JPH04148565A - ショットキバリアダイオード - Google Patents
ショットキバリアダイオードInfo
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- JPH04148565A JPH04148565A JP27421890A JP27421890A JPH04148565A JP H04148565 A JPH04148565 A JP H04148565A JP 27421890 A JP27421890 A JP 27421890A JP 27421890 A JP27421890 A JP 27421890A JP H04148565 A JPH04148565 A JP H04148565A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は従来のものより更に整流特性が良好であって損
失の少ないショットキバリアダイオードの構造に関する
ものである。
失の少ないショットキバリアダイオードの構造に関する
ものである。
メタルと半導体との接触により生ずる電位障壁を利用し
て整流する第１図の如き構造をもつショットキバリアダ
イオード（図において（６）はシリコン基板、（４）は
エピタキシャル層、（１）はバリヤメタル）は、他のダ
イオードに比して高速かつ正方向立上り電圧が低く低損
失であることから電力用として多く用いられている。特
に最近における集積回路の駆動電圧の低圧化はその必要
をとみに高めつつあり、更に低損失のショットキバリア
ダイオードへの要求が強い。
て整流する第１図の如き構造をもつショットキバリアダ
イオード（図において（６）はシリコン基板、（４）は
エピタキシャル層、（１）はバリヤメタル）は、他のダ
イオードに比して高速かつ正方向立上り電圧が低く低損
失であることから電力用として多く用いられている。特
に最近における集積回路の駆動電圧の低圧化はその必要
をとみに高めつつあり、更に低損失のショットキバリア
ダイオードへの要求が強い。
これを実現するためには正方向電圧降下と逆方向電流が
現在のものより小さく、ダイオードの損失即ち正方向損
失と逆方向損失の和の小さい整流特性の良好なものの実
現が必要である。しかし、ショットキバリアダイオード
の正方向電圧降下と逆方向電流は第２図に示す定性的な
関係図のように、ショットキ接合を形成するバリヤメタ
ルの材質によって決定される。一般には正方向電圧降下
の小さいものは逆方向電流が大きく、逆方向電流の小な
るものは正方向電圧降下が大きいと云う正逆相反する特
性を有する。
現在のものより小さく、ダイオードの損失即ち正方向損
失と逆方向損失の和の小さい整流特性の良好なものの実
現が必要である。しかし、ショットキバリアダイオード
の正方向電圧降下と逆方向電流は第２図に示す定性的な
関係図のように、ショットキ接合を形成するバリヤメタ
ルの材質によって決定される。一般には正方向電圧降下
の小さいものは逆方向電流が大きく、逆方向電流の小な
るものは正方向電圧降下が大きいと云う正逆相反する特
性を有する。
例えば正方向電圧降下を従来知られているメタルで見れ
ば、第２ＦＭのようにチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）
、現在量も多く用いられているモリブデン（Ｍ ｏ ）
の順序で大となって正方向損失を大とする傾向を示す、
一方逆方向電流は上記とは逆にモリブデン（Ｍ ｏ ）
、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）の順序で大となっ
て逆方向損失を増大させる傾向をもつ。
ば、第２ＦＭのようにチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）
、現在量も多く用いられているモリブデン（Ｍ ｏ ）
の順序で大となって正方向損失を大とする傾向を示す、
一方逆方向電流は上記とは逆にモリブデン（Ｍ ｏ ）
