JPH041294B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH041294B2
JPH041294B2 JP58060135A JP6013583A JPH041294B2 JP H041294 B2 JPH041294 B2 JP H041294B2 JP 58060135 A JP58060135 A JP 58060135A JP 6013583 A JP6013583 A JP 6013583A JP H041294 B2 JPH041294 B2 JP H041294B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
infrared
electrode
detecting element
bonding
detection element
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP58060135A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59187231A (ja
Inventor
Akio Teranishi
Toshiharu Kurosawa
Mikio Matsumoto
Takeo Ishigaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP58060135A priority Critical patent/JPS59187231A/ja
Publication of JPS59187231A publication Critical patent/JPS59187231A/ja
Publication of JPH041294B2 publication Critical patent/JPH041294B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20Electrodes

Landscapes

  • Radiation Pyrometers (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は地球センサ等に利用される赤外線検出
器の製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点 焦電形などの熱的赤外線検出器は、赤外線を吸
収し、これによる温度上昇で電荷の発生(焦電効
果)、あるいは抵抗変化(サーミスタなどの検出
器)を利用している。従つて、入射赤外線を有効
に利用するためには、検出器の熱容量を小さく
し、検出器の温度上昇を容易にする必要がある。
従来は、第1図に示すように、検出器の熱容量
を小さくするために中空に加工した絶縁体11
(例えば、上表面111を酸化させたシリコンな
ど)に、数〜数100μm厚の熱形赤外線検出器(例
えば、チタン酸鉛焦電形検出器)12を、絶縁性
接着剤13ではりつける。検出器の背面にはアル
ミニウムなどの共通電極121があり、導電性接
着剤122を通じて外部に取出されている。リニ
ヤ・アレー検出器の赤外線入射面の電極は、赤外
線吸収を兼ねた例えばNi−Cr電極123で、各
検出素子を分離している。各検出素子の電極取出
しは、赤外線を反射するアルミニウムまたは金な
どの電極124よりボンデイング線125によつ
て、順次走査して読み出すためのシフトレジスタ
(図示せず)、またはバツフアー(図示せず)を介
し、または直接外部に取出している。
このような従来の構造では、ボンデイング線1
25の使用が不可欠であるがこの場合検出素子の
電極124とのボンデイングが問題で、検出素子
の厚さが薄いと、十分なボンデイング強度を超音
波ボンダーで取ろうとすると、検出素子が破壊さ
れることがあり、歩留りが悪くなる欠点があつ
た。
発明の目的 本発明はこのような欠点を解消し、検出素子の
破壊が少なく十分な強度のボンデイングをとるこ
とができ、かつ素子両面の電極を同一の面から取
出せるようにしたリニヤアレー赤外線検出器を得
ることを目的とするものである。
発明の構成 本発明は赤外線検出素子の上面と支持台とが同
一平面になるように接着し、検出素子からの信号
電極を蒸着等で取出し、背面共通電極を導電性接
着剤、蒸着等で同一平面上に引き出し、ボンデイ
ング線は、検出素子より強固な支持台上に設けら
れたボンデイング用電極により取出すようにした
赤外線検出器の製造方法である。
実施例の説明 以下本発明の実施例について図面とともに詳細
に説明する。
第2図に本発明による赤外線検出器の構成とそ
の製造方法を示す。同図イに示すように、まずシ
リコン基板21にシリコン酸化膜をマスクとして
異方性エツチングにより穴211をあける。この
穴211は必らずしも貫通している必要はない。
次に、赤外線検出素子が入る幅および長さで、か
つ深さが最終的に赤外線検出素子に望まれる厚さ
になるように異方性エツチングを行ない、点線で
示すような段部212を形成する。
このようにして作製したシリコン支持台21の
表面に、同図ロに示すように酸化膜213を形成
し、その上の一部にボンデイング用電極214を
形成する。このシリコン支持台21の段部212
内にあらかじめ片面研摩し背面電極221を付け
た厚めの検出素子22を絶縁性接着剤23と導電
性接着剤24で接着する。次に同図ハに示すよう
に、検出素子22の上面がシリコン支持台21と
同じ高さになるまで研摩し、表面が同一平面にな
るようにする。このようにして得られた検出素子
に、同図ニに示すように、赤外線吸収電極222
として例えばNi−Crを、また信号取出し電極2
23として赤外線を反射するアルミニウムまたは
金などを蒸着し、シリコン支持台21上のボンデ
イング用電極214よりボンデイング線224を
取り出す。同様にシリコン支持台21上に電極端
子225を設け、導電性接着剤24を通して検出
