JPH04124025A - 酸化物超電導体及びその製造法 - Google Patents
酸化物超電導体及びその製造法Info
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- JPH04124025A JPH04124025A JP2243294A JP24329490A JPH04124025A JP H04124025 A JPH04124025 A JP H04124025A JP 2243294 A JP2243294 A JP 2243294A JP 24329490 A JP24329490 A JP 24329490A JP H04124025 A JPH04124025 A JP H04124025A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は酸化物超電導体及びその製造法に関する。
(従来の技術)
従来の酸化物超電導体としては、1988年金属材料技
術研究所の前出総合研究官らによって発見されたビスマ
ス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主成分とする
B1−8r−Ca−Cu−〇系(以下Bi系とする)の
酸化物超電導体があるが、このBi系の酸化物超電導体
は、電気抵抗が零になる臨界温度(以下Tczeroと
する)が110に付近の2223相が生成しにくいとい
う問題があった。このためT 02eroは低いが、生
成温度領域が広い2212相の活用が試みられている。
術研究所の前出総合研究官らによって発見されたビスマ
ス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主成分とする
B1−8r−Ca−Cu−〇系(以下Bi系とする)の
酸化物超電導体があるが、このBi系の酸化物超電導体
は、電気抵抗が零になる臨界温度(以下Tczeroと
する)が110に付近の2223相が生成しにくいとい
う問題があった。このためT 02eroは低いが、生
成温度領域が広い2212相の活用が試みられている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながらBユ系の酸化物超電導体の2212相は
T 02eroが80に付近であるため液体窒素の冷却
(77K)ではTO2@toとの差が小さく超電導特性
が不安定で使用できないおそれがある。
T 02eroが80に付近であるため液体窒素の冷却
(77K)ではTO2@toとの差が小さく超電導特性
が不安定で使用できないおそれがある。
2212相のTc2e′。を高める方法として、ジャパ
ニーズ、ジャーナル、オブ、アプライド、フィジックス
(Japanese Journalof App
lied Physics)Vo127.9号(19
88年9月刊)、L1626γL 1628頁及び同V
o127,12号(1988年12月刊)、L2327
かL2329号並びにアトパンセス、イン、スーパーコ
ンダクティビイテイII (Advances in
5uperへ conductivityU)、149〜IF52頁に
示されるように500〜880”Cの温度で熱処理した
後、?!!体窒体中素中空気中で急冷して得る方法が報
告されている。
ニーズ、ジャーナル、オブ、アプライド、フィジックス
(Japanese Journalof App
lied Physics)Vo127.9号(19
88年9月刊)、L1626γL 1628頁及び同V
o127,12号(1988年12月刊)、L2327
かL2329号並びにアトパンセス、イン、スーパーコ
ンダクティビイテイII (Advances in
5uperへ conductivityU)、149〜IF52頁に
示されるように500〜880”Cの温度で熱処理した
後、?!!体窒体中素中空気中で急冷して得る方法が報
告されている。
この方法は急冷する工程を含むため小型の成形体を作製
することは出来ても大型の成形体を作製することは困難
であるという欠点がある。
することは出来ても大型の成形体を作製することは困難
であるという欠点がある。
本発明は急冷工程を経ることなしに90により高いT
czeroを示す2212相のBi系の酸化物超電導体
及びその製造法を提供することを目的とするものである
。
czeroを示す2212相のBi系の酸化物超電導体
及びその製造法を提供することを目的とするものである
。
(課題を解決するための手段)
本発明はビスマス、ストロンチウム、カルシウム、ベリ
リウム、バリウム及び銅を主成分とし。
リウム、バリウム及び銅を主成分とし。
一般式B i +、oS rAc aBB ecB a
r+c u t、。
r+c u t、。
太Q、20X
(但しA=0.6〜1.2.B=0.35〜0.7゜C
=0.05〜0.2.D=0.05〜0.2.数字は原
