JPH0414705B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0414705B2 JPH0414705B2 JP59021869A JP2186984A JPH0414705B2 JP H0414705 B2 JPH0414705 B2 JP H0414705B2 JP 59021869 A JP59021869 A JP 59021869A JP 2186984 A JP2186984 A JP 2186984A JP H0414705 B2 JPH0414705 B2 JP H0414705B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- copolymer
- represented
- hydroxyphenyl
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
本発明は光学機器用素材に関し、特にデジタル
オーデイオデイスクや光メモリーデイスクに適し
た素材に関する。 一般に、上述したような光学機器用素材には様
様な性能が要求されており、例えば透明性、耐熱
性、耐湿性、機械的強度にすぐれていると共に、
光学的な性質にすぐれていることが必要である。
このような性能を有する素材としては、従来から
メタクリル樹脂などが知られているが、このもの
は耐熱性や耐湿性、耐衝撃性の点で未だ充分なも
のとは言い難いという欠点がある。また、ビスフ
エノールＡ（２，２−ビス（4′−ヒドロキシフエ
ニル）プロパン）をホスゲンや炭酸ジフエニル等
と反応させて得られるポリカーボネート樹脂は、
耐熱性、耐湿性、耐衝撃性などにおいてすぐれて
いるものの、成形加工時の流動性を示す流れ値が
小さいため成形加工後の残留応力が大きく、これ
に基因して成形品の複屈折が大きくなり、デイス
クに記録された情報の読み取り感度が低下すると
いう難点がある。 本発明の目的は、耐熱性や機械的強度を充分に
維持するとともに、ポリカーボネート樹脂の欠点
である成形加工性を改善することによつて光学的
性質の向上した素材を提供することにある。 すなわち本発明は 式 で表わされる繰返し単位〔〕および 一般式 で表わされる繰返し単位〔〕（式中、Ｒは−
（CH2）o−または−Ｏ−（CH2）o−Ｏ−を示す。但
し、ｎは１〜10を示す。）を有し、かつ前記繰返
し単位〔〕および〔〕のモル分率をそれぞれ
ａおよびｂとしたときのａ／ａ＋ｂの値が05〜0.9で あると共に、20℃における濃度0.5ｇ／dlの塩化
メチレン溶液の還元粘度〔ηsp／ｃ〕が0.3dl／ｇ
以上であつて流れ値（JIS−Ｋ−6719）が10×
10-2ml／sec以上の共重合体からなる光学機器用
素材を提供するものである。 上記繰返し単位〔〕および〔〕を有する共
重合体の重合度は光学機器の種類に応じて適宜選
定すればよいが、濃度0.5ｇ／dlの塩化メチレン
溶液の20℃における還元粘度〔ηsp／ｃ〕が0.3
dl／ｇ以上の好ましくは0.4〜10dl／ｇの共重合
体となるように重合させるべきである。また上記
繰返し単位〔〕のモル分率をａ、上記繰返し単
位〔〕のモル分率ｂとしたとき、ａ／ａ＋ｂの値 が0.5〜0.9、好ましくは0.6〜0.8となるように調
節する。ここでａ／ａ＋ｂの値が0.5未満であると得 られる共重合体の耐熱性が低下し、一方0.9を超
えると成形加工性が低下して複屈折が大きくなる
ので好ましくない。 さらに、流れ値（JIS−Ｋ−6719に準拠）に関
しては、10×10-2ml／sec以上の良流動性を有す
ることが必要であり、好ましくは20×10-2ml／
sec以上である。流れ値が10×10-2ml／sec未満で
は成形後の歪による複屈折が大きくなり光学機器
用素材に適さないものとなる。 上述の共重合体は様々な方法により製造するこ
とができるが、例えば 式 で表わされる２，２−ビス（４−ヒドロキシフエ
ニル）プロパン（ビスフエノールＡ）および 一般式 （式中、Ｒは前記と同じ。） で表わされる二価フエノールとホスゲンの重縮合
により製造することができる。また、このような
ホスゲン法ポリカーボネートの製法に従う方法の
他に、炭酸ジフエニルを用いるエステル交換法ポ
リカーボネートの製法に従つて行なうこともでき
