JPH0415232A - カリックスアレーンおよび/またはカリックスアレーン誘導体のフィルムおよびその製造法 - Google Patents
カリックスアレーンおよび/またはカリックスアレーン誘導体のフィルムおよびその製造法Info
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- JPH0415232A JPH0415232A JP12031090A JP12031090A JPH0415232A JP H0415232 A JPH0415232 A JP H0415232A JP 12031090 A JP12031090 A JP 12031090A JP 12031090 A JP12031090 A JP 12031090A JP H0415232 A JPH0415232 A JP H0415232A
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Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野ン
本発明は、カリックスアレーンおよびlまたはカノック
スアレーン誘導体のフィルムに関するものである。
スアレーン誘導体のフィルムに関するものである。
(従来の技術)
カリックスアレーンは、フェノール・ホルムアルデヒド
の縮合により生成する環状オリゴマーである。カリック
ス・アレーンの特徴は、高融点、溶液に対する難溶性、
および包接化合物を形成することであり、特にその包接
能による海水中のウラニルイオンや排水中の重金属イオ
ンの吸着剤として期待されており、近年、そのための誘
導体の合成法や物性が活発に研究されている化合物であ
る。
の縮合により生成する環状オリゴマーである。カリック
ス・アレーンの特徴は、高融点、溶液に対する難溶性、
および包接化合物を形成することであり、特にその包接
能による海水中のウラニルイオンや排水中の重金属イオ
ンの吸着剤として期待されており、近年、そのための誘
導体の合成法や物性が活発に研究されている化合物であ
る。
特に、水に対する溶解度を向上させることを目的とした
誘導体の合成が試みられている。
誘導体の合成が試みられている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、カリソクスアレーンおよび/またはカリ
ックスアレーン誘導体は有機溶剤には難溶であるため、
カリックスアレーンを高分子中に練りこむ例は見受けら
れるが、カリックスアレーンおよびlまたはカリックス
アレーン誘導体そのものをフィルムとすることはこれま
でなされていない。したがって、本発明の目的は第一に
カリックスアレーンおよび/またはカリックスアレーン
誘導体のフィルムを提供することにあり、第二にその製
造法を提供することにある。
ックスアレーン誘導体は有機溶剤には難溶であるため、
カリックスアレーンを高分子中に練りこむ例は見受けら
れるが、カリックスアレーンおよびlまたはカリックス
アレーン誘導体そのものをフィルムとすることはこれま
でなされていない。したがって、本発明の目的は第一に
カリックスアレーンおよび/またはカリックスアレーン
誘導体のフィルムを提供することにあり、第二にその製
造法を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明者は、上記目的を達成するため実験研究を行った
結果、カリックスアレーンおよびlまたはカリックスア
レーン誘導体をフィルム化する事が可能である事を見い
だして本発明を完成するに至った。
結果、カリックスアレーンおよびlまたはカリックスア
レーン誘導体をフィルム化する事が可能である事を見い
だして本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、100Å以上の厚さをもつカリッ
クスアレーンおよびlまたはカリツクスアレーン誘導体
のフィルムである。また、本発明の製造方法はカリック
スアレーンおよびlまたはカリックスアレーン誘導体を
