JPH04149083A - 高温耐酸化炭素材料 - Google Patents
高温耐酸化炭素材料Info
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- JPH04149083A JPH04149083A JP2269423A JP26942390A JPH04149083A JP H04149083 A JPH04149083 A JP H04149083A JP 2269423 A JP2269423 A JP 2269423A JP 26942390 A JP26942390 A JP 26942390A JP H04149083 A JPH04149083 A JP H04149083A
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Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高温耐酸化炭素材料、更に詳しくは高温耐酸化
防止対策が施された断熱用炭素材、炭素繊維、炭素−炭
素複合材料等に関し、特に宇宙往還機の耐熱構造材の外
、ガスタービン、ジェットエンジン等用の高温部材に有
利に適用できる高温耐酸化炭素材料に関する。
防止対策が施された断熱用炭素材、炭素繊維、炭素−炭
素複合材料等に関し、特に宇宙往還機の耐熱構造材の外
、ガスタービン、ジェットエンジン等用の高温部材に有
利に適用できる高温耐酸化炭素材料に関する。
黒鉛あるいは炭素繊維強化炭素複合材料(以下、C/C
複合材と略称する)の高温耐酸化被覆として既に実用化
されているのは炭化ケイ素(Sin)によるもので、そ
の代表的な例を第2図によって説明する。第2図中、1
は炭素質基材、2はSi0層、4は5102層である。
複合材と略称する)の高温耐酸化被覆として既に実用化
されているのは炭化ケイ素(Sin)によるもので、そ
の代表的な例を第2図によって説明する。第2図中、1
は炭素質基材、2はSi0層、4は5102層である。
Si0層2は炭素質基材1の表面をSiと反応させるか
、あるいは化学的又は物理的蒸着によって形成される。
、あるいは化学的又は物理的蒸着によって形成される。
又、二酸化ケイ素(SiO3)層5で、Si0層2に発
生する亀裂を封止する目的で塗付等の方法により形成さ
れる。このSi0層2並びにSiO□層5が黒鉛あるい
はC/C複合材料の耐酸化被覆として機能するものであ
る。
生する亀裂を封止する目的で塗付等の方法により形成さ
れる。このSi0層2並びにSiO□層5が黒鉛あるい
はC/C複合材料の耐酸化被覆として機能するものであ
る。
すなわち、SiO2層5は1200℃以上の高温で溶融
すると酸素を透過し難い層として作用する。また、81
0層2は自己の酸化によって5tOaとなる性質を有す
ることから、S+02層5との接合性も良好であり、一
方、炭素質基材の表面を改質して形成した層であること
から、基材との接合性も良好である。810層2の作用
としては、この基材(炭素)とSiL層5を接合すると
ともに、基材(炭S)と5in2の直接の接触による炭
素の酸化(−酸化炭素の発生)、消耗を防ぐ機能が期待
されている(以上、参考文献:米国特許4.47192
3号明細書など) 次に、同じく炭素質基材の耐酸化被覆としてイリジウム
(mの適用について報告されている。この代表例を第3
図によって説明する。第3図中、1は炭素質基材、7は
b層、6は炭化チタン(TiC)又は炭化ハフニウム(
llf(1’)層である。Ir層7を基材(炭素)1の
上に化学的、物理的蒸着法、電着などの手法により直接
形成してもよいが、更に、b層7と基材1の密着性を上
げるため、先ずTiC層、)IfCfC層化学的蒸着法
によって基材1の上に形成しその後、11層7を被覆す
ることもある。Ir層7は酸素を透過し難く前述の81
02層に相当する層として作用する。TiC、Hf[:
等の炭化物層6はbと反応して、b−Ti、 Ir−H
fの金属間化合物を形成する。また、これらの炭化物は
Irに比べると炭素を含むため基材(炭素)1との親和
性がよいことが期待できる。この2点からTiC、t(
fC層をIr層と基材との密着性向上に利用しようとい
うものである(以上、参考文献: J、M、Cr1sc
ione 、 R,A。
すると酸素を透過し難い層として作用する。また、81
0層2は自己の酸化によって5tOaとなる性質を有す
ることから、S+02層5との接合性も良好であり、一