る。なお、この場合式〔〕で表わされるビスフ
エノールＡと一般式〔〕で表わされる二価フエ
ノールをモノマーのまま直接混合し、ホスゲンあ
るいは炭酸ジフエニルと共に反応させてもよく、
或いは予め式〔〕で表わされるビスフエノール
Ａとホスゲンを重縮合させたり、ビスフエノール
Ａと炭酸ジフエニルを重縮合させてオリゴマーを
得、このオリゴマーと一般式〔〕で表わされる
二価フエノールを反応させてもよい。また、逆に
予め一般式〔〕で表わされる二価フエノールと
ホスゲン或いは炭酸ジフエニルを重縮合させてお
き、その後ビスフエノールＡと反応させてもよ
い。この重縮合の際の条件は上記一般式〔〕で
表わされる二価フエノールの種類、所望する共重
合体の重合度などにより一義的に定めることはで
きないが、通常は塩化メチレン、クロルベンゼン
等のハロゲン化炭化水素やピリジンなどの溶媒中
で適当な触媒、アルカリ、分子量調節剤などが用
いればよい。ここで、分子量調節剤としては様々
な一価フエノールをあげることができるが、好ま
しいものとしては、
オーデイオデイスクや光メモリーデイスクに適し
た素材に関する。 一般に、上述したような光学機器用素材には様
様な性能が要求されており、例えば透明性、耐熱
性、耐湿性、機械的強度にすぐれていると共に、
光学的な性質にすぐれていることが必要である。
このような性能を有する素材としては、従来から
メタクリル樹脂などが知られているが、このもの
は耐熱性や耐湿性、耐衝撃性の点で未だ充分なも
のとは言い難いという欠点がある。また、ビスフ
エノールＡ（２，２−ビス（4′−ヒドロキシフエ
ニル）プロパン）をホスゲンや炭酸ジフエニル等
と反応させて得られるポリカーボネート樹脂は、
耐熱性、耐湿性、耐衝撃性などにおいてすぐれて
いるものの、成形加工時の流動性を示す流れ値が
小さいため成形加工後の残留応力が大きく、これ
に基因して成形品の複屈折が大きくなり、デイス
クに記録された情報の読み取り感度が低下すると
いう難点がある。 本発明の目的は、耐熱性や機械的強度を充分に
維持するとともに、ポリカーボネート樹脂の欠点
である成形加工性を改善することによつて光学的
性質の向上した素材を提供することにある。 すなわち本発明は 式 で表わされる繰返し単位〔〕および 一般式 で表わされる繰返し単位〔〕（式中、Ｒは−
（CH2）o−または−Ｏ−（CH2）o−Ｏ−を示す。但
し、ｎは１〜10を示す。）を有し、かつ前記繰返
し単位〔〕および〔〕のモル分率をそれぞれ
ａおよびｂとしたときのａ／ａ＋ｂの値が05〜0.9で あると共に、20℃における濃度0.5ｇ／dlの塩化
メチレン溶液の還元粘度〔ηsp／ｃ〕が0.3dl／ｇ
以上であつて流れ値（JIS−Ｋ−6719）が10×
10-2ml／sec以上の共重合体からなる光学機器用
素材を提供するものである。 上記繰返し単位〔〕および〔〕を有する共
重合体の重合度は光学機器の種類に応じて適宜選
定すればよいが、濃度0.5ｇ／dlの塩化メチレン
溶液の20℃における還元粘度〔ηsp／ｃ〕が0.3
dl／ｇ以上の好ましくは0.4〜10dl／ｇの共重合
体となるように重合させるべきである。また上記
繰返し単位〔〕のモル分率をａ、上記繰返し単
位〔〕のモル分率ｂとしたとき、ａ／ａ＋ｂの値 が0.5〜0.9、好ましくは0.6〜0.8となるように調
節する。ここでａ／ａ＋ｂの値が0.5未満であると得 られる共重合体の耐熱性が低下し、一方0.9を超
えると成形加工性が低下して複屈折が大きくなる
ので好ましくない。 さらに、流れ値（JIS−Ｋ−6719に準拠）に関
しては、10×10-2ml／sec以上の良流動性を有す
ることが必要であり、好ましくは20×10-2ml／
sec以上である。流れ値が10×10-2ml／sec未満で
は成形後の歪による複屈折が大きくなり光学機器
用素材に適さないものとなる。 上述の共重合体は様々な方法により製造するこ
とができるが、例えば 式 で表わされる２，２−ビス（４−ヒドロキシフエ
ニル）プロパン（ビスフエノールＡ）および 一般式 （式中、Ｒは前記と同じ。） で表わされる二価フエノールとホスゲンの重縮合
により製造することができる。また、このような
ホスゲン法ポリカーボネートの製法に従う方法の
他に、炭酸ジフエニルを用いるエステル交換法ポ
リカーボネートの製法に従つて行なうこともでき
