JPH04137080A - Ｉｃメモリカード - Google Patents
ＩｃメモリカードInfo
- Publication number
- JPH04137080A JPH04137080A JP2257378A JP25737890A JPH04137080A JP H04137080 A JPH04137080 A JP H04137080A JP 2257378 A JP2257378 A JP 2257378A JP 25737890 A JP25737890 A JP 25737890A JP H04137080 A JPH04137080 A JP H04137080A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- power supply
- turned
- voltage
- memory card
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Power Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮■公１
本発明は、ＥＥＰＲＯＭを内蔵したＩＣメモリカードに
係り、特に、外部装置の故障等により、論理電源が停止
し、プログラム電源のみがカードに供給される状態が発
生しても、カード内部のＥＥＰＲＯＭが破壊されるのを
防ぐことのできるようにしたＩＣメモリカードに関する
。
係り、特に、外部装置の故障等により、論理電源が停止
し、プログラム電源のみがカードに供給される状態が発
生しても、カード内部のＥＥＰＲＯＭが破壊されるのを
防ぐことのできるようにしたＩＣメモリカードに関する
。
背景技術
ＩＣメモリカードには、日本電子工業振興協会が標準仕
様としてまとめたｒＩＣメモリカードガイドラインＶｅ
ｒ、４ Ｊに適合するものが知られている。
様としてまとめたｒＩＣメモリカードガイドラインＶｅ
ｒ、４ Ｊに適合するものが知られている。
このＩＣメモリカードに搭載する半導体メモリには、Ｓ
ＲＡＭ、 ＭＡＳＫ ＲＯＭ、 ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲ
ＯＭ等があげられる。特に、ＥＥＰＲＯＭとしては、東
芝製のＴＣ５８Ｆ１００ＤＰや、日立製のＨＮ２９Ｃ１
０１等が適用できる。
ＲＡＭ、 ＭＡＳＫ ＲＯＭ、 ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲ
ＯＭ等があげられる。特に、ＥＥＰＲＯＭとしては、東
芝製のＴＣ５８Ｆ１００ＤＰや、日立製のＨＮ２９Ｃ１
０１等が適用できる。
これらのＥＥＦＲＯＭには、通常２種類の電源が必要で
ある。すなわち論理電源としての５ｖ電源（Ｖｃｃ）と
、プログラム電源としての１２Ｖ電源（Ｖｐｐ）とであ
る。プログラム電源は、メモリにデータを書き込んだり
、書き込んだデータを消去するのに使用される。
ある。すなわち論理電源としての５ｖ電源（Ｖｃｃ）と
、プログラム電源としての１２Ｖ電源（Ｖｐｐ）とであ
る。プログラム電源は、メモリにデータを書き込んだり
、書き込んだデータを消去するのに使用される。
ところで、ＥＥＰＲＯＭでは、論理電圧Ｖｃｃとプログ
ラム電圧ＶＰＰの投入、遮断順序が指定されており、投
入時には、論理電圧Ｖｃｃを投入した後プログラム電圧
ＶＰＰを投入し、遮断時には、プログラム電圧νｐｐを
遮断した後、論理電圧Ｖｃｃを遮断するように指定され
ている。そのため、ＩＣメモリカードに電源を供給する
主機器側では、ＥＥＰＲＯＭの指定を満たすために、電
源の投入・遮断順序をあらかしめ設定し、規定の順序に
従ってオン・オフを行うようになっている。しかしなが
ら、主機器側に故障が発生し、論理電圧１／ｃｃがＩＣ
メモリカードに供給されず、プログラム電圧ＶＰＰのみ
が供給された場合、上記順序が守られないこととなり、
ＥＥＰＲＯＭが破壊されるおそれかあった。
ラム電圧ＶＰＰの投入、遮断順序が指定されており、投
入時には、論理電圧Ｖｃｃを投入した後プログラム電圧
ＶＰＰを投入し、遮断時には、プログラム電圧νｐｐを
遮断した後、論理電圧Ｖｃｃを遮断するように指定され
ている。そのため、ＩＣメモリカードに電源を供給する
主機器側では、ＥＥＰＲＯＭの指定を満たすために、電
源の投入・遮断順序をあらかしめ設定し、規定の順序に
従ってオン・オフを行うようになっている。しかしなが
ら、主機器側に故障が発生し、論理電圧１／ｃｃがＩＣ