方、炭素質基材の表面を改質して形成した層であること
から、基材との接合性も良好である。810層2の作用
としては、この基材(炭素)とSiL層5を接合すると
ともに、基材(炭S)と5in2の直接の接触による炭
素の酸化(−酸化炭素の発生)、消耗を防ぐ機能が期待
されている(以上、参考文献:米国特許4.47192
3号明細書など) 次に、同じく炭素質基材の耐酸化被覆としてイリジウム
(mの適用について報告されている。この代表例を第3
図によって説明する。第3図中、1は炭素質基材、7は
b層、6は炭化チタン(TiC)又は炭化ハフニウム(
llf(1’)層である。Ir層7を基材(炭素)1の
上に化学的、物理的蒸着法、電着などの手法により直接
形成してもよいが、更に、b層7と基材1の密着性を上
げるため、先ずTiC層、)IfCfC層化学的蒸着法
によって基材1の上に形成しその後、11層7を被覆す
ることもある。Ir層7は酸素を透過し難く前述の81
02層に相当する層として作用する。TiC、Hf[:
等の炭化物層6はbと反応して、b−Ti、 Ir−H
fの金属間化合物を形成する。また、これらの炭化物は
Irに比べると炭素を含むため基材(炭素)1との親和
性がよいことが期待できる。この2点からTiC、t(
fC層をIr層と基材との密着性向上に利用しようとい
うものである(以上、参考文献: J、M、Cr1sc
ione 、 R,A。
Mercuri 、 E、P、Schram 、
八、W、Sm1th 、 and H,F。
八、W、Sm1th 、 and H,F。
Volk 、 ”High Temperature
Protective Coatings for G
raphite” ML−TDR−64−173Par
tII Oct。
Protective Coatings for G
raphite” ML−TDR−64−173Par
tII Oct。
1974 、 J、R,5trife 、 J、G、S
meggil and W、L。
meggil and W、L。
Worrell “Reaction of I
ridium 1vith MetalCaebi
des in tbe Temporature
Range of 1923to 2400
K” J、Am、(:er、Soc、、 73 (4
) P 83445 、 1990など) 〔発明が解決しようとする課題〕 まず、SlO□とSiCを耐酸化被覆として使用する方
法では、以下の問題点がある。ずなわち、Sin。とS
iCとCが共存する系では、1500℃以上で生成する
ガスの総蒸気圧が1気圧を超えるため、5I02の被膜
内に気泡が発生し、被膜が破壊され耐酸化の機能が損な
われる(出典:G。
ridium 1vith MetalCaebi
des in tbe Temporature
Range of 1923to 2400
K” J、Am、(:er、Soc、、 73 (4
) P 83445 、 1990など) 〔発明が解決しようとする課題〕 まず、SlO□とSiCを耐酸化被覆として使用する方
法では、以下の問題点がある。ずなわち、Sin。とS
iCとCが共存する系では、1500℃以上で生成する
ガスの総蒸気圧が1気圧を超えるため、5I02の被膜
内に気泡が発生し、被膜が破壊され耐酸化の機能が損な
われる(出典:G。
H,5chiroky 、 R,T、Pr1ce
、 J、E、5beehan 、 G、A。
、 J、E、5beehan 、 G、A。
Technologies Report G八−
A 18696 (1,986) )従って、S
lO,とSiCを耐酸化被覆として利用する方法では安
定して使用できる温度の上限が1500℃付近となるた
め、これを超える温度での長時間の使用は難しい。
A 18696 (1,986) )従って、S
lO,とSiCを耐酸化被覆として利用する方法では安
定して使用できる温度の上限が1500℃付近となるた
め、これを超える温度での長時間の使用は難しい。
次に、Irを耐酸化被覆として使用する方法では以下の
問題点がある。すなわち、Irは炭化物を形成せず、ま
た炭素の固溶限も低いた?hlrと炭素質基材の界面の
接合性は非常に悪い。その上1rの熱膨張率は8〜10
x 10−s/l: (1000℃以上)であるのに
対し炭素質基材は一般に熱膨張率が小さく、特にC/C
複合材料の場合1〜2X10−6/を程度であることか
ら、熱膨張率の差によって昇降温の際、界面に熱応力が
発生し容易に被膜が剥離する。
