JPH0413706B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0413706B2 JPH0413706B2 JP59089197A JP8919784A JPH0413706B2 JP H0413706 B2 JPH0413706 B2 JP H0413706B2 JP 59089197 A JP59089197 A JP 59089197A JP 8919784 A JP8919784 A JP 8919784A JP H0413706 B2 JPH0413706 B2 JP H0413706B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stripping
- group
- carbon atoms
- weight
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Saccharide Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
本発明は主として集積回路の製造に用いられる
支持体からポジのホトレジストを除去するための
新規なストリツピング組成物に関する。より詳細
には本発明はＮ−アミノアルキルピペラジンおよ
びＮ−ヒドロキシアルキルピペラジンを単独で、
あるいは混合して、あるいは特定の極性溶剤組成
物で希釈して、ポジのホトレジストをストリツピ
ングするために用いることに関する。 集積回路の製造および関連技術においてはホト
レジストのストリツピング液として有機組成物が
一般に用いられている。フエノール類、スルホン
酸類、クロロカーボン類および炭化水素類を含む
一群の物質から得られる混合物を用いて、ポジお
よびネガのレジストが共にストリツピングされ
る。市販されているストリツピング液の幾つかは
この様式で構成される。若干のこれらの製品に関
する欠点の主なものは、取扱う者に有害となり、
また一般的な投棄法および埋立法による廃棄物処
理を不都合にするある種の成分の有毒な皮膚浸透
性の性質である。吸湿性のスルホン酸成分は半導
体の支持体金属を腐食させる水分吸収の原因とな
りやすい。金属アルミニウムとクロロカーボン類
の反応により支持体上に低水準の塩化物が生成
し、これは腐食により装置を破損させる。 写真平板装置の製造にポジのホトレジストのみ
が用いられる場合、ストリツピングは多数の極性
溶剤のいずれかおよび溶剤混合物からなる多数の
有機混合物を用いて行うことができる。これにつ
いてはW.S.デフオレストにより記述されている。
（ホトレジスト：材料および方法、マツクグロー
ヒル社、1975年）。これらのストリツピング組成
物のあるものには、ジメチルホルムアミド、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン、ジエタノールアミン、
トリエタノールアミン、数種のグリコールエーテ
ル〔たとえばセロソルブ（Cellosolv）およびカ
ルビトール（Carbitol）の商品名で市販されてい
るもの〕、およびケトン類（たとえばメチルエチ
ルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン）が含まれる。現在市販されて
いる多数のストリツピング液はこれらの有機溶剤
の幾つかの混合物を用いており、もつぱらポジの
レジストの除去用に意図されている。 ホトレジストストリツピングの困難さは装置の
製造に際して採用される処理条件に依存する。こ
の条件は製造される装置の型により定められるも
のである。大部分のポジのレジストが150℃以下
で焼付けることにより硬化される場合、溶剤を基
礎とする大部分のストリツピング液を用いた除去
は、正常な室温付近の比較的低温で行われる。
150〜200℃の焼付け温度を用いる場合、ホトレジ
ストのストリツピングはより困難であり、ストリ
ツピング処理にいつそう高い温度を採用する必要
があろう。ホトレジストフイルムまたはパターン
が乾燥処理中にプラズマおよびイオン移植条件下
に置かれる場合、きわめてストリツピングし難い
物質が生成する。 入手されるストリツピング液を用いた経験か
ら、“中性”の極性溶剤たとえばアミド（DMF、
Ｎ−メチル−２−ピロリドンなど）、グリコール
エーテル（セロソルブ、カルビトールなど）、ス
ルホン（たとえばスルホラン）、ケトン（たとえ
ばアセトン、メチルエチルケトンなど）からなる
混合物が除去しやすい（焼付けされていないか、
または最高135℃で焼付けられた）ポジのホトレ
ジストをストリツピングするのに実用的であるこ
とが認められた。150℃以上で焼付けられたかま
たはプラズマもしくはイオン移植処理を施された
ポジのホトレジストについては、アミンまたは中
性の極性溶剤で希釈されたアミンよりなるストリ
ツピング液を用いることがしばしば有利である。 主として溶剤ヒユームによる火災の害、ならび
に人が高温の液体および蒸気と接触することを共
に最小限に抑えるという安全性の理由から、ホト
レジストのストリツピングを低温で行うことが望
ましい。低温での操作によれば、より揮発性の成
分が選択的に蒸発することによる組成物の交換の
問題も最小限に抑えられる。 きわめてストリツピングし難い物質に対して有
効なストリツピング液における主な欠点の１つ
は、通常これらが環境に対して有害または有毒な
成分たとえばフエノール性の、または塩素化され
た炭化水素を含有することである。従つて、スト
リツピングし難いポジのホトレジストに対して有
効である、改良された、環境に対して安全な、比
較的無毒性のポジのホトレジスト用ストリツピン