メモリカードに供給されず、プログラム電圧ＶＰＰのみ
が供給された場合、上記順序が守られないこととなり、
ＥＥＰＲＯＭが破壊されるおそれかあった。
本発明は、このような従来技術の欠点を解消し、外部装
置の故障等により、電源の投入・遮断順序が守られず、
プログラム電源のみがカードに供給される状態が発生し
ても、カード内部のＥＥＦＲＯＭが破壊されるのを防ぐ
ことのできるようにしたＩＣメモリカードを提供するこ
とを目的とする。
置の故障等により、電源の投入・遮断順序が守られず、
プログラム電源のみがカードに供給される状態が発生し
ても、カード内部のＥＥＦＲＯＭが破壊されるのを防ぐ
ことのできるようにしたＩＣメモリカードを提供するこ
とを目的とする。
兄！じｌ１示
本発明は、論理電源とプログラム電源との２種類の電源
とによって駆動されるＥＥＦＲＯＭを内蔵し、かつ、電
源投入時には論理電源を投入した後でプログラム電源を
投入し、電源遮断時にはプログラム電源を遮断した後で
論理電源を遮断するように定められたＩＣメモリカード
において、論理電源の電圧を検出する検出手段と、この
検出手段の出力に基づき、プログラム電源のオン・オフ
制御を行うスイッチング手段とを具備するものである。
とによって駆動されるＥＥＦＲＯＭを内蔵し、かつ、電
源投入時には論理電源を投入した後でプログラム電源を
投入し、電源遮断時にはプログラム電源を遮断した後で
論理電源を遮断するように定められたＩＣメモリカード
において、論理電源の電圧を検出する検出手段と、この
検出手段の出力に基づき、プログラム電源のオン・オフ
制御を行うスイッチング手段とを具備するものである。
実施例の説明
次に、添付図面を参照して、本発明によるＩＣメそリカ
ードの実施例を詳細に説明する。
ードの実施例を詳細に説明する。
第１図は、この発明の一実施例の構成を示すブロック図
である。図において、本実施例によるＩＣメモリカード
１は、従来型のＩＣメモリカードｌＯと、電源制御回路
２０とを含んだ構成になっている。
である。図において、本実施例によるＩＣメモリカード
１は、従来型のＩＣメモリカードｌＯと、電源制御回路
２０とを含んだ構成になっている。
ＩＣメモリカードＩＯは、従来から知られているもので
あり、制御回路１２とＥＥＰＲＯＭ１３とを内蔵してい
る。制御回路１２は、アドレス線ＡＤ、データ線ＤＴ。
あり、制御回路１２とＥＥＰＲＯＭ１３とを内蔵してい
る。制御回路１２は、アドレス線ＡＤ、データ線ＤＴ。
およびコントロール線ＣＴを通して、外部装置（主機器
）に接続され、外部装置から指定されたアドレスによっ
て、ＥＥＦＲＯＭ１３のアドレスを指定し、このアドレ
スにデータを書き込んだり、読み出したりする。書き込
み、読み出しの選択は、コントロール線ＣＴを通して行
われる。
）に接続され、外部装置から指定されたアドレスによっ
て、ＥＥＦＲＯＭ１３のアドレスを指定し、このアドレ
スにデータを書き込んだり、読み出したりする。書き込
み、読み出しの選択は、コントロール線ＣＴを通して行
われる。
ＩＣメモリカード１０には、論理電圧Ｖｃｃが供給され
ると共に、プログラム電源Ｖｌ）ｐが電源制御回路２０
を介して供給されている。この電源制御回路２０が本発
明特有のものであり、論理電圧Ｖｃｃに基づいて、プロ
グラム電圧ｖｐｐを出力したり、遮断したすする。すな
わち、論理電圧Ｖｃｃが５Ｖの場合、電源制御回路２０
はオンとなり、外部から加えられたプログラム電圧Ｖｐ
ｐ （１２Ｖｉ をＥＥＰＲＯＭ１３に供給する一方、
論理電圧ＶｃｃがＯＶの場合、電源制御回路２０はオフ
となって、外部から加えられたプログラム電圧Ｖｌ）Ｉ
）を遮断する。こうして、外部からプログラム電圧ｖｐ
ｐが加えられていても、論理電圧Ｖｃｃが遮断されてい
るときには、プログラム電圧Ｖｌ）ｌ）、も遮断される
。これによって、ＥＥＦＲＯＭ１３が破壊されるのを防
ぐようになっている。厳密に言えば、論理電圧Ｖｃｃが
遮断されるより先にプログラム電圧ｖｐｐが遮断されね
ばならないが、論理電圧Ｖｃｃとプログラム電圧ＶＩ）
＋１がほとんど同時に遮断されることによって、ＥＥＦ
ＲＯＭ１３の破壊を防ぐことができる。
ると共に、プログラム電源Ｖｌ）ｐが電源制御回路２０
を介して供給されている。この電源制御回路２０が本発
明特有のものであり、論理電圧Ｖｃｃに基づいて、プロ
グラム電圧ｖｐｐを出力したり、遮断したすする。すな
わち、論理電圧Ｖｃｃが５Ｖの場合、電源制御回路２０