問題点がある。すなわち、Irは炭化物を形成せず、ま
た炭素の固溶限も低いた?hlrと炭素質基材の界面の
接合性は非常に悪い。その上1rの熱膨張率は8〜10
x 10−s/l: (1000℃以上)であるのに
対し炭素質基材は一般に熱膨張率が小さく、特にC/C
複合材料の場合1〜2X10−6/を程度であることか
ら、熱膨張率の差によって昇降温の際、界面に熱応力が
発生し容易に被膜が剥離する。
また、炭素質基材とIr層との間にTiC、HfCを化
学蒸着する従来例においては、lrと炭化物の接合性は
界面反応によって獲得できる可能性はある。しかしTi
C0熱膨張率は約8X10−6/℃、HfCの熱膨張率
は約7xlO−’/lとIrと同程度であるため、炭素
質基材との熱膨張率差は大きく、更に蒸着によって形成
されたTiC。
学蒸着する従来例においては、lrと炭化物の接合性は
界面反応によって獲得できる可能性はある。しかしTi
C0熱膨張率は約8X10−6/℃、HfCの熱膨張率
は約7xlO−’/lとIrと同程度であるため、炭素
質基材との熱膨張率差は大きく、更に蒸着によって形成
されたTiC。
HfCと炭素質基材との界面で反応が活発に起こるとは
考えられないことから、この界面が熱応力によって剥離
するという課題は依然として残る。
考えられないことから、この界面が熱応力によって剥離
するという課題は依然として残る。
更に万一1rの被覆層が剥離その他の損傷を受けた場合
、Irを直接炭素質基材に被覆した例では、炭素質基材
が直接高温にさらされることとなり瞬時のうちに焼損し
、炭素質基材を使用する機器全体への損害が大きい。ま
た、TiC、HfC層を介してIrを被覆した例で仮に
TiC、HfC層のみが残存したとしても、これらの炭
化物表面の酸化によって生じる酸化膜、すなわち酸化チ
タン、酸化ハフニウムはSiCにおけるSiO2の如き
酸素を透過し難い性質をもたないため、炭素質基材の酸
化を防ぐための役割を果し得ない。
、Irを直接炭素質基材に被覆した例では、炭素質基材
が直接高温にさらされることとなり瞬時のうちに焼損し
、炭素質基材を使用する機器全体への損害が大きい。ま
た、TiC、HfC層を介してIrを被覆した例で仮に
TiC、HfC層のみが残存したとしても、これらの炭
化物表面の酸化によって生じる酸化膜、すなわち酸化チ
タン、酸化ハフニウムはSiCにおけるSiO2の如き
酸素を透過し難い性質をもたないため、炭素質基材の酸
化を防ぐための役割を果し得ない。
本発明は上記技術水準に鑑み、従来材料におけるような
問題点のない高温耐酸化炭素材料を提供しようとするも
のである。
問題点のない高温耐酸化炭素材料を提供しようとするも
のである。
本発明は炭素質基材の表面に、(a)炭化ケイ素を主成
分とする炭化物層からなる薄膜と、(b)Hf 、
Zr 、 Si 、 Cr 、 Ti 、 T
a 、 Nb及びA1のうちのいずれかの薄膜と、(
c) Ir 、 Ru及びRhのいずれかの薄膜を順次
形成させてなることを特徴とする高温耐酸化炭素材料で
ある。
分とする炭化物層からなる薄膜と、(b)Hf 、
Zr 、 Si 、 Cr 、 Ti 、 T
a 、 Nb及びA1のうちのいずれかの薄膜と、(
c) Ir 、 Ru及びRhのいずれかの薄膜を順次
形成させてなることを特徴とする高温耐酸化炭素材料で
ある。
まず、SiCとSin、を耐酸化被覆として使用する従
来技術において課題となっている1500℃以上で安定
して使用できないという点に対して、本発明では炭素質
基材表面に形成されたSiCを主成分とする炭化物層(
SiCとC)の上に、Ir、Ru及びRhを被!すると
いう手段によって解決を図っている。SiCは酸化され
ない限り2600℃付近まで安定であり、ir、Ru及
びRhによって被覆された状態であるたb1500℃以
上の温度でも使用可能となり、Rhを被覆したものは1
800〜1850t’、Ir、Ruを被覆したものは最
高2000を付近まで使用可能となる。
来技術において課題となっている1500℃以上で安定
して使用できないという点に対して、本発明では炭素質
基材表面に形成されたSiCを主成分とする炭化物層(
SiCとC)の上に、Ir、Ru及びRhを被!すると
いう手段によって解決を図っている。SiCは酸化され
ない限り2600℃付近まで安定であり、ir、Ru及
びRhによって被覆された状態であるたb1500℃以
上の温度でも使用可能となり、Rhを被覆したものは1
800〜1850t’、Ir、Ruを被覆したものは最
