JPH0414745B2 - - Google Patents

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JPH0414745B2
JPH0414745B2 JP60101694A JP10169485A JPH0414745B2 JP H0414745 B2 JPH0414745 B2 JP H0414745B2 JP 60101694 A JP60101694 A JP 60101694A JP 10169485 A JP10169485 A JP 10169485A JP H0414745 B2 JPH0414745 B2 JP H0414745B2
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JP
Japan
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thin film
head
capacitive
magnetic
slider
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JP60101694A
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Aran Sukuranton Robaato
Aren Tonpuson Deebitsudo
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International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
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Publication date
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Publication of JPH0414745B2 publication Critical patent/JPH0414745B2/ja
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    • G01H11/00—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
    • G01H11/06—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description

【発明の詳細な説明】 Ａ 産業上の利用分野 本発明は、シリコンの微小機械構造で使用する
場合と、オーデイオ、デイジタルおよびビデオデ
イスク、テープ等において容量性データの検出に
使用する場合に、位置検出、非破壊検査、機械的
振動の監視に特に有用な微小容量変化を検知する
装置に係る。
Ｂ 開示の概要 容量性変量センサは薄膜コイルの形状で誘導性
リアクタンスを生じる少なくとも１つの要素を含
む。これは容量性変量センサを薄膜磁気読取／書
込ヘツドとともに基板上に集積することを可能に
する。容量性変量センサの１つの素子はセンス電
極である。本発明の実施例によつては、薄膜磁気
読取／書込ヘツドの磁極端をセンス電極として使
用することにより、専用のセンス電極を除去する
ことができるものがある。
Ｃ 従来の技術 微小な容量性変量を検出する能力は、例えば米
国特許第3783196号、同第4080625号、同第
4152641号では、ビデオデイスクおよびビデオ再
生装置における微小な容量性変量検知器に使用す
ることが開示されているが、容量検知は、例えば
トムソン他、“フロツピーデイスクの打出しサー
ボ手法（“Embossed Servo Techniques for
Floppy Disks”by Thompson et al），IEREコ
ンフアレンス議事録（ロンドン）、第43号、321頁
以下（1979年）のレポートに記載されているよう
に、ビデオデイスク以外にも応用することができ
