JPH04152523A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、レチクル・マスク・ウェハ等の基板の薬品に
よるウェットエツチング後の純水洗浄方法に関し。

処理薬品の基板上の残留物の完全除去を目的と基板を薬
品処理した後、水洗槽中において該基板を純水で洗浄す
る際、該基板の少なくとも１面に２間隔を開けて隔壁板
を配置し、該純水が該基板の表面近傍のみを流れるよう
にして洗浄するように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、レチクル・マスク・ウェハ等の基板の薬品処
理によるウェットエツチング後の純水洗浄方法に関する
。

近年、超ＬＳＩデバイスの高集積化、超微細化にともな
い、レチクル・マスク・ウェハの高品質化が要求されて
いる。

このため、薬品処理後のリンス水洗で温純水化。

流量アップ等の方法が提供されているが、レチクル・マ
スク・ウェハの表面に付着している薬品の残留物が完全
に除去出来ず、これら薬品残留物を効率良く除去する洗
浄方法が必要となる。

〔従来の技術〕

第３図は従来例の説明図である。

図において、８は水洗槽、９は純水、　１０は基板ホル
ダ、１１は基板である。

従来のレチクル・マスク・ウェハの薬品処理後のウェッ
ト洗浄においては、リンス水洗で、純水の加温、流量ア
ップを行っていたが、基板上への薬品のしみ痕等が残り
、薬品の残留物が完全に除去されていない状態となって
いた。

即ち、従来の洗浄方法は、第３図に示すように。

３〜５個の水洗槽８を用意し、これに５０〜９０℃に加
温した純水を１０〜３０１／ｗｉｎの割合で流入させ。

オーバーフローさせた水洗槽８に、基板ホルダ１０に載
せた複数枚の基板１１を３〜１０分間浸漬しこれを水洗
槽８を換えて３〜５回繰り返して、水洗洗浄を行ってい
た。

［発明が解決しようとする課題〕 しかし、このような方法で、レチクル・マスク・ウェハ
をウェット洗浄しても薬品の残留物が除去出来ず、レチ
クル・マスク・ウェハ等の品質を低下させるといった問
題を生じさせていた。

本発明は２以上の点を鑑み、ウェット洗浄における薬品
の残留物を完全に除去する方法を提供することを目的と
する。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明の原理説明図である。

図において、１は基板、２は隔壁板、３は純水である。

上記の問題点は、薬品処理後のレチクル・マスク・ウェ
ハ等の基板のリンス水洗の流れを、効率良くレチクル・
マスク・ウェハの表面に当てるように隔壁板を設けるこ
とにより解決される。

即ち１本発明の目的は、第１図に示すように。

基板１を薬品処理した後、水洗槽中において該基板１を
純水３で洗浄する際。

該基板１の少なくとも工面に１間隔を開けて隔壁板２を
配置し。

該純水３が該基板ｌの表面近傍のみを流れるようにして
洗浄することにより達成される。

〔作用〕

このように９本発明では、第１図のようにレチクル・マ
スク・ウェハ等の基板表面に新鮮な純水を繰り返し効率
良く連続的に当てるため、薬品残留物を完全に除去でき
るようになる。

〔実施例〕

第２図は本発明の一実施例の説明図である。

図において、１は基板、２は隔壁板、３は純水。

４は基板ホルダ、５はオーバーフロー板、６は水洗槽、
７は純水導入管である。

第２図（ａ）に本発明に使用した水洗装置の断面図、第
２図（ｂ）にＡ−Ａ’　ラインでカントした平面の断面
図、第２図（ｃ）に多孔のオーバーフロー板の部分図を
示す。

水洗槽６は従来と同様に、角形槽を使用し、第２図（ａ
）及び（ｂ）に示すように、この中に。

基板ホルダ４の上に１枚のレチクル基板１をセットシ、
基板１の両側に３〜１０ｍｍの間隔を開けて、基板表面
のみに水流が効率良く流れて、クロムエツチングの際の
薬品残留物を洗い流すように。

隔壁板２を設ける。

また、基板１の上方に純水３がスムーズに水洗槽６より
オーバーフローするように、ハニカム状。

或いは第２図（Ｃ）に部分図で示した多孔のオーバーフ
ロー板を設ける。

洗浄例としてクロムを蒸着被覆したレチクル基板ｌのエ
ツチング後の水洗方法について説明する。

レチクル基板ｌの表面に約１．０００人の厚さに蒸着被
覆されたクロム−酸化クロム二層膜を硝酸第二セリウム
アンモニウム液で３０秒間パターニングエツチングを行
ない、フォトレジストをレジスト剥離液等で除去した後
１本発明の純水の水洗槽６の底に設けた基板ホルダ４に
セットする。

そして、水洗槽６に５０°Ｃに加温した純水３を１０ｊ
！／ｍｉｎで純水導入管７より送り込み、基板１の表面
を純水で３０分間水洗する。

洗浄に使用した純水３はオーバーフロー板５の孔から流
出して、水洗槽６の外縁からオーバーフローして排出さ
れる。

基板１の表面は次々に流入する純水３により。

表面の薬品残留物が完全に洗浄されてなくなる。

この方法により、洗浄時間が従来の半分ですみ。

しかも、薬品残留物による基板表面の洗浄しみ痕等の汚
れを完全になくすことができた。

〔発明の効果〕

以上説明した様に９本発明のような、水洗槽に隔壁板を
設けて、基板表面のみに純水を多量に流すような方法を
とれば、薬品残留物はなくなり。

基板の品質向上、信軌性の保証に寄与するところが大き
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理説明図。 第２図は本発明の一実施例の説明図。 第３図は従来例の説明図 である。 図において １は基板。 ３は純水。 ５はオーバーフロー板 ６は水洗槽。 ２は隔壁板。 ４は基板ホルダ。 ７は純水導入管 第 図 第 図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板（１）を薬品処理した後、水洗槽中において該基板
   （１）を純水（３）で洗浄する際、 該基板（１）の少なくとも１面に、間隔を開けて隔壁板
   （２）を配置し、 該純水（３）が該基板（１）の表面近傍のみを流れるよ
   うにして洗浄することを特徴とする半導体装置の製造方
   法。