高2000を付近まで使用可能となる。
次に、Ir単相を直接炭素質基材の上に被覆する従来技
術において課題となっている。b被覆層との界面の接合
性が不充分で剥離し易いという点に対しては、本発明で
はSiCを主成分とする炭化物層の上にHfなどの金属
の薄膜を形成し、その後、b 、Ru及びRhを被覆す
る方法により解決を図っている。Hfなどの金属の薄膜
は予備的な加熱処理か、または最初の使用時の加熱の効
果でIr 、 Ru及びRhともSiCとも反応して界
面の密着性を向上させる役割を担う。
術において課題となっている。b被覆層との界面の接合
性が不充分で剥離し易いという点に対しては、本発明で
はSiCを主成分とする炭化物層の上にHfなどの金属
の薄膜を形成し、その後、b 、Ru及びRhを被覆す
る方法により解決を図っている。Hfなどの金属の薄膜
は予備的な加熱処理か、または最初の使用時の加熱の効
果でIr 、 Ru及びRhともSiCとも反応して界
面の密着性を向上させる役割を担う。
更に、Irと炭素質基材との間にTiC、HfCを蒸着
により被覆する従来技術と、Irを直接炭素質基材に被
覆する従来技術との双方にとっての課題であるIrまた
はTiC、flfcと炭素質基材との熱膨張率の差に起
因する熱応力による剥離に対しては、本発明では以下の
手段により解決を図っている。すなわち、Ir、Ru及
びRhの薄膜はSICを主成分とする炭化物層と接合さ
れており、SiCCD熱膨張率1k 5〜6 X 10
−’/ を程度で炭素質基材(特にC/C複合材料)と
比べてIr 、 Ru及びRhとの熱膨張率の差が小さ
いため、温度変動によって生じる熱応力が小さい。その
上、SiCを主成分とする炭化物層とIr、Ru及びR
hの層間には、両者と反応し易い金属(Hf。
により被覆する従来技術と、Irを直接炭素質基材に被
覆する従来技術との双方にとっての課題であるIrまた
はTiC、flfcと炭素質基材との熱膨張率の差に起
因する熱応力による剥離に対しては、本発明では以下の
手段により解決を図っている。すなわち、Ir、Ru及
びRhの薄膜はSICを主成分とする炭化物層と接合さ
れており、SiCCD熱膨張率1k 5〜6 X 10
−’/ を程度で炭素質基材(特にC/C複合材料)と
比べてIr 、 Ru及びRhとの熱膨張率の差が小さ
いため、温度変動によって生じる熱応力が小さい。その
上、SiCを主成分とする炭化物層とIr、Ru及びR
hの層間には、両者と反応し易い金属(Hf。
2r、 Si、 Cr、 Ti、 Ta、 Nb及びA
l)を被覆し、加熱による反応層形成で界面の接合性が
高められているため剥離し難い。
l)を被覆し、加熱による反応層形成で界面の接合性が
高められているため剥離し難い。
SiCを主成分とする炭化物層と炭素質基材の界面形成
法については、既に、従来技術としである炭素質基材と
Siのような炭化物形成元素を反応させ、炭素質基材表
面を炭化物化する手法により炭化物層を形成する手段を
利用して炭素と炭化物の存在比率が徐々に変わるように
して熱応力が集中せず剥離し難い界面を得ることも可能
である。
法については、既に、従来技術としである炭素質基材と
Siのような炭化物形成元素を反応させ、炭素質基材表
面を炭化物化する手法により炭化物層を形成する手段を
利用して炭素と炭化物の存在比率が徐々に変わるように
して熱応力が集中せず剥離し難い界面を得ることも可能
である。
Irを被覆層として用いる従来技術でもう一つの共通の
課題であるところのIr層が損傷を受けた後の炭素質基
材の急激な焼損に対しては、本発明ではだとえIr、R
u及びRhの層が損傷を受けたとしても、中間層となる
SiCが耐酸化性を示すた杓、炭素質基材の急激な焼損
を抑止することが期待できる。
課題であるところのIr層が損傷を受けた後の炭素質基
材の急激な焼損に対しては、本発明ではだとえIr、R
u及びRhの層が損傷を受けたとしても、中間層となる
SiCが耐酸化性を示すた杓、炭素質基材の急激な焼損
を抑止することが期待できる。
本発明の高温耐酸化炭素材料の構成を第1図によって更
に詳述する。
に詳述する。
第1図中、1は炭素質基材で、2は膜厚1o。
μm程度のSiCを主成分とする炭化物層薄膜であり、
3はHf、 Zr、 Si、 Cr、 Ti、 Ta、
Nb及びA1のいずれかの金属薄膜であり、この金属
層薄膜3は化学蒸着、物理蒸着、電着等の手法により形
成されたものであって、その膜厚は1〜10μm程度の
ものである。4はす、Ru及びRhの薄膜であり、この