る。前記レポートでは、フロツピーデイスクシス
テムのサーボ機構に追尾するトラツクに打出され
たパターンの容量を検知できる可能性についての
評価が報告されている。
例えば、ビデオデイスクおよび（または）磁気
フロツピーデイスクで使用する（放射状または円
周上の）位置信号を得る３つの方式として： (1) 容量に対比する情報を回転部材に置く方法、 (2) パターンまたはコードを刻印して位置情報
を、対比する機構に入れる方法、 (3) パターンまたはコードを用いて実際の位置信
号を得る方法 がある。最初の２つの方法に関しては多くの手法
が示唆されている。項目(1)については米国特許出
願第494743号（1983年５月16日出願）、項目(2)に
ついては、ワークマン、“磁気デイスク記録の光
学サーボ機構”、（“An Optical Servo
Arrangement for Magnetic Disk Recording”
by Workman）IBMTDB第23巻第３号、1200頁
以下（1980年８月）に記載されている。
Ｄ 発明が解決しようとする問題点 本発明は項目(3)の要求の、例えば、容量性変量
に基づいて有効な位置信号を得る装置に係る。従
来の技術の容量検知回路は誘導子を用いている。
前記米国特許第4080625号、同第4152641号では、
無線周波数の搬送波および共振ストリツプライン
またはマイクロ波共振空洞（キヤビテイ）を利用
する極めて高感度の容量検知機構を開示してい
る。容量変化により前記搬送波の出力に振幅変調
が生じるので、それを検出することにより該容量
変化を測定することができる。例えば、RCAビ
デオデイスクプレーヤは、915MHzのストツプラ
インを用いて10-16Ｆの容量変化を検出する。こ
れは、磁気記録の応用分野で検出しなければなら
ない大きさの信号と同じオーダである。しかしな
がら、従来の技術を用いたこれらの手法の特に不
利な点は、ストリツプラインおよび（または）マ
イクロ波共振空洞が10cm程度と極めて長いことで
ある。例えば、前記米国特許第4080625号では、
伝送線は印刷回路の導体として形成され、その長
さは、適切な周波数で、関連する容量とほぼ共振
するのに十分なものでなければならない。前記米
国特許第3783196号も、誘導子を使用するという
点で前述の特許に似ているが、該特定の誘導子の
実現については提案されていない。前記米国特許
第4152641号は、その第１図に示すように、印刷
回路形式の伝送線（素子２７）使用を提案してい
る。
ホワイト、“デイスク記憶装置技術”、サイエン
テイフイツクアメリカン、（“Disks−Storege
Technology”by White.in Scientific
American）、1980年８月、138頁以下の論文に
は、代表的な磁気読取／書込記憶システムが記載
されている。このようなシステムの１つにおける
薄膜ヘツドの使用が142〜143頁に図示され、その
説明がIBMモデル3370デイスク記憶装置に関連
して145頁に記載されている。これについては更
に、“IBMデイスク記憶装置技術”（“IBM Disk
Srorage Technology”）1980年、IBM刊行物に
記載されている。前記トムソン外のレポートで提
案しているように、容量検知方式はトラツク追跡
システムで利用することができるが、利用するの
がビデオデイスク技術または磁気読取／書込シス
テム技術のどちらかであつても、重大な不利点
は、誘導子、印刷回路伝送線または共振空洞の寸
法が大きいことである。
従つて、本発明の目的は、容量センサにおい
て、極めて小型の誘導性素子を提供することであ
る。誘導性素子の大きさを縮小するだけでもビデ
オデイスク技術の利点は明白であるが、それ以外
に、磁気読取／書込システムではかなりの利点が
生じる。前述の薄膜ヘツドは、基板上に平版印刷
で作成されたパターンとして実現される。本発明
のもう１つの目的は、容量センサで、平版印刷で
作成された伝導性パターンの形状の中に誘導性の
素子を設けることにより、薄膜ヘツドおよび容量
センサの誘導性素子はどちらも、共通の手法によ