、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）の順序で大となっ
て逆方向損失を増大させる傾向をもつ。
従って損失正方向と逆方向損失の和で与えられるダイオ
ードにおいては、正逆両方向損失の兼ね合いによって最
も低損失が実現される材質を選ばざるを得す、現状では
モリブデン（Ｍ ｏ ）が最も多く用いられている。し
かし現在以上に低損失のショットキバリアダイオードを
現状の構造によって実現するには、新しい材質の開拓な
どの難しい課題が解決されなければならない。
ードにおいては、正逆両方向損失の兼ね合いによって最
も低損失が実現される材質を選ばざるを得す、現状では
モリブデン（Ｍ ｏ ）が最も多く用いられている。し
かし現在以上に低損失のショットキバリアダイオードを
現状の構造によって実現するには、新しい材質の開拓な
どの難しい課題が解決されなければならない。
本発明は係るダイオードの改良に関するもので半導体基
板の表面を凹凸状に形成し、該凹凸面にショットキバリ
ア金属を設けたショットキバリアダイオードにおいて、
該凹凸面はバリア高さ（φ＠）を変化させて、ショット
キ接合の有効面積の効率化を図ると共に電気特性を目的
に応じて変化できるショットキバリアダイオードを提供
するものである。因みに従来、ｎ型Ｓｉ上に金属を形成
し、ショットキバリアダイオードをつくったとき、その
電気的特性（たとえばショットキバリア高さφ、）は前
記形成した金属によって一義的に決定されていた。たと
えば、金属にアルミニウム（Ａ１）を選んだ場合、φ６
は０．７６ ｅ Ｖである。一方φ。が０．７６ｅＶよ
りも低いショットキバリアダイオードを作成したい場合
、たとえばφ８が０．５ ｅ■のショットキバリアダイ
オードを作製したいばあいには、金属としてチタニウム
（Ｔｉ）を選んでいた。
板の表面を凹凸状に形成し、該凹凸面にショットキバリ
ア金属を設けたショットキバリアダイオードにおいて、
該凹凸面はバリア高さ（φ＠）を変化させて、ショット
キ接合の有効面積の効率化を図ると共に電気特性を目的
に応じて変化できるショットキバリアダイオードを提供
するものである。因みに従来、ｎ型Ｓｉ上に金属を形成
し、ショットキバリアダイオードをつくったとき、その
電気的特性（たとえばショットキバリア高さφ、）は前
記形成した金属によって一義的に決定されていた。たと
えば、金属にアルミニウム（Ａ１）を選んだ場合、φ６
は０．７６ ｅ Ｖである。一方φ。が０．７６ｅＶよ
りも低いショットキバリアダイオードを作成したい場合
、たとえばφ８が０．５ ｅ■のショットキバリアダイ
オードを作製したいばあいには、金属としてチタニウム
（Ｔｉ）を選んでいた。
また本願出願人は先に、金属と半導体との間にアモルフ
ァス層を形成することで、１種類の金属で前記凹部と凸
部のφ８を制御した低損失のダイオードを提案した。（
特願平２−１９５２４０）しかし、１種類の金属でｔｗ
ｉｎできるφ８の範囲は特にφ、を高くする方向では限
られている。たとえば、Ｔｉを金属に選んだ場合、通常
Ｔｉとｎ型Ｓｉとのφ８は０．５１ｅＶであるが、Ｔｉ
とｎ型Ｓｉとの開に水素を含んだアモルファス層を形成
することで０．７１ｅＶまでは制御できる。しかし、そ
れ以上のφ５を持ったダイオードは作製できない。
ァス層を形成することで、１種類の金属で前記凹部と凸
部のφ８を制御した低損失のダイオードを提案した。（
特願平２−１９５２４０）しかし、１種類の金属でｔｗ
ｉｎできるφ８の範囲は特にφ、を高くする方向では限
られている。たとえば、Ｔｉを金属に選んだ場合、通常
Ｔｉとｎ型Ｓｉとのφ８は０．５１ｅＶであるが、Ｔｉ
とｎ型Ｓｉとの開に水素を含んだアモルファス層を形成
することで０．７１ｅＶまでは制御できる。しかし、そ
れ以上のφ５を持ったダイオードは作製できない。
本発明は係るダイオードの改良に関するものである。
本発明では、金属と半導体との間に形成したアモルファ
ス層と、２種類の金属の組み合わせでさらにφ８の制御
範囲を広げるものである。
ス層と、２種類の金属の組み合わせでさらにφ８の制御