含む溶液をスピンコート法で基板上にフィルムとして形
成し、400℃以下の温度で焼成して残留溶媒を除去す
る工程よりなる。
クスアレーンおよびlまたはカリツクスアレーン誘導体
のフィルムである。また、本発明の製造方法はカリック
スアレーンおよびlまたはカリックスアレーン誘導体を
含む溶液をスピンコート法で基板上にフィルムとして形
成し、400℃以下の温度で焼成して残留溶媒を除去す
る工程よりなる。
本発明において用いられるカリックスレーンおよびlま
たはカリックスアレーン誘導体とは、フェノールとホル
ムアルデヒドの縮合により生成する環状オリゴマーおよ
びその誘導体であって、つぎの−数式で示される構造を
有する。
たはカリックスアレーン誘導体とは、フェノールとホル
ムアルデヒドの縮合により生成する環状オリゴマーおよ
びその誘導体であって、つぎの−数式で示される構造を
有する。
R′
nは、4.5.6.7.8のものが既知であり、特にn
=4.6および8のものは、−段階で収率よく合成でき
る。
=4.6および8のものは、−段階で収率よく合成でき
る。
Rは−H,−CH3,−COCH3,(CH2)nCH
3,−CH2Ar。
3,−CH2Ar。
−〇H2CHCH2,−3iCH3,−CH2COOH
等R′は−H,−t−C4Hg、−Br、−8O3Na
、 −CH2NH2゜−N=NAr、 −CH2C1,
−COAr、 NO2゜−C5H5COCH=CH2等 シクロデキストリンと異なりベンゼン環よりなるカリッ
クスアレーン類は、芳香族置換反応を利用して種々の誘
導体が合成できる。
等R′は−H,−t−C4Hg、−Br、−8O3Na
、 −CH2NH2゜−N=NAr、 −CH2C1,
−COAr、 NO2゜−C5H5COCH=CH2等 シクロデキストリンと異なりベンゼン環よりなるカリッ
クスアレーン類は、芳香族置換反応を利用して種々の誘
導体が合成できる。
これら、カリックスアレーンおよび/またはカリックス
アレーン誘導体は、シクロデキストリン類クラウンエー
テル類と同様に包接機能を有する事が近年明らかにされ
、水溶性カリックスアレーンの合成が研究され、水溶液
中の包摂が報告されている。しかしながら、機能性材料
として用いるには、これをフィルム化する事がきわめて
有用である。これらカリックスアレーンおよび/または
カリックスアレーン誘導体は、有機溶剤には難溶である
が、希薄な溶液からでも100Å以上の厚みを有するフ
ィルムを製造できることを見い出した。溶剤は高めの沸
点を有し、塗布する基板となじみの良いものが好ましい
。例えば、ピリジンは溶解度の点では好ましいが、ガラ
ス、石英、シリコン基板等に塗布するための溶剤として
は好ましくなかった。一方、シクロヘキサノン、ジオキ
サンは好ましい溶剤の例である。極端に薄いフィルムは
欠陥等の面で好ましくないが、100Å以上はフィルム
として機能する。また本発明の製造方法では基板上にス
ピンコートしたあと400℃以下の温度で焼成している
が、これはカリックスアレーンあるいはその誘導体が4
00’C程度までであれば安定であるためである。得ら
れたフィルムは、高い耐熱性を有し、また、一般の高分
子膜と比べると、きわめて高い硬度を有する。
アレーン誘導体は、シクロデキストリン類クラウンエー
テル類と同様に包接機能を有する事が近年明らかにされ
、水溶性カリックスアレーンの合成が研究され、水溶液
中の包摂が報告されている。しかしながら、機能性材料
として用いるには、これをフィルム化する事がきわめて
有用である。これらカリックスアレーンおよび/または
カリックスアレーン誘導体は、有機溶剤には難溶である
が、希薄な溶液からでも100Å以上の厚みを有するフ
ィルムを製造できることを見い出した。溶剤は高めの沸
点を有し、塗布する基板となじみの良いものが好ましい
。例えば、ピリジンは溶解度の点では好ましいが、ガラ
ス、石英、シリコン基板等に塗布するための溶剤として
は好ましくなかった。一方、シクロヘキサノン、ジオキ
サンは好ましい溶剤の例である。極端に薄いフィルムは
欠陥等の面で好ましくないが、100Å以上はフィルム