はオンとなり、外部から加えられたプログラム電圧Ｖｐ
ｐ （１２Ｖｉ をＥＥＰＲＯＭ１３に供給する一方、
論理電圧ＶｃｃがＯＶの場合、電源制御回路２０はオフ
となって、外部から加えられたプログラム電圧Ｖｌ）Ｉ
）を遮断する。こうして、外部からプログラム電圧ｖｐ
ｐが加えられていても、論理電圧Ｖｃｃが遮断されてい
るときには、プログラム電圧Ｖｌ）ｌ）、も遮断される
。これによって、ＥＥＦＲＯＭ１３が破壊されるのを防
ぐようになっている。厳密に言えば、論理電圧Ｖｃｃが
遮断されるより先にプログラム電圧ｖｐｐが遮断されね
ばならないが、論理電圧Ｖｃｃとプログラム電圧ＶＩ）
＋１がほとんど同時に遮断されることによって、ＥＥＦ
ＲＯＭ１３の破壊を防ぐことができる。
第２図は、電源制御回路２０の構成例を示す回路図であ
る。
る。
トランジスタＴｒｉは論理電圧Ｖｃｃを検出する検出手
段として、また、トランジスタＴｒ２はプログラム電圧
Ｖｌ）ｌ）をオン・オフするスイッチング手段として機
能するものである。トランジスタＴｒｌのベースには、
分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２が接続され、論理電圧Ｖｃｃが５■
のときにトランジスタＴｒｉがオン、Ｏｖのときにオフ
となる。このオン・オフは、抵抗Ｒ４を通して、トラン
ジスタＴｒｉのコレクタからトランジスタＴｒ２のベー
スに伝えられる。
段として、また、トランジスタＴｒ２はプログラム電圧
Ｖｌ）ｌ）をオン・オフするスイッチング手段として機
能するものである。トランジスタＴｒｌのベースには、
分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２が接続され、論理電圧Ｖｃｃが５■
のときにトランジスタＴｒｉがオン、Ｏｖのときにオフ
となる。このオン・オフは、抵抗Ｒ４を通して、トラン
ジスタＴｒｉのコレクタからトランジスタＴｒ２のベー
スに伝えられる。
トランジスタＴｒ２のベース、エミッタ間には、抵抗Ｒ
３が接続されている。よって、トランジスタＴｒｉがオ
ンのときには、トランジスタＴｒ２のベス、エミッタ間
に順方向の電圧がかかり、トランジスタＴｒ２もオンと
なる。これに対して、トランジスタＴｒｉがオフのとき
には、トランジスタＴｒ２のベース、エミッタ間電圧が
ＯＶとなって、トランジスタＴｒ２がオフとなる。すな
わち、論理電圧Ｖｃｃが５Ｖのときには、トランジスタ
Ｔｒ２がオンとなり、プログラム電圧Ｖｌ）＋１もオン
となる。また、論理電圧ＶｃｃがＯｖのときには、トラ
ンジスタＴｒ２がオフとなり、プログラム電圧Ｖｌ）Ｉ
）もオフとなる。こうして、上述した電源制御回路２０
の機能が実現される。
３が接続されている。よって、トランジスタＴｒｉがオ
ンのときには、トランジスタＴｒ２のベス、エミッタ間
に順方向の電圧がかかり、トランジスタＴｒ２もオンと
なる。これに対して、トランジスタＴｒｉがオフのとき
には、トランジスタＴｒ２のベース、エミッタ間電圧が
ＯＶとなって、トランジスタＴｒ２がオフとなる。すな
わち、論理電圧Ｖｃｃが５Ｖのときには、トランジスタ
Ｔｒ２がオンとなり、プログラム電圧Ｖｌ）＋１もオン
となる。また、論理電圧ＶｃｃがＯｖのときには、トラ
ンジスタＴｒ２がオフとなり、プログラム電圧Ｖｌ）Ｉ
）もオフとなる。こうして、上述した電源制御回路２０
の機能が実現される。
効 果
以上説明したように、本発明は、プログラム電圧のみが
ＥＥＰＲＯＭに供給されるといった不都合を解消したの
で、ＥＥＰＲＯＭの破壊を防ぐことができる。
ＥＥＰＲＯＭに供給されるといった不都合を解消したの
で、ＥＥＰＲＯＭの破壊を防ぐことができる。
第１図は、この発明の一実施例の全体構成を示すブロッ
ク図、 第２図は、電源制御回路２０の具体例を示す回路図であ
る。 主要部 の７ｅ′の説明 ■１２３本発明によるＩＣメモリカード１０１．従来型
ＩＣメモリカード １２、 、 、制御回路 １３、、、 ＥＥＰＲＯＭ ２０、電源制御回路 Ｔｒｉ、、トランジスタ（検出手段） Ｔｒ２．、、トランジスタ（スイッチング手段）Ｖｃｃ
、 、 、論理電圧 Ｖｌ）ｐ・・ プログラム電圧
ク図、 第２図は、電源制御回路２０の具体例を示す回路図であ
る。 主要部 の７ｅ′の説明 ■１２３本発明によるＩＣメモリカード１０１．従来型
ＩＣメモリカード １２、 、 、制御回路 １３、、、 ＥＥＰＲＯＭ ２０、電源制御回路 Ｔｒｉ、、トランジスタ（検出手段） Ｔｒ２．、、トランジスタ（スイッチング手段）Ｖｃｃ
