JPH0414933Y2 - - Google Patents
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- JPH0414933Y2 JPH0414933Y2 JP19544787U JP19544787U JPH0414933Y2 JP H0414933 Y2 JPH0414933 Y2 JP H0414933Y2 JP 19544787 U JP19544787 U JP 19544787U JP 19544787 U JP19544787 U JP 19544787U JP H0414933 Y2 JPH0414933 Y2 JP H0414933Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- needle
- support frame
- contact
- pellet
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、ウエハに形成された半導体ペレツト
の電気的特性を検査、測定するプローバーの改良
に関する。
の電気的特性を検査、測定するプローバーの改良
に関する。
従来より、ウエハに形成された半導体ペレツト
の電気的特性を検査、測定する場合には、一般に
第５図に示すようなプローバーが使用されてい
る。このプローバーは、吸着孔を有する円板状の
チヤツクテーブル１００の上方に上部電極針１０
１を配置したもので、このチヤツクテーブル１０
０の上にウエハＷを吸着固定し、チヤツクテーブ
ル１００自体を端子としてウエハＷ裏面の電極層
と電気的接触をとり、該チヤツクテーブル１００
を上昇させて、ウエハＷの被検ペレツト表面の電
極を上部電極針１０１と電気的に接触させ、被検
ペレツトの電気的特性を検査、測定するものであ
る。けれども、このプローバーを用いる場合は、
ウエハＷ裏面の電極層とチヤツクテーブル１００
の間の接触抵抗が測定に影響を与えるという問題
があつた。
の電気的特性を検査、測定する場合には、一般に
第５図に示すようなプローバーが使用されてい
る。このプローバーは、吸着孔を有する円板状の
チヤツクテーブル１００の上方に上部電極針１０
１を配置したもので、このチヤツクテーブル１０
０の上にウエハＷを吸着固定し、チヤツクテーブ
ル１００自体を端子としてウエハＷ裏面の電極層
と電気的接触をとり、該チヤツクテーブル１００
を上昇させて、ウエハＷの被検ペレツト表面の電
極を上部電極針１０１と電気的に接触させ、被検
ペレツトの電気的特性を検査、測定するものであ
る。けれども、このプローバーを用いる場合は、
ウエハＷ裏面の電極層とチヤツクテーブル１００
の間の接触抵抗が測定に影響を与えるという問題
があつた。
そこで、第６図に示すように、チヤツクテーブ
ル１００を絶縁体１０２を挟んで電気的に二分割
し、一方をセンシング端子１０３、他方をフオー
シング端子１０４とすることで、ケルビンコンタ
クトをとるように改良したプローバーが開発され
た。このようにケルビンコンタクトをとると、前
述の接触抵抗の問題は解消され、ウエハＷ裏面の
電極層の電気的な抵抗が低い場合には良好な電気
的接続が行われる。
ル１００を絶縁体１０２を挟んで電気的に二分割
し、一方をセンシング端子１０３、他方をフオー
シング端子１０４とすることで、ケルビンコンタ
クトをとるように改良したプローバーが開発され
た。このようにケルビンコンタクトをとると、前
述の接触抵抗の問題は解消され、ウエハＷ裏面の
電極層の電気的な抵抗が低い場合には良好な電気
的接続が行われる。
しかしながら、上記の改良型プローバーは、測
定時に電流がウエハＷ裏面の電極層を接触点まで
流れるので、該電極層の電気的な抵抗が大きい場
合には、発生する電圧降下によつて電圧匂配が生
じ、そのため測定値に誤差がでるという問題があ
る。かかる問題は、特に被検ペレツトが、大電流
を流して検査、測定を行う必要のあるパワートラ
ンジスタなどの場合に重大であり、到底無視でき
ない。
定時に電流がウエハＷ裏面の電極層を接触点まで
流れるので、該電極層の電気的な抵抗が大きい場
合には、発生する電圧降下によつて電圧匂配が生
じ、そのため測定値に誤差がでるという問題があ