範囲を広げるものである。
例えば、前記凸部のφ、を０．５１ ｅ Ｖ、凹部φ３
を０．９６ｅＶとしたダイオードを作製したい場合を考
える。金属にＴ１とＡｌを選ぶと、Ｔｉとｎ型Ｓｉとの
φ８は０．５１ｅＶであり、Ａｌとｎ型Ｓｉとのφ８は
０．７６ｅＶである。凸部の表面はＴ１を被着すること
によってφ、は０．５１ｅＶになる。一方、凹部にはＡ
ｔを被着するがそれだけではφ８は０．７６ ｅ Ｖと
なってしまうので、Ａｌとｎ型Ｓｉとの間に水素を含ん
だアモルファス層を形成することで、凹部では０．９６
ｅＶのφ８が達成できる。で、金属がＡｌでもφ８が高
いダイオードが作製できる。
を０．９６ｅＶとしたダイオードを作製したい場合を考
える。金属にＴ１とＡｌを選ぶと、Ｔｉとｎ型Ｓｉとの
φ８は０．５１ｅＶであり、Ａｌとｎ型Ｓｉとのφ８は
０．７６ｅＶである。凸部の表面はＴ１を被着すること
によってφ、は０．５１ｅＶになる。一方、凹部にはＡ
ｔを被着するがそれだけではφ８は０．７６ ｅ Ｖと
なってしまうので、Ａｌとｎ型Ｓｉとの間に水素を含ん
だアモルファス層を形成することで、凹部では０．９６
ｅＶのφ８が達成できる。で、金属がＡｌでもφ８が高
いダイオードが作製できる。
第３図（ａ）（ｂ）は本発明の一実施例を示す平面図及
び断面図、第４図はその動作説明図でＡ及びＢはショッ
トキバリアダイオードの電極、ｌはショットキバリア形
成金属でバリア高さφ、の大きな金属、２は表面保護膜
、３はバリア高さφ−の低い金属、例えばＴ ｌ ｓ
４は高いφ３を有するアモルファス状の半導体、５は半
導体、６は半導体５の中に形成された５とは反対の導電
型層で、−船釣にはガードリング、と呼ばれる領域であ
る。
び断面図、第４図はその動作説明図でＡ及びＢはショッ
トキバリアダイオードの電極、ｌはショットキバリア形
成金属でバリア高さφ、の大きな金属、２は表面保護膜
、３はバリア高さφ−の低い金属、例えばＴ ｌ ｓ
４は高いφ３を有するアモルファス状の半導体、５は半
導体、６は半導体５の中に形成された５とは反対の導電
型層で、−船釣にはガードリング、と呼ばれる領域であ
る。
７は５と同じ導電型の低抵抗半導体層、８は電極金属で
ある。
ある。
なお半導体５の表面は凹凸形状に形成され、凸部上部の
略平面にバリア高さφ、の小さい金属３を形成する。
略平面にバリア高さφ、の小さい金属３を形成する。
次に本発明構造のショットキバリアダイオードの動作原
理を以下に説明する０本構造はいわば小バリア高さのシ
ョットキバリアダイオードと、大バリア高さのショット
キバリアダイオードを併列接続した等価回路で表現され
る。
理を以下に説明する０本構造はいわば小バリア高さのシ
ョットキバリアダイオードと、大バリア高さのショット
キバリアダイオードを併列接続した等価回路で表現され
る。
従って、Ａ電極が正、Ｂ電極が負の順方向電界が印加さ
れると、まず、小バリア高さの接合部においてバリア高
さの大きな接合よりも先に電子が金属３から金属１を通
ってＡに流れ込む、金属３をＴｉで形成した場合には電
流密度２０ＯＡ／ｄ程度までは、はとんど小バリア高さ
ショットキバリアダイオードのＪＦＶＦ特性が支配的に
なる。
れると、まず、小バリア高さの接合部においてバリア高
さの大きな接合よりも先に電子が金属３から金属１を通
ってＡに流れ込む、金属３をＴｉで形成した場合には電
流密度２０ＯＡ／ｄ程度までは、はとんど小バリア高さ
ショットキバリアダイオードのＪＦＶＦ特性が支配的に
なる。
そして電流密度３００Ａ／ｃｄ以上でようやく大バリア
高さショットキバリアダイオードの接合面積及びバリア
高さφおを横切る順方向電流の重なりが、小バリア接合
面積で大電流順方向電流が流れ難いのを補助するように
効いてくる。
高さショットキバリアダイオードの接合面積及びバリア
高さφおを横切る順方向電流の重なりが、小バリア接合
面積で大電流順方向電流が流れ難いのを補助するように
効いてくる。
一方逆方向特性は、Ａ電極に負、Ｂ電極が正に印加され
ると、金属／半導体接合がら空乏層が半導体側に形成さ