る。なお、この場合式〔〕で表わされるビスフ
エノールＡと一般式〔〕で表わされる二価フエ
ノールをモノマーのまま直接混合し、ホスゲンあ
るいは炭酸ジフエニルと共に反応させてもよく、
或いは予め式〔〕で表わされるビスフエノール
Ａとホスゲンを重縮合させたり、ビスフエノール
Ａと炭酸ジフエニルを重縮合させてオリゴマーを
得、このオリゴマーと一般式〔〕で表わされる
二価フエノールを反応させてもよい。また、逆に
予め一般式〔〕で表わされる二価フエノールと
ホスゲン或いは炭酸ジフエニルを重縮合させてお
き、その後ビスフエノールＡと反応させてもよ
い。この重縮合の際の条件は上記一般式〔〕で
表わされる二価フエノールの種類、所望する共重
合体の重合度などにより一義的に定めることはで
きないが、通常は塩化メチレン、クロルベンゼン
等のハロゲン化炭化水素やピリジンなどの溶媒中
で適当な触媒、アルカリ、分子量調節剤などが用
いればよい。ここで、分子量調節剤としては様々
な一価フエノールをあげることができるが、好ま
しいものとしては、
【式】
【式】
【式】
【式】などが挙げられ
る。
また、上記一般式〔〕で表わされる二価フエ
ノールとしては様々なものがあるが、例えば 式 で表わされるビス（４−ヒドロキシフエニル）メ
タン、 式 で表わされる１，２，−ビス（４−ヒドロキシフ
エニル）エタン、 式 で表わされる１，６−ビス（４−ヒドロキシフエ
ニル）ヘキサン、 式 で表わされるメチレン−ジ−（４−ヒドロキシフ
エニル）エーテル、 式 で表わされるエチレン−ジ−（４−ヒドロキシフ
エニル）エーテル、 式 で表わされるヘキサメチレン−ジ−（４−ヒドロ
キシフエニル）エーテルを挙げることができる。 本発明の共重合体を構成する繰返し単位〔〕
は式〔〕で表わされるビスフエノールＡとホス
ゲン等との反応により形成され、また繰返し単位
〔〕は一般式〔〕で表わされる二価フエノー
ルとホスゲン等との反応により形成される。従つ
て、共重合体における繰返し単位〔〕、〔〕の
所望するモル分率に応じて、ビスフエノールＡと
一般式〔〕で表わされる二価フエノールの使用
量を適宜選定すればよく、また上記の一般式
〔〕で表わされる二価フエノールの種類も、所
望する繰返し単位〔〕の種類により、上述した
具体例の中あるいはそれ以外から選定すればよ
い。なお、本発明の共重合体を用いてデイスク等
を成形するにあたつては、酸化防止剤、紫外線吸
収剤などの通常の添加剤を配合してもよい。 このようにして得られる本発明の共重合体は、
光弾性係数は従来のポリカーボネート樹脂とほぼ
同等であるが、成形加工時の流動性を示す流れ値
が、従来のポリカーボネート樹脂に比べ格段に大
きく、成形加工後の残留応力が少なくて成形歪が
少ないため光の複屈折率が小さい。したがつて、
本発明の共重合体を各種光学機器の素材として用
いれば光学的性質が改良されているためデイスク
に記録された情報の読み取り感度が高く、エラー
の発生の少ない光学機器が得られる。また、熱的
にも機械的にも良好な素材であるため、これを用
いて作られた光学機器の様々な条件下で安定して
作動する。 それ故、本発明の素材は、デジタルオーデイオ
デイスクや光メモリーデイスクなどの光学機器用
素材として有効に利用することができる。 次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説明
する。 実施例 １ ２，２−ビス（４−ヒドロキシフエニル）プロ
パン67ｇ（0.29モル）を水酸化ナトリウム水溶液
（濃度６重量％）450mlに溶解し、これに溶媒とし
て塩化メチレン200mlを加えて撹拌しながら、こ
の混合液中にホスゲンガスを室温で800ml／分の
供給割合で吹込み、反応系のPHが９まで低下した
時点でホスゲンガスの吹込みを停止した。次いで
生成物を静置分離することにより有機相に分子末
端にクロロホーメート基を有する重合度２〜３の
ポリカーボネート・オリゴマーを得た。 次に、このポリカーボネート・オリゴマーの塩
化メチレン溶液250mlをさらに塩化メチレンで希
釈して全体を450mlとした。このオリゴマー溶液
に、エチレン−ジ−（４−ヒドロキシフエニル）
エーテル26.1ｇ（0.11モル）を水酸化ナトリウム
水溶液（濃度２規定）140mlに溶解した溶液を加
えて激しく撹拌し、さらに重合触媒としてトリエ
