JPH04127546A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04127546A JPH04127546A JP2249362A JP24936290A JPH04127546A JP H04127546 A JPH04127546 A JP H04127546A JP 2249362 A JP2249362 A JP 2249362A JP 24936290 A JP24936290 A JP 24936290A JP H04127546 A JPH04127546 A JP H04127546A
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- H10W72/01—Manufacture or treatment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
金属パターンと半導体チップのボンディングを行う場合
のリード先端にバンプを形成する半導体装置の製造方法
に関し、 リード上に容易にバンプを形成し、短時間に多品種に対
応可能にすることを目的とし、フィルム上に金属パター
ンを形成し、該金属パターンのリード先端にバンプを設
けてチップとボンディングを行う半導体装置の製造方法
において、ボンディング用キャピラリにワイヤを貫通さ
せ、該ワイヤの先端でボールを形成する工程と、該ボー
ルを、前記リードの先端に圧着する工程と、該ボールを
圧着した近傍に、該ボールより延出する前記ワイヤを圧
着して前記バンプを形成する工程と、を含むように構成
する。また、前記ボールをリード先端に圧着した後、該
ボールの上部を抑圧により平坦にしてバンプを形成する
ように構成する。
のリード先端にバンプを形成する半導体装置の製造方法
に関し、 リード上に容易にバンプを形成し、短時間に多品種に対
応可能にすることを目的とし、フィルム上に金属パター
ンを形成し、該金属パターンのリード先端にバンプを設
けてチップとボンディングを行う半導体装置の製造方法
において、ボンディング用キャピラリにワイヤを貫通さ
せ、該ワイヤの先端でボールを形成する工程と、該ボー
ルを、前記リードの先端に圧着する工程と、該ボールを
圧着した近傍に、該ボールより延出する前記ワイヤを圧
着して前記バンプを形成する工程と、を含むように構成
する。また、前記ボールをリード先端に圧着した後、該
ボールの上部を抑圧により平坦にしてバンプを形成する
ように構成する。
本発明は、金属パターンと半導体チップのボンディング
を行う場合のリード先端のバンプを形成する半導体装置
の製造方法に関する。
を行う場合のリード先端のバンプを形成する半導体装置
の製造方法に関する。
近年、半導体装置の需要は多品種少量生産の傾向を示し
、短期納入が要求されてきている。このことはＴＡ Ｂ
（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）
においても同様であり、転写バンプの作製も短時間で行
う必要がある。
、短期納入が要求されてきている。このことはＴＡ Ｂ
（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）
においても同様であり、転写バンプの作製も短時間で行
う必要がある。
従来、例えばＴＡＢ方式と呼ばれる半導体装置の製造は
、ポリイミド膜等でつくられたフィルム状のテープの一
区画に、金属パターンを形成して、そのリードの先端（
フィンガ部分）に相対応するチップの電極パッドを接合
して行われる。この場合の接合は、リード先端又は、チ
ップ電極にバンプを形成して行う。
、ポリイミド膜等でつくられたフィルム状のテープの一
区画に、金属パターンを形成して、そのリードの先端（
フィンガ部分）に相対応するチップの電極パッドを接合
して行われる。この場合の接合は、リード先端又は、チ
ップ電極にバンプを形成して行う。
ここで、リード先端にバンプを形成する方法として転写
バンプがある。すなわちバンプの形成は、半導体装置の
一品種毎にガラス板上に導電層を形成し、該導電層上に
めっき用マスクの絶縁層を形成する。そして、電解めっ
きにより該ガラス板上にバンプを形成し、これをリード
先端に転写するものである。
バンプがある。すなわちバンプの形成は、半導体装置の
一品種毎にガラス板上に導電層を形成し、該導電層上に
めっき用マスクの絶縁層を形成する。そして、電解めっ
きにより該ガラス板上にバンプを形成し、これをリード
先端に転写するものである。
（発明が解決しようとする課題〕
しかし、めっきを成長させてバンプを形成するためには
、−品種毎にガラス板、マスク等を作製しなければなら
ず、また、めっきでバンプを形成することから長時間を
必要する。従って、多品種少量生産製品の短時間納期に
対応できず、製品完成まで、長時間を要するという問題
がある。
、−品種毎にガラス板、マスク等を作製しなければなら
ず、また、めっきでバンプを形成することから長時間を
必要する。従って、多品種少量生産製品の短時間納期に
対応できず、製品完成まで、長時間を要するという問題
がある。
そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、リー
ド上に容易にバンプを形成し、短時間に多品種に対応可
能にする半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
ド上に容易にバンプを形成し、短時間に多品種に対応可
能にする半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
第１図及び第２図に、第１及び第２の本発明方法の原理
説明図を示す。第１図において、第１の工程では、ボン
ディング用キャピラリにワイヤを貫通させ、該ワイヤの
先端でボールを形成する。
説明図を示す。第１図において、第１の工程では、ボン
ディング用キャピラリにワイヤを貫通させ、該ワイヤの
先端でボールを形成する。
第２の工程では、該ボールを金属パターンのり一ド先端
に圧着する。第３の工程では、リード先端のボールを圧
着した近傍に、該ボールより延出するワイヤを圧着して
バンプを形成する。そして、このバンプとチップでボン
ディングを行うものである。
に圧着する。第３の工程では、リード先端のボールを圧
着した近傍に、該ボールより延出するワイヤを圧着して
バンプを形成する。そして、このバンプとチップでボン
ディングを行うものである。
また、第２図において、上記バンプを形成するに当たり
第１の工程でボンディング用キャピラリによりワイヤを
貫通させ、ワイヤの先端でボールを形成する。第２の工
程では、該ボールをリード先端に圧着する。また、第３
の工程では該ボールの上部を押圧により平坦にしてバン
プを形成するものである。
第１の工程でボンディング用キャピラリによりワイヤを
貫通させ、ワイヤの先端でボールを形成する。第２の工
程では、該ボールをリード先端に圧着する。また、第３
の工程では該ボールの上部を押圧により平坦にしてバン
プを形成するものである。
第１図及び第２図に示すように、リード先端にバンプを
形成するに当たり、ワイヤボンディングの手段を用いて
いる。すなわち、ボンディング用キャピラリを貫通させ
たワイヤの先端でボールを形成してリード先端に圧着す
る。
形成するに当たり、ワイヤボンディングの手段を用いて
いる。すなわち、ボンディング用キャピラリを貫通させ
たワイヤの先端でボールを形成してリード先端に圧着す
る。
そして、ボールより延長するワイヤをボールの近傍に圧
着してバンプを形成している。又は、圧着したボールの
上部を押圧により平坦化している。
着してバンプを形成している。又は、圧着したボールの
上部を押圧により平坦化している。
これにより、リード先端に容易にバンプを形成すること
が可能となる。また、品種ごとにバンプ作製のための設
備を設けることなく、短時間でリード先端にバンプを形
成することが可能となる。
が可能となる。また、品種ごとにバンプ作製のための設
備を設けることなく、短時間でリード先端にバンプを形
成することが可能となる。
第３図に第１の発明の一実施例の製造工程図を示す。第
３図において、金属パターンのリード１の先端上で、ワ
イヤボンディング用キャピラリ２にワイヤ３を貫通させ
（第３図（Ａ））、トゥチ電極４によりワイヤ３の先端
にボール３ａを形成する（第３図（Ｂ））。そして、ボ
ール３ａをリード１の先端にボンディングにより圧着す
る（第３図（Ｃ））。つぎに、リードｌの先端のボール
３ａを圧着した近傍に、該ボール３ａより延出するワイ
ヤ３を例えば超音波ボンディングにより圧着して（第３
図（Ｄ）’） 、バンプ５を形成する（第３図（Ｅ））
。この場合の平面図が第３図（Ｆ）に示される。
３図において、金属パターンのリード１の先端上で、ワ
イヤボンディング用キャピラリ２にワイヤ３を貫通させ
（第３図（Ａ））、トゥチ電極４によりワイヤ３の先端
にボール３ａを形成する（第３図（Ｂ））。そして、ボ
ール３ａをリード１の先端にボンディングにより圧着す
る（第３図（Ｃ））。つぎに、リードｌの先端のボール
３ａを圧着した近傍に、該ボール３ａより延出するワイ
ヤ３を例えば超音波ボンディングにより圧着して（第３
図（Ｄ）’） 、バンプ５を形成する（第３図（Ｅ））
。この場合の平面図が第３図（Ｆ）に示される。
ここで、第４図に、上記バンプが適用されるＴＡＢを説
明するための図を示す。第４図（Ａ）は、ＴＡ Ｂ （
Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）の平
面図を示しており、フィルム（テープキャリア）１０の
両側にキャリア孔１１が穿設され、−区間内にチップ孔
１２及び穴部１３が打抜き等により穿設される。そして
、このテープキャリアＩＯ上に金属パターン１４が図の
ようなパターンで形成され、チップ孔１２の空間に延出
した金属パターン１４のリード１の先端上に上述のバン
プ５が形成される。バンプ５が形成されたリードｌは、
第４図（Ｂ）に示すように、チップ１５のパッド１６に
ボンディングにより圧着接続されるものである。
明するための図を示す。第４図（Ａ）は、ＴＡ Ｂ （
Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）の平