れ、逆方向印加電圧の上昇と伴に拡がって来る。
ると、金属／半導体接合がら空乏層が半導体側に形成さ
れ、逆方向印加電圧の上昇と伴に拡がって来る。
逆方向電圧が印加されると、第４図に示すように金属３
から拡がって来る空乏層（イ）が凸部の巾ａと半導体５
のＳＢＤを埋めるまでは金属３と半導体５が形成する接
合から伸びてくる空乏層内での再結合電流が逆方向電流
の大部分を占める。
から拡がって来る空乏層（イ）が凸部の巾ａと半導体５
のＳＢＤを埋めるまでは金属３と半導体５が形成する接
合から伸びてくる空乏層内での再結合電流が逆方向電流
の大部分を占める。
凸部の巾ａが金属１とアモルファス半導体４の接合から
伸びてくる空乏層で埋められた（口）、ピンチオフ電圧
Ｖ、からは、金属３と半導体５が形成するショットキバ
リア接合にかかる電界Ｅはほぼ固定され、その後逆方向
電圧が大きくなっても金属３と半導体５接合の電界Ｅは
増大しないため、はぼ金属３シヨツトキバリアを横切る
再結合電流Ｊ。Ｊ２はＶ、よりも高い電圧領域でほぼ一
定値となる。
伸びてくる空乏層で埋められた（口）、ピンチオフ電圧
Ｖ、からは、金属３と半導体５が形成するショットキバ
リア接合にかかる電界Ｅはほぼ固定され、その後逆方向
電圧が大きくなっても金属３と半導体５接合の電界Ｅは
増大しないため、はぼ金属３シヨツトキバリアを横切る
再結合電流Ｊ。Ｊ２はＶ、よりも高い電圧領域でほぼ一
定値となる。
いいかえれば、小さなショットキバリア高さφ。
の接合を横切る漏れ電流を、■、電圧以後は小さな値に
抑えることが出来る。
抑えることが出来る。
■、後も電圧印加すると、金属１から伸びる空乏層は電
圧降伏するまで伸びる（ハ）が大きなφ。
圧降伏するまで伸びる（ハ）が大きなφ。
値を持つＳＢＤ接合が形成する空乏層の再結合電流Ｊｓ
ｍｘ、は比較的小さい漏れ電流値となる。
ｍｘ、は比較的小さい漏れ電流値となる。
〈実施例〉
Ｎ型シリコンエピタキシアルウェハーの一部にアモルフ
ァス状のシリコン層を形成する例を以下に説明する。
ァス状のシリコン層を形成する例を以下に説明する。
ヒ素不純物原子をドープした比抵抗０．００３Ω・国厚
さ４００μｍのシリコン基板７上にリンを不純物原子と
した比抵抗０．５Ω・国のエピタキシアルシリコン層５
を６μｍ堆積させる。
さ４００μｍのシリコン基板７上にリンを不純物原子と
した比抵抗０．５Ω・国のエピタキシアルシリコン層５
を６μｍ堆積させる。
スチーム酸化処理で約１μｍ厚さのＳ ｉ Ｏｘ膜を形
成し、ガードリング部分のみの酸化膜を除去する第１次
の写真処理を行う、その後、フッ酸系のエツチング液で
ガードリング部を窓開けする。
成し、ガードリング部分のみの酸化膜を除去する第１次
の写真処理を行う、その後、フッ酸系のエツチング液で
ガードリング部を窓開けする。
イオン注入でボロン原子を約Ｉ Ｘ １０ ”ａｎ−”
を５０ｋｅＶで打ち込み、１１００℃、３０分、０２雰
囲気でアニール拡散してガードリング部６（Ｐ＋拡散）
３μｍを形成する。
を５０ｋｅＶで打ち込み、１１００℃、３０分、０２雰
囲気でアニール拡散してガードリング部６（Ｐ＋拡散）
３μｍを形成する。
次に、第２次写真を施し、Ｔｉを蒸着する領域の酸化膜
を除去し、なおかつＴｉの蒸着に先立って、種々の結晶
格子歪みを含んでいる表面Ｓｉを約１０００〜２０００
人エツチングして取り去る。前記前処理の直後に、Ｔｌ
を電子ビーム蒸着する。膜厚は約３０００〜３５００人
とする。
を除去し、なおかつＴｉの蒸着に先立って、種々の結晶
格子歪みを含んでいる表面Ｓｉを約１０００〜２０００
人エツチングして取り去る。前記前処理の直後に、Ｔｌ
を電子ビーム蒸着する。膜厚は約３０００〜３５００人
とする。
第３次写真を施し、２．５Ｘ２．５μｍ角のＴｉパター
ンが残るような写真パターンで、Ｔｉ膜温湿式エツチン
グ行う、Ｔ１エツチング液組成はＨｔＯ２１容、ＥＤＴ
Ａ２溶の混合液を６５℃±２℃に加温すると約３分間で
Ｔｉ膜をエツチングすることができる。
ンが残るような写真パターンで、Ｔｉ膜温湿式エツチン