グ組成物が要求されている。 本発明は、置換されたピペラジン類を単独で、
または特定の極性溶剤で希釈して、ポジのホトレ
ジスト組成物用のストリツピング液として使用す
るものである。これらの成分の混合物を使用する
ことにより、レジストのストリツピングに伴う多
くの問題が克服される。成分は比較的無毒性であ
り、使用領域における害が最小限に抑えられる。
熱による焼付けによつて硬化したレジストに用い
るためには、比較的低い温度（室温ないし70℃）
でのストリツピングが実用的である。成分はより
困難なホトレジスト残渣（すなわちプラズマ照射
およびイオン移植処理ホトレジスト）をストリツ
ピングする必要がある場合に高温操作するのに十
分なほど高い温度で沸騰する。この目的で、ピペ
ラジン誘導成分間の相乗作用を得るために組成物
を調整することができる。本発明のストリツピン
グ組成物には、次式 のＮ−アミノアルキルピペラジン、次式 のビス−Ｎ−アミノアルキルピペラジン、次式 のＮ−ヒドロキシアルキルピペラジン、および次
式 のビス−ヒドロキシアルキルピペラジンが含まれ
る。上記の各式においてｎ＝１〜６である。また
炭素原子１〜６個の分枝鎖アルキル基を有する上
記各式のもの、および炭素原子５〜６個のシクロ
アルキル基で置換された化合物〔−（CH2）o−が
シクロアルキル基で置換されている〕などのピペ
ラジン誘導体も含まれる。本発明のポジのホトレ
ジスト用ストリツピング組成物の調製に際して上
記のピペラジン類と混和して使用できる成分に
は、次式のアルキル−またはシクロアルキル−２
−ピロリドンが含まれる。 上記式中Ｒは炭素原子１〜６個のアルキル基、
または５員もしくは６員のシクロアルキル基、お
よびアミノアルキル基であり、炭素原子１〜６個
のヒドロキシアルキル基も含まれる。200℃を越
える沸点をもつ他のアミド型溶剤、たとえばＮ−
ホルミルモルホリンが約70重量％までの量含まれ
ていてもよい。このストリツピング混合物には
200℃を越える沸点をもつグリコールエーテル、
たとえばジエチレングリコールのモノエチル−、
モノブチル−またはモノヘキシルエーテルが含ま
れていてもよい。 本発明のストリツピング組成物中の各成分は、
０〜90重量％のＮ−アミノアルキルピペラジン；
０〜90重量％のＮ−ヒドロキシアルキルピペラジ
ン（ただしこれらのピペラジン類のうち少なくと
も一方が少なくとも10重量％の量存在する）；０
〜90重量％のＮ−メチル−２−ピロリドン；およ
び０〜25重量％のジエチレングリコールモノブチ
ルエーテルからなる。一般的用途に好ましい組成
物は、Ｎ−ヒドロキシアルキルピペラジン２〜15
重量％、Ｎ−アミノアルキルピペラジン10〜30重
量％、ジエチレングリコールモノブチルエーテル
０〜20重量％、およびＮ−メチル−２−ピロリド
ン70〜80重量％からなる。 主として集積回路の製造に用いられる支持体か
らポジのホトレジストを除去するために用いられ
る、本発明の主題をなす新規なストリツピング組
成物は、Ｎ−アミノアルキルピペラジンおよびＮ
−ヒドロキシアルキルピペラジンを単独で、また
は一緒に混合して、または特定の極性溶剤組成物
で希釈して用いる。フエノール性の、または塩素
化された炭化水素系化合物は含まれず、毒性は低
く、かつ廃棄物処理の問題は最小限に抑えられ
る。 置換されたピペラジン類を単独で、または特定
の極性溶剤で希釈して、ポジのホトレジスト用ス
トリツピング液として用いることができる。これ
らの成分の混合物を使用することにより、レジス
トのストリツピングに伴う問題を克服することが
できる。また用いられる成分が比較的無毒性であ
るため、これらは作業領域における害を最小限に
抑える。熱による焼付けによつて硬化したレジス
トに用いるためには、比較的低い温度（室温ない
し70℃）でのストリツピングが実用的である。成
分はより困難なホトレジスト残渣（すなわちプラ
ズマ照射およびイオン移植処理ホトレジスト）を
ストリツピングする必要がある場合に高温操作す
るのに十分なほど高い温度で沸騰し、ピペラジン
誘導成分間の最適ストリツピング作用を得るため
に組成物をかなり調整することができる。 本発明のストリツピング組成物には、次式 のＮ−アミノアルキルピペラジン、次式 のビス−Ｎ−アミノアルキルピペラジン、次式 のＮ−ヒドロキシアルキルピペラジン、および次
式 のビス−ヒドロキシアルキルピペラジンが含まれ
る。上記の各式においてｎ＝１〜６である。また
炭素原子１〜６個の分枝鎖アルキル基を有する上
記各式のもの、および炭素原子５〜６個のシクロ
アルキル基で置換された化合物〔−（CH2）o−が
シクロアルキル基で置換されている〕などのピペ
ラジン誘導体も含まれる。本発明のポジのホトレ
ジスト用ストリツピング組成物の調製に際して上
記のピペラジン類と混和して使用できる成分に
は、次式のアルキル−またはシクロアルキル−２
−ピロリドンが含まれる。 上記式中Ｒは炭素原子１〜６個のアルキル基、
または５員もしくは６員のシクロアルキル基、お
よびアミノアルキル基であり、炭素原子１〜６個
のヒドロアルキル基も含まれる。ストリツピング
組成物には200℃を越える沸点をもつ他のアミド
型溶剤、たとえばＮ−ホルミルモルホリン、なら
びに上記ピペラジン類と相溶性を他の極性有機化
合物、たとえば200℃を越える沸点をもつグリコ
ールエーテル（たとえばジエチレングリコールの
モノエチル−、モノブチル−またはモノヘキシル
エーテル）が約70重量％までの量含まれていても
よい。ピペラジン類を含有するストリツピング剤
中の成分の割合はかなり広い範囲内で変えられ
る。ただしピペラジン類のうち少なくとも一方は
少なくとも10重量％の量存在し、０〜90重量％の
