JPH0412555A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0412555A JPH0412555A JP11624990A JP11624990A JPH0412555A JP H0412555 A JPH0412555 A JP H0412555A JP 11624990 A JP11624990 A JP 11624990A JP 11624990 A JP11624990 A JP 11624990A JP H0412555 A JPH0412555 A JP H0412555A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- heat
- semiconductor device
- semiconductor element
- recessed portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種電子機器に使用される大電力用の半導体装
置に関する。
置に関する。
従来の技術
従来、半導体装置の大電力化をはかる方法として、パッ
ケージ自体を大きくし、ICチップからの放熱をよくす
る方法、あらかじめパッケージした半導体装置を放熱フ
ィンにネジ締め等で取付け、放熱フィンにより放熱をよ
くする方法および回路基板に半田付けする方法などがあ
る。
ケージ自体を大きくし、ICチップからの放熱をよくす
る方法、あらかじめパッケージした半導体装置を放熱フ
ィンにネジ締め等で取付け、放熱フィンにより放熱をよ
くする方法および回路基板に半田付けする方法などがあ
る。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の構成では半導体装置内に熱が蓄積さ
れるという問題点、半導体装置を使用する電子機器の容
積によって放熱フィンの大きさが限定されるという問題
点および回路基板の大きさによって放熱効果が異なると
いう問題点を有していた。
れるという問題点、半導体装置を使用する電子機器の容
積によって放熱フィンの大きさが限定されるという問題
点および回路基板の大きさによって放熱効果が異なると
いう問題点を有していた。
本発明は上記の問題点を解決するもので、半導体装置内
で発生する熱を効率的に放散させることができる半導体
装置を提供することを目的とする。
で発生する熱を効率的に放散させることができる半導体
装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の半導体装置は、半導
体素子に位置決め用の凹面または凸面を設けた放熱板を
接続し樹脂でパッケージした構成を有している。
体素子に位置決め用の凹面または凸面を設けた放熱板を
接続し樹脂でパッケージした構成を有している。
作用
この構成によって、半導体素子と放熱板を接着する半田
の流れをよくすると同時に、半導体装置の取付けを正確
に規定できることとなる。
の流れをよくすると同時に、半導体装置の取付けを正確
に規定できることとなる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第1図に示すように、放熱板1は熱伝導度のよい銅板や
アルミニウムなどで形成され、その放熱フィンには取付
は孔3が設けられ、また中央部分には位置決め用の凹面
4が形成されている。そして、第2図および第3図に示
すようにパッケージされた半導体素子6が、この放熱板
1の凹面4に半田付けなどにより取り付けられ、エポキ
シ樹脂からなるパッケージ7で被覆されている。
アルミニウムなどで形成され、その放熱フィンには取付
は孔3が設けられ、また中央部分には位置決め用の凹面
4が形成されている。そして、第2図および第3図に示
すようにパッケージされた半導体素子6が、この放熱板
1の凹面4に半田付けなどにより取り付けられ、エポキ
シ樹脂からなるパッケージ7で被覆されている。
以上のように構成された半導体装置の熱抵抗の測定値を
、従来例と比較して第4図に示す。
、従来例と比較して第4図に示す。
これから明らかなように、本実施例の熱抵抗が従来例の
それに比べて低く、またそのばらつきも小さい。
それに比べて低く、またそのばらつきも小さい。
以上のように、本実施例によれば凹面を設けた放熱板に
半導体素子を半田付けし樹脂によりパッケージする構成
により、熱抵抗が大巾に低下し発生する熱を効率的に放
散させられるので、大電力化できる。放熱板への取付は
位置が正確に規定できるので、半導体装置の特性および
外形寸法のばらつきを少なくすることができる。さらに
半導体装置の放熱フィン取付は孔を利用してアルミニウ
ム板などの放熱フィンを取付けることにより、層の大電
力化がはかれる。また、あらかじめパッケージした半導
体素子に放熱板を付加する構成であるので、製造工程で
高額な設備や高価な材料を必要とせず、総合的なコスト
低減もできる。
半導体素子を半田付けし樹脂によりパッケージする構成
により、熱抵抗が大巾に低下し発生する熱を効率的に放
散させられるので、大電力化できる。放熱板への取付は
位置が正確に規定できるので、半導体装置の特性および
外形寸法のばらつきを少なくすることができる。さらに
半導体装置の放熱フィン取付は孔を利用してアルミニウ
ム板などの放熱フィンを取付けることにより、層の大電
力化がはかれる。また、あらかじめパッケージした半導
体素子に放熱板を付加する構成であるので、製造工程で
高額な設備や高価な材料を必要とせず、総合的なコスト
低減もできる。
なお実施例において、凹面4を段けた放熱板1を用いた
が、第5図に示すように凸面5を設けた放熱板2を用い
てもよい。
が、第5図に示すように凸面5を設けた放熱板2を用い
てもよい。
発明の効果
以上の説明からも明らかなように、本発明は、半導体素
子を、放熱板の位置決め用の凹面または凸面の部分に取
付け、さらに樹脂でパッケージした構成であるので、発
生する熱を効率的に放散させることがで、大電力用半導
体装置を実現できるものである。
子を、放熱板の位置決め用の凹面または凸面の部分に取
付け、さらに樹脂でパッケージした構成であるので、発
生する熱を効率的に放散させることがで、大電力用半導
体装置を実現できるものである。
第1図(a)は本発明の半導体装置の一実施例における
放熱板の正面図、同図(b)はその側面図、同図(e)
はその底面図である。第2図(a)は本発明の半導体装
置の一実施例における半導体素子の一例の正面図、同図
(b)はその側面図である。第3図(a)は同じ(半導
体素子の他の例の正面図、同図(b)はそのA−A″断
面図である。第4図は本発明の一実施例と従来例の半導