チルアミン水溶液（濃度0.5モル／）１mlを加
え、室温において１時間重合反応を行なつた。重
合反応終了後、反応生成物を塩化メチレン１で
希釈し、水、水酸化ナトリウム水溶液（濃度0.01
規定）、水、塩酸（濃度0.01規定）、水の順で洗浄
し、最後に反応生成物をメタノール中に投入し共
重合体98.0ｇを回収した。 得られた共重合体は核磁気共鳴（NMR）によ
る分析の結果、ａ／ａ＋ｂの値は0.88であり、また 濃度0.5ｇ／dlの塩化メチレン溶液の20℃におけ
る還元粘度〔ηsp／ｃ〕は0.66dl／ｇであつた。
さらに、この共重合体についてガラス転移温度な
らびに成形加工性を示す流れ値（JIS−Ｋ−6719）
を測定した。また、この共重合体を280℃におい
てプレス成形し、肉厚0.3mmのシートとし、波長
633nｍにおいて光弾性係数を測定した。結果を
第１表に示す。 実施例 ２ 実施例１において、エチレン−ジ−（４−ヒド
ロキシフエニル）エーテルに代えて、１，６−ビ
ス（４−ヒドロキシフエニル）ヘキサン22.5ｇ
（0.08モル）を用いたこと以外は実施例１と同様
にして共重合体を得た。この共重合体のａ／ａ＋ｂ の値は0.81であり、また濃度0.5ｇ／dlの塩化メ
チレン溶液の20℃における還元粘度〔ηsp／ｃ〕
は0.73dl／ｇであつた。またガラス転移温度、流
れ値ならびに光弾性係数を第１表に示す。 比較例 １ 市販のポリカーボネート樹脂（還元粘度
〔ηsp／ｃ〕：0.51dl／ｇ）につきガラス転移温度、
流れ値ならびに光弾性係数を第１表に示す。
ノールとしては様々なものがあるが、例えば 式 で表わされるビス（４−ヒドロキシフエニル）メ
タン、 式 で表わされる１，２，−ビス（４−ヒドロキシフ
エニル）エタン、 式 で表わされる１，６−ビス（４−ヒドロキシフエ
ニル）ヘキサン、 式 で表わされるメチレン−ジ−（４−ヒドロキシフ
エニル）エーテル、 式 で表わされるエチレン−ジ−（４−ヒドロキシフ
エニル）エーテル、 式 で表わされるヘキサメチレン−ジ−（４−ヒドロ
キシフエニル）エーテルを挙げることができる。 本発明の共重合体を構成する繰返し単位〔〕
は式〔〕で表わされるビスフエノールＡとホス
ゲン等との反応により形成され、また繰返し単位
〔〕は一般式〔〕で表わされる二価フエノー
ルとホスゲン等との反応により形成される。従つ
て、共重合体における繰返し単位〔〕、〔〕の
所望するモル分率に応じて、ビスフエノールＡと
一般式〔〕で表わされる二価フエノールの使用
量を適宜選定すればよく、また上記の一般式
〔〕で表わされる二価フエノールの種類も、所
望する繰返し単位〔〕の種類により、上述した
具体例の中あるいはそれ以外から選定すればよ
い。なお、本発明の共重合体を用いてデイスク等
を成形するにあたつては、酸化防止剤、紫外線吸
収剤などの通常の添加剤を配合してもよい。 このようにして得られる本発明の共重合体は、
光弾性係数は従来のポリカーボネート樹脂とほぼ
同等であるが、成形加工時の流動性を示す流れ値
が、従来のポリカーボネート樹脂に比べ格段に大
きく、成形加工後の残留応力が少なくて成形歪が
少ないため光の複屈折率が小さい。したがつて、
本発明の共重合体を各種光学機器の素材として用
いれば光学的性質が改良されているためデイスク
に記録された情報の読み取り感度が高く、エラー
の発生の少ない光学機器が得られる。また、熱的
にも機械的にも良好な素材であるため、これを用
いて作られた光学機器の様々な条件下で安定して
作動する。 それ故、本発明の素材は、デジタルオーデイオ
デイスクや光メモリーデイスクなどの光学機器用
素材として有効に利用することができる。 次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説明
する。 実施例 １ ２，２−ビス（４−ヒドロキシフエニル）プロ
パン67ｇ（0.29モル）を水酸化ナトリウム水溶液
（濃度６重量％）450mlに溶解し、これに溶媒とし
て塩化メチレン200mlを加えて撹拌しながら、こ
の混合液中にホスゲンガスを室温で800ml／分の
供給割合で吹込み、反応系のPHが９まで低下した
時点でホスゲンガスの吹込みを停止した。次いで
生成物を静置分離することにより有機相に分子末
端にクロロホーメート基を有する重合度２〜３の
