JPH04151902A - 半導体用パッケージ - Google Patents
半導体用パッケージInfo
- Publication number
- JPH04151902A JPH04151902A JP2276811A JP27681190A JPH04151902A JP H04151902 A JPH04151902 A JP H04151902A JP 2276811 A JP2276811 A JP 2276811A JP 27681190 A JP27681190 A JP 27681190A JP H04151902 A JPH04151902 A JP H04151902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- strip line
- deterioration
- plane
- semiconductor package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体用パッケージに関し、特にマイクロ波帯
で使用するパッケージに関する。
で使用するパッケージに関する。
従来のパッケージは、第２図（ａ）〜（ｃ）に示すよう
に、リード部よりパッケージ内部への信号線引き込みス
Ｉ・リップライン基板面に対し、基板両端より垂直にメ
タライス部が存在しストリップライン基板部 た。
に、リード部よりパッケージ内部への信号線引き込みス
Ｉ・リップライン基板面に対し、基板両端より垂直にメ
タライス部が存在しストリップライン基板部 た。
この従来のパッケージでは、パッケージ内部のストリッ
プライン基板部掘り込みの空間的凹凸にヨリ、ハッケー
シ内＝ｊ法（第２図（ｃ）ａｘｂｘＣ）で決定される共
振周波数近傍まで使用可能であるものが、その共振周波
数より低い周波数にてパッケージ本体のアイソレーショ
ンの劣化が見られ、搭載デバイスのアイソレーション等
を考慮した場合、このアイソレーションの劣化により最
大実用周波数が決定されて、共振周波数の７０％程度ま
でしか使用出来ないという問題点があった。
プライン基板部掘り込みの空間的凹凸にヨリ、ハッケー
シ内＝ｊ法（第２図（ｃ）ａｘｂｘＣ）で決定される共
振周波数近傍まで使用可能であるものが、その共振周波
数より低い周波数にてパッケージ本体のアイソレーショ
ンの劣化が見られ、搭載デバイスのアイソレーション等
を考慮した場合、このアイソレーションの劣化により最
大実用周波数が決定されて、共振周波数の７０％程度ま
でしか使用出来ないという問題点があった。
本発明の目的は、共振周波数より低い周波数でのアイソ
レーションの劣化が改善され、共振周波数計算値近傍ま
で使用−弓部となる半導体用パッケージを提供すること
にある。
レーションの劣化が改善され、共振周波数計算値近傍ま
で使用−弓部となる半導体用パッケージを提供すること
にある。
本発明の半導体用パッケージは、パッケージ内部ストリ
ップライン基板部両端の金属体を削除し、ストリップラ
イン基板面に対し金属面を平行でほぼ同一平面にするこ
とにより、パッケージ内部空間の凸凹を極力削減し直方
体に近づけた構造とする。
ップライン基板部両端の金属体を削除し、ストリップラ
イン基板面に対し金属面を平行でほぼ同一平面にするこ
とにより、パッケージ内部空間の凸凹を極力削減し直方
体に近づけた構造とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例の正面図およ
び内部構造を示す斜視図並びにパッケージ内寸法を示す
図である。
び内部構造を示す斜視図並びにパッケージ内寸法を示す
図である。
第１図（ａ＞、（ｂ）に示すように、ストリップライン
２の基板部両側の金属体３の表面をストリップライン基
板面とほぼ同一面となるような構造としパッケージ内部
空間の凸凹を極力削減し直方体に近づけた構造としな。
２の基板部両側の金属体３の表面をストリップライン基
板面とほぼ同一面となるような構造としパッケージ内部
空間の凸凹を極力削減し直方体に近づけた構造としな。
なお４は７９７１〜面、５はリードである。
本実施例により共振周波数より低い周波数でのアイソレ
ーションの劣化の改善を確認した。パッケージ入出力ア
イソレーション４０ｄＢ保障（搭載デバイスのアイソレ
ーション２５ｄＢ。
ーションの劣化の改善を確認した。パッケージ入出力ア
イソレーション４０ｄＢ保障（搭載デバイスのアイソレ
ーション２５ｄＢ。
Ｇ１□１５ｄＢと仮定）時の周波数を実用周波数とする
と、実測実用周波数は、パッケージ内寸法により決定さ
れる共振周波数計算値に対し、従来型で７４％までで、
本実施例では９０％となり実用周波数は１６％向上が確
認され、共振周波数計算値近傍まで使用可能となった。
と、実測実用周波数は、パッケージ内寸法により決定さ
れる共振周波数計算値に対し、従来型で７４％までで、
本実施例では９０％となり実用周波数は１６％向上が確
認され、共振周波数計算値近傍まで使用可能となった。
以上説明したように本発明は、パッケージ内部ストリッ
プライン基板部両端金属面をストリップライン面と平行
なほぼ同一面パッケージ内部空間を直方体に近づけるこ
とにより、共振周波数より低い周波数でのアイソレーシ
ョンの劣化の改善が実測により確認され、実用周波数か
大幅に向上し、共振周波数計算値近傍まで使用可能とな
るという効果が得られた。
プライン基板部両端金属面をストリップライン面と平行
なほぼ同一面パッケージ内部空間を直方体に近づけるこ
とにより、共振周波数より低い周波数でのアイソレーシ
ョンの劣化の改善が実測により確認され、実用周波数か
大幅に向上し、共振周波数計算値近傍まで使用可能とな
るという効果が得られた。
第１図＜ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例の半導体用パ
ッケージの正面図および内部構造を示す図（ａ）、（ｂ
）は従来の半導体用パッケージの一例の正面図および内
部構造を示す斜視図並びにパッケージ内寸法を示す図で
ある。 １・・・セラミック、２・・・ストリップライン、３・
・・金属体、４・・・７９７１〜面、５・・・リード。
ッケージの正面図および内部構造を示す図（ａ）、（ｂ
）は従来の半導体用パッケージの一例の正面図および内
部構造を示す斜視図並びにパッケージ内寸法を示す図で
ある。 １・・・セラミック、２・・・ストリップライン、３・
・・金属体、４・・・７９７１〜面、５・・・リード。
Claims (1)
- マイクロ波で使用される半導体用パッケージにおいて
、側壁部内側側面の内、信号の入出力方向と垂直な面が
信号線引き込み用ストリップライン基板部を除いて同一
面上にある構造を特徴とする半導体用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2276811A JPH04151902A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 半導体用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2276811A JPH04151902A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 半導体用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04151902A true JPH04151902A (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=17574719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2276811A Pending JPH04151902A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 半導体用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04151902A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10308478A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-11-17 | Toshiba Corp | 半導体モジュール |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP2276811A patent/JPH04151902A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10308478A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-11-17 | Toshiba Corp | 半導体モジュール |
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