JPH04127660U - チツプコンデンサ搭載型半導体装置 - Google Patents

チツプコンデンサ搭載型半導体装置

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JPH04127660U
JPH04127660U JP1991034051U JP3405191U JPH04127660U JP H04127660 U JPH04127660 U JP H04127660U JP 1991034051 U JP1991034051 U JP 1991034051U JP 3405191 U JP3405191 U JP 3405191U JP H04127660 U JPH04127660 U JP H04127660U
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JP
Japan
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chip capacitor
solder
semiconductor device
package
chip
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JP1991034051U
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正人 氏家
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】半導体チップ１をキャップ８により低融点型ガ
ラスなどの封止材７を介して、パッケージ２に封止する
ことで気密封止している。階段状凹部９のチップコンデ
ンサ搭載部は底面に搭載用電極２ｂを有し、半田層６に
よりチップコンデンサ５を搭載している。 【効果】半田粒不良の発生を完全に除去できる。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案はチップコンデンサ搭載型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置は高速化要求が高まり動作周波数が高くなってきています。 そのため半導体装置内においても電源ノイズを無視できなくなり、半導体装置自 身にもチップコンデンサを搭載する必要がでてきます。
【０００３】 従来のチップコンデンサ搭載型半導体装置の一例を図３に示します。半導体チ ップを内部に搭載したパッケージ２の上面に形成したチップコンデンサ用電極に 、チップコンデンサ５が半田層６を介して搭載されている。このチップコンデン サ５の搭載面は平面状で、パッケージ２のセラミック基板上にタングステンメタ ライズを行ない、その上に金メッキ等を施して電極を形成してあります。
【０００４】 図４はチップコンデンサ５の搭載工程順に示した図です。図４（ａ）に示すよ うに、パッケージ上のチップコンデンサ用電極２ｂの表面にフラックス入り粒状 半田を滴下して半田ペースト層６ａを形成します。
【０００５】 次に図４（ｂ）に示すように、チップコンデンサ５の辺をペースト層６ａの上 に乗せます。次に図４（ｃ）に示すようにリフローすると初期段階では半田ペー スト層６ａの粘度が落ちて毛細管現象によりチップコンデンサ５の下方へフラッ クス６ｃが吸い込まれた状態になります。
【０００６】 次に図４（ｄ）に示すように、半田ペースト層６ａの半田粒が溶けて電極２ｂ 上で半田一体部２ｃになります。最後に周囲のフラックス６ｃをこの後で洗浄し て落します。
【０００７】
【考案が解決しようとする課題】
この従来のチップコンデンサ搭載型半導体装置では、チップコンデンサ搭載リ フロー初期のフラックスがチップコンデンサの下へ吸いこまれる際に、半田粒も 引き込んでしまい、リフロー完了時にもチップコンデンサの下に半田粒が残り、 洗浄でも落ちないため不良となってしまう。
【０００８】 この半田粒不良の発生率は半田ペーストの材質によるところが大きいが、水溶 性フラックス使用の半田ペーストを使用すると半田粒不良は９０％以上となって しまう。ロジン系フラックス使用の半田ペーストはフロン規制により、フロン洗 浄廃止が予定されているために使用できなくなる。そこで水洗，湯洗でフラック スが洗浄できる前者の水溶性フラックス使用の半田ペーストが主流となりつつあ る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本考案のチップコンデンサ搭載型半導体装置は、複数のセラミックを積層して 成り、一主面に外部電極を有し同一主面またはその反対側の面にチップコンデン サ搭載用電極を介してチップコンデンサを搭載するパッケージを有し、内部の一 主面に電気回路を構成しており前記パッケージの内部中央に搭載された半導体素 子を気密封止するキャップとを有するチップコンデンサ搭載型半導体装置におい て、前記パッケージの一部に階段状凹部を設け、その底面に前記チップコンデン サ搭載用電極を有して構成されている。
【００１０】
【実施例】
図１に本考案の一例のピングリットアレイ断面模式図を示します。半導体チッ プ１はＡｕ−Ｓｉ接着や銀ペースト等の接着材４によりパッケージ２に搭載され 、その半導体チップ１はＡｕ細線またはアルミ細線の金属細線３によりパッケー ジ２の外部電極であるリード２ａと電気的に接続されている。その半導体チップ １をキャップ８により低融点型ガラスなどの封止材７を介して、パッケージ２に 封止することで気密封止している。