Ｎ−アミノエチルピペラジン（NAEP）；０〜90
重量％のＮ−ヒドロキシエチルピペラジン
（NHEP）が含まれる。他の成分たとえばＮ−メ
チル−２−ピロリドン（NMP）が５〜90重量％
の量、またブチルカルビノール（BC）が０〜25
重量％の量含まれていてもよい。一般的用途に好
ましい組成物はヒドロキシアルキルピペラジン特
にヒドロキシエチルピペラジン、およびアミノア
ルキルピペラジン特にアミノエチルピペラジンの
組合わせを、Ｎ−アミノエチルピペラジン10〜30
重量％、Ｎ−ヒドロキシエチルピペラジン２〜15
重量％、およびＮ−メチル−２−ピロリドン70〜
80重量％の範囲で含有する。 本発明をさらに下記の詳細な実施例により記述
する。しかしこれらの実施例は本発明の特定の好
ましい操作条件につき詳述するが、これらは主と
して説明のために示され、より広い観点における
本発明はこれに限定されるものではないと解すべ
きである。表示された部は、特に指示しない限り
重量部である。 一般的処理 本発明のストリツピング組成物の調製に際して
は、特定の添加順序を採用する必要はない。各種
の成分を希望する割合で秤量し、適切な混合容器
に導入し、撹拌により十分に混和した。成分を効
果的に混和するのに適した他の代替法、たとえば
各成分の流れを同時に導入すること、または成分
を十分に散在させる他の適切な既知の手段をいず
れも採用することができる。一旦混和されると、
ストリツピング組成物は安定であり、認めうるほ
どの成分分離はなく、優れた保存寿命をもつ。 使用したホトレジスト用組成物は市販される有
機光増感剤アルカリ可溶性樹脂調合品のいずれで
あつてもよく、これは(a)適切な増感剤、たとえば
ジアゾケトン化合物、たとえばナフタキノン−
１，２−ジアゾスルホン酸エステル、(b)ノボラツ
ク樹脂、および(c)適切な溶剤、たとえばキシレン
からなる。ホトレジストは一般に、たとえば“集
積回路加工技術”（マツクグローヒル出版社、
1982年）中のD.J.エリオツトによる報文の67頁に
記載されている。 実施例 １〜６ 表には、90℃で予備焼付けされたのち135℃
および200℃でそれぞれ30分間最終硬質焼付けさ
れた市販のレジスト〔シツプレイ（Shipley）
1470〕の厚さ1μのパターンなしフイルムをスト
リツピングした際の実施例１〜６の比較結果を示
す。採用したストリツピング法は被覆されたウエ
フアーを温度調節されたストリツピング液の槽中
に浸漬しておくものであつた。ストリツピングさ
れたウエフアーを大量の脱イオン水ですすいだ。
風乾したのち、防湿フイルムを付着させて、また
は付着させずにストリツピングの完全さを視覚検
査により判定した。本発明による組成物を用いた
これらの例から、下記の特性が認められた。 (a) 高温（200℃）焼付けされたレジストの迅速
ストリツピングを比較的低い操作温度で達成す
ることができた。 (b) 135℃までで焼付けられたレジストの適度な
ストリツピング速度を室温ストリツピングで得
ることができた。
支持体からポジのホトレジストを除去するための
新規なストリツピング組成物に関する。より詳細
には本発明はＮ−アミノアルキルピペラジンおよ
びＮ−ヒドロキシアルキルピペラジンを単独で、
あるいは混合して、あるいは特定の極性溶剤組成
物で希釈して、ポジのホトレジストをストリツピ
ングするために用いることに関する。 集積回路の製造および関連技術においてはホト
レジストのストリツピング液として有機組成物が
一般に用いられている。フエノール類、スルホン
酸類、クロロカーボン類および炭化水素類を含む
一群の物質から得られる混合物を用いて、ポジお
よびネガのレジストが共にストリツピングされ
る。市販されているストリツピング液の幾つかは
この様式で構成される。若干のこれらの製品に関
する欠点の主なものは、取扱う者に有害となり、
また一般的な投棄法および埋立法による廃棄物処
理を不都合にするある種の成分の有毒な皮膚浸透
性の性質である。吸湿性のスルホン酸成分は半導
体の支持体金属を腐食させる水分吸収の原因とな
りやすい。金属アルミニウムとクロロカーボン類
の反応により支持体上に低水準の塩化物が生成
し、これは腐食により装置を破損させる。 写真平板装置の製造にポジのホトレジストのみ
が用いられる場合、ストリツピングは多数の極性
溶剤のいずれかおよび溶剤混合物からなる多数の
有機混合物を用いて行うことができる。これにつ
いてはW.S.デフオレストにより記述されている。
（ホトレジスト：材料および方法、マツクグロー
ヒル社、1975年）。これらのストリツピング組成
物のあるものには、ジメチルホルムアミド、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン、ジエタノールアミン、
トリエタノールアミン、数種のグリコールエーテ
ル〔たとえばセロソルブ（Cellosolv）およびカ
ルビトール（Carbitol）の商品名で市販されてい
るもの〕、およびケトン類（たとえばメチルエチ
ルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン）が含まれる。現在市販されて
いる多数のストリツピング液はこれらの有機溶剤
の幾つかの混合物を用いており、もつぱらポジの
レジストの除去用に意図されている。 ホトレジストストリツピングの困難さは装置の
製造に際して採用される処理条件に依存する。こ
の条件は製造される装置の型により定められるも
のである。大部分のポジのレジストが150℃以下
で焼付けることにより硬化される場合、溶剤を基
礎とする大部分のストリツピング液を用いた除去
は、正常な室温付近の比較的低温で行われる。