薄膜4も化学蒸着、物理蒸着、電着等の手法により形成
することができ、その膜厚は10〜100μm程度のも
のである。
3はHf、 Zr、 Si、 Cr、 Ti、 Ta、
Nb及びA1のいずれかの金属薄膜であり、この金属
層薄膜3は化学蒸着、物理蒸着、電着等の手法により形
成されたものであって、その膜厚は1〜10μm程度の
ものである。4はす、Ru及びRhの薄膜であり、この
薄膜4も化学蒸着、物理蒸着、電着等の手法により形成
することができ、その膜厚は10〜100μm程度のも
のである。
SiCを主成分とする炭化物層薄膜2は炭素質基材1と
Ir、Ru及びRh薄膜4の熱膨張率の差を徐々に変化
させる役目を有する。また、b 。
Ir、Ru及びRh薄膜4の熱膨張率の差を徐々に変化
させる役目を有する。また、b 。
Ru及びRh薄膜4が損傷を受けた場合、−時的に炭素
質基材を急激な焼損から保護する。次に、Hf、 2r
、 Si、 Cr、 Ti、 Ta、 Nb及びA1の
金属薄膜3は化学蒸着、物理蒸着等による被膜形成時の
加熱や、最初に高温で使用した際の加熱の効果によって
、SiCを主成分とする炭化物層薄膜2Ir、Ru及び
Rh薄膜4と反応し、界面の密着性向上の役割を担う。
質基材を急激な焼損から保護する。次に、Hf、 2r
、 Si、 Cr、 Ti、 Ta、 Nb及びA1の
金属薄膜3は化学蒸着、物理蒸着等による被膜形成時の
加熱や、最初に高温で使用した際の加熱の効果によって
、SiCを主成分とする炭化物層薄膜2Ir、Ru及び
Rh薄膜4と反応し、界面の密着性向上の役割を担う。
この界面反応を促すため、被膜形成後に加熱処理を施す
ことも有効である以上の観点から、Ir、Ru及びRh
薄膜4とSiCを主成分とする炭化物層薄膜2の間に使
用する金属の選定規準として、■Siよりも炭化物生成
エネルギーが低いこと、■Ir、Ru及びRhに固溶す
るか、あるいは安定な化合物を形成することの2点を採
用した。
ことも有効である以上の観点から、Ir、Ru及びRh
薄膜4とSiCを主成分とする炭化物層薄膜2の間に使
用する金属の選定規準として、■Siよりも炭化物生成
エネルギーが低いこと、■Ir、Ru及びRhに固溶す
るか、あるいは安定な化合物を形成することの2点を採
用した。
第1表に、選定した元素の炭化物生成エネルギとIr
(代表例)との反応性について示す。
(代表例)との反応性について示す。
一方、Ir 、 Ru及びRh4は炭素質基材の高温耐
酸化被膜として機能する。Ir、Ru及びRhは高温に
おいて金属として安定であり、酸化による消耗もモリブ
デン、タングステンなどの他の高融点金属に比べると少
ない。特に、白金族元素のうちIr 、 Ru及びRh
は融点が2000℃付近か、それ以上であり、1800
を以上の高温での耐酸化被膜として働く。Osは融点は
3000℃を越えるが、lr、Ru及びRhに比べ酸化
による揮発消耗が著しいためこれを除いた。
酸化被膜として機能する。Ir、Ru及びRhは高温に
おいて金属として安定であり、酸化による消耗もモリブ
デン、タングステンなどの他の高融点金属に比べると少
ない。特に、白金族元素のうちIr 、 Ru及びRh
は融点が2000℃付近か、それ以上であり、1800
を以上の高温での耐酸化被膜として働く。Osは融点は
3000℃を越えるが、lr、Ru及びRhに比べ酸化
による揮発消耗が著しいためこれを除いた。
第2表に、実施例として32種の構成について被覆層を
形成した例を示す。実施例では炭素質材料としてC/C
複合材料(ポリアクリロニトリル系炭素繊維の織物とフ
ェノール樹脂を原料とする炭素マトリックスにより形成
された繊維体積率50%のもの)を用い、その表面を8
1と反応(1800℃の炉中にC/C複合材料を33%
SiC、33%Si:33%Atz03の粉末と共に装
入して4時間保持)させてSiCとしたものを基材とし
て採用した。更に、その上にスパッタリング法によって
Hf等の金属の薄膜を形成し、その後1r等の塩化物を
用いた熱CVD法で被膜を形成した。
形成した例を示す。実施例では炭素質材料としてC/C
複合材料(ポリアクリロニトリル系炭素繊維の織物とフ
ェノール樹脂を原料とする炭素マトリックスにより形成
された繊維体積率50%のもの)を用い、その表面を8
1と反応(1800℃の炉中にC/C複合材料を33%
SiC、33%Si:33%Atz03の粉末と共に装
入して4時間保持)させてSiCとしたものを基材とし
て採用した。更に、その上にスパッタリング法によって