る。かかる問題は、特に被検ペレツトが、大電流
を流して検査、測定を行う必要のあるパワートラ
ンジスタなどの場合に重大であり、到底無視でき
ない。
上記問題を解決するため、本考案プローバー
は、上下動自在な裏面電極針とその真上に配置さ
れた上部電極針との間に、半導体ペレツトが多数
形成されたウエハを支持するウエハ支持枠を水平
及び垂直方向に移動自在に設け、前記ウエハ支持
枠をフオーシング端子、前記裏面電極針をセンシ
ング端子として、ウエハの被検ペレツトの真裏側
面でケルビンコンタクトをとるように構成したこ
とを要旨とするものである。
は、上下動自在な裏面電極針とその真上に配置さ
れた上部電極針との間に、半導体ペレツトが多数
形成されたウエハを支持するウエハ支持枠を水平
及び垂直方向に移動自在に設け、前記ウエハ支持
枠をフオーシング端子、前記裏面電極針をセンシ
ング端子として、ウエハの被検ペレツトの真裏側
面でケルビンコンタクトをとるように構成したこ
とを要旨とするものである。
上記構成の本考案プローバーによれば、ウエハ
支持枠が水平方向に移動して、ウエハの被検ペレ
ツトを裏面電極針の真上（換言すれば上部電極針
の真下）に位置決めすると、センシング端子とし
て働く裏面電極針が上昇して被検ペレツトの真裏
側面に接触し、ケルビンコンタクトをとる。そし
て、ウエハ支持枠が上昇し、同時に裏面電極針も
上昇して、被検ペレツトの真裏側面に裏面電極針
が接触したまま、被検ペレツトの電極が上部電極
針と接触し、電気的特性の検査、測定が行われ
る。
支持枠が水平方向に移動して、ウエハの被検ペレ
ツトを裏面電極針の真上（換言すれば上部電極針
の真下）に位置決めすると、センシング端子とし
て働く裏面電極針が上昇して被検ペレツトの真裏
側面に接触し、ケルビンコンタクトをとる。そし
て、ウエハ支持枠が上昇し、同時に裏面電極針も
上昇して、被検ペレツトの真裏側面に裏面電極針
が接触したまま、被検ペレツトの電極が上部電極
針と接触し、電気的特性の検査、測定が行われ
る。
このようにウエハの被検ペレツトの真裏側面で
ケルビンコンタクトをとると、測定時に電流がウ
エハ裏面の電極層を厚み方向に流れることになる
ので、該電極層の電気的な抵抗が大きい場合でも
電圧降下を殆ど生じなくなる。
ケルビンコンタクトをとると、測定時に電流がウ
エハ裏面の電極層を厚み方向に流れることになる
ので、該電極層の電気的な抵抗が大きい場合でも
電圧降下を殆ど生じなくなる。
以下、図面を参照しながら本考案の実施例を説
明する。
明する。
第１図は本考案の一実施例に係るプローバーの
全体構成図である。図において、１は基台であ
り、この基台１の上には、Ｘ−Ｙ−Ｚ方向の駆動
機構２を介して支持板３が設けられている。この
支持板３は両端に支柱４，４を有し、これら支柱
４，４によつて環状のウエハ支持枠５が支持固定
されている。
全体構成図である。図において、１は基台であ
り、この基台１の上には、Ｘ−Ｙ−Ｚ方向の駆動
機構２を介して支持板３が設けられている。この
支持板３は両端に支柱４，４を有し、これら支柱
４，４によつて環状のウエハ支持枠５が支持固定
されている。
このウエハ支持枠５は、後述するようにケルビ
ンコンタクトをとる場合のフオーシング端子とな
るもので、第２図及び第３図に示すように、ウエ
ハＷを支持する内鍔部５ａと、ウエハＷのはみ出
しを防止する外周壁部５ｂと、一体の取付用突片
５ｃ，５ｃとで構成されており、外周壁部５ｂの
内側には吸気通路５ｄが、内鍔部５ａの上面には
該吸気通路５ｄに連なるウエハ吸着用の多数の吸
気孔５ｅがそれぞれ形成されている。しかして、
このウエハ支持枠５は、第１図に示すように、そ
の取付用突片５ｃ，５ｃを支柱４，４の上端に固
定して取付けられており、駆動機構２によつてＸ
−Ｙ−Ｚ方向、即ち水平及び垂直方向に移動自在
とされている。
ンコンタクトをとる場合のフオーシング端子とな
るもので、第２図及び第３図に示すように、ウエ
ハＷを支持する内鍔部５ａと、ウエハＷのはみ出
しを防止する外周壁部５ｂと、一体の取付用突片
５ｃ，５ｃとで構成されており、外周壁部５ｂの
内側には吸気通路５ｄが、内鍔部５ａの上面には
該吸気通路５ｄに連なるウエハ吸着用の多数の吸