グ行う、Ｔ１エツチング液組成はＨｔＯ２１容、ＥＤＴ
Ａ２溶の混合液を６５℃±２℃に加温すると約３分間で
Ｔｉ膜をエツチングすることができる。
なお、ガードリング内側の面積は０．０１ａ＋ｆとした
。次に第４次写真としてＴｉパターンの上からＴ１膜部
がホトレジストで被われて、Ｔｉ部以外のシリコン部に
２×２μｍの正方形にエツチング掘り込むパターンを約
０．７５μｍの微細加工が可能なステッパーアライメン
トを用いて写真処理する。この時、６０００人厚のポジ
レジストを塗布する６ ＲＩ Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｂｅｒ
）を使用して、ＣＣ１２Ｆ ｚガスを導入して、約５ｍ
Ｔｏｒｒに調整したら約２ｋＷの電力を投入して、約３
μｍ深さで開口部が約３μｍを約７〜８分でエツチング
する。
。次に第４次写真としてＴｉパターンの上からＴ１膜部
がホトレジストで被われて、Ｔｉ部以外のシリコン部に
２×２μｍの正方形にエツチング掘り込むパターンを約
０．７５μｍの微細加工が可能なステッパーアライメン
トを用いて写真処理する。この時、６０００人厚のポジ
レジストを塗布する６ ＲＩ Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｂｅｒ
）を使用して、ＣＣ１２Ｆ ｚガスを導入して、約５ｍ
Ｔｏｒｒに調整したら約２ｋＷの電力を投入して、約３
μｍ深さで開口部が約３μｍを約７〜８分でエツチング
する。
はぼＵ字形にエツチングする。こうしてａ＃２ａｍ、ｆ
＝３μｍ、ｈ＝３μｍの凹凸形状９がほぼできた６ なお、Ｓｉエツチング形状の制御は、Ｓｉエツチングガ
スの種類をＣＦ４、ＮＦ、等のＦ系、Ｃ’Ｃ１４、ＣＣ
１ｚＦ２等のＣＩ系ガスの比率を調整することにより、
深さに対する上部開口部の距離を調整することも可能で
ある。
＝３μｍ、ｈ＝３μｍの凹凸形状９がほぼできた６ なお、Ｓｉエツチング形状の制御は、Ｓｉエツチングガ
スの種類をＣＦ４、ＮＦ、等のＦ系、Ｃ’Ｃ１４、ＣＣ
１ｚＦ２等のＣＩ系ガスの比率を調整することにより、
深さに対する上部開口部の距離を調整することも可能で
ある。
ＲＩＥによるＳｉエツチング後、プラズマダメージ層を
除去するために、約２００〜５００人のＳｌをＨ２Ｏ２
、Ｎ Ｈ４Ｆ −Ｈｘ Ｏの混合液からなるＳｉエツチ
ング液で除去し、引き続き表面の酸化膜をフッ酸系のエ
ツチング液で全面除去する。
除去するために、約２００〜５００人のＳｌをＨ２Ｏ２
、Ｎ Ｈ４Ｆ −Ｈｘ Ｏの混合液からなるＳｉエツチ
ング液で除去し、引き続き表面の酸化膜をフッ酸系のエ
ツチング液で全面除去する。
次に、ＲＩＥを使用して、水素ガスを導入し、約５ｍＴ
ｏｒｒに調整したら、約２ｋＷの電力を投入し、プラズ
マ放電させる。水素プラズマに晒されたガードリング内
側のＳｉ表面にはアモルファス状のシリコン層４が形成
される。
ｏｒｒに調整したら、約２ｋＷの電力を投入し、プラズ
マ放電させる。水素プラズマに晒されたガードリング内
側のＳｉ表面にはアモルファス状のシリコン層４が形成
される。
なお、アモルファスシリコン層の膜厚・性質などはＲＩ
Ｅの条件、圧力、パワー、導入するガスの種類等を変え
ることにより制御することも可能である。
Ｅの条件、圧力、パワー、導入するガスの種類等を変え
ることにより制御することも可能である。
次にＡ１Φを蒸着する。ＡｌをＵ字形Ｓｉの底部／′４
側面に充分回らせるため、蒸着入射角とウェハーの自転
、公転の角度及び回転速度を調整し、実用上問題ない程
度に改善した。ＡＩの膜厚は約５０００人とし、引き続
きＣｒ及びＮｉ蒸着を同一真空蒸着室内で通常方法にて
行った。ＣｒはＡ１及びＮｉの拡散バリア金属の役目を
する。また、Ｓｌウェハーの裏面にもＣｒ ／Ｎ ｉ蒸
着を引き続き処理する。
側面に充分回らせるため、蒸着入射角とウェハーの自転
、公転の角度及び回転速度を調整し、実用上問題ない程
度に改善した。ＡＩの膜厚は約５０００人とし、引き続
きＣｒ及びＮｉ蒸着を同一真空蒸着室内で通常方法にて
