JPH0412688Y2 - - Google Patents

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JPH0412688Y2
JPH0412688Y2 JP1987049156U JP4915687U JPH0412688Y2 JP H0412688 Y2 JPH0412688 Y2 JP H0412688Y2 JP 1987049156 U JP1987049156 U JP 1987049156U JP 4915687 U JP4915687 U JP 4915687U JP H0412688 Y2 JPH0412688 Y2 JP H0412688Y2
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semiconductor
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chips
chip
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、複数の半導体チツプを樹脂封止した
アレイタイプの半導体装置に関し、特にその動作
時における熱的特性を改良することに関する。
従来の技術 従来、この種の半導体装置は、封止材料として
高熱伝導樹脂で封止したり、電流増幅率が等しく
なるようチツプを選んで封止したり、あるいは使
用条件としてのバイアスをデイレーテイングさせ
ていた。又、放熱板をとりつけることも多かつ
た。これらの手法は、いずれも単にチツプよりの
熱を伝般・放射させるだけでなく、複数のチツプ
を同時動作させることによる特定のチツプへの熱
集中偏在を少なくする為である。
しかしながら、上述した従来の技術では、各々
以下にあげる欠点がある。まず高熱伝導樹脂で封
止しても樹脂の熱伝導度には限界があり、熱抵抗
に換算して、10%程度の改良であり、例えば、中
央部と端部のチツプでは、熱平衡時の熱集中偏在
は依然残る。次に電流増幅率の等しいチツプを選
んで封止することは選別工数が膨大なばかりか、
著しい歩留低下もひき起こし、現実、実施困難で
ある。次にバイアスのデイレーテイングは用途が
限定される。次に放熱板のとりつけであるが、ユ
ーザー工数がかかる。又、自立タイプの半導体素
子アレイでは、放熱板のとりつけを前提としてい
ないので、一般ユーザーには実施困難である。さ
らに、放熱板をとりつけたところで熱平衡時の熱
集中偏在の問題は依然残る。通常の放熱板は、熱
集中防止に一役、買つてはいるが、主目的が素子
のパワーアツプであるので、熱源が複数個のアレ
イでは熱集中したままである。云いかえると熱集
中するまでのパワーが大きくとれるというだけで
本質的に熱集中偏在は解決されない。
問題点を解決するための手段 そこで本考案は、かようなアレイタイプの外装
在表面に各半導体チツプに対応して、熱伝導性良
好な金属膜を被着し形成して、素子動作時の熱集
中偏在をできるだけ小さくし、さらに、熱放散性
を高め、その熱的特性を改善しようとするもので
ある。
作 用 本考案は、各半導体チツプに対応して金属膜を
被着、すなわち特に熱集中が激しい中央部のチツ
プ(動作ON時)は、面積が大の金属箔を貼るな
どして、偏在過剰な熱量を逃がすことができる。
また本考案は、チツプに対応して、各々のチツプ
の熱量に適合する形状、寸法の金属膜を被着する
ので、熱分散調節が良好に行える。
実施例 以下、実施例をあげて本考案を詳述する。第1
図は本考案の一実施例に係る半導体素子アレイの
平面図、第2図はその断面図である。この実施例
では半導体チツプが3個の場合で、同時動作させ
た時、従来なら両端の半導体チツプの発熱が中央
の半導体チツプにまで影響し、中央付近の温度は
かなりの高温となり、熱集中を生じる。そこで、
図中5に示すようなアルミニウム箔を、高温部に
対応する位置に大きく、両端部で小さく熱伝導性
良好なる接着剤で貼着しておく。こうすると中央
部での熱放散効率は高くなり、熱集中偏在を防止
することができる。半導体チツプが4個、5個の
場合でも同様である。又、アルミニウム箔の貼着
方法をシール化し、ユーザーが、その使用方法に
より、アルミニウム箔を一部、外したりすること
や、貼着方法としてアルミニウム粉末をスクリー
ン印刷により実施することも可能である。
考案の効果 以上説明したように本考案は、複数の半導体チ
ツプを樹脂封止した外装表面に、各半導体チツプ
に対応して熱伝導性良好なアルミニウム等の金属
膜を被着したことにより、チツプ同時動作の場合
の熱集中偏在を防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例を示す半導体素子ア
レイの平面図、第2図は第1図素子アレイのA−
A線断面図。 1……半導体チツプ、2……アイランド、3…
…外装材、4……リード線、5……アルミニウム
箔。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 複数の半導体チツプを樹脂封止により外装した
    半導体装置において、外装材表面に、上記各半導
    体チツプに対応して、熱伝導性良好な金属膜を被
    着形成したことを特徴とする半導体素子アレイ。
JP1987049156U 1987-03-31 1987-03-31 Expired JPH0412688Y2 (ja)

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JPS63155646U JPS63155646U (ja) 1988-10-12
JPH0412688Y2 true JPH0412688Y2 (ja) 1992-03-26

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