子比を表わす) で示されるM成からなる酸化物超電導体及び上記の組成
となるようにビスマス、ストロンチウム。
=0.05〜0.2.D=0.05〜0.2.数字は原
子比を表わす) で示されるM成からなる酸化物超電導体及び上記の組成
となるようにビスマス、ストロンチウム。
カルシウム、ベリリウム、バリウム及び銅を含む各原料
を秤量し、ついで混合したのち、仮焼、粉砕し、成形後
窒素雰囲気中又は酸素を10体積%未満で含有する窒素
雰囲気中で焼成する酸化物超電導体の製造法並びに上記
の組成となるようにビスマス、ストロンチウム、カルシ
ウム、ベリリウム、バリウム及び銅を含む各原料を秤量
し、ついで混合した後仮焼,一次焼成し、さらに粉砕後
。
を秤量し、ついで混合したのち、仮焼、粉砕し、成形後
窒素雰囲気中又は酸素を10体積%未満で含有する窒素
雰囲気中で焼成する酸化物超電導体の製造法並びに上記
の組成となるようにビスマス、ストロンチウム、カルシ
ウム、ベリリウム、バリウム及び銅を含む各原料を秤量
し、ついで混合した後仮焼,一次焼成し、さらに粉砕後
。
成形し、再度窒素雰囲気中又は酸素を7体積%未満で含
有する窒素雰囲気中で二次焼成する酸化物超電導体の製
造法に関する。
有する窒素雰囲気中で二次焼成する酸化物超電導体の製
造法に関する。
本発明において酸化物超電導体を構成する主成分のビス
マス、ストロンチウム、カルシウム、ベリリウム、バリ
ウム及び銅を含む原料については特に制限はないが2例
えば酸化物、炭酸塩、硝酸塩、しゅう酸塩等の1種又は
2種以上が用いられる。
マス、ストロンチウム、カルシウム、ベリリウム、バリ
ウム及び銅を含む原料については特に制限はないが2例
えば酸化物、炭酸塩、硝酸塩、しゅう酸塩等の1種又は
2種以上が用いられる。
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム、ベリリウム、
バリウム及び銅の配合割合は原子比でビスマスが1.0
.ストロンチウムが0.6〜1.2゜カルシウムが0.
35〜0.77、ベリリウムが0.05〜0.2.バリ
ウムが0.05−0.2及び銅が1.0 + 0.2の
範囲とされ、この範囲から外れると急冷工程なしではT
czeroが90に台の2212相のBi系の酸化物
超電導体を得ることが困難である。
バリウム及び銅の配合割合は原子比でビスマスが1.0
.ストロンチウムが0.6〜1.2゜カルシウムが0.
35〜0.77、ベリリウムが0.05〜0.2.バリ
ウムが0.05−0.2及び銅が1.0 + 0.2の
範囲とされ、この範囲から外れると急冷工程なしではT
czeroが90に台の2212相のBi系の酸化物
超電導体を得ることが困難である。
混合方法については特にvJ限はないが7例えば合成樹
脂製のボールミルに合成樹脂で被覆したボール、エタノ
ール、メタノール等の溶媒及び原料を充填し、湿式混合
することが好ましい。
脂製のボールミルに合成樹脂で被覆したボール、エタノ
ール、メタノール等の溶媒及び原料を充填し、湿式混合
することが好ましい。
仮焼条件において、仮焼温度は各原料の配合割合などに
より適宜選定されるが、780〜870℃の範囲で仮焼
することが好ましく、また仮焼雰囲気は、大気中、1$
1素雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、中性雰囲気中等
で仮焼することができる。
より適宜選定されるが、780〜870℃の範囲で仮焼
することが好ましく、また仮焼雰囲気は、大気中、1$
1素雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、中性雰囲気中等
で仮焼することができる。
粉砕及び成形法については特に制限はなく、従来公知の
方法で行なうことができる。
方法で行なうことができる。
焼成条件において、焼成温度は各原料の配合割合などに
より適宜選定されるが、試料が溶融する温度近傍以下の
温度9例えば780〜950℃の範囲で焼成することが
好ましく、810〜900℃の範囲で焼成すればさらに
好ましい。
より適宜選定されるが、試料が溶融する温度近傍以下の
温度9例えば780〜950℃の範囲で焼成することが
好ましく、810〜900℃の範囲で焼成すればさらに
好ましい。
一方焼成雰囲気は、1回焼成の揚台、窒素雰囲気中又は
酸素を10体積%未満含有する窒素雰囲気中で焼成する
ことが必要とされ、また焼成を2回行なう場合、1次焼
成は大気中、11素雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、
中性雰囲気中等特に制限はないが、2次焼成は窒素雰囲
気中又は酸素を7体積%未満含有する窒素雰囲気中で焼
成することが必要とされ、上記以外の条件で焼成を行な
うと急冷工程なしではT C211rOが90に台の2
212相のBi系の酸化物超電導体を得ることが困難で
ある。なお本発明において、仮焼後、必要に応じ粉砕及