として機能する。また本発明の製造方法では基板上にス
ピンコートしたあと400℃以下の温度で焼成している
が、これはカリックスアレーンあるいはその誘導体が4
00’C程度までであれば安定であるためである。得ら
れたフィルムは、高い耐熱性を有し、また、一般の高分
子膜と比べると、きわめて高い硬度を有する。
このようなフィルムを得ることにより、粉末状または溶
液として扱われていたカリックスアレーンおよび/また
はカリックスアレーン誘導体をフィルム状で扱え、しか
も、このフィルムは、カリックスアレーンの特徴である
種々の機能を発揮させるための基材である。
液として扱われていたカリックスアレーンおよび/また
はカリックスアレーン誘導体をフィルム状で扱え、しか
も、このフィルムは、カリックスアレーンの特徴である
種々の機能を発揮させるための基材である。
(実施例)
合成例1;t−ブチルーカリックス[41アレーンp−
tert−ブチルフェノール10gを、37%ホルムア
ルデヒド水溶液9.7gに溶かし、3Nの水酸化ナトリ
ウム水溶液10m1加えた。これを50〜55℃で45
時間、さらに110−120℃で2時間加熱した。そし
て、INの塩酸100m1を加え1時間撹拌後、不溶物
をろ過し真空110℃で1時間乾燥した。それを、ジフ
ェニルエーテル70gに溶かし220℃で2時間加熱し
、酢酸エチルで抽出し、粗結晶を得た。クロロホルム−
メタノールで再結晶させ、t−プチルカリックス[8]
アレーンを3.2g得た。融点は344〜346℃であ
った。確まごは、IR,NMR,およびマススペクトル
により行った。以下、同様である。
tert−ブチルフェノール10gを、37%ホルムア
ルデヒド水溶液9.7gに溶かし、3Nの水酸化ナトリ
ウム水溶液10m1加えた。これを50〜55℃で45
時間、さらに110−120℃で2時間加熱した。そし
て、INの塩酸100m1を加え1時間撹拌後、不溶物
をろ過し真空110℃で1時間乾燥した。それを、ジフ
ェニルエーテル70gに溶かし220℃で2時間加熱し
、酢酸エチルで抽出し、粗結晶を得た。クロロホルム−
メタノールで再結晶させ、t−プチルカリックス[8]
アレーンを3.2g得た。融点は344〜346℃であ
った。確まごは、IR,NMR,およびマススペクトル
により行った。以下、同様である。
合成例2;t−プチルーカリックス[8]アレーンp−
tert−ブチルフェノール27.8gをキシレン15
0m1に溶かしパラホルムアルデヒド9gを加え、さら
に1ONの水酸化カリウム水溶液0.4ml加えた。こ
れを、4時間加熱還流し、析出物をろ過し、トルエン、
エーテル、アセトン、水の順で洗浄し粗結晶を得た。こ
れをクロロホルムで再結晶させ、t、ブチルー力ワック
ス[8]アレーンを15.5g得た。融点は411から
412℃であった。
tert−ブチルフェノール27.8gをキシレン15
0m1に溶かしパラホルムアルデヒド9gを加え、さら
に1ONの水酸化カリウム水溶液0.4ml加えた。こ
れを、4時間加熱還流し、析出物をろ過し、トルエン、
エーテル、アセトン、水の順で洗浄し粗結晶を得た。こ
れをクロロホルムで再結晶させ、t、ブチルー力ワック
ス[8]アレーンを15.5g得た。融点は411から
412℃であった。
合成例3;t−オクチルーカリソクス[8]アレーンp
−tert−オクチルフェノール37.14gを、キシ
レン150m1に溶かし、パラホルムアルデヒド9gを
溶かし、IONの水酸化カリウム水溶液0.4ml加え
た。これを4時間加熱還流した。その後クロロホルムで
抽出し粗結晶を得た。クロロホルム−メタノールで再結
晶し、t−オクチル、カリソクス[8]アレーンを7.
1g得た。融点は338〜340℃であった。
−tert−オクチルフェノール37.14gを、キシ
レン150m1に溶かし、パラホルムアルデヒド9gを
溶かし、IONの水酸化カリウム水溶液0.4ml加え
た。これを4時間加熱還流した。その後クロロホルムで
抽出し粗結晶を得た。クロロホルム−メタノールで再結
晶し、t−オクチル、カリソクス[8]アレーンを7.
