JPH0448740A - Ｔａｂ半導体装置 - Google Patents
Ｔａｂ半導体装置Info
- Publication number
- JPH0448740A JPH0448740A JP2157953A JP15795390A JPH0448740A JP H0448740 A JPH0448740 A JP H0448740A JP 2157953 A JP2157953 A JP 2157953A JP 15795390 A JP15795390 A JP 15795390A JP H0448740 A JPH0448740 A JP H0448740A
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- JP
- Japan
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- tab
- adhesive
- heat sink
- heat
- wiring board
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＩＣの実装構造に関するものであり、特にＴ
Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉ
ｎｇ） −Ｉ Ｃ（半導体集積回路装置）すなわちフィ
ルムキャリア半導体素子を配線基板に実装する実装構造
に関するものであａ 従来の技術 従来のＴＡＢ−Ｉ Ｃの実装構造としては 例えば 特
開平、１−５９８４１号公報に示されているものがあも
第２図はこの従来のＴＡＢ−ＩＣの実装構造の縦断面
図を示すものであり、ＴＡＢ−ＩＣ９はヒートシンクｌ
Ｏに接続され 治具１１に・より支えられていモ１２は
基ｉ １３，１４はネジ、１５はフィルムキャリアリ
ードであも 発明が解決しようとする課題 しかしながら前記のような構造で（よ 治具１１は単に
ＴＡＢ−ＩＣ９を支えるだけの形状でしかないので、Ｔ
ＡＢ−ＩＣ９が発生する熱が治具１１に伝わってＬ 治
具１１から外気へ熱を効率良く放出することができない
という欠点があり、結ＭＴＡＢ−ＩＣ９の発生する熱の
大半はＴＡＢ−ＩＣ９の上部に取付けられたヒートシン
ク１０より放出する必要があり、 ヒートシンク１０は
大きくなってしまうという欠点があり九 本発明はかか
る点に鑑、ｋ ＴＡＢ−ＩＣの発生する熱を効率良く
外気に放出することにより、ヒートシンクを小さくしひ
いては実装密度を高くすることを目的とすム課題を解決
するための手段 本発明Ｃ↓ 配線基板に実装されるＴＡＢ−ＩＣの１献
および、下面にヒートシンクを接続したことを特徴と
するＴＡＢ−Ｉ Ｃの実装構造であム作用 本発明は前記した構造であるた＆ ＴＡＢ−ＩＣの発
生する熱はＴＡＢ−Ｉ Ｃの上に接続されたヒートシン
クに伝わり外気に効率良く放出すると同時に ＴＡＢ−
ＩＣの下にあるヒートシンクにも伝わり、外気に効率良
く放出されも 実施例 第１図は本発明の一実施例の縦断面図であムＴＡＢ−Ｉ
Ｃ１はヒートシンク形状をしたブロック２に熱伝導性
の良好な接着剤３ （例えば Ａｇ入りのエポキシ樹脂
半田等）で接着されム 熱応力等の力を吸収できるよ
うにＬ字に折り曲げられたＴＡＢ−ＩＣ１のリード４は
配線基板５の接続バッド６に半田付は等で接続されも
そして、熱伝導性の良好な絶縁性の接着剤８ （例えば
ＢＮ入りシリコーン樹脂等）により、ＴＡＢ−ＩＣＩの
回路面にヒートシンク７を接着すると共ｉ、：、ＴＡＢ
−ＩＣＩおよびＴＡＢ−ＩＣＩとり−ド４との接続部を
保護する。以上説明したようにこの実施例によれ＋ｉ
ＴＡＢ−ＩＣＩの発生する熱は接着剤８を通し上部のヒ
ートシンク７に伝わり外気に効率良く放出されると同時
シミ 接着剤３を通し下部のブロック２に伝わム ブロ
ック２はヒートシンク形状をしているた数 ブロック２
に伝わった熱は効率良く外気に放出されも つまり、Ｔ
ＡＢ−ＩＣＩの発生する熱は上下から効率良く放出する
ことができ、 ヒートシンク７は小さくすることかてぎ
ム その結果 専有面積を小さくでき、実装密度を高く
することができａ な耘 以上の実施例ではＴＡＢ−Ｉ
Ｃの回路面は上向きである力交下向きでも良く、その
場合、接着剤３は絶縁性になり、接着剤８は絶縁性であ
る必要はなくな本発明の詳細 な説明したように本発明によれ１ｉＴＡＢ−ＩＣの放熱
効率を上（ず、実装密度を高くすることができ、その実
用効果は太き（１
Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉ
ｎｇ） −Ｉ Ｃ（半導体集積回路装置）すなわちフィ
ルムキャリア半導体素子を配線基板に実装する実装構造
に関するものであａ 従来の技術 従来のＴＡＢ−Ｉ Ｃの実装構造としては 例えば 特
開平、１−５９８４１号公報に示されているものがあも
第２図はこの従来のＴＡＢ−ＩＣの実装構造の縦断面
図を示すものであり、ＴＡＢ−ＩＣ９はヒートシンクｌ
Ｏに接続され 治具１１に・より支えられていモ１２は
基ｉ １３，１４はネジ、１５はフィルムキャリアリ
ードであも 発明が解決しようとする課題 しかしながら前記のような構造で（よ 治具１１は単に