行った。ＣｒはＡ１及びＮｉの拡散バリア金属の役目を
する。また、Ｓｌウェハーの裏面にもＣｒ ／Ｎ ｉ蒸
着を引き続き処理する。
次に、パターン面のＡ電極必要領域にのみＡＩ／ Ｃｒ
／ Ｎ ｉが存在するように第４次写真を行う。
／ Ｎ ｉが存在するように第４次写真を行う。
Ｎ１のエツチング液は塩化第２鉄系のエツチング液で、
Ｃｒは硝酸第２セリウム系のエツチング液で、さらにＡ
ｌは公知のＨｚ Ｐ ＯＡ系のエツチング液でエツチン
グした・ その後、ウェハー上のＮｉ面にＰｂ−５ｎ系ハンダを溶
融、チップをダイシングし、通常の工程にて、ショット
キバリアダイオードチップを完成させた。
Ｃｒは硝酸第２セリウム系のエツチング液で、さらにＡ
ｌは公知のＨｚ Ｐ ＯＡ系のエツチング液でエツチン
グした・ その後、ウェハー上のＮｉ面にＰｂ−５ｎ系ハンダを溶
融、チップをダイシングし、通常の工程にて、ショット
キバリアダイオードチップを完成させた。
以上の製作工程により、丈−ドリング内側面積０．０１
ｄ、Ｔｉシリコンショットキ面積７．４８Ｘ１０３−１
ａ＝２１ｍ Ａ Ｉ−アモルファスシリコンショットキ
領域 ｆ・３ｐｍを完成させた。第５図（ａ）（ｂ）は
従来例と比較した本発明ダイオードの特性図で（ａ）は
順方向特性図、（ｂ）は逆方向特性図で図中各々（イ）
は従来例、（ロ）は本発明実施例の特性を示す、即ち本
実施例による順方向特性（ロ）は’Ｊ 、 ＝ ０．３
３ ｖ ｏ ｌ ｔ （ａｔ ２００Ａｍｐ／ｍ）であ
り、従来構造（イ）のＴｉ ＳＢＤ Ｖ、＝０．２
９４ｖｏｌｔとほとんど同程度である。しかし、逆方向
特性において本実施例では特性（ロ）に示来構造のＴｉ
バリアダイオードではエト＝１３ｍＡであり漏れ電流は
１／ｌ Ｏ７に減少した。従って、本実施例によるダイ
オードを整流回路に適用すると、損失を減少できた。
ｄ、Ｔｉシリコンショットキ面積７．４８Ｘ１０３−１
ａ＝２１ｍ Ａ Ｉ−アモルファスシリコンショットキ
領域 ｆ・３ｐｍを完成させた。第５図（ａ）（ｂ）は
従来例と比較した本発明ダイオードの特性図で（ａ）は
順方向特性図、（ｂ）は逆方向特性図で図中各々（イ）
は従来例、（ロ）は本発明実施例の特性を示す、即ち本
実施例による順方向特性（ロ）は’Ｊ 、 ＝ ０．３
３ ｖ ｏ ｌ ｔ （ａｔ ２００Ａｍｐ／ｍ）であ
り、従来構造（イ）のＴｉ ＳＢＤ Ｖ、＝０．２
９４ｖｏｌｔとほとんど同程度である。しかし、逆方向
特性において本実施例では特性（ロ）に示来構造のＴｉ
バリアダイオードではエト＝１３ｍＡであり漏れ電流は
１／ｌ Ｏ７に減少した。従って、本実施例によるダイ
オードを整流回路に適用すると、損失を減少できた。
第６図は本発明の他の実施例を示す断面図で、上記実施
例と相違する点は凸部の略表面にアモルファス半導体層
４′を形成してバリヤ高さ（φカ）を低くした点にある
。因みにバリヤ高さを低くするためのアモルファス半導
体層４′はプラズマ放電の際にＡｒガスを導入してＡｒ
プラズマに晒すことにより形成できる。
例と相違する点は凸部の略表面にアモルファス半導体層
４′を形成してバリヤ高さ（φカ）を低くした点にある
。因みにバリヤ高さを低くするためのアモルファス半導
体層４′はプラズマ放電の際にＡｒガスを導入してＡｒ
プラズマに晒すことにより形成できる。
第１図は従来のショットキバリアダイオードの説明図、
第２図は各種バリアメタルによる従来のショットキバリ
アダイオードの整流特性図、第３図（ａ）（ｂ）は本発
明の一実施例の平面図及び断面図、第４図は動作説明図
、第５図は従来例を比較した本発明実施例の特性図、第
６図は本発明の他の実施例図である。
第２図は各種バリアメタルによる従来のショットキバリ
アダイオードの整流特性図、第３図（ａ）（ｂ）は本発
明の一実施例の平面図及び断面図、第４図は動作説明図
、第５図は従来例を比較した本発明実施例の特性図、第
６図は本発明の他の実施例図である。
Claims (4)
- （１）半導体基板の表面を凹凸形状に形成し、該凹凸表
面にショットキバリア金属を設けたショットキバリアダ