り共通の基板上に平版印刷で作成することがで
き、ヘツドおよび関連回路をモノリシツクにする
ことができる。
Ｅ 問題点を解決するための手段 このように、本発明は、容量性変量を検知する
ために設けられたセンス電極を含む容量センサを
提供する。このセンス電極には、容量性変量に従
つて変調された出力信号を生成する回路手段が結
合される。この回路手段は、薄膜技術を用いて生
成される誘導性リアクアンスを表わす少なくとも
１つの受動的な素子を含む。
容量性変量センサは、センス電極および誘導性
リアクタンスを与える素子に加えて、容量センサ
に発振器を結合する入力素子、ならびに振幅変調
出力信号を結合する出力素子を含む。両素子は薄
膜技術を用いて実現された追加の誘導性を含む。
更に本発明に従つて、磁気読取／書込ヘツドを
サポートする磁気スライダアセンブリを含む磁気
読取／書込システムに示すように、容量性変量セ
ンサは磁気スライダアセンブリに取付けられ、誘
導性リアクタンスを表わす少なくとも１つの素子
を含み、少なくともこの１つの素子が薄膜技術に
より実現される。容量性変量センサは、誘導性リ
アクタンスを与える薄膜伝導性パターンもサポー
トする基板上に形成されるセンス電極を含む。磁
気読取／書込システムでは、磁気スライダアセン
ブリは、誘導性リアクタンスを与える素子の外
に、更に誘導リアクタンスを与える別の素子を含
み、発振器を容量性変量センサに結合するととも
に、振幅変調出力信号を他の回路に結合する。こ
れらの両素子は共通の基板にサポートされた追加
の薄膜伝導性パターンである。
更に本発明に従つて、薄膜磁気読取／書込ヘツ
ドをサポートする磁気スライダアセンブリを含む
磁気読取／書込システムに示すように、容量性変
量センサは磁気スライダアセンブリに取付けら
れ、誘導性リアクタンスを表わす少なくとも１つ
の素子を含む。前記少なくとも１つの素子は薄膜
技術により実現することができる。従つて、薄膜
磁気読取／書込ヘツドの磁極端は容量性変量セン
ス電極として使用される。これは、薄膜伝導性パ
ターンを、磁気読取／書込ヘツドの磁極端から、
同様に基板にサポートされているボンデイングパ
ツドにわたつて設けることにより実現される。従
つて、薄膜磁気読取／書込ヘツドの磁極端をセン
ス電極そのものとして使用することにより、専用
のセンス電極の必要性が取除かれていることが、
当業者には明白であろう。
Ｆ 実施例（第１Ａ図〜第７図） 第２Ａ図は適切な容量性変量センサ（センサ１
５）に等価なひと塊りの回路、第２Ｂ図はその周
波数特性および波形の一部分を示す。第２Ａ図で
は、回路２５はセンス電極を含み△Ｃとして示さ
れている可変容量（検知すべき情報）を検知す
る。関連する浮遊容量はＣで示され、誘導子（素
子２６）が並列接続されている。素子２６は誘導
子（素子２７）を介して発振器２０に結合され
る。出力素子はピーク検出器に結合されている誘
導子（素子２８）を含む。第２Ｂ図では、回路の
応答が周波数の関数として示される。ω0は発振
器２０の共振周波数である。ωは、容量性変量△
Ｃが０の場合の回路２５の共振周波数である。容
量性変量がある場合、例えば、△Ｃが非０のとき
回路２５の共振周波数は第２Ｂ図の点線のカーブ
で示すように変化する。従つて、搬送波は振幅変
調されて素子２８に誘導される。ピーク検出器の
出力波形は第２Ｂ図に示すようになる。このよう
に、容量性変量は振幅変調に変換される。第２Ａ
図のひと塊りの素子はRCAビデオデイスクのス
トリツプラインの回路と等価である（前記米国特
許第3783196号、同第4080625号、同第4152641号
ならびに引用したRCAレビユーの論文参照）。
第３Ａ図および第３Ｂ図は磁気読取／書込シス
テムで用いる代表的なスライダアセンブリを示
す。第３Ａ図で、スライダ３０は上下反対に図示
されている、すなわち、スライダ３０の面３１は
磁気記録面に向かい合つて使用される。スライダ
３０は記録面に対して図示のようにＡ方向に移動
し、トラツクを変更する場合には、Ａ方向と直角
にＲ方向に移動することができる。スライダ３０
の後面には、薄膜技術により形成された少なくと