150〜200℃の焼付け温度を用いる場合、ホトレジ
ストのストリツピングはより困難であり、ストリ
ツピング処理にいつそう高い温度を採用する必要
があろう。ホトレジストフイルムまたはパターン
が乾燥処理中にプラズマおよびイオン移植条件下
に置かれる場合、きわめてストリツピングし難い
物質が生成する。 入手されるストリツピング液を用いた経験か
ら、“中性”の極性溶剤たとえばアミド（DMF、
Ｎ−メチル−２−ピロリドンなど）、グリコール
エーテル（セロソルブ、カルビトールなど）、ス
ルホン（たとえばスルホラン）、ケトン（たとえ
ばアセトン、メチルエチルケトンなど）からなる
混合物が除去しやすい（焼付けされていないか、
または最高135℃で焼付けられた）ポジのホトレ
ジストをストリツピングするのに実用的であるこ
とが認められた。150℃以上で焼付けられたかま
たはプラズマもしくはイオン移植処理を施された
ポジのホトレジストについては、アミンまたは中
性の極性溶剤で希釈されたアミンよりなるストリ
ツピング液を用いることがしばしば有利である。 主として溶剤ヒユームによる火災の害、ならび
に人が高温の液体および蒸気と接触することを共
に最小限に抑えるという安全性の理由から、ホト
レジストのストリツピングを低温で行うことが望
ましい。低温での操作によれば、より揮発性の成
分が選択的に蒸発することによる組成物の交換の
問題も最小限に抑えられる。 きわめてストリツピングし難い物質に対して有
効なストリツピング液における主な欠点の１つ
は、通常これらが環境に対して有害または有毒な
成分たとえばフエノール性の、または塩素化され
た炭化水素を含有することである。従つて、スト
リツピングし難いポジのホトレジストに対して有
効である、改良された、環境に対して安全な、比
較的無毒性のポジのホトレジスト用ストリツピン
グ組成物が要求されている。 本発明は、置換されたピペラジン類を単独で、
または特定の極性溶剤で希釈して、ポジのホトレ
ジスト組成物用のストリツピング液として使用す
るものである。これらの成分の混合物を使用する
ことにより、レジストのストリツピングに伴う多
くの問題が克服される。成分は比較的無毒性であ
り、使用領域における害が最小限に抑えられる。
熱による焼付けによつて硬化したレジストに用い
るためには、比較的低い温度（室温ないし70℃）
でのストリツピングが実用的である。成分はより
困難なホトレジスト残渣（すなわちプラズマ照射
およびイオン移植処理ホトレジスト）をストリツ
ピングする必要がある場合に高温操作するのに十
分なほど高い温度で沸騰する。この目的で、ピペ
ラジン誘導成分間の相乗作用を得るために組成物
を調整することができる。本発明のストリツピン
グ組成物には、次式 のＮ−アミノアルキルピペラジン、次式 のビス−Ｎ−アミノアルキルピペラジン、次式 のＮ−ヒドロキシアルキルピペラジン、および次
式 のビス−ヒドロキシアルキルピペラジンが含まれ
る。上記の各式においてｎ＝１〜６である。また
炭素原子１〜６個の分枝鎖アルキル基を有する上
記各式のもの、および炭素原子５〜６個のシクロ
アルキル基で置換された化合物〔−（CH2）o−が
シクロアルキル基で置換されている〕などのピペ
ラジン誘導体も含まれる。本発明のポジのホトレ
ジスト用ストリツピング組成物の調製に際して上
記のピペラジン類と混和して使用できる成分に
は、次式のアルキル−またはシクロアルキル−２
−ピロリドンが含まれる。 上記式中Ｒは炭素原子１〜６個のアルキル基、
または５員もしくは６員のシクロアルキル基、お
よびアミノアルキル基であり、炭素原子１〜６個
のヒドロキシアルキル基も含まれる。200℃を越
える沸点をもつ他のアミド型溶剤、たとえばＮ−
ホルミルモルホリンが約70重量％までの量含まれ
ていてもよい。このストリツピング混合物には
200℃を越える沸点をもつグリコールエーテル、
たとえばジエチレングリコールのモノエチル−、
モノブチル−またはモノヘキシルエーテルが含ま
れていてもよい。 本発明のストリツピング組成物中の各成分は、
０〜90重量％のＮ−アミノアルキルピペラジン；
０〜90重量％のＮ−ヒドロキシアルキルピペラジ
ン（ただしこれらのピペラジン類のうち少なくと
も一方が少なくとも10重量％の量存在する）；０
〜90重量％のＮ−メチル−２−ピロリドン；およ
び０〜25重量％のジエチレングリコールモノブチ
ルエーテルからなる。一般的用途に好ましい組成
物は、Ｎ−ヒドロキシアルキルピペラジン２〜15
重量％、Ｎ−アミノアルキルピペラジン10〜30重
量％、ジエチレングリコールモノブチルエーテル
０〜20重量％、およびＮ−メチル−２−ピロリド
ン70〜80重量％からなる。 主として集積回路の製造に用いられる支持体か
らポジのホトレジストを除去するために用いられ
る、本発明の主題をなす新規なストリツピング組
成物は、Ｎ−アミノアルキルピペラジンおよびＮ
−ヒドロキシアルキルピペラジンを単独で、また
は一緒に混合して、または特定の極性溶剤組成物
で希釈して用いる。フエノール性の、または塩素
化された炭化水素系化合物は含まれず、毒性は低
く、かつ廃棄物処理の問題は最小限に抑えられ
る。 置換されたピペラジン類を単独で、または特定
の極性溶剤で希釈して、ポジのホトレジスト用ス
トリツピング液として用いることができる。これ
らの成分の混合物を使用することにより、レジス
トのストリツピングに伴う問題を克服することが
できる。また用いられる成分が比較的無毒性であ
るため、これらは作業領域における害を最小限に
抑える。熱による焼付けによつて硬化したレジス
トに用いるためには、比較的低い温度（室温ない
し70℃）でのストリツピングが実用的である。成