気孔５ｅがそれぞれ形成されている。しかして、
このウエハ支持枠５は、第１図に示すように、そ
の取付用突片５ｃ，５ｃを支柱４，４の上端に固
定して取付けられており、駆動機構２によつてＸ
−Ｙ−Ｚ方向、即ち水平及び垂直方向に移動自在
とされている。
このウエハ支持枠５の下方に位置する中間支持
体６には、上下方向の駆動機構７を介して電気絶
縁性の針収容器８が取付けられ、この針収容器８
に裏面電極針９が収容されている。この裏面電極
針９は、後述するようにケルビンコンタクトをと
る場合のセンシング端子となるもので、第４図に
示すように、鍔部９ａを途中に有しており、この
鍔部９ａと針収容器８の底面との間に装着したコ
イルスプリング１０で支持されて、針先端が針収
容器８の上端開口より僅かに突出した状態で針収
容器８に収容されている。従つて、駆動機構７に
より、針収容器８が上昇して裏面電極針９の先端
がウエハＷの裏面に押付られると、針先端がコイ
ルスプリング１０に抗して針収容器８に没入する
ようになつている。
体６には、上下方向の駆動機構７を介して電気絶
縁性の針収容器８が取付けられ、この針収容器８
に裏面電極針９が収容されている。この裏面電極
針９は、後述するようにケルビンコンタクトをと
る場合のセンシング端子となるもので、第４図に
示すように、鍔部９ａを途中に有しており、この
鍔部９ａと針収容器８の底面との間に装着したコ
イルスプリング１０で支持されて、針先端が針収
容器８の上端開口より僅かに突出した状態で針収
容器８に収容されている。従つて、駆動機構７に
より、針収容器８が上昇して裏面電極針９の先端
がウエハＷの裏面に押付られると、針先端がコイ
ルスプリング１０に抗して針収容器８に没入する
ようになつている。
更に、ウエハ支持枠５の上方には、所定本数の
上部電極針１１が裏面電極針９の真上に位置して
配置されている。これら上部電極針１１はプロー
ブカード１２に樹脂等で固着されており、該プロ
ーブカード１２はカード支持体１２に支持固定さ
れている。
上部電極針１１が裏面電極針９の真上に位置して
配置されている。これら上部電極針１１はプロー
ブカード１２に樹脂等で固着されており、該プロ
ーブカード１２はカード支持体１２に支持固定さ
れている。
以上のように構成されたプローバーは、次のよ
うに動作して被検ペレツトの検査、測定を行う。
うに動作して被検ペレツトの検査、測定を行う。
先ず、ウエハ支持枠５にウエハＷを載置し、吸
気通路５ｄ及び吸気孔５ｅを通じて負圧をかけて
ウエハＷを吸着固定する。
気通路５ｄ及び吸気孔５ｅを通じて負圧をかけて
ウエハＷを吸着固定する。
吸着固定が終わると、駆動機構２を作動させ、
ウエハＷの被検ペレツトが上部電極針１１の直下
に位置するようにウエハ支持枠５を水平方向（Ｘ
−Ｙ方向）に移動させて、位置決めを行う。この
時、裏面電極針９はウエハ支持枠５の下方に位置
するので、ウエハ支持枠５の移動の障害となるこ
とはない。
ウエハＷの被検ペレツトが上部電極針１１の直下
に位置するようにウエハ支持枠５を水平方向（Ｘ
−Ｙ方向）に移動させて、位置決めを行う。この
時、裏面電極針９はウエハ支持枠５の下方に位置
するので、ウエハ支持枠５の移動の障害となるこ
とはない。
位置決めが終わると、駆動機構２によりウエハ
支持枠５を上昇させて裏面電極針９をウエハＷ裏
面の電極層に接触させ、ウエハ支持枠５をフオー
シング端子、この裏面電極針９をセンシング端子
として、被検ペレツトの真裏側面でケルビンコン
タクトをとる。このとき、上昇量が過剰になる
と、ウエハＷが持ち上げられて吸着がくずれ、逆
に上昇量が少ないと、ウエハＷ裏面の電極層と裏
面電極針９の間の電気的接続が不充分となるが、
この裏面電極針９は既述のようにコイルスプリン
グ１０で出没自在となつているため、上昇量に多
少の誤差があつても上記のごとき不都合を生じな
い。しかし、安全のためには、接触時にウエハ支
持枠５と裏面電極針９の間の電気的抵抗が急変す
ることを利用して、駆動機構２にフイードバツク
をかけ、その上昇量を制御することが好ましい。
支持枠５を上昇させて裏面電極針９をウエハＷ裏
面の電極層に接触させ、ウエハ支持枠５をフオー
シング端子、この裏面電極針９をセンシング端子