も１つの磁気読取／書込ヘツド（ヘツド３５）が
ある。ヘツド３５は磁心とコイルから成り、コイ
ルは、実際には薄膜技術を用いて平版印刷で形成
された伝導性のパターンとして実現される。コイ
ルの端はボンデイングパツド（パツド３６，３
７）で終端され、外部回路に接続される。第３Ａ
図に示すスライダ３０は更にヘツド４０とそのボ
ンデイングパツド（パツド４６，４７）を含む。
厳密に定義すれば、薄膜素子は数百〜数千オング
ストロームのオーダの厚さを有し、基板に真空蒸
着されるが、本発明では、薄膜素子のそれぞれの
層は約５ミクロン以下の厚さを有することがあ
り、電気めつきのような、他の被覆方法が含まれ
る。
第３Ｂ図は１つのヘツド３５および関連する薄
膜コイル（素子３８）の詳細を示す。ヘツド３５
の幅はデータトラツク４１の幅を規定する。ヘツ
ドギヤツプは参照番号４２で示されている。
本発明に従つて、容量性変量センサはスライダ
３０のヘツド３５を支持する後面に薄膜として形
成される。第１Ａ図は容量性変量センサおよびそ
のヘツド３５との関係を詳細に示す。
第１Ａ図はスライダ３０の後面の平面図であ
る。第１Ａ図において、ヘツド３５は平版印刷で
形成された伝導性のパターン（素子３８）を含
む。素子３８はコイルを形成し、パツド３６およ
び３７を介して外部回路に接続される。ちなみ
に、薄膜ヘツドとその関連素子は従来技術のもの
と同じ形状をとることがある。面３３はスライダ
３０の空気ベアリングの面を形成する。スライダ
３０の後面にサポートされているのは、伝導性の
パターン（素子２４Ａ）を介して誘導性リアクタ
ンスを与える素子２６に伝導結合されている電極
２４を含む容量性変量センサである。第１Ａ図に
示すように、素子２６は螺線コイルの形状を有
し、その一端は電極２４に、他端は信号接地パツ
ド（パツト２３）に接続されている。素子２６に
誘導結合されているのは、パツド２７Ａおよび２
７Ｂに結合された伝導性の素子２７である。ま
た、伝導性の素子２８は素子２６に誘導結合さ
れ、パツド２８Ａおよび２８Ｂを終端する。容量
性変量センサのひと塊まりの等価回路は第１Ｂ図
に示されている。容量性変量△Ｃは直列接続され
た容量Ｃ１およびＣ２に並列に結合されている。
Ｃ１の両端にはコイルが結合されている。Ｃ１は
巻線間容量と接地浮遊容量の和である。Ｃ２はパ
ツド２３とアースの間の容量で、基板３２に対す
る容量を含む。素子２６はこれらのひと塊まりの
等価容量に並列に結合されている。パツド２７Ａ
および２７Ｂで終端される素子２７は素子２６と
相互に誘導結合される。パツド２８Ａおよび２８
Ｂで終端する素子２８も素子２６と相互に誘導結
合される。第２Ａ図では、発振器２０は素子２７
に結合され、振幅を検知する回路２５は素子２８
に結合されるはずである。従つて、第１Ａ図の平
版印刷のパターンを用いて第２Ａ図または第１Ｂ
図の等価回路を実現することができる。本発明に
よる重要な利点は、誘導性の素子２６，２７，２
８はそれぞれ、既存のヘツド３５および関連する
素子３８を形成している同じ基板３２に形成する
ことができる。素子２６〜２８はヘツド３５の場
合と同じ薄膜技術を用いて形成されるので、ヘツ
ド３５と素子２６〜２８はモノリシツクである。
当業者には、素子３８および２６の異なつた伝
導性部分が他の導体を横切るから、絶縁体（図示
せず）により分離された異なつた伝導層が必要で
あることを十分に理解されるであろう。
第１Ａ図に示すスライダは、後面が絶縁体でカ
バーされる伝導性のスライダの場合がある。代り
に、絶縁スライダも使用することができる。第１
Ａ図に示す回路をスライダの支持体の一部に装着
された電子モジユールに接続し、またはスライダ
に接合されたシリコン集積回路（集積回路を有す
るシリコンスライダ）に接続するのを容易にする
ために、第１Ａ図の基板には複数のパツドのパタ
ーンが形成されている。
実際に考慮すべき重要な誘導パラメータは、イ
ンダクタンス、直流抵抗、うず電流損および寄生
容量である。リード線のない既存の薄膜ヘツドは
約50nHのインダクタンスと5Ωの直流抵抗Ｒを有
