JPH04145708A - マイクロ波発振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、無線通信機器などの局部発振回路に利用され
るマイクロ波発振器に関し、特に、マイクロストリップ
線路を含むマイクロ波発振器の小型化に関するものであ
る。

［従来の技術］ 第６図は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と誘電体共
振器を用いた従来のマイクロ波発振器の構成を示す回路
図である。ＦＥＴ８１のドレイン端子８２は、発振周波
数の約１／４波長の長さを有する終端開放されたマイク
ロストリップ線路８５によって高周波的に接地されてい
る。ＦＥＴ８１のゲート端子８３は、マイクロストリッ
プ線路８６の一端に接続され、その線路８６の他端は抵
抗素子８９を介して接地されている。誘電体共振器８８
は、ゲート端子８３から適当な距離だけ離れた位置でマ
イクロストリップ線路８６と空間的に結合し、発振周波
数を決定する。ＦＥＴ８１のソース端子８４は、マイク
ロストリップ線路からなる出力整合回路９２を介してマ
イクロストリップ線路８７に接続されている。マイクロ
ストリップ線路８７は、出力端子１０１に接続される負
荷の変動の影響を軽減するために、抵抗素子９８゜９９
および１００を含むアッテネータにコンデンサ素子９７
を介して接続されている。

ＦＥＴ８１のバイアス回路においては、ドレイン端子８
２に高周波素子用のインダクタ素子９０を介して端子９
１から電源電圧Ｖ。が印加され、ソース端子８４は約１
／４波長の長さを有する高インピーダンスのマイクロス
トリップ線路９３と終端開放マイクロストリップ線路９
４からなる高周波素子回路９５を通じて抵抗素子９６に
よって接地されている。

［発明が解決しようとする課題］ ところが、ＦＥＴ８１の出力となるソース端子８４をバ
イアス抵抗９６によって接地するためには、高周波の漏
れを防止するために、出力整合回路９２とバイアス抵抗
９６とを高周波素子回路９５を介して接続する必要があ
る。この高周波素子回路９５は、約１／４波長の長さを
有する２つの線路９３および９４によって構成されるの
で、その形状が大きくなってマイクロ波発振器の小型化
を阻害する原因となっている。

先行技術におけるこのような課題に鑑み、本発明は、小
型化されたマイクロ波発振器を提供することを目的とし
ている。

［課題を解決するための手段］ 本発明によるマイクロ波発振器は、発振用トランジスタ
、誘電体共振器、およびマイクロストリップ線路を含む
マイクロ波発振回路と、複数の抵抗素子を含むアッテネ
ータとを備えており、マイクロストリップ線路によって
発振用トランジスタに接続されたアッテネータの抵抗素
子の少なくとも１つを発振用トランジスタのバイアス回
路の一部として共用していることを特徴としている。

［作用］ 本発明によるマイクロ波発振器においては、アッテネー
タを構成する複数の抵抗素子のうち少なくとも１つの抵
抗素子をＦＥＴのソース端子のバイアス抵抗として共用
しているので、ソース端子とバイアス抵抗とを接続する
高周波素子回路が不要となってマイクロ波発振器の小型
化を実現することができる。

［実施例］ 第１図ないし第５図は、本発明の種々の実施例によるマ
イクロ波発振器を示す回路図である。これらの図に聴い
て、第６図と同一の参照番号は、第６図のマイクロ波発
振器と同一の構成要素または相当部分を示している。

まず第１図を参照して、本発明の第１の実施例によるマ
イクロ波発振器が示されている。この第１実施例におい
ては、ＦＥＴ８１のソース端子８４に出力整合回路９２
およびマイクロストリップ線路８７を介して接続された
抵抗素子ｌ、２．および３とコンデンサ素子４とによっ
て構成されたπ型アッテネータのうち、抵抗素子１がソ
ース端子８４のバイアス抵抗として共用されている。し
たがって、第６図の従来例におけるバイアス抵抗素子９
６を出力整合回路９２に接続するために必要であった高
周波素子回路９５が不要となり、マイクロ波発振器の小
型化が可能となる。このとき、コンデンサ素子４の容量
として、発振周波数に関して、抵抗素子１．２および３
に比べて十分に低いインピーダンスとなる値を選択する
ことによって、バイアス条件は抵抗素子１のみで決まる
。そして・高周波信号に対しては、抵抗素子１．２およ
び３がπ型アッテネータとして働く。