イオードにおいて、 バリア高さ（φ＿■）の異なる複数の金属が凹凸形状の
半導体表面に設けてあり、前記凹凸表面の少なくとも一
表面をアモルファス状半導体層により形成したことを特
徴とするショットキバリアダイオード。 - （２）アモルファス状半導体層を凸部表面に形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のショッ
トキバリアダイオード。 - （３）アモルファス状半導体層を凹部表面に形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のショッ
トキバリアダイオード。 - （４）アモルファス状半導体層が水素を含有することを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項、第（２）項及び
第（３）項記載のショットキバリアダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27421890A JPH04148565A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | ショットキバリアダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27421890A JPH04148565A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | ショットキバリアダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04148565A true JPH04148565A (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=17538677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27421890A Pending JPH04148565A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | ショットキバリアダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04148565A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361696B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2002-11-22 | 주식회사 케이이씨 | 쇼트키베리어다이오드 및 그 제조방법 |
| JP2020038987A (ja) * | 2015-02-11 | 2020-03-12 | インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト | ショットキー接触部を有する半導体デバイスを製造するための方法 |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP27421890A patent/JPH04148565A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361696B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2002-11-22 | 주식회사 케이이씨 | 쇼트키베리어다이오드 및 그 제조방법 |
| JP2020038987A (ja) * | 2015-02-11 | 2020-03-12 | インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト | ショットキー接触部を有する半導体デバイスを製造するための方法 |
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