する、すなわち、16MHzでωL＝Ｒとなる。一定
直径の螺線コイル（直径が巻数に無関係のコイ
ル）の場合、一定の厚さと固有抵抗により、Ｌ／
Ｒ比は１次近似では巻線数と無関係である。も
し、導体の抵抗が主な損失原因であつたなら、
1GHzの場合、コイルのＱは約60という極めて満
足な結果が得られる。しかしながら、パーマロイ
のうず電流損は、100MHz〜1GHzでは、空心コイ
ルまたはラミネートされたパーマロイが必要であ
ることを示唆する。
現在の薄膜ヘツドと同じ大きさの（パーマロイ
なしの）空心コイルのインダクタンスの概算値は
約10nHである。直径を大きくすると25nHを得る
ことができるが、銅の厚さを（現在の２ミクロン
から）３ミクロンにすると、ラミネートされたパ
ーマロイを使用せずに1GHzでコイルのＱは約20
になる。コイルと伝導性の基板の間の寄生容量は
僅かに増加して共振周波数を1GHzにする必要が
ある。
ヘツド３５を形成するのに用いた同じ薄膜技術
を用いて誘導性の素子２６〜２８を形成すること
により、容量性変量センサ全体をモノリシツクに
する、例えば、単一の基板でサポートし、実際に
同時に形成することができる。更に、誘導性素子
の大きさを極めて小さくすることによる利点が得
られる。従来技術による容量性変量センサは長さ
がセンチメートル単位で測定される印刷回路の誘
導性素子を使用するが、本発明に従つて形成され
る実際の誘導性素子に用いる螺線の直径はミリメ
ートルの単位で測定することができる。本発明の
良好な実施例では、誘導性素子の直径は0.5mmに
することができる。当業者には、0.5mmの寸法の
素子を使用することは、センチメートル単位の寸
法の素子と比較して有利であることが容易に理解
されるであろう。
第１Ａ図および第１Ｂ図は素子２６を含む発振
回路及び素子２７を含む検知回路が誘導結合され
ていることを示すが、誘導結合の代りに容量結合
を使用できることも明らかである。第４Ａ図およ
び第４Ｂ図は、これらの図面に示すセンサの場合
に、それぞれの回路の素子が誘導性の素子２６に
容量結合される点を除き、第１Ａ図の場合に類似
の容量性変量センサを示す。図示のように、入力
ボンデイングパツド（パツド６０Ａおよび６０
Ｂ）は素子２６に容量結合され、同様に出力ボン
デイングパツド（パツド６１Ａおよび６１Ｂ）も
素子２６に容量結合される。第４Ｂ図は第４Ａ図
の主要な部分の断面図で、誘導性の素子２６の容
量結合を示す。第４Ｂ図に示すように、基板３２
の上に誘電体またはスペーサの層６２が置かれ
る。層６２は基板３２が伝導性の場合は不可欠で
あるが、基板３２が絶縁体の場合は省略すること
ができる。層６２の上に容量結合する電極が置か
れる。これは、実際には誘導性の素子２６の伝導
性パターンの部分を含む。
更に、素子２６の上に誘電体の層６３が置かれ
る。層６３の上に別の電極（パツド６０Ａ，６０
Ｂ，６１Ａまたは６１Ｂ）が置かれる。素子２６
を流れる電流は入力または出力のパツド６０Ａ，
６０Ｂ，６１Ａまたは６１Ｂに容量結合される。
第４Ａ図および第４Ｂ図は入出力はどちらも容量
結合されることを示すが、第１Ａ図は入出力が誘
導結合されることを示す。当業者には、容量結合
および誘導結合は同時に使用できる。例えば、誘
導結合を入力または出力に使用し、容量結合を出
力または入力に使用できることが分つている。
容量性入力と誘導性出力の組合せ、または誘導
性入力と容量性出力の組合せは、入出力間の寄生
結合を減少するという利点を有する。更に、第１
Ａ図の場合のように、第４Ａ図に示すそれぞれの
素子は薄膜技術により実現することができるの
で、容量性変量センサ全体をモノリシツクにす
る、例えば基板３２上に同時に形成しサポートす
ることができる。
本発明は設計者に対し、より自由に設計し、可
変誘導リアクタンスを実現する能力を与える。例
えば、（コイル（素子２６）、キヤパシタＣ１，Ｃ
２およびセンス容量△Ｃからなる回路のような並
列LC回路の共振周波数はサーボ機構により誘導
リアクタンスを電子的に変化させて、部分ごとの
変化ならびにゆつくり変化する寄生容量を補正す