ポリカーボネート・オリゴマーを得た。 次に、このポリカーボネート・オリゴマーの塩
化メチレン溶液250mlをさらに塩化メチレンで希
釈して全体を450mlとした。このオリゴマー溶液
に、エチレン−ジ−（４−ヒドロキシフエニル）
エーテル26.1ｇ（0.11モル）を水酸化ナトリウム
水溶液（濃度２規定）140mlに溶解した溶液を加
えて激しく撹拌し、さらに重合触媒としてトリエ
チルアミン水溶液（濃度0.5モル／）１mlを加
え、室温において１時間重合反応を行なつた。重
合反応終了後、反応生成物を塩化メチレン１で
希釈し、水、水酸化ナトリウム水溶液（濃度0.01
規定）、水、塩酸（濃度0.01規定）、水の順で洗浄
し、最後に反応生成物をメタノール中に投入し共
重合体98.0ｇを回収した。 得られた共重合体は核磁気共鳴（NMR）によ
る分析の結果、ａ／ａ＋ｂの値は0.88であり、また 濃度0.5ｇ／dlの塩化メチレン溶液の20℃におけ
る還元粘度〔ηsp／ｃ〕は0.66dl／ｇであつた。
さらに、この共重合体についてガラス転移温度な
らびに成形加工性を示す流れ値（JIS−Ｋ−6719）
を測定した。また、この共重合体を280℃におい
てプレス成形し、肉厚0.3mmのシートとし、波長
633nｍにおいて光弾性係数を測定した。結果を
第１表に示す。 実施例 ２ 実施例１において、エチレン−ジ−（４−ヒド
ロキシフエニル）エーテルに代えて、１，６−ビ
ス（４−ヒドロキシフエニル）ヘキサン22.5ｇ
（0.08モル）を用いたこと以外は実施例１と同様
にして共重合体を得た。この共重合体のａ／ａ＋ｂ の値は0.81であり、また濃度0.5ｇ／dlの塩化メ
チレン溶液の20℃における還元粘度〔ηsp／ｃ〕
は0.73dl／ｇであつた。またガラス転移温度、流
れ値ならびに光弾性係数を第１表に示す。 比較例 １ 市販のポリカーボネート樹脂（還元粘度
〔ηsp／ｃ〕：0.51dl／ｇ）につきガラス転移温度、
流れ値ならびに光弾性係数を第１表に示す。
【表】
以上の結果から、本発明の素材は耐熱性に関
し、市販のポリカーボネート樹脂には劣つている
もののメタクリル樹脂（ガラス転移温度：105℃）
に比し十分に高い耐熱性を有しており、しかも素
材の成形加工時の流動性を示す流れ値が市販のポ
リカーボネート樹脂に比し格段にすぐれており、
成形加工後の残留応力が少なく成形歪が少ないた
め成形品の複屈折を低く抑えうることが判る。
し、市販のポリカーボネート樹脂には劣つている
もののメタクリル樹脂（ガラス転移温度：105℃）
に比し十分に高い耐熱性を有しており、しかも素
材の成形加工時の流動性を示す流れ値が市販のポ
リカーボネート樹脂に比し格段にすぐれており、
成形加工後の残留応力が少なく成形歪が少ないた
め成形品の複屈折を低く抑えうることが判る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 式 で表わされる繰返し単位〔〕および 一般式 で表わされる繰返し単位〔〕（式中、Ｒは−
（CH2）o−または−Ｏ−（CH2）o−Ｏ−を示す。但
し、ｎは１〜10を示す。）を有し、かつ前記繰返
し単位〔〕および〔〕のモル分率をそれぞれ
ａおよびｂとしたときのａ／ａ＋ｂの値が0.5〜0.9 であると共に、20℃における濃度0.5ｇ／dlの塩
化メチレン溶液の還元粘度〔ηsp／ｃ〕が0.3ｇ／
dl以上であつて流れ値（JIS−Ｋ−6719）が10×
10-2ml／sec以上の共重合体からなる光学機器用
素材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021869A JPS60166321A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 光学機器用素材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021869A JPS60166321A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 光学機器用素材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60166321A JPS60166321A (ja) | 1985-08-29 |
