JPH04127532A - 半導体ウェーハ熱処理方法 - Google Patents

半導体ウェーハ熱処理方法

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JPH04127532A
JPH04127532A JP24919090A JP24919090A JPH04127532A JP H04127532 A JPH04127532 A JP H04127532A JP 24919090 A JP24919090 A JP 24919090A JP 24919090 A JP24919090 A JP 24919090A JP H04127532 A JPH04127532 A JP H04127532A
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JP
Japan
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heat treatment
semiconductor wafers
treatment tube
semiconductor wafer
electromagnetic induction
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JP24919090A
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English (en)
Inventor
Kazuro Kudo
工藤　和朗
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NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェーハ熱処理方法に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体ウェーハ熱処理方法は、第２図に示す様に
、熱処理管１１の内部をヒータ２２により加熱し、その
後、熱処理管１１内に、半導体ウェーハ１３をのせたボ
ート１４を入れ、つぎに、ノズル１５より熱処理雰囲気
ガスを流し、熱処理を行なう方法が採用されていた。
〔発明が解決しようとする課眩〕
この従来の半導体ウェーハ熱処理方法では、半導体ウェ
ーハのみでなく熱処理管も加熱される為、１０００℃以
上の高温で熱処理する場合、石英で作成した熱処理管は
変形がはげしく、短時間しか使用できなくなってしまう
という問題点があった。
また、高温での長時間使用で変形の少ないＳｉＣで熱処
理管を作成した場合は、ＳｉＣは、石英に比べてＦｅ、
ＡＡ、Ｃａ等の不純物を多く含む為、高温で熱処理した
際に不純物が外方拡散し半導体ウェーハが汚染され、半
導体装置の電気特性、信頼性が劣化してしまうという問
題点があった。
本発明の目的は、熱処理管の変形がなく長寿命で半導体
ウェーハの汚染がなく電気的特性、信頼性の劣化のない
半導体装置が得られる半導体ウェーハ熱処理方法を提供
することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、半導体ウェーハを加熱する半導体ウェーハ熱
処理方法において、高周波電磁誘導加熱方法を用いて前
記半導体ウェーハを加熱することを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図は本発明の一実施例を説明する半導体ウェーハ熱
処理装置の概略構成図である。
第１図に示す様に、まず、熱処理管１１の外側に高周波
電磁誘導加熱し−タ１２を設ける。
次に、半導体ウェーハ１３をのせたボー）１４を熱処理
管１１内に入れる。
次に、ノズル１５より熱処理雰囲気ガスを流す。
次に、高周波電磁誘導加熱し−タ１２を動作させ半導体
ウェーハ１３を加熱する。このとき、熱処理管１１及び
ボート１４は、加熱された半導体ウェーハ１３からの輻
射熱により加熱されるだけである。
加熱終了後、高周波電磁誘導加熱し−タ１２の動作を停
止し、半導体ウェーハ１３をのせたボート１４を熱処理
管１１の外にひき出し、一連の熱処理動作を終了する。
〔発明の効果〕
以上説明した様に、本発明は、高周波電磁誘導加熱方式
により、半導体ウェーハのみを加熱する為、１０００℃
以上の高温で熱処理する場合でも熱処理管がほとんど加
熱されず、熱処理管からの不純物の外方拡散が少なく半
導体ウェーハの汚染を軽減することができ、半導体装置
の電気特性。
信頼性が劣化しないという効果がある。
また、熱処理管が直接加熱されない為、石英で作製した
熱処理管を高温で長時間使用しても変形が少なく長寿命
であるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を説明する半導体ウェーハ熱
処理装置の概略構成図、第２図は従来の半導体ウェーハ
熱処理装置の一例の概略構成図である。 １・・・熱処理管、 ２・・・高周波電磁誘導加熱し −タ、 ３・・・半導体ウェーハ、 ４・・・ボート、 ５・・・ノズル、 ２２・・・ヒータ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ウェーハを加熱する半導体ウェーハ熱処理方法に
    おいて、高周波電磁誘導加熱方法を用いて前記半導体ウ
    ェーハを加熱することを特徴とする半導体ウェーハ熱処
    理方法。
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