として、被検ペレツトの真裏側面でケルビンコン
タクトをとる。このとき、上昇量が過剰になる
と、ウエハＷが持ち上げられて吸着がくずれ、逆
に上昇量が少ないと、ウエハＷ裏面の電極層と裏
面電極針９の間の電気的接続が不充分となるが、
この裏面電極針９は既述のようにコイルスプリン
グ１０で出没自在となつているため、上昇量に多
少の誤差があつても上記のごとき不都合を生じな
い。しかし、安全のためには、接触時にウエハ支
持枠５と裏面電極針９の間の電気的抵抗が急変す
ることを利用して、駆動機構２にフイードバツク
をかけ、その上昇量を制御することが好ましい。
このようにして裏面電極針９が接触すると、駆
動機構２によりウエハ支持枠５を更に上昇させ、
同時に駆動機構７を作動させて裏面電極針９をウ
エハＷ裏面に接触したまま上昇させ、被検ペレツ
ト表面の各電極を上部電極針１１の先端に接触さ
せる。このとき、上部電極針１１の接触圧がウエ
ハＷに加わるが、ウエハＷは針収容器８の上端で
下方から支持されるので、大きく変形したり、割
れたりする心配はない。
動機構２によりウエハ支持枠５を更に上昇させ、
同時に駆動機構７を作動させて裏面電極針９をウ
エハＷ裏面に接触したまま上昇させ、被検ペレツ
ト表面の各電極を上部電極針１１の先端に接触さ
せる。このとき、上部電極針１１の接触圧がウエ
ハＷに加わるが、ウエハＷは針収容器８の上端で
下方から支持されるので、大きく変形したり、割
れたりする心配はない。
かくしてウエハＷ上の被検ペレツト各電極と上
部電極針１１、及び被検ペレツトの真裏側面の電
極層と下部電極針９との間に電気的接触が得られ
ると、被検ペレツトの電気的特性の測定を開始す
る。
部電極針１１、及び被検ペレツトの真裏側面の電
極層と下部電極針９との間に電気的接触が得られ
ると、被検ペレツトの電気的特性の測定を開始す
る。
以上のように、ウエハ支持枠５をフオーシング
端子とし、裏面電極針９をセンシング端子とし
て、ウエハＷの被検ペレツトの真裏側面でケルビ
ンコンタクトをとつて測定を開始すると、測定時
に電流がウエハＷ裏面の電極層を流れ、かつ該電
極層の電気的な抵抗が大きい場合でも電圧降下を
殆ど生じなくなる。従つて、大電流をながして測
定しても、測定に誤差を生じる恐れは皆無に等し
くなる。また、ケルビンコンタクト本来の効果と
して、ウエハＷ裏面の電極層と裏面電極との接触
抵抗を解消できることは言うまでもない。
端子とし、裏面電極針９をセンシング端子とし
て、ウエハＷの被検ペレツトの真裏側面でケルビ
ンコンタクトをとつて測定を開始すると、測定時
に電流がウエハＷ裏面の電極層を流れ、かつ該電
極層の電気的な抵抗が大きい場合でも電圧降下を
殆ど生じなくなる。従つて、大電流をながして測
定しても、測定に誤差を生じる恐れは皆無に等し
くなる。また、ケルビンコンタクト本来の効果と
して、ウエハＷ裏面の電極層と裏面電極との接触
抵抗を解消できることは言うまでもない。
以上の説明から明らかなように、本考案のプロ
ーバーは、ウエハの被検ペレツトの真裏側面でケ
ルビンコンタクトをとることにより、被検ペレツ
トの電気的特性の測定時に、接触抵抗は勿論、ウ
エハＷ裏面の電極層の抵抗をも解消して電圧降下
を殆ど生じさせないようにしたため、測定誤差が
殆どなくなつて、検査、測定の精度が大幅に向上
するといつた顕著な効果が得られ、特にパワート
ランジスタのように測定に大電流を使用する被検
ペレツトの電気的特性を検査、測定を行う場合
に、頗る有効なものである。
ーバーは、ウエハの被検ペレツトの真裏側面でケ
ルビンコンタクトをとることにより、被検ペレツ
トの電気的特性の測定時に、接触抵抗は勿論、ウ
エハＷ裏面の電極層の抵抗をも解消して電圧降下
を殆ど生じさせないようにしたため、測定誤差が
殆どなくなつて、検査、測定の精度が大幅に向上
するといつた顕著な効果が得られ、特にパワート
ランジスタのように測定に大電流を使用する被検
ペレツトの電気的特性を検査、測定を行う場合
に、頗る有効なものである。
第１図は本考案の一実施例に係るプローバーの
全体構成図、第２図はウエハ支持枠の斜視図、第
３図は第２図の−線拡大断面図、第４図は裏
面電極針を収容した針収容器の断面図、第５図は
従来のプローバーの構成図、第６図はケルビンコ
