JPH04132681U - 磁気デイスク組立ハンド機構 - Google Patents
磁気デイスク組立ハンド機構Info
- Publication number
- JPH04132681U JPH04132681U JP3951391U JP3951391U JPH04132681U JP H04132681 U JPH04132681 U JP H04132681U JP 3951391 U JP3951391 U JP 3951391U JP 3951391 U JP3951391 U JP 3951391U JP H04132681 U JPH04132681 U JP H04132681U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic disk
- spindle
- compressed air
- inner diameter
- outer diameter
- Prior art date
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- Pending
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- Holding Or Fastening Of Disk On Rotational Shaft (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気ディスクの内径とスピンドルの外径との接
触を防止してダストをなくする。 【構成】磁気ディスク7は吸引穴6からの空気吸引によ
り吸着パッド9に吸着固定された状態にてスピンドル8
への挿入が行われる。フローティング部2によって磁気
ディスク7の水平移動14により磁気ディスク7の位置
が修正されるとともに、スピンドル8への挿入が可能と
なり、さらに、磁気ディスク7の挿入時に、圧縮空気送
風口5から圧縮空気を吸着パッド9の内部へ送りこむ。
送りこまれた圧縮空気はスピンドル8と磁気ディスク7
のすきまのみから排気されることとなり、この排気に伴
ないスピンドル8の外径と磁気ディスク7の内径の間隙
に圧縮空気の膜が発生する。この圧縮空気による膜によ
り、磁気ディスク7の水平移動14による磁気ディスク
7の内径とスピンドル8の外径との接触を防止すること
が出来る。
触を防止してダストをなくする。 【構成】磁気ディスク7は吸引穴6からの空気吸引によ
り吸着パッド9に吸着固定された状態にてスピンドル8
への挿入が行われる。フローティング部2によって磁気
ディスク7の水平移動14により磁気ディスク7の位置
が修正されるとともに、スピンドル8への挿入が可能と
なり、さらに、磁気ディスク7の挿入時に、圧縮空気送
風口5から圧縮空気を吸着パッド9の内部へ送りこむ。
送りこまれた圧縮空気はスピンドル8と磁気ディスク7
のすきまのみから排気されることとなり、この排気に伴
ないスピンドル8の外径と磁気ディスク7の内径の間隙
に圧縮空気の膜が発生する。この圧縮空気による膜によ
り、磁気ディスク7の水平移動14による磁気ディスク
7の内径とスピンドル8の外径との接触を防止すること
が出来る。
Description
【0001】
本考案は磁気ディスク組立ハンド機構に関し、特にスピンドルへの磁気ディス
ク挿入の組立ハンド機構に関する。
【0002】
従来、この種の磁気ディスク組立ハンド機構は、スピンドルへの磁気ディスク
挿入時にスピンドル外径と磁気ディスク内径とのかじり発生防止対策としてフロ
ーティング機構が採用されていた。このフローティング機構により磁気ディスク
の水平移動が可能となり、スピンドル外径と磁気ディスク内径とが接触した場合
に発生する反力にて磁気ディスクが水平移動することにより、かじりが発生しな
い機構となっていた。
【0003】
この従来の磁気ディスク組立ハンド機構では、基本的にスピンドル外径と磁気
ディスク内径とが接触することをさけられず、完成品となった磁気ディスク装置
の品質を左右する要因の1つとなるダスト発生を防止することが出来ないという
問題点がある。
【0004】
本考案の磁気ディスク組立ハンド機構は、磁気ディスクを吸着して保持する保
持手段と、この保持手段で保持された前記磁気ディスクをスピンドルに挿入すべ
く位置決めする位置決め手段と、前記磁気ディスクを前記スピンドルへ挿入時に
前記磁気ディスクの内径部から前記スピンドルの外径へ圧縮空気を送風する圧縮
空気送風手段とを有している。
【0005】
次に、本考案について図面を参照して説明する。
【0006】
図1は本考案の一実施例を示し、(a)は本実施例の断面図、(b)は本実施
例における吸着パッドの下面図である。
【0007】
図1において、本実施例は吸引用配管4を通して吸引穴6からの空気吸引によ
り磁気ディスク7を吸着して保持する吸着パッド9と、吸着パッド9で保持した
磁気ディスク7をスピンドル8に挿入すべく水平移動させるフローティング部2
と、磁気ディスク7のスピンドル8への挿入に対する吸着パッド9のセンタリン
グを行うシリンダ1と、磁気ディスク7のスピンドル8への挿入時に磁気ディス
ク7の内径部からスピンドル8の外径へ圧縮空気送風口5を通して圧縮空気を送
風する圧縮空気送風管3とを有して構成している。
【0008】
図2は本実施例におけるスピンドルへの磁気ディスクの挿入状態を示し、(a
)は磁気ディスク挿入状態を示す断面図、(b)は磁気ディスク挿入時の初期状
態を示す図、(c)は磁気ディスク挿入後の状態を示す図である。
【0009】
次に、本実施例の動作について図1,図2を併用して説明する。
【0010】
磁気ディスク7は吸引穴6からの空気吸引により吸着パッド9に吸着固定され
た状態にてスピンドル8への挿入が行われる。この時図2の(b)に示すように
、スピンドル側面取り11と磁気ディスク側面取り12とが重なりあうまでの、
スピンドルセンター位置と磁気ディスク内径センター位置とのずれ量13までは
フローティング部2によって磁気ディスク7の水平移動14により、図2の(c