分はより困難なホトレジスト残渣（すなわちプラ
ズマ照射およびイオン移植処理ホトレジスト）を
ストリツピングする必要がある場合に高温操作す
るのに十分なほど高い温度で沸騰し、ピペラジン
誘導成分間の最適ストリツピング作用を得るため
に組成物をかなり調整することができる。 本発明のストリツピング組成物には、次式 のＮ−アミノアルキルピペラジン、次式 のビス−Ｎ−アミノアルキルピペラジン、次式 のＮ−ヒドロキシアルキルピペラジン、および次
式 のビス−ヒドロキシアルキルピペラジンが含まれ
る。上記の各式においてｎ＝１〜６である。また
炭素原子１〜６個の分枝鎖アルキル基を有する上
記各式のもの、および炭素原子５〜６個のシクロ
アルキル基で置換された化合物〔−（CH2）o−が
シクロアルキル基で置換されている〕などのピペ
ラジン誘導体も含まれる。本発明のポジのホトレ
ジスト用ストリツピング組成物の調製に際して上
記のピペラジン類と混和して使用できる成分に
は、次式のアルキル−またはシクロアルキル−２
−ピロリドンが含まれる。 上記式中Ｒは炭素原子１〜６個のアルキル基、
または５員もしくは６員のシクロアルキル基、お
よびアミノアルキル基であり、炭素原子１〜６個
のヒドロアルキル基も含まれる。ストリツピング
組成物には200℃を越える沸点をもつ他のアミド
型溶剤、たとえばＮ−ホルミルモルホリン、なら
びに上記ピペラジン類と相溶性を他の極性有機化
合物、たとえば200℃を越える沸点をもつグリコ
ールエーテル（たとえばジエチレングリコールの
モノエチル−、モノブチル−またはモノヘキシル
エーテル）が約70重量％までの量含まれていても
よい。ピペラジン類を含有するストリツピング剤
中の成分の割合はかなり広い範囲内で変えられ
る。ただしピペラジン類のうち少なくとも一方は
少なくとも10重量％の量存在し、０〜90重量％の
Ｎ−アミノエチルピペラジン（NAEP）；０〜90
重量％のＮ−ヒドロキシエチルピペラジン
（NHEP）が含まれる。他の成分たとえばＮ−メ
チル−２−ピロリドン（NMP）が５〜90重量％
の量、またブチルカルビノール（BC）が０〜25
重量％の量含まれていてもよい。一般的用途に好
ましい組成物はヒドロキシアルキルピペラジン特
にヒドロキシエチルピペラジン、およびアミノア
ルキルピペラジン特にアミノエチルピペラジンの
組合わせを、Ｎ−アミノエチルピペラジン10〜30
重量％、Ｎ−ヒドロキシエチルピペラジン２〜15
重量％、およびＮ−メチル−２−ピロリドン70〜
80重量％の範囲で含有する。 本発明をさらに下記の詳細な実施例により記述
する。しかしこれらの実施例は本発明の特定の好
ましい操作条件につき詳述するが、これらは主と
して説明のために示され、より広い観点における
本発明はこれに限定されるものではないと解すべ
きである。表示された部は、特に指示しない限り
重量部である。 一般的処理 本発明のストリツピング組成物の調製に際して
は、特定の添加順序を採用する必要はない。各種
の成分を希望する割合で秤量し、適切な混合容器
に導入し、撹拌により十分に混和した。成分を効
果的に混和するのに適した他の代替法、たとえば
各成分の流れを同時に導入すること、または成分
を十分に散在させる他の適切な既知の手段をいず
れも採用することができる。一旦混和されると、
ストリツピング組成物は安定であり、認めうるほ
どの成分分離はなく、優れた保存寿命をもつ。 使用したホトレジスト用組成物は市販される有
機光増感剤アルカリ可溶性樹脂調合品のいずれで
あつてもよく、これは(a)適切な増感剤、たとえば
ジアゾケトン化合物、たとえばナフタキノン−
１，２−ジアゾスルホン酸エステル、(b)ノボラツ
ク樹脂、および(c)適切な溶剤、たとえばキシレン
からなる。ホトレジストは一般に、たとえば“集
積回路加工技術”（マツクグローヒル出版社、
1982年）中のD.J.エリオツトによる報文の67頁に
記載されている。 実施例 １〜６ 表には、90℃で予備焼付けされたのち135℃
および200℃でそれぞれ30分間最終硬質焼付けさ
れた市販のレジスト〔シツプレイ（Shipley）
1470〕の厚さ1μのパターンなしフイルムをスト
リツピングした際の実施例１〜６の比較結果を示
す。採用したストリツピング法は被覆されたウエ
フアーを温度調節されたストリツピング液の槽中
に浸漬しておくものであつた。ストリツピングさ
れたウエフアーを大量の脱イオン水ですすいだ。
風乾したのち、防湿フイルムを付着させて、また
は付着させずにストリツピングの完全さを視覚検
査により判定した。本発明による組成物を用いた
これらの例から、下記の特性が認められた。 (a) 高温（200℃）焼付けされたレジストの迅速
ストリツピングを比較的低い操作温度で達成す
ることができた。 (b) 135℃までで焼付けられたレジストの適度な
ストリツピング速度を室温ストリツピングで得
ることができた。
【表】
【表】
実施例 ７〜10
実施例７〜10では実施例１〜６に関して記述し
たものと同じストリツピング法を用いた。ただし
レジストパターンを150℃でストリツピングし、
100倍で視覚検査により評価した。結果を表に
まとめる。これらの例を比較して、下記のことが
証明された。 (a) プラズマおよびイオン移植を施したホトレジ
ストのストリツピングには比較的高いストリツ
ピング温度が必要であつた。 (b) ３成分間に相乗効果が示された。実施例９、
11および12はプラズマ処理のストリツピングに
際して、NMP12％付近に最高ストリツピング
率をもつ一定のNAEP／NHEP比の領域を示
す。実施例７、９および10はイオン移植処理物
のストリツピングに際して一定範囲の
NAEP／NHEP比にわたる最高ストリツピン