Hf等の金属の薄膜を形成し、その後1r等の塩化物を
用いた熱CVD法で被膜を形成した。
比較として、従来技術に相当する以下の3種の供試材を
使用した。すなわち、上記の表面をSiCとした基材上
にSiの有機化合物を塗付後加熱処理によりS10□被
膜としたもの、炭素質基材上にIrを直接化学蒸着した
もの、更に炭素質基材上にHfCをスパッタリング後、
Irを化学蒸着したものの3種である。
使用した。すなわち、上記の表面をSiCとした基材上
にSiの有機化合物を塗付後加熱処理によりS10□被
膜としたもの、炭素質基材上にIrを直接化学蒸着した
もの、更に炭素質基材上にHfCをスパッタリング後、
Irを化学蒸着したものの3種である。
第
表
以上の供試材について耐酸化性と熱応力による被膜の剥
離性を次の方法によって比較検討した。すなわち、耐酸
化性については、1800℃に加熱した大気雰囲気炉中
で連続して120分加熱後取り出し、重量変化を調べた
。熱応力に対してはAr雰囲気中で室温と1800℃と
の熱サイクルを10回繰り返し剥離の有無を目視並びに
切断面の観察により調べた。
離性を次の方法によって比較検討した。すなわち、耐酸
化性については、1800℃に加熱した大気雰囲気炉中
で連続して120分加熱後取り出し、重量変化を調べた
。熱応力に対してはAr雰囲気中で室温と1800℃と
の熱サイクルを10回繰り返し剥離の有無を目視並びに
切断面の観察により調べた。
次に、Ir等の被覆層に損傷が生じた後の炭素質基材へ
の影響を調べるため本発明になる供試材の全てと、Ir
を被覆した2種の比較材について、Irの融点を超える
2500℃で1分間酸素アセチレン炎に暴露した。
の影響を調べるため本発明になる供試材の全てと、Ir
を被覆した2種の比較材について、Irの融点を超える
2500℃で1分間酸素アセチレン炎に暴露した。
第3表に試験結果を示す。
第3表から明らかなように、SiCとSin、で被覆し
た試験片(Nα33)は大気中加熱試験によりC/C複
合材料の基板が焼損した。これに対しIrを被覆した比
較材(No、34.Nα35)と本発明品は最外層の被
覆層がやや酸化減肉したものの基材は損傷を受けていな
い。
た試験片(Nα33)は大気中加熱試験によりC/C複
合材料の基板が焼損した。これに対しIrを被覆した比
較材(No、34.Nα35)と本発明品は最外層の被
覆層がやや酸化減肉したものの基材は損傷を受けていな
い。
次に熱サイクル試験で、Irを被覆した比較材(k34
.Nα35)は全て剥離が認められたのに対し、本発明
品には剥離が認められなかった。
.Nα35)は全て剥離が認められたのに対し、本発明
品には剥離が認められなかった。
更に25oO℃火炎暴露で、lrを被覆した比較材(N
α34.Nα35)は炭素質基材がかなり焼損したのに
対し、本発明品では炭素の焼損量は少なかった。
α34.Nα35)は炭素質基材がかなり焼損したのに
対し、本発明品では炭素の焼損量は少なかった。
実施例で述べたように、本発明高温耐酸化炭素材料は、
従来のSiCとS10.による耐酸化被覆炭素材料では
耐酸化の機能が損なわれる1500℃以上においても優
れた耐酸化性を示す。
従来のSiCとS10.による耐酸化被覆炭素材料では
耐酸化の機能が損なわれる1500℃以上においても優
れた耐酸化性を示す。
また、炭素質基材の耐酸化被覆にとって、大きな技術課
題である被覆層と母材の熱膨張率の差による熱応力の集
中を抑えたため、被覆層の耐剥離性も改善される。
題である被覆層と母材の熱膨張率の差による熱応力の集
中を抑えたため、被覆層の耐剥離性も改善される。
更に、Sl[を主成分とする炭化物層と、Ir。
Ru及びRhの被覆層を組み合わせたことから、仮にI
r、 Ru及びRhの被覆層が何らかの原因で損傷を受
けてもSiCの耐酸化機能により母材である炭素質基材
の急激な焼損が防止できる。
r、 Ru及びRhの被覆層が何らかの原因で損傷を受
けてもSiCの耐酸化機能により母材である炭素質基材
の急激な焼損が防止できる。
第1図は本発明の一実施例の高温耐酸化炭素材料の説明
図、第2図は従来のS+02とSiCによる耐酸化被覆
炭素材料の説明図、第3図は従来のIrによる耐酸化被
覆炭素材料の説明図である。
図、第2図は従来のS+02とSiCによる耐酸化被覆
炭素材料の説明図、第3図は従来のIrによる耐酸化被
覆炭素材料の説明図である。
Claims (1)
- (1)炭素質基材の表面に、 (a)炭化ケイ素を主成分とする炭化物層からなる薄膜