第２図は、本発明の第２の実施例によるマイクロ波発振
器を示している。この第２実施例においては、第１実施
例のπ型アッテネータの抵抗素子１が、２つの直列に接
続された抵抗素子１０および１１とその抵抗素子１１に
並列に接続されたバイパスコンデンサ１４とによって構
成される回路に変更されている。すなわち、第２実施例
では、２つの抵抗素子１０および１１の直列回路がバイ
アス回路として利用されている。この場合、高周波信号
に対しては抵抗素子１１がバイパスされ、抵抗素子１０
．Ｌ２および１３がπ型アッテネータとして働くので、
バイアス回路の設計がより容易になる。

第３図は、本発明の第３の実施例によるマイクロ波発振
器を示している。この第３実施例においては、コンデン
サ素子２３を第１実施例のコンデンサ素子４と同様に低
インピーダンスのものに選択することによって、２つの
抵抗素子２０と２１の直列回路がバイアス回路として働
き、高周波信号に対しては抵抗素子２０．２１および２
２がＴ型アッテネータを構成する。

第４図は、本発明の第４の実施例によるマイクロ波発振
器を示している。この第４実施例においては、第３実施
例の抵抗素子２１が、２つの直列に接続された抵抗素子
３１および３２とその抵抗素子３２に並列に接続された
バイパスコンデンサ３４とによって構成される回路に変
更されている。

すなわち、第４実施例では、３つの抵抗素子３０゜３１
および３２の直列回路がバイアス回路として利用されて
いる。この場合、高周波信号に対しては、抵抗素子３０
．３１および３３がＴ型アッテネータとして働く。

第５図は、本発明の第５の実施例によるマイクロ波発振
器を示している。この第５実施例においては、ＦＥＴ８
１のドレイン端子８２に一端が接続されたマイクロスト
リップ線路４０とゲート端子８３に一端が接続されたマ
イクロストリップ線路４１との両方に誘電体共振器４２
が結合するように配置された帰還型マイクロ波発振器が
示されている。この第５実施例においても、第１実施例
の場合と同様に抵抗素子４３をバイアス抵抗として共用
することによって、第６図におけるような高周波素子回
路９５が不要となる。また、高周波信号に対しては抵抗
素子４３．４４および４５がπ型アッテネータとして働
く。

なお、第２図ないし第４図に示したアッテネータと同様
のものも、第５図に示された帰還型マイクロ波発振回路
のアッテネータとして利用し得ることが明らかであろう
。

［発明の効果］ 以上のように、本発明によれば、マイクロ波発振器は、
マイクロストリップ線路によって発振用トランジスタに
接続されたアッテネータ中の抵抗素子の少なくとも１つ
を発振用トランジスタのバイアス回路の一部として共用
しているので、バイアス回路のために付加的な高周波阻
止回路が不要となる。したがって、従来のアッテネータ
の構成をわずかに変更することによって、小型化された
マイクロ波発振器を簡単かつ安価に提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第５図は、本発明の種々の実施例によるマ
イクロ波発振器を示す回路図である。 第６図は、従来のマイクロ波発振器を示す回路図である
。 図において、８１はＦＥＴ、８５．８６．８７゜９３お
よび９４はマイクロストリップ線路、４２および８８は
誘電体共振器、そして９２は出力整合回路を示す。 なお、各図において、同一符号は同一内容または相当部
分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　発振用トランジスタ，誘電体共振器，およびマイクロ
   ストリップ線路を含むマイクロ波発振回路と、複数の抵
   抗素子を含むアッテネータとを備えたマイクロ波発振器
   であって、前記マイクロストリップ線路によって前記発
   振用トランジスタに接続された前記アッテネータの抵抗
   素子の少なくとも１つを前記発振用トランジスタのバイ
   アス回路の一部として共用していることを特徴とするマ
   イクロ波発振器。