グ率を示す。 (c) ホウ素イオン移植されたウエフアーのストリ
ツピングに関する有効性は、プラズマ照射され
たレジストに関して有効な混合物と異なる混合
物を用いて得られた。
たものと同じストリツピング法を用いた。ただし
レジストパターンを150℃でストリツピングし、
100倍で視覚検査により評価した。結果を表に
まとめる。これらの例を比較して、下記のことが
証明された。 (a) プラズマおよびイオン移植を施したホトレジ
ストのストリツピングには比較的高いストリツ
ピング温度が必要であつた。 (b) ３成分間に相乗効果が示された。実施例９、
11および12はプラズマ処理のストリツピングに
際して、NMP12％付近に最高ストリツピング
率をもつ一定のNAEP／NHEP比の領域を示
す。実施例７、９および10はイオン移植処理物
のストリツピングに際して一定範囲の
NAEP／NHEP比にわたる最高ストリツピン
グ率を示す。 (c) ホウ素イオン移植されたウエフアーのストリ
ツピングに関する有効性は、プラズマ照射され
たレジストに関して有効な混合物と異なる混合
物を用いて得られた。
【表】
本発明のポジのホトレジスト用のストリツピン
グ組成物を用いると、比較的低温で操作すること
ができる。これは安全性の理由から、特により低
い温度では溶剤ヒユームによる火災の害が最小限
に抑えられるため有利である。高温の液体および
蒸気が存在した場合、人体に対しより大きな危険
性が与えられるであろう。さらに、より低温では
操作中のストリツピング液の交換が実質的に容易
になる。また、より低温での操作では、ストリツ
ピング液組成物の頻繁な交換を生じさせる可能性
のある蒸発が少なくなる。 条件および材料を本明細書に開示された範囲で
かなり変更しうることは理解されるであろう。従
つて本発明は特許請求の範囲に示されたもの以外
によつて限定されるものではない。
グ組成物を用いると、比較的低温で操作すること
ができる。これは安全性の理由から、特により低
い温度では溶剤ヒユームによる火災の害が最小限
に抑えられるため有利である。高温の液体および
蒸気が存在した場合、人体に対しより大きな危険
性が与えられるであろう。さらに、より低温では
操作中のストリツピング液の交換が実質的に容易
になる。また、より低温での操作では、ストリツ
ピング液組成物の頻繁な交換を生じさせる可能性
のある蒸発が少なくなる。 条件および材料を本明細書に開示された範囲で
かなり変更しうることは理解されるであろう。従
つて本発明は特許請求の範囲に示されたもの以外
によつて限定されるものではない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 有機質のポジのホトレジスト組成物を、この
ホトレジストを有する支持体表面から除去するた
めのストリツピング組成物であつて、 (a) 次式 のピペラジン類、次式 のビス−Ｎ−アミノアルキルピペラジン類、次
式 のＮ−ヒドロキシアルキルピペラジン類、およ
び次式 のビス−ヒドロキシアルキルピペラジン類（上
記の各式中ｎ＝１〜６である）、ならびに上記
の各式において炭素原子１〜６個の分枝鎖アル
キル基を有するピペラジン誘導体、および−
（CH2）o−が炭素原子５〜６個のシクロアルキ
ル基で置換された化合物よりなる群から選ばれ
る少なくとも１種のピペラジン10〜100重量％、
ならびに (b) 次式 （式中Ｒは炭素原子１〜６個のアルキル基、ま
たは５員もしくは６員のシクロアルキル基、な
らびに炭素原子１〜６個のアミノアルキル基お
よびヒドロキシアルキル基である）のアルキル
−もしくはシクロアルキル−２−ピロリドン
類、または(a)と相溶性であり、実質的に混和し
うる極性有機成分約90〜０重量％ を含んでなるストリツピング組成物。 ２ (a)成分がＮ−アミノエチルピペラジンとＮ−
ヒドロキシエチルピペラジンとのブレンドからな
る、特許請求の範囲第１項記載のストリツピング
組成物。 ３ (b)成分が次式 （式中Ｒは炭素原子１〜６個のアルキル基であ
る）のアルキル−もしくはシクロアルキル−２−
ピロリドン；アミノアルキル−２−ピロリドンお
よびヒドロキシアルキル−２−ピロリドン（これ
らにおいてアルキル基は炭素原子１〜６個からな
る）；ジエチレングリコールのモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールのモノブチルエーテ
ル、ジエチレングリコールのモノヘキシルエーテ
ル、ホルミルモルホリン、およびそれらの混合物
よりなる群から選ばれる、特許請求の範囲第１項
記載のストリツピング組成物。 ４ (b)成分がＮ−メチル−２−ピロリドンからな
る、特許請求の範囲第２項記載のストリツピング
組成物。 ５ (a)成分がそれぞれ１：１〜約10：１の比率の
Ｎ−アミノエチルピペラジンとＮ−ヒドロキシエ
チルピペラジンとのブレンド約30重量％の量から
なり、(b)成分がＮ−メチル−２−ピロリドン約70
重量％の量からなる、特許請求の範囲第２項記載
のストリツピング組成物。 ６ ポジのホトレジストを、このホトレジストの
層が施された支持体表面からストリツピングする
方法であつて、このホトレジスト層を約15〜約
160℃の温度において、上記ホトレジストが実質
的に除去されるまでストリツピング組成物と接触
させることからなる方法：ただし、前記ストリツ
ピング組成物は、 (a) 次式 のピペラジン類、次式 のビス−Ｎ−アミノアルキルピペラジン類、次
式 のＮ−ヒドロキシアルキルピペラジン類、およ
び次式 のビス−ヒドロキシアルキルピペラジン類（上
記の各式中ｎ＝１〜６である）、ならびに上記
の各式において炭素原子１〜６個の分枝鎖アル