| JPH0414705B2 true JPH0414705B2 (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=12067129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021869A Granted JPS60166321A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 光学機器用素材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60166321A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS623443A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | フレキシブル光デイスク及びその製造方法 |
| JPH0727662B2 (ja) * | 1987-08-27 | 1995-03-29 | 出光石油化学株式会社 | 光ディスク基板 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543915B2 (ja) * | 1971-08-12 | 1979-02-28 | ||
| JPS58126119A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的特性のすぐれた成形物の製造法 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59021869A patent/JPS60166321A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60166321A (ja) | 1985-08-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4415725A (en) | Aromatic branched polycarbonate from tetraphenol | |
| JPH0319248B2 (ja) | ||
| JPH0414705B2 (ja) | ||
| JPH0570651B2 (ja) | ||
| JPH07292095A (ja) | 芳香族ポリカーボネート樹脂の改質法 | |
| US4895919A (en) | Spirobiindane copolysiloxanecarbonates and method for their preparation | |
| JPH0428005B2 (ja) | ||
| JPS6362528B2 (ja) | ||
| JPH0319249B2 (ja) | ||
| JP2558285B2 (ja) | 光学材料 | |
| JPH0645678B2 (ja) | 光ディスク用素材 | |
| JPH0645680B2 (ja) | 光学機器用素材 | |
| JPS61213218A (ja) | 光学機器用素材 | |
| JP2603647B2 (ja) | ポリカーボネート系樹脂組成物 | |
| JPH073481B2 (ja) | 光学機器用素材 | |
| JPH0912701A (ja) | ポリカーボネート共重合体およびその製造方法 | |
| JP2556864B2 (ja) | 光学材料 | |
| US4923962A (en) | Optical disk substrate comprising aromatic polycarbonate | |
| JP2520098B2 (ja) | ポリカ―ボネ―ト系共重合体およびその製造法 | |
| KR101955674B1 (ko) | 코폴리카보네이트 및 이의 제조방법 | |
| JP2625906B2 (ja) | 光学材料用樹脂 | |
| JP2516882B2 (ja) | 重合体とその製造法 | |
| JPS6236457A (ja) | 光学機器用素材 | |
| JP2003040995A (ja) | 新規ポリカーボネート樹脂とその製造方法 | |
| JP2516883B2 (ja) | 重合体とその製造方法 |