチップ5のダイヤフラム部が応力を受け、
圧力に従って出力電圧が変化するが、この時、圧力導入
パイプ8の締め付は力による応力は、くぼみ部9に集中
し、センサチップ5には伝わりにくくなる。
なお上記実施例では、圧力導入部3の外側にくぼみ9を
設けたものを示したが、圧力導入部3の内側にくぼみを
設けてもよい。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、圧力導入部にくぼみを
設けたので、圧力導入パイプによる締め付は力がくぼみ
部に集中し、センサチップへの圧力導入パイプによる応
力が伝わりにくくなり、出力電圧に与える影響が小さく
なる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による半導体圧力センサの
断面図、第2図は従来の半導体圧力センサの断面図であ
る。 図中、1は半導体圧力センサ、2はパッケージ、3は圧
力導入部、4はリード、5はセンサチップ6は台座、7
はワイヤ、8は圧力導入パイプ、9はくぼみである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  端部にパイプ状の圧力導入部を有するモールドパッケ
    ージ内にセンサチップとその台座を内蔵した構造をもつ
    半導体圧力センサにおいて、上記圧力導入部の根元付近
    に応力緩衝用くぼみを設けたことを特徴とする半導体圧
    力センサ。
JP24474390A 1990-09-14 1990-09-14 半導体圧力センサ Pending JPH04122830A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19707503A1 (de) * 1997-02-25 1998-08-27 Siemens Ag Drucksensor-Bauelement und Verfahren zur Herstellung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE19707503A1 (de) * 1997-02-25 1998-08-27 Siemens Ag Drucksensor-Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US6201467B1 (en) 1997-02-25 2001-03-13 Infineon Technologies Ag Pressure sensor component and production method
DE19707503B4 (de) * 1997-02-25 2007-01-04 Infineon Technologies Ag Drucksensor-Bauelement und Verfahren zur Herstellung

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