、 、 、論理電圧 Ｖｌ）ｐ・・ プログラム電圧
Claims (2)
- （１）第１の電源と第２の電源の２種類の電源とによっ
て駆動され、かつ、電源投入・遮断時における両電源の
投入・遮断順序が指定されているＩＣメモリカードにお
いて、 前記両電源の一方の電圧を検出する検出手段と、 該検出手段の出力に基づき、前記両電源の他方の電源の
オン・オフ制御を行うスイッチング手段とを具備するこ
とを特徴とするＩＣメモリカード。 - （２）論理電源とプログラム電源との２種類の電源とに
よって駆動されるＥＥＰＲＯＭを内蔵し、かつ、電源投
入時には論理電源を投入した後でプログラム電源を投入
し、電源遮断時にはプログラム電源を遮断した後で論理
電源を遮断するように定められたＩＣメモリカードにお
いて、 前記論理電源の電圧を検出する検出手段と、該検出手段
の出力に基づき、前記プログラム電源のオン・オフ制御
を行うスイッチング手段とを具備することを特徴とする
ＩＣメモリカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257378A JPH04137080A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Ｉｃメモリカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257378A JPH04137080A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Ｉｃメモリカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04137080A true JPH04137080A (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=17305559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2257378A Pending JPH04137080A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Ｉｃメモリカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04137080A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009151573A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体集積回路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62220398A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-28 | 日立超エル・エス・アイエンジニアリング株式会社 | Ｉｃカ−ド |
| JPH03500944A (ja) * | 1988-12-20 | 1991-02-28 | ブル・セー・ペー・８ | 電気的消去及び再プログラムが可能な不揮発性メモリを含むデータ処理システム |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP2257378A patent/JPH04137080A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62220398A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-28 | 日立超エル・エス・アイエンジニアリング株式会社 | Ｉｃカ−ド |
| JPH03500944A (ja) * | 1988-12-20 | 1991-02-28 | ブル・セー・ペー・８ | 電気的消去及び再プログラムが可能な不揮発性メモリを含むデータ処理システム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009151573A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体集積回路 |
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