ることができる。これは同一のまたは隣接する巻
線に直流電流を流す方法で、磁束を通すパーマロ
イ層の透磁率を変えることにより実現される。換
言すれば、制御可能な直流電源を用いたコイル
（素子２６）または隣接の誘導結合されたコイル
に電流を供給する。
第５図は誘導子（素子２６）の代りに使用でき
る電子的に可変の誘導子７５を示す。第５図で、
入出力パツドとの誘導結合および（または）容量
結合は示されていないが、当業者はこれらの素子
を誘導子７５に結合させる方法を推測できるであ
ろう。誘導子７５は主要な螺線７０、制御ループ
７１および磁心７２及び７３（図示せず）を含
む。磁心７２が最初に蒸着され、以下、絶縁層
（図示せず）、螺線７０を形成するのに用いる伝導
パターン、制御ループ７１の順に蒸着される。更
に絶縁層（図示せず）が蒸着され、最後に透磁性
の層（磁心７３）が蒸着され、パターン化され
る。動作上、螺線７０は前述のように共振回路の
一部分である。そのインダクタンスは、空心の誘
導子から、磁心７２および７３から供給される鎖
交磁束の存在により増加する。しかしながら、単
一巻線の制御ループを通る電流は狭い領域７４の
透磁性材料を飽和させるので、磁心から供給され
るパーミアンスを減少させ、螺線７０のインダク
タンスを減少させる。このように、可変容量チツ
プをスライダに取付けずに回路２６を所望の共振
周波数に同調させることができる。
当業者は、狭い領域７４の使用は誘導子７５の
電導制御には必要ではないことを認識している。
制御ループ７１の電流を増加して、電流があるレ
ベルになると、磁性層（磁心７２および７３）の
飽和が磁束密度最大の領域から始まる。これらの
層は、パーマロイおよびラミネートされたパーマ
ロイを含む磁気読取ヘツド（ヘツド３５）を形成
するのに用いるのと同じ磁層から形成されること
が望ましい。
第１Ａ図及び第４Ａ図は別々のセンス電極（電
極２４）を使用する容量性変量センサを示すが、
これは本発明に絶対必要というものではない。む
しろ、薄膜磁気読取／書込ヘツド（ヘツド３５）
をセンス電極として使用することができる。すな
わち、単数または複数の磁極端をセンス電極の代
りに使用することができる。第６図は、第３Ａ図
に示すヘツドに類似の磁気読取／書込ヘツドを示
すが、第６図では、第３Ａ図に示すものの外に、
更にボンデイングパツト（パツド３５１）および
薄膜伝導性パターン（素子３５２）が、パツド３
５１と磁気読取／書込ヘツド（ヘツド３５）の間
に結合される。素子３５２はヘツド３５の単数ま
たは複数の磁極端３５３に伝導結合される。第６
図の実施例では、磁気ヘツド（ヘツド３５）は、
パツド３６および３７を介して該ヘツドを駆動
し、パツド３５１を介して容量性変量を感知する
他の回路（図示せず）に結合される。
第６図は、ヘツドのコイルを形成し、パツド３
６，３７の間に結合される第１の伝導性パター
ン、およびパツド３５１を磁極端３５３に結合す
る第２の伝導性パターン（素子３５２）を示す。
第６図で、これらの２つの異なつたパターンは互
いに交差している。もちろん、これらの２つの異
なつたパターンの完全性を維持するのに絶縁層が
必要である。この絶縁層は第６図には図示されて
いないけれども、その存在については当業者は理
解しているであろう。
第１Ａ図に似た代替の実施例を第７図に示す。
第７図は、容量性のセンス電極が除去されている
以外は、第１Ａ図に同じである。もつと正確に言
えば（第１Ａ図では電極２４に結合されていた）
素子２４Ａが、第７図では、ヘツド３５の磁極端
に結合される。この伝導結合は第６図の結合と同
じである場合がある。
このように、第６図または第７図に従つて、磁
気読取／書込ヘツド（ヘツド３５）の磁極端はセ
ンス電極（電極２４）の代りに使用して容量性変
量を検知することができる。この機能を実行する
回路は（第６図で示唆されているように）別個に
サポートするか、あるいは第７図に示すようにヘ
ツドとともにモノリシツクにすることができる。
Ｇ 発明の効果 本発明により、ほぼ平版印刷で形成される容量
性変量センサを提供することができるほか、該セ
ンサのリード線容量に対する感度を低下させるこ