面図を示しており、フィルム（テープキャリア）１０の
両側にキャリア孔１１が穿設され、−区間内にチップ孔
１２及び穴部１３が打抜き等により穿設される。そして
、このテープキャリアＩＯ上に金属パターン１４が図の
ようなパターンで形成され、チップ孔１２の空間に延出
した金属パターン１４のリード１の先端上に上述のバン
プ５が形成される。バンプ５が形成されたリードｌは、
第４図（Ｂ）に示すように、チップ１５のパッド１６に
ボンディングにより圧着接続されるものである。
次に、第５図に、第２の発明の一実施例の製造工程図を
示す。第５図において、ワイヤ３をワイヤボンディング
用キャピラリ２に貫通させ、ワイヤ３先端にボール３ａ
を形成することは第３図と同様である。そして、リード
Ｉの先端にボンディングによりボール３ａを圧着しく第
５図（Ａ））、圧着したボール３ａより延出するワイヤ
３をクランパ（図示せず）等で挟み切断する（第５図（
Ｂ））。その後、下部が平坦に成形された抑圧ツール６
により該ボール３ａの上部を押圧して（第５図（Ｃ））
、上部が平坦化されたバンプ５ａがリードｌの先端に形
成される（第５図（Ｄ））。この場合の平面図が第５図
（Ｅ）に示される。
示す。第５図において、ワイヤ３をワイヤボンディング
用キャピラリ２に貫通させ、ワイヤ３先端にボール３ａ
を形成することは第３図と同様である。そして、リード
Ｉの先端にボンディングによりボール３ａを圧着しく第
５図（Ａ））、圧着したボール３ａより延出するワイヤ
３をクランパ（図示せず）等で挟み切断する（第５図（
Ｂ））。その後、下部が平坦に成形された抑圧ツール６
により該ボール３ａの上部を押圧して（第５図（Ｃ））
、上部が平坦化されたバンプ５ａがリードｌの先端に形
成される（第５図（Ｄ））。この場合の平面図が第５図
（Ｅ）に示される。
これにより、バンプ５ａのチップ１５のパッド１６（第
４図参照）への接触面積が大きくなる。
４図参照）への接触面積が大きくなる。
また、パッド１６にバンプ５ａが接触する場合に、バン
プ５ａの上部が平坦であることから、パッド１６上で位
置ずれを生じることなくボンディング性を良好にするこ
とができる。
プ５ａの上部が平坦であることから、パッド１６上で位
置ずれを生じることなくボンディング性を良好にするこ
とができる。
次に、第６図に第２図の発明の他の実施例の製造工程図
を示す。第６図において、リードｌの先端にワイヤ３の
ボール３ａをボンディングにより圧着することは第５図
と同様である（第６図（Ａ））。この場合、ワイヤボン
ディング用キャピラリ２ａは、先端が広く平坦に形成さ
れたちのである。そこで、ボール３ａをリードｌの先端
に圧着後、該キャピラリ２ａを横方向に移動し、その先
端でボール３ａを上部から押圧する（第６図（Ｂ））。
を示す。第６図において、リードｌの先端にワイヤ３の
ボール３ａをボンディングにより圧着することは第５図
と同様である（第６図（Ａ））。この場合、ワイヤボン
ディング用キャピラリ２ａは、先端が広く平坦に形成さ
れたちのである。そこで、ボール３ａをリードｌの先端
に圧着後、該キャピラリ２ａを横方向に移動し、その先
端でボール３ａを上部から押圧する（第６図（Ｂ））。
従ってリードｌの先端には上部が平坦化されたバンプ５
ａが形され（第５図（Ｃ））、その平面図が第５図（Ｄ
）に示される。これにより、押圧用のツールを別に設け
ることなく、上部から平坦化されたバンプ５ａが容易に
形成できる。
ａが形され（第５図（Ｃ））、その平面図が第５図（Ｄ
）に示される。これにより、押圧用のツールを別に設け
ることなく、上部から平坦化されたバンプ５ａが容易に
形成できる。
このように、リードｌの先端にバンプ５（５ａ）を形成
するに当たり、新たな装置を必要とせず従来のボンディ
ング技術を適用することで容易かつ短時間にバンプを形
成することができる。
するに当たり、新たな装置を必要とせず従来のボンディ
ング技術を適用することで容易かつ短時間にバンプを形
成することができる。
以上のように本発明によれば、ワイヤの先端にボールを
形成し、リードの先端に圧着することにより、容易にバ
ンプを形成することができ、従って、短時間に多品種の
製品に対応可能となり、製品の納期短縮を図ることがで
きる。
形成し、リードの先端に圧着することにより、容易にバ
ンプを形成することができ、従って、短時間に多品種の
製品に対応可能となり、製品の納期短縮を図ることがで
きる。
第１図は第１の発明方法の原理説明図、第２図は第２の
発明方法の原理説明図、第３図は第１の発明の一実施例
の製造工程図、第４図はバンプが形成されるＴＡＢを説
明するための図、 第５図は第２の発明の一実施例の製造工程図、第６図は
第２の発明の他の実施例の製造工程図である。 図において、 １はリード、 ２はワイヤボンディング用キャピラリ、３はワイヤ、 ３ａはボール、 ４はトウチ電極、 ５はバンプ を示す。 第 ！ 図 第２図 １＄１ｆ７発ＪＩＦＩ／）−寧ンし金１１の１屹激工槁
閏第３図 バー／岸形１にτ木るＴＡＢ！載り哨す）ためｄ両筒４
図 第５図 第６図
発明方法の原理説明図、第３図は第１の発明の一実施例
の製造工程図、第４図はバンプが形成されるＴＡＢを説
明するための図、 第５図は第２の発明の一実施例の製造工程図、第６図は