と、 (b)Hf、Zr、Si、Cr、Ti、Ta、Nb及び
Alのうちのいずれかの薄膜と、(c)Ir、Ru及び
Rhのいずれかの薄膜を順次形成させてなることを特徴
とする高温耐酸化炭素材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2269423A JPH04149083A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 高温耐酸化炭素材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2269423A JPH04149083A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 高温耐酸化炭素材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04149083A true JPH04149083A (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=17472217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2269423A Pending JPH04149083A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 高温耐酸化炭素材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04149083A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0657404A1 (en) * | 1993-12-08 | 1995-06-14 | Hitachi, Ltd. | Heat and oxidation resistive high strength material and its production method |
| CN103739311A (zh) * | 2013-09-11 | 2014-04-23 | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 | 一种(Nb/C/SiC)n多层抗氧化涂层及其制备方法 |
| CN105669254A (zh) * | 2016-01-18 | 2016-06-15 | 太原理工大学 | 一种提高炭/炭复合材料耐高温氧化性能的方法 |
| JP2020063175A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社豊田中央研究所 | 結晶成長部材 |
-
1990
- 1990-10-09 JP JP2269423A patent/JPH04149083A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0657404A1 (en) * | 1993-12-08 | 1995-06-14 | Hitachi, Ltd. | Heat and oxidation resistive high strength material and its production method |
| US5545484A (en) * | 1993-12-08 | 1996-08-13 | Hitachi, Ltd. | Heat and oxidation resistive high strength material and its production method |
| CN103739311A (zh) * | 2013-09-11 | 2014-04-23 | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 | 一种(Nb/C/SiC)n多层抗氧化涂层及其制备方法 |
| CN105669254A (zh) * | 2016-01-18 | 2016-06-15 | 太原理工大学 | 一种提高炭/炭复合材料耐高温氧化性能的方法 |
| JP2020063175A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社豊田中央研究所 | 結晶成長部材 |
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