び成形を行ない、その後1次焼成してもよい焼成時間は
、5〜10時間でも差し支へ えはないが、結晶の均質性を高めるには20〜100時
間行なうことが好ましい。
酸素を10体積%未満含有する窒素雰囲気中で焼成する
ことが必要とされ、また焼成を2回行なう場合、1次焼
成は大気中、11素雰囲気中、真空中、還元雰囲気中、
中性雰囲気中等特に制限はないが、2次焼成は窒素雰囲
気中又は酸素を7体積%未満含有する窒素雰囲気中で焼
成することが必要とされ、上記以外の条件で焼成を行な
うと急冷工程なしではT C211rOが90に台の2
212相のBi系の酸化物超電導体を得ることが困難で
ある。なお本発明において、仮焼後、必要に応じ粉砕及
び成形を行ない、その後1次焼成してもよい焼成時間は
、5〜10時間でも差し支へ えはないが、結晶の均質性を高めるには20〜100時
間行なうことが好ましい。
本発明の組成においてO(*素)の量は、Cuの量及び
Cuの酸化状態によって定まる。しかし酸化状態がどの
ようになっているかを厳密にそして精度よく測定するこ
とができない。そのため本発明においてXで表わすこと
にした。
Cuの酸化状態によって定まる。しかし酸化状態がどの
ようになっているかを厳密にそして精度よく測定するこ
とができない。そのため本発明においてXで表わすこと
にした。
(実施例)
以下本発明の詳細な説明する。
実施例1〜2
ビスマス、ストロンチウム、ベリリウム、バリウム、カ
ルシウム及び銅の比率が原子比でiI1表に示す組成に
なるように二酸化ビスマス(高純度化学研究新製、純度
99.9%)、炭酸ストロンチウム(レアメタリック製
、純度99.9%)、l!!化ベリリウム(高純度化学
研究新製、純度99.9%)、炭酸バリウム(高純度化
学研究新製、純度99.9%)、炭酸カルシウム(高純
度化学研究新製、純度99.9%及び酸化第二銅(高純
度化学研究新製、純度99.9%)を秤量し出発原料と
した。
ルシウム及び銅の比率が原子比でiI1表に示す組成に
なるように二酸化ビスマス(高純度化学研究新製、純度
99.9%)、炭酸ストロンチウム(レアメタリック製
、純度99.9%)、l!!化ベリリウム(高純度化学
研究新製、純度99.9%)、炭酸バリウム(高純度化
学研究新製、純度99.9%)、炭酸カルシウム(高純
度化学研究新製、純度99.9%及び酸化第二銅(高純
度化学研究新製、純度99.9%)を秤量し出発原料と
した。
次に上記の出発原料を合成樹脂製のボールミル内に合成
樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールと共に充填し
、毎分50回転の条件で72時時間式混合した。乾燥後
アルミナこう鉢に入れ電気炉を用いて大気中で800℃
で10時間仮焼し。
樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノールと共に充填し
、毎分50回転の条件で72時時間式混合した。乾燥後
アルミナこう鉢に入れ電気炉を用いて大気中で800℃
で10時間仮焼し。
ついで乳鉢で粗粉砕して酸化物超電導体用組成物を得た
。この後肢酸化物超電導体用組成物を147MPaの圧
力で直径30 m m 、厚さ1mmのベレットにプレ
ス成形後9体積比で02:N2=1=20の低酸素雰囲
気中で840℃100時間焼成してBi系の酸化物超電
導体を得た。
。この後肢酸化物超電導体用組成物を147MPaの圧
力で直径30 m m 、厚さ1mmのベレットにプレ
ス成形後9体積比で02:N2=1=20の低酸素雰囲
気中で840℃100時間焼成してBi系の酸化物超電
導体を得た。
実施例3〜4
ビスマス、ストロンチウム、ベリリウム、バリウム、カ
ルシウム及び銅(いずれも実施例1〜2と同一原料を使
用)の比率が原子比で第2表に示す組成になるように秤
量し出発原料とした。
ルシウム及び銅(いずれも実施例1〜2と同一原料を使
用)の比率が原子比で第2表に示す組成になるように秤
量し出発原料とした。
以下実施例1〜2と同様の工程を経て酸化物超電導体用
組成物を得た。この後肢酸化物超電導体用組成物を体積
比で酸素雰囲気中で900℃で15時間−次焼成し、つ
いで粉砕した後、147MPaの圧力で直径30mm、
厚さ1mmのペレツトにプレス成形後9体積比で、02
:N2=1.:20の低酸素雰囲気中で830℃で10
0時間二次焼成してBilに酸化物超電導体を得た。
組成物を得た。この後肢酸化物超電導体用組成物を体積
比で酸素雰囲気中で900℃で15時間−次焼成し、つ
いで粉砕した後、147MPaの圧力で直径30mm、
厚さ1mmのペレツトにプレス成形後9体積比で、02
:N2=1.:20の低酸素雰囲気中で830℃で10
0時間二次焼成してBilに酸化物超電導体を得た。
(比較例)
比較例1〜2
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比率が