第２の発明の他の実施例の製造工程図である。 図において、 １はリード、 ２はワイヤボンディング用キャピラリ、３はワイヤ、 ３ａはボール、 ４はトウチ電極、 ５はバンプ を示す。 第 ！ 図 第２図 １＄１ｆ７発ＪＩＦＩ／）−寧ンし金１１の１屹激工槁
閏第３図 バー／岸形１にτ木るＴＡＢ！載り哨す）ためｄ両筒４
図 第５図 第６図
Claims (2)
- （１）フィルム（１０）上に金属パターンを形成し、該
金属パターンのリード（１）先端にバンプ（５）を設け
てチップ（１５）とボンディングを行う半導体装置の製
造方法において、 ボンディング用キャピラリ（２）にワイヤ（３）を貫通
させ、該ワイヤ（３）の先端でボール（３ａ）を形成す
る工程と（第１の工程）、該ボール（３ａ）を、前記リ
ード（１）の先端に圧着する工程（第２の工程）と、 該ボール（３ａ）を圧着した近傍に、該ボール（３ａ）
より延出する前記ワイヤ（３）を圧着して前記バンプ（
５）を形成する工程（第３の工程）と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）フィルム（１０）上に金属パターンを形成し、該
金属パターンのリード（１）先端にバンプ（５ａ）を設
けてチップ（１５）とボンディングを行う半導体装置の
製造方法において、 ボンディング用キャピラリ（２、２ａ）にワイヤ（３）
を貫通させ、該ワイヤ（３）の先端でボール（３ａ）を
形成する工程（第１の工程）と（第１の工程）、 該ボール（３ａ）を、前記リード（１）の先端に圧着す
る工程（第２の工程）と、 該ボール（３ａ）の上部を押圧により平坦にしてバンプ
（５ａ）を形成する工程（第３の工程）と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2249362A JPH04127546A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2249362A JPH04127546A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04127546A true JPH04127546A (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=17191898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2249362A Pending JPH04127546A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04127546A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514604A (en) * | 1993-12-08 | 1996-05-07 | General Electric Company | Vertical channel silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor with self-aligned gate for microwave and power applications, and method of making |
| US6079610A (en) * | 1996-10-07 | 2000-06-27 | Denso Corporation | Wire bonding method |
| US6601752B2 (en) | 2000-03-13 | 2003-08-05 | Denso Corporation | Electronic part mounting method |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP2249362A patent/JPH04127546A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514604A (en) * | 1993-12-08 | 1996-05-07 | General Electric Company | Vertical channel silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor with self-aligned gate for microwave and power applications, and method of making |
| US6079610A (en) * | 1996-10-07 | 2000-06-27 | Denso Corporation | Wire bonding method |
| US6601752B2 (en) | 2000-03-13 | 2003-08-05 | Denso Corporation | Electronic part mounting method |
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