ンタクトタイプの従来のチヤツクテーブルの平面
図である。 ２，７……駆動機構、５……ウエハ支持枠、８
……針収容器、９……裏面電極針、１１……上部
電極針、１２……プローブカード、Ｗ……ウエ
ハ。
全体構成図、第２図はウエハ支持枠の斜視図、第
３図は第２図の−線拡大断面図、第４図は裏
面電極針を収容した針収容器の断面図、第５図は
従来のプローバーの構成図、第６図はケルビンコ
ンタクトタイプの従来のチヤツクテーブルの平面
図である。 ２，７……駆動機構、５……ウエハ支持枠、８
……針収容器、９……裏面電極針、１１……上部
電極針、１２……プローブカード、Ｗ……ウエ
ハ。
Claims (1)
- 上下動自在な裏面電極針とその真上に配置され
た上部電極針との間に、半導体ペレツトが多数形
成されたウエハを支持するウエハ支持枠を水平及
び垂直方向に移動自在に設け、前記ウエハ支持枠
をフオーシング端子、前記裏面電極針をセンシン
グ端子として、ウエハの被検ペレツトの真裏側面
でケルビンコンタクトをとるように構成したこと
を特徴とするプローバー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19544787U JPH0414933Y2 (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19544787U JPH0414933Y2 (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0197551U JPH0197551U (ja) | 1989-06-29 |
| JPH0414933Y2 true JPH0414933Y2 (ja) | 1992-04-03 |
Family
ID=31486125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19544787U Expired JPH0414933Y2 (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0414933Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012141197A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Advantest Corp | 試験装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5489356B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2014-05-14 | 株式会社日本マイクロニクス | 半導体測定装置 |
| JP5599341B2 (ja) * | 2011-02-21 | 2014-10-01 | 株式会社シバソク | 試験装置 |
| JP5562320B2 (ja) * | 2011-12-08 | 2014-07-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体試験装置および半導体試験方法 |
| JP2015049137A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体チップ試験装置及び方法 |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP19544787U patent/JPH0414933Y2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012141197A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Advantest Corp | 試験装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0197551U (ja) | 1989-06-29 |
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