)に示すように、磁気ディスク7の位置が修正されるとともに、スピンドル8へ
の挿入が可能となる。
【0011】
さらに、磁気ディスク7の挿入時に、圧縮空気送風口5から圧縮空気を吸着パ
ッド9の内部へ送りこむ。送りこまれた圧縮空気はスピンドル8の外径と磁気デ
ィスク7の内径とのすきまのみから排気されることとなり、この排気に伴ないス
ピンドル8の外径と磁気ディスク7の内径の間隙に圧縮空気の膜が発生する。
【0012】
この圧縮空気による膜により、磁気ディスク7の水平移動14による磁気ディ
スク7の内径とスピンドル8の外径との接触を防止することが出来る。
【0013】
以上説明したように本考案は、磁気ディスクを吸着して保持する保持手段と、
この保持手段で保持された磁気ディスクをスピンドルに挿入すべく位置決めする
位置決め手段と、磁気ディスクをスピンドルへ挿入時に磁気ディスクの内径部か
らスピンドルの外径へ圧縮空気を送風する圧縮空気送風手段とを有することによ
り、スピンドルの外径と磁気ディスクの内径部との間隙に圧縮空気の膜ができる
ので、スピンドルの外径と磁気ディスクの内径部との接触がなく、したがってダ
ストを発生させることなく挿入することが出来るという効果を有する。
【図1】本考案の一実施例を示し、(a)は本実施例の
断面図、(b)は本実施例における磁気ディスクの吸着
パッドの下面図である。
断面図、(b)は本実施例における磁気ディスクの吸着
パッドの下面図である。
【図2】本実施例におけるスピンドルへの磁気ディスク
の挿入状態を示し、(a)は磁気ディスク挿入状態を示
す断面図、(b)は磁気ディスク挿入時の初期状態を示
す図、(c)は磁気ディスク挿入時の状態を示す図であ
る。
の挿入状態を示し、(a)は磁気ディスク挿入状態を示
す断面図、(b)は磁気ディスク挿入時の初期状態を示
す図、(c)は磁気ディスク挿入時の状態を示す図であ
る。
1 シリンダ
2 フローティング部
3 圧縮空気送風管
4 吸引用配管
5 圧縮空気送風口
6 吸引穴
7 磁気ディスク
8 スピンドル
9 吸着パッド
10 圧縮空気の流れ
11 スピンドル側面取り
12 磁気ディスクの側面取り
13 スピンドルセンター位置と磁気ディスク内径セ
ンター位置とのずれ量 14 水平移動
ンター位置とのずれ量 14 水平移動
Claims (1)
- 【請求項1】 磁気ディスクを吸着して保持する保持手
段と、この保持手段で保持された前記磁気ディスクをス
ピンドルに挿入すべく位置決めする位置決め手段と、前
記磁気ディスクを前記スピンドルへ挿入時に前記磁気デ
ィスクの内径部から前記スピンドルの外径へ圧縮空気を
送風する圧縮空気送風手段とを有することを特徴とする
磁気ディスク組立ハンド機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3951391U JPH04132681U (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 磁気デイスク組立ハンド機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3951391U JPH04132681U (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 磁気デイスク組立ハンド機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04132681U true JPH04132681U (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=31920784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3951391U Pending JPH04132681U (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 磁気デイスク組立ハンド機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04132681U (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855368B1 (en) | 2000-06-28 | 2005-02-15 | Applied Materials, Inc. | Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
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| US7049226B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
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| US7208413B2 (en) | 2000-06-27 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
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| US7595263B2 (en) | 2003-06-18 | 2009-09-29 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of barrier materials |
| US9481944B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same |
-
1991
- 1991-05-30 JP JP3951391U patent/JPH04132681U/ja active Pending
Cited By (28)
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