ＴＡＢ−ＩＣ９を支えるだけの形状でしかないので、Ｔ
ＡＢ−ＩＣ９が発生する熱が治具１１に伝わってＬ 治
具１１から外気へ熱を効率良く放出することができない
という欠点があり、結ＭＴＡＢ−ＩＣ９の発生する熱の
大半はＴＡＢ−ＩＣ９の上部に取付けられたヒートシン
ク１０より放出する必要があり、 ヒートシンク１０は
大きくなってしまうという欠点があり九 本発明はかか
る点に鑑、ｋ ＴＡＢ−ＩＣの発生する熱を効率良く
外気に放出することにより、ヒートシンクを小さくしひ
いては実装密度を高くすることを目的とすム課題を解決
するための手段 本発明Ｃ↓ 配線基板に実装されるＴＡＢ−ＩＣの１献
および、下面にヒートシンクを接続したことを特徴と
するＴＡＢ−Ｉ Ｃの実装構造であム作用 本発明は前記した構造であるた＆ ＴＡＢ−ＩＣの発
生する熱はＴＡＢ−Ｉ Ｃの上に接続されたヒートシン
クに伝わり外気に効率良く放出すると同時に ＴＡＢ−
ＩＣの下にあるヒートシンクにも伝わり、外気に効率良
く放出されも 実施例 第１図は本発明の一実施例の縦断面図であムＴＡＢ−Ｉ
Ｃ１はヒートシンク形状をしたブロック２に熱伝導性
の良好な接着剤３ （例えば Ａｇ入りのエポキシ樹脂
半田等）で接着されム 熱応力等の力を吸収できるよ
うにＬ字に折り曲げられたＴＡＢ−ＩＣ１のリード４は
配線基板５の接続バッド６に半田付は等で接続されも
そして、熱伝導性の良好な絶縁性の接着剤８ （例えば
ＢＮ入りシリコーン樹脂等）により、ＴＡＢ−ＩＣＩの
回路面にヒートシンク７を接着すると共ｉ、：、ＴＡＢ
−ＩＣＩおよびＴＡＢ−ＩＣＩとり−ド４との接続部を
保護する。以上説明したようにこの実施例によれ＋ｉ
ＴＡＢ−ＩＣＩの発生する熱は接着剤８を通し上部のヒ
ートシンク７に伝わり外気に効率良く放出されると同時
シミ 接着剤３を通し下部のブロック２に伝わム ブロ
ック２はヒートシンク形状をしているた数 ブロック２
に伝わった熱は効率良く外気に放出されも つまり、Ｔ
ＡＢ−ＩＣＩの発生する熱は上下から効率良く放出する
ことができ、 ヒートシンク７は小さくすることかてぎ
ム その結果 専有面積を小さくでき、実装密度を高く
することができａ な耘 以上の実施例ではＴＡＢ−Ｉ
Ｃの回路面は上向きである力交下向きでも良く、その
場合、接着剤３は絶縁性になり、接着剤８は絶縁性であ
る必要はなくな本発明の詳細 な説明したように本発明によれ１ｉＴＡＢ−ＩＣの放熱
効率を上（ず、実装密度を高くすることができ、その実
用効果は太き（１
第１図は本発明の一実施例におけるＴＡＢ−ＩＣの実装
構造の縦断面＠ 第２図は同従来構造の縦断面図であム ト・・・ＴＡＢ−ＩＣ，２・・・・ブロッ久 ３，８・
・・・接着Ｒ４−・・リード、 ７・・・・ヒートシン
ク。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名葺１図 第２図 ／／力冥
構造の縦断面＠ 第２図は同従来構造の縦断面図であム ト・・・ＴＡＢ−ＩＣ，２・・・・ブロッ久 ３，８・
・・・接着Ｒ４−・・リード、 ７・・・・ヒートシン
ク。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名葺１図 第２図 ／／力冥
Claims (1)
- 配線基板に実装されるＴＡＢ半導体素子の上面および
下面にヒートシンクを設置したことを特徴とするＴＡＢ
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157953A JP2745786B2 (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | Ｔａｂ半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157953A JP2745786B2 (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | Ｔａｂ半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448740A true JPH0448740A (ja) | 1992-02-18 |
| JP2745786B2 JP2745786B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=15661072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2157953A Expired - Fee Related JP2745786B2 (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | Ｔａｂ半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2745786B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5672547A (en) * | 1996-01-31 | 1997-09-30 | Industrial Technology Research Institute | Method for bonding a heat sink to a die paddle |