とができる。センス電極がストリツプラインまた
は空洞のどちらかの電子回路に接続するボンデイ
ングパツドに直接に結合された場合、ボンデイン
グパツドの寄生容量、ならびにボンデイング線ま
たはリード線による付加容量（それ自体が機械的
振動により時間とともに変化することがある）
は、容量センサの感度を低下させ、その出力信号
を振幅変調する。これに対し、第１Ａ図では、前
述の影響は同調回路Ｑによりほぼ補正され、LC
回路は小信号容量を外部回路（この場合はAM検
波器）にインピーダンス整合するように作用す
る。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ図は適切な基板とその上に本発明に従つ
て平版印刷で形成されたパターンの平面図、第１
Ｂ図は第１Ａ図の基板のひと塊りの素子と等価の
回路を示す図、第２Ａ図は容量性変量センサのパ
ターンを含む回路の一例（RCAレビユー（RCA
Review）第39巻38頁（1978年）より）を示す図、
第２Ｂ図は代表的な周波数特性および波形を示す
図、第３Ａ図は薄膜ヘツドを含む代表的な２重レ
ールスライダを示す図、第３Ｂ図は薄膜ヘツドの
詳細図、第４Ａ図は本発明の他の実施例の容量結
合のパターンの平面図、第４Ｂ図は代表的な容量
結合を示す断面図、第５図は薄膜素子内の可変イ
ンダクタンスを示す図、第６図は容量センス電極
としてヘツドの磁極端の使用を示す薄膜ヘツドの
詳細図、第７図は第１Ａ図のパターンからセンス
電極２４を除去し、代りにパターン２４Ａをヘツ
ド３５に伝導性結合したパターンの基板の平面図
である。 １５……センサ、２０……発振器、２３……パ
ツド、２４……電極、２４Ａ……素子、２５……
回路、２６，２７……素子、２７Ａ，２７Ｂ……
パツド、２８……素子、２８Ａ，２８Ｂ……パツ
ド、３０……スライダ、３１……面、３２……基
板、３２Ａ，３２Ｂ，３３……面、３５……ヘツ
ド、３６，３７……パツド、３８……素子、４０
……ヘツド、４１……データトラツク、４２……
ヘツドギヤツプ、４６，４７……パツド、６０
Ａ，６０Ｂ，６１Ａ，６１Ｂ……パツド、６２，
６３……層、７０……螺線、７１……制御ルー
プ、７２……磁心、７３……層、３５１……パツ
ド、３５２……素子、３５３……磁極端。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 薄膜磁気ヘツドと、該薄膜磁気ヘツドを装着
    したスライダとを具備する磁気読取り／書込み装
    置であつて、更に、上記スライダに装着された容
    量性変量センサを有し、 上記容量性変量センサが、近接する物体と関連
    して可変容量のキヤパシタンスをもたらすための
    センス電極と、上記キヤパシタンスを含む共振回
    路を形成するように上記センス電極に接続された
    誘導性リアクタンス素子と、発振器からの信号を
    上記リアクタンス素子に伝えるための入力素子
    と、上記キヤパシタンスの容量変化に応じて振幅
    変調信号を上記リアクタンス素子から他の回路へ
    伝えるための出力素子とを有し、 且つ、少なくとも上記誘導性リアクタンス素子
    が、上記スライダの所定の面に付着した導電性薄
    膜パターンから成る ことを特徴とする磁気読取り／書込み装置。 ２ 上記センス電極、上記入力素子及び上記出力
    素子が、それぞれ上記スライダの所定の面に付着
    した導電性薄膜パターンから成る特許請求の範囲
    第１項記載の磁気読取り／書込み装置。 ３ 上記薄膜磁気ヘツドが磁極端を有し、該磁極
    端が上記センス電極としても作用するよに上記導
    電性リアクタンス素子に接続されている特許請求
    の範囲第１項又は第２項記載の磁気読取り／書込
    み装置。
JP60101694A 1984-06-28 1985-05-15 磁気読取り／書込み装置 Granted JPS6118851A (ja)

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