第3表に示す組成になるように二酸化ビスマス(高純度
化学研究新製、純度99.9%)。
第3表に示す組成になるように二酸化ビスマス(高純度
化学研究新製、純度99.9%)。
炭酸ストロンチウム(レアメタリック製、純度99.9
%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新製、純度99
.9%)及び酸化第二銅(高純度化学研究所製純度99
.9%)を秤量し、以下実施@1〜2と同様の工程を経
てBi系の酸化物超電導体を得た。
%)、炭酸カルシウム(高純度化学研究新製、純度99
.9%)及び酸化第二銅(高純度化学研究所製純度99
.9%)を秤量し、以下実施@1〜2と同様の工程を経
てBi系の酸化物超電導体を得た。
比較例3〜4
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅(いずれ
も比較例ユ〜2と同一の原料を使用)の比率が原子比で
第4表に示す組成になるように秤量し出発原料とした。
も比較例ユ〜2と同一の原料を使用)の比率が原子比で
第4表に示す組成になるように秤量し出発原料とした。
以下実施例3〜4と同様の工程を経てBi系の酸化物超
電導体を得た。
電導体を得た。
次に実施例1〜4及び比較例1〜4で得たBi系の酸化
物超電導体を四端子法でT cZ″roを測定した。そ
の結果を第5表に示す。
物超電導体を四端子法でT cZ″roを測定した。そ
の結果を第5表に示す。
第5表に示されるように本発明の実施例になる酸化物超
電導体は、90に以上のTc2er0を有す第 表 ることかわかる。また結晶相を調べたところ2212相
であることが確認された。
電導体は、90に以上のTc2er0を有す第 表 ることかわかる。また結晶相を調べたところ2212相
であることが確認された。
(発明の効果)
本発明によれば、急冷工程を経ることなく90に以上の
T Czeroを示す2212相の酸化物超電導体を得
ることができる。
T Czeroを示す2212相の酸化物超電導体を得
ることができる。
Claims (3)
- 1.ビスマス,ストロンチウム,カルシウム,ベリリウ
ム,バリウム及び銅を主成分とし,一般式,Bi_1_
._0Sr_ACa_BBe_CBa_DCu_1_.
_0_±_0_._2O_x (但しA=0.6〜1.2,B=0.35〜0.7,C
=0.05〜0.2,D=0.05〜0.2,数字は原
子比を表わす) で示される組成からなる酸化物超電導体。 - 2.請求項1記載の組成となるようにビスマス,ストロ
ンチウム,カルシウム,ベリリウム,バリウム及び銅を
含む各原料を秤量し,ついで混合した後,仮焼,粉砕し
成形後,窒素雰囲気中又は酸素を10体積%未満で含有
する窒素雰囲気中で焼成することを特徴とする酸化物超
電導体の製造法。 - 3.請求項1記載の組成となるようにビスマス,ストロ
ンチウム,カルシウム,ベリリウム,バリウム及び銅を
含む各原料を秤量し,ついで混合した後,仮焼,一次焼
成し,さらに粉砕後,成形し,再度窒素雰囲気中又は酸
素を7体積%未満で含有する窒素雰囲気中で二次焼成す
ることを特徴とする酸化物超電導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2243294A JPH04124025A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 酸化物超電導体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2243294A JPH04124025A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 酸化物超電導体及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04124025A true JPH04124025A (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17101702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2243294A Pending JPH04124025A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 酸化物超電導体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04124025A (ja) |
-
1990
- 1990-09-13 JP JP2243294A patent/JPH04124025A/ja active Pending
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