キル基を有するピペラジン誘導体、および−
（CH2）o−が炭素原子５〜６個のシクロアルキ
ル基で置換された化合物よりなる群から選ばれ
る少なくとも１種のピペラジン10〜100重量％、
ならびに (b) 次式 （式中Ｒは炭素原子１〜６個のアルキル基、ま
たは５員もしくは６員のシクロアルキル基、な
らびに炭素原子１〜６個のアミノアルキル基お
よびヒドロキシアルキル基である）のアルキル
−もしくはシクロアルキル−２−ピロリドン
類、または(a)と相溶性であり、実質的に混和し
うる極性有機成分約90〜０重量％を含んでな
る。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US56333683A | 1983-12-20 | 1983-12-20 | |
| US563336 | 1983-12-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131535A JPS60131535A (ja) | 1985-07-13 |
| JPH0413706B2 true JPH0413706B2 (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=24250099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59089197A Granted JPS60131535A (ja) | 1983-12-20 | 1984-05-02 | ポジのホトレジスト用のストリツピング組成物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0145973B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60131535A (ja) |
| KR (1) | KR860001841B1 (ja) |
| AT (1) | ATE56546T1 (ja) |
| CA (1) | CA1240907A (ja) |
| DE (1) | DE3483201D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6250831A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | レジスト用剥離液組成物 |
| DE3537441A1 (de) * | 1985-10-22 | 1987-04-23 | Hoechst Ag | Loesemittel zum entfernen von photoresists |
| IE59971B1 (en) * | 1986-11-10 | 1994-05-04 | Baker J T Inc | Stripping compositions and their use for stripping resists from substrates |
| US4824763A (en) * | 1987-07-30 | 1989-04-25 | Ekc Technology, Inc. | Triamine positive photoresist stripping composition and prebaking process |
| JP2759462B2 (ja) * | 1988-11-11 | 1998-05-28 | ナガセ電子化学株式会社 | 水性剥離剤組成物 |
| US6127101A (en) * | 1999-10-12 | 2000-10-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Alkylated aminoalkylpiperazine surfactants and their use in photoresist developers |
| JP2002244310A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤 |
| JP2007536566A (ja) * | 2004-05-07 | 2007-12-13 | ドウジン セミケム カンパニー リミテッド | （フォト）レジスト除去用組成物 |
| KR101082018B1 (ko) * | 2004-05-07 | 2011-11-10 | 주식회사 동진쎄미켐 | 레지스트 제거용 조성물 |
| KR101136026B1 (ko) | 2004-09-24 | 2012-04-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트용 박리제 및 상기 박리제를 이용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
| JP5279921B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2013-09-04 | エルジー・ケム・リミテッド | フォトレジストストリッパー組成物及びこれを利用したフォトレジストの剥離方法 |
| TWI405053B (zh) * | 2009-11-27 | 2013-08-11 | Lg Chemical Ltd | 光阻剝離組成物及剝離光阻之方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4090879A (en) * | 1976-11-15 | 1978-05-23 | Gaf Corporation | Developing solutions for 2-component diazo-type materials |