1g得た。融点は338〜340℃であった。
合成例4;カリソクス[6]アレーン
t−プチルー力すツクス[61アレ一ン10gとフェノ
ール6.0gをトルエンに溶かし、塩化アルミニウム1
2.4gを加え、室温で1時間撹拌した。さらに、冷水
100m1を加え、有機層をエバボレートした。アセト
ンやメタノールなどで洗浄し、カワックス[6]アレー
ンを3.9g得た。融点は380〜381℃であった。
ール6.0gをトルエンに溶かし、塩化アルミニウム1
2.4gを加え、室温で1時間撹拌した。さらに、冷水
100m1を加え、有機層をエバボレートした。アセト
ンやメタノールなどで洗浄し、カワックス[6]アレー
ンを3.9g得た。融点は380〜381℃であった。
合成例5;L−プチルー力リックス[8コアレーン、ア
セテート 七−プチルー力すックス[81アレ一ン2gをピリジン
100m1に溶かし、無水酢酸0.2ml加え、30分
撹拌した。反応溶液を水にあけ、不溶物をろ過し粗結晶
を得た。これをクロロホルムで再結晶させ、t4ブチル
ー力トリソクス[8]アレーン・アセテート2.1g−
を得た。
セテート 七−プチルー力すックス[81アレ一ン2gをピリジン
100m1に溶かし、無水酢酸0.2ml加え、30分
撹拌した。反応溶液を水にあけ、不溶物をろ過し粗結晶
を得た。これをクロロホルムで再結晶させ、t4ブチル
ー力トリソクス[8]アレーン・アセテート2.1g−
を得た。
実施例1
合成例2で示したt−プチルー力すックス[81アレー
ンの0.25wt%・t−ブチルーカリンクス[8]ア
レーンシクロキサノン溶液を調整し、それを0.211
mフィルターに通した後に、スピンコート法によりシリ
コン基板上にフィルム化した。スピンコートは回U数3
00rpmで10秒、ひきつづき、800rpmで60
秒行った。これを150℃で30分ベーキングをおこな
いフィルムを得た。得られたフィルムの膜厚は、600
Aであった。微小硬度計により表面のヴイッカース硬度
は100以上であった。
ンの0.25wt%・t−ブチルーカリンクス[8]ア
レーンシクロキサノン溶液を調整し、それを0.211
mフィルターに通した後に、スピンコート法によりシリ
コン基板上にフィルム化した。スピンコートは回U数3
00rpmで10秒、ひきつづき、800rpmで60
秒行った。これを150℃で30分ベーキングをおこな
いフィルムを得た。得られたフィルムの膜厚は、600
Aであった。微小硬度計により表面のヴイッカース硬度
は100以上であった。
実施例2
合成例1.3.4.5の生成物を実施例1と同様な方法
によりスピンコートシ、そのフィルムを得た。
によりスピンコートシ、そのフィルムを得た。
実施例3
合成例2,4の生成物を混合し、それを実施例と同様な
方法によりスピンコートし、そのフィルムを得た。
方法によりスピンコートし、そのフィルムを得た。
(発明の効果)
以上の説明から明らかなように、カリックスアレーンお
よび/またはカリックスアレーン誘導体のフィルムが得
られ、また、このフィルムを得たことにより高耐熱性、
高硬度のコーティングが行えるだけでなく、カリックス
アレーンを機能性材料として利用するための有効な手段
を得た。
よび/またはカリックスアレーン誘導体のフィルムが得
られ、また、このフィルムを得たことにより高耐熱性、
高硬度のコーティングが行えるだけでなく、カリックス
アレーンを機能性材料として利用するための有効な手段
を得た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、100Å以上の厚さを持つカリックスアレーンおよ
び/またはカリックスアレーン誘導体のフィルム。 2、フィルムは基板上に形成されたものである事を特徴
とする請求項1に記載のフィルム。 3、カリックスアレーンおよび/またはカリックスアレ
ーン誘導体を含む溶液をスピンコート法で基板上にフィ
ルムとして形成し、400℃以下の温度で焼成して残留
溶剤を除去する工程よりなるカリックスアレーンおよび
/またはカリックスアレーン誘導体のフィルムの製造法
。 4、溶剤はシクロヘキサノンである請求項3に記載の製
造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120310A JPH0653819B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | カリックスアレーンおよび/またはカリックスアレーン誘導体のフィルムおよびその製造法 |
| US07/694,491 US5143784A (en) | 1990-05-10 | 1991-05-02 | Soluble calixarene derivative and films thereof |
| EP91304191A EP0456497B1 (en) | 1990-05-10 | 1991-05-09 | Soluble calixarene derivative and films thereof |
| DE69110975T DE69110975T2 (de) | 1990-05-10 | 1991-05-09 | Lösliches Calixarenderivat und Filme von diesem. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120310A JPH0653819B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | カリックスアレーンおよび/またはカリックスアレーン誘導体のフィルムおよびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0415232A true JPH0415232A (ja) | 1992-01-20 |
| JPH0653819B2 JPH0653819B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=14783076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2120310A Expired - Lifetime JPH0653819B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | カリックスアレーンおよび/またはカリックスアレーン誘導体のフィルムおよびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653819B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0578327A1 (en) * | 1992-07-10 | 1994-01-12 | Akzo Nobel N.V. | Non-linear optical waveguiding material comprising a dopant having multiple donor-pi-acceptor systems |
| JPH09236919A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Nec Corp | 超微細パタン形成方法及び超微細エッチング方法 |
| JP2005336135A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ビスアミノフェノール化合物 |