【００１１】 階段状凹部９のチップコンデンサ搭載部は底面に搭載用電極２ｂを有し、半田 層６によりチップコンデンサ５を搭載している。この階段状凹部９を設けること でチップコンデンサ５搭載時に発生する半田粒不良を完全に除去可能である。
【００１２】 次に図２のＡ部拡大図を参照してリフロー工程を説明する。まず、階段状凹部 ９底面にチップコンデンサ５を乗せ両側の階段部分に半田ペースト層６ａを塗布 する。次にＩＲリフローなどを通すと半田ペースト層６ａは半田層６とフラック ス６ｃと半田粒６ｂに分離し、半田層６のみが下方に流れチップコンデンサ５の 電極とパッケージの搭載電極をつなぐ。
【００１３】 半田粒６ｂは、階段部で発生するのでその場所に残るか、または半田層６が流 れるときに一体となってしまうため半田粒６ｂが、チップコンデンサ５の下に発 生することはない。階段凹部側面の半田粒６ｂは、その後の水洗工程で除去され るため半田粒不良は完全に除去される。
【００１４】
【考案の効果】
以上説明したように本考案は半導体装置のチップコンデンサ搭載部に階段状凹 部を設けたことによって、半田粒不良の発生を完全に除去できるという効果を有 する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の一例のピングリッドアレイの断面図で
ある。
【図２】本考案によるチップコンデンサ搭載工程を説明
するために示したＡ部断面図である。
【図３】従来のチップコンデンサ搭載半導体装置の一例
の斜視図である。
【図４】従来の問題点を説明するために工程順に示した
チップコンデンサ搭載部分断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ ２ パッケージ ２ａ リード ２ｂ チップコンデンサ用電極 ３ 金属細線 ４ 接着材 ５ チップコンデンサ ６ 半田層 ６ａ 半田ペースト層 ６ｂ 半田粒 ６ｃ フラックス層 ７ 封止材 ８ キャップ ９ 階段状凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｓ 6736−4Ｅ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数のセラミックを積層して成り、一主
    面に外部電極を有し同一主面またはその反対側の面にチ
    ップコンデンサ搭載用電極を介してチップコンデンサを
    搭載するパッケージを有し、内部の一主面に電気回路を
    構成しており前記パッケージの内部中央に搭載された半
    導体素子を気密封止するキャップとを有するチップコン
    デンサ搭載型半導体装置において、前記パッケージの一
    部に階段状凹部を設け、その底面に前記チップコンデン
    サ搭載用電極を有することを特徴とするチップコンデン
    サ搭載型半導体装置。
JP1991034051U 1991-05-15 1991-05-15 チツプコンデンサ搭載型半導体装置 Pending JPH04127660U (ja)

Priority Applications (1)

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JP1991034051U JPH04127660U (ja) 1991-05-15 1991-05-15 チツプコンデンサ搭載型半導体装置

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JP1991034051U JPH04127660U (ja) 1991-05-15 1991-05-15 チツプコンデンサ搭載型半導体装置

Publications (1)

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JPH04127660U true JPH04127660U (ja) 1992-11-20

Family

ID=31916549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1991034051U Pending JPH04127660U (ja) 1991-05-15 1991-05-15 チツプコンデンサ搭載型半導体装置

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JP (1) JPH04127660U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020102568A (ja) * 2018-12-25 2020-07-02 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 電子部品の製造方法及び半導体装置の製造方法

Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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