| US4428871A (en) * | 1981-09-23 | 1984-01-31 | J. T. Baker Chemical Company | Stripping compositions and methods of stripping resists |
| US4395479A (en) * | 1981-09-23 | 1983-07-26 | J. T. Baker Chemical Company | Stripping compositions and methods of stripping resists |
-
1984
- 1984-05-02 JP JP59089197A patent/JPS60131535A/ja active Granted
- 1984-11-16 DE DE8484113854T patent/DE3483201D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-11-16 AT AT84113854T patent/ATE56546T1/de not_active IP Right Cessation
- 1984-11-16 EP EP84113854A patent/EP0145973B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-12-10 CA CA000469694A patent/CA1240907A/en not_active Expired
- 1984-12-20 KR KR1019840008148A patent/KR860001841B1/ko not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60131535A (ja) | 1985-07-13 |
| EP0145973A3 (en) | 1986-09-17 |
| ATE56546T1 (de) | 1990-09-15 |
| EP0145973A2 (en) | 1985-06-26 |
| EP0145973B1 (en) | 1990-09-12 |
| DE3483201D1 (de) | 1990-10-18 |
| KR860001841B1 (ko) | 1986-10-24 |
| CA1240907A (en) | 1988-08-23 |
| KR850004806A (ko) | 1985-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4791043A (en) | Positive photoresist stripping composition | |
| US5279771A (en) | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine | |
| JP2930956B2 (ja) | トリアミンポジティブフォトレジストストリッピング組成物及びプレベーキング法 | |
| CA1194764A (en) | Stripping compositions and methods of stripping resists | |
| JPS6295531A (ja) | フオトレジスト除去剤 | |
| JPH0721638B2 (ja) | 基板の処理方法 | |
| JPH0769618B2 (ja) | フオトレジスト用剥離剤 | |
| KR100335011B1 (ko) | 레지스트 제거용 조성물 | |
| TW201107466A (en) | Water-rich stripping and cleaning formulation and method for using same | |
| EP0145973B1 (en) | Positive photoresist stripping composition | |
| JPH0612455B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
| JP2001249465A (ja) | 残さ洗浄液 | |
| KR950000238B1 (ko) | 기판의 내식막의 제막조성물 및 제거법 | |
| EP0301044A4 (en) | ETCHING COMPOSITION FOR PHOTORESERVE. | |
| JPH03227400A (ja) | ロジン系ハンダフラックスの洗浄剤及び洗浄方法 | |
| JP4698123B2 (ja) | レジスト除去剤組成物 | |
| JPH0769619B2 (ja) | フオトレジスト剥離剤 | |
| JPS63231343A (ja) | レジストパタ−ンの剥離液 | |
| JPH07120937A (ja) | ポジ型レジスト用剥離液 | |
| JPS6026945A (ja) | ストリツピング組成物及びレジストをストリツピングする方法 | |
| EP0258417A1 (en) | Photoresist stripper composition and process of use | |
| JP2007027382A (ja) | 基板洗浄液 | |
| JP2000347423A (ja) | 集積回路の製作に使用されるホトレジスト剥離用組成物 | |
| JP2008027984A (ja) | 基板洗浄液 | |
| KR20030011480A (ko) | 포토레지스트용 박리액 조성물 |