器素子の背面電極221をボンデイング線226
で取出す。
このようにすることにより、検出素子の背面共
通電極221の出力を、導電性接着剤24を経由
して、ボンデイング電極端子225を用いて信号
電極用ボンデイング電極214と同じ上面から取
り出すことができる。
また、支持台21としては、シリコン基板以外
にセラミツクその他の絶縁体を使用してもよいこ
とはもちろんである。
発明の効果 以上のように、本発明は赤外線検出素子の厚さ
に相当する段部を持つた支持台に赤外線検出素子
を接着し、検出素子上面と支持台の上面が同一平
面となるように研磨等により調整し、検出素子の
信号電極、背面共通電極およびそのとり出し電極
を導電性接着剤。蒸着等により形成し、このとり
出し電極を支持台上に形成したボンデイング用電
極に延長するとともに、このボンデイング電極よ
りボンデイング線をとり出すようにした赤外線検
出器で、検出素子と支持台が同一平面であるので
蒸着された電極に凹凸が生じないので断線のおそ
れがない。また検出器各要素より直接ボンデイン
グ線を取出すのでなく、検出器よりも厚い、より
強固な支持台上より同じ上面からボンデイング線
を取出すことにより、ボンデイング強度が増し、
歩留が向上する。
このような構成の赤外線検出器は特に高密度の
リニヤアレイ赤外線検出器として有効である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のリニヤ・アレー赤外線検出器の
一例を示す斜視図、第2図は本発明による赤外線
検出器の一実施例としてのリニヤ・アレー赤外線
検出器の作製法および構成を説明するための図
で、イ,ロおよびハは、製造工程を示す断面図、
ニは平面図である。 21……シリコン基板、211……加工形状、
212……段加工形状、22……赤外線検出素
子、23……絶縁性接着剤、24……導電性接着
剤、213…酸化膜、214……ボンデイング電
極、221……背面電極、222……赤外線吸収
電極、223……信号取出し電極、224……ボ
ンデイング線、225……背面電極端子、226
……ボンデイング線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 上面に赤外線吸収電極群が形成されるととも
    に、下面に背面共通電極が形成される赤外線検出
    素子により赤外線の検出を行う赤外線検出器の製
    造方法において、 まず前記赤外線検出素子の下面に背面共通電極
    を形成するとともに、 前記赤外線検出素子の厚さに相当し、かつ前記
    赤外線検出素子の大きさより大きな段部を持つた
    支持台の一端辺に、前記赤外線検出素子の背面共
    通電極と電気的に接続される導電性材料で装着
    し、前記支持台の他端辺に、前記赤外線検出素子
    の背面共通電極と電気的に絶縁される絶縁材料で
    接着し、 次に、前記赤外線検出素子と支持台の上面が同
    一平面となるように研磨により調整し、 前記赤外線検出素子の上面に赤外線吸収電極群
    を形成するとともに、 前記支持台の上面に形成されているボンデイン
    グ用電極群と、前記赤外線検出素子の上面に形成
    されている赤外線吸収電極群とを、蒸着による第
    1の信号読み出し電極により電気的に接続すると
    ともに、 一方では前記支持台の上面に形成されているボ
    ンデイング用共通電極と、前記赤外線検出素子の
    上面に露出している前記導電性材料とを、蒸着に
    よる第2の信号読み出し電極により電気的に接続
    し、 その後に、前記ボンデイング用電極群と前記ボ
    ンデイング用共通電極とにボンデイング線を形成
    する 赤外線検出器の製造方法。
JP58060135A 1983-04-06 1983-04-06 赤外線検出器の製造方法 Granted JPS59187231A (ja)

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JP58060135A JPS59187231A (ja) 1983-04-06 1983-04-06 赤外線検出器の製造方法

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JP58060135A JPS59187231A (ja) 1983-04-06 1983-04-06 赤外線検出器の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59187231A JPS59187231A (ja) 1984-10-24
JPH041294B2 true JPH041294B2 (ja) 1992-01-10

Family

ID=13133389

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JP58060135A Granted JPS59187231A (ja) 1983-04-06 1983-04-06 赤外線検出器の製造方法

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH053609Y2 (ja) * 1984-12-12 1993-01-28

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5229272A (en) * 1975-08-29 1977-03-04 Fujitsu Ltd Method of forming radiation ray detecting device

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JPS59187231A (ja) 1984-10-24

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