体装置の熱抵抗の測定値の分布図、第5図(a)は本発
明の半導体装置の他の実施例における放熱板の正面図、
同図(b)はその側面図、同図(C)はその底面図であ
る。 1.2・・・・・・放熱板、4・・・・・・凹面、5・
・・・・・凸面、6・・・・・・半導体素子、7・・・
・・・パッケージ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名第1図 第2図 第 図 第 図 一買杷例 第 図
放熱板の正面図、同図(b)はその側面図、同図(e)
はその底面図である。第2図(a)は本発明の半導体装
置の一実施例における半導体素子の一例の正面図、同図
(b)はその側面図である。第3図(a)は同じ(半導
体素子の他の例の正面図、同図(b)はそのA−A″断
面図である。第4図は本発明の一実施例と従来例の半導
体装置の熱抵抗の測定値の分布図、第5図(a)は本発
明の半導体装置の他の実施例における放熱板の正面図、
同図(b)はその側面図、同図(C)はその底面図であ
る。 1.2・・・・・・放熱板、4・・・・・・凹面、5・
・・・・・凸面、6・・・・・・半導体素子、7・・・
・・・パッケージ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名第1図 第2図 第 図 第 図 一買杷例 第 図
Claims (1)
- あらかじめパッケージされた半導体素子に、位置決め
用の凹面または凸面を設けた放熱板を接続し樹脂でパッ
ケージした半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11624990A JPH0412555A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11624990A JPH0412555A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412555A true JPH0412555A (ja) | 1992-01-17 |
Family
ID=14682461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11624990A Pending JPH0412555A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0412555A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693350B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-02-17 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure and method for manufacturing semiconductor device having radiation structure |
| US6703707B1 (en) | 1999-11-24 | 2004-03-09 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6946730B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-09-20 | Denso Corporation | Semiconductor device having heat conducting plate |
-
1990
- 1990-05-02 JP JP11624990A patent/JPH0412555A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693350B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-02-17 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure and method for manufacturing semiconductor device having radiation structure |
| US6703707B1 (en) | 1999-11-24 | 2004-03-09 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6798062B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-09-28 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6891265B2 (en) | 1999-11-24 | 2005-05-10 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6960825B2 (en) | 1999-11-24 | 2005-11-01 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6967404B2 (en) | 1999-11-24 | 2005-11-22 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6992383B2 (en) | 1999-11-24 | 2006-01-31 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6998707B2 (en) | 1999-11-24 | 2006-02-14 | Denso Corporation | Semiconductor device having radiation structure |
| US6946730B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-09-20 | Denso Corporation | Semiconductor device having heat conducting plate |
| US6963133B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-11-08 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
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