| JP2008046206A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
| US7514197B2 (en) * | 2002-09-09 | 2009-04-07 | Nec Corporation | Resist and method of forming resist pattern |
| WO2010134639A1 (ja) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | 株式会社トクヤマ | レジストパターンの形成方法および現像液 |
| US20120164575A1 (en) * | 2009-08-31 | 2012-06-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cyclic compound, manufacturing method therefor, radiation-sensitive composition, and method for forming a resist pattern |
| JP2013173839A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Dic Corp | シアン酸エステル樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、半導体封止材料、プリプレグ、回路基板、及び、ビルドアップフィルム |
| JP2013181164A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Dic Corp | 活性エステル樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、半導体封止材料、プリプレグ、回路基板、及びビルドアップフィルム |
| CN113663529A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-11-19 | 北京工业大学 | 一种新型大环芳烃复合纳滤膜及其制备方法 |
-
1990
- 1990-05-10 JP JP2120310A patent/JPH0653819B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| J.AM.CHEM.SOC=1989US * |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0578327A1 (en) * | 1992-07-10 | 1994-01-12 | Akzo Nobel N.V. | Non-linear optical waveguiding material comprising a dopant having multiple donor-pi-acceptor systems |
| US5434208A (en) * | 1992-07-10 | 1995-07-18 | Akzo Nobel N.V. | Optically non-linear active waveguiding material comprising a dopant having multiple donor-n-acceptor systems |
| JPH09236919A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Nec Corp | 超微細パタン形成方法及び超微細エッチング方法 |
| US7514197B2 (en) * | 2002-09-09 | 2009-04-07 | Nec Corporation | Resist and method of forming resist pattern |
| JP2005336135A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ビスアミノフェノール化合物 |
| JP2008046206A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
| WO2010134639A1 (ja) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | 株式会社トクヤマ | レジストパターンの形成方法および現像液 |
| JP5442008B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2014-03-12 | 株式会社トクヤマ | レジストパターンの形成方法および現像液 |
| US8703402B2 (en) | 2009-05-21 | 2014-04-22 | Tokuyama Corporation | Resist pattern forming method and developer |
| US20120164575A1 (en) * | 2009-08-31 | 2012-06-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cyclic compound, manufacturing method therefor, radiation-sensitive composition, and method for forming a resist pattern |
| US8883937B2 (en) * | 2009-08-31 | 2014-11-11 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cyclic compound, manufacturing method therefor, radiation-sensitive composition, and method for forming a resist pattern |
| JP2013173839A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Dic Corp | シアン酸エステル樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、半導体封止材料、プリプレグ、回路基板、及び、ビルドアップフィルム |
| JP2013181164A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Dic Corp | 活性エステル樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、半導体封止材料、プリプレグ、回路基板、及びビルドアップフィルム |
| CN113663529A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-11-19 | 北京工业大学 | 一种新型大环芳烃复合纳滤膜及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0653819B2 (ja) | 1994-07-20 |
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