| US5825625A (en) * | 1996-05-20 | 1998-10-20 | Hewlett-Packard Company | Heat conductive substrate mounted in PC board for transferring heat from IC to heat sink |
| US5960535A (en) * | 1997-10-28 | 1999-10-05 | Hewlett-Packard Company | Heat conductive substrate press-mounted in PC board hole for transferring heat from IC to heat sink |
| WO2004105142A1 (en) * | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light-emitting device |
| CN100391017C (zh) * | 2003-05-26 | 2008-05-28 | 松下电工株式会社 | 发光器件 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61247040A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01270335A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2157953A patent/JP2745786B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61247040A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01270335A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5672547A (en) * | 1996-01-31 | 1997-09-30 | Industrial Technology Research Institute | Method for bonding a heat sink to a die paddle |
| US5783860A (en) * | 1996-01-31 | 1998-07-21 | Industrial Technology Research Institute | Heat sink bonded to a die paddle having at least one aperture |
| US5825625A (en) * | 1996-05-20 | 1998-10-20 | Hewlett-Packard Company | Heat conductive substrate mounted in PC board for transferring heat from IC to heat sink |
| US5960535A (en) * | 1997-10-28 | 1999-10-05 | Hewlett-Packard Company | Heat conductive substrate press-mounted in PC board hole for transferring heat from IC to heat sink |
| US6018193A (en) * | 1997-10-28 | 2000-01-25 | Hewlett-Packard Company | Heat conductive substrate press-mounted in PC board hole for transferring heat from IC to heat sink |
| WO2004105142A1 (en) * | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light-emitting device |
| CN100391017C (zh) * | 2003-05-26 | 2008-05-28 | 松下电工株式会社 | 发光器件 |
| US7495322B2 (en) | 2003-05-26 | 2009-02-24 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Light-emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2745786B2 (ja) | 1998-04-28 |
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Legal Events
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