JPH04154604A - 酸化物超電導導体とその製造方法および製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、高磁界中においても臨界電流特性が高い酸
化物超電導導体とその製造方法および寥造装置に関する
ものである。

「従来の技術ｊ 従来、スパッタリング法、蒸着法、レーザ蒸着法、ＣＶ
Ｄ法などの各種の薄膜形成方法によって単結晶基板上や
金属テープ上に酸化物超電導層を直接成膜したり、金属
テープ上にバッファ層を形成してから酸化物超電導層を
形成するなどの手段によって酸化物超電導導体を試作す
ることか行なわれている。

ところで、酸化物超電導体ｊこあっては、結晶のａ軸方
向とｂ軸方向には電気を流し易く、Ｃ軸方向には電気を
流し難いといった電気的異方性を有している。例えば、
第５図に示すように、Ｂａ原子とＹ原子とＣｕ原子とＯ
原子が結合して構成されるＹ　ｒＢ　ａ＝ｃ　ｕｓｏ　
、−６なる組成の酸化物超電導体にあっては、結晶軸の
ａ軸方向とｂ軸方向に電流が流れ易く、Ｃ軸方向には流
れにくいというものである。従って前記碁打上に形成さ
れる酸化物超電導層は、基材上面に垂直にＣ軸が向くよ
うに配向され、酸化物超電導層の面方向に平行に電流を
流した時、より高い臨界電流特性が得られるものと考え
られている。

「発明か解決しようとする課題」 しかしながら、純粋な成分であって結晶配向性の良好な
酸化物超電導層を形成しようとすればするほど、酸化物
超電導層の磁界下における臨界電流特性は低下する傾向
がある。このように磁界下において臨界電流特性が低下
するのは、第６図に示すように、テープ状の基材ｌの上
面に酸化物超電導層２を形成してなる酸化物超電導導体
３においては、以下に説明する原因によるものであると
考えられる。

まず、酸化物超電導層２の上面に垂直に磁界をかけ、酸
化物超電導層２の長平方向に電流を流すと、通電方向と
垂直にローレンツ力が働く。このローレンツ力により酸
化物超電導層２の内部で磁束が動いた場合、その速度に
よる電圧が発生し、臨界電流特性が低下してしまうわけ
である。ここで一般に、超電導状態において超電導体は
完全反磁性を示し、超電導体の内部に磁束を侵入させな
いものであるが、第２種超電導体にあっては、超電導体
の内部に磁束が侵入し、この侵入した磁束線の部分のみ
が常電導状態となり、その他の部分は完全反磁性の超電
導状態となることが知られている。従って、このように
超電導体に侵入した磁束線が前記ローレンツ力によって
移動すると、常電導部分が増加し、いずれは全体が常電
導状態に転移してしまうわけである。

このため従来、金属系あるいは合金系の超電導体にあっ
ては、超電導体の内部に磁束の動きを妨げる働きをする
ピンニングセンタを導入し、臨界電流特性を向上させる
ようにしている。このピンニングセンタとは、超電導体
の内部の不純物、異相部、粒界などの不均質点を示す。

以上のことから、前記構造の酸化物超電導導体３にあっ
ては、ピンニングセンタの導入により粒界電流特性の向
上対策が検討されている状況である。

本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、高磁界中
においても高臨界電流密度を発揮する酸化物超電導導体
を提供することと、前記酸化物超電導導体を製造する方
法を提供することと、前記酸化物超電導導体を製造する
装置を提供することを目的とする。

「課題を解決するための手段」 請求項１に記載した発明は前記課題を解決するために、
基材上に酸化物超電導層を形成してなる酸化物超電導導
体において、前記酸化物超電導層の内部に、酸化物超電
導層をその通電方向に沿う複数の酸化物超電導部に分割
する不均質部が形成され、各酸化物超電導部がその結晶
軸のＣ軸を通電方向に対して直角に向けるように結晶配
向されてなるものである。

請求項２に記載した発明は前記課題を解決するために、
基材上に複数の酸化物超電導層を積層してなる酸化物超
電導導体において、前記複数の酸化物超電導層の各々が
それぞれの結晶軸のＣ軸を通電方向に直角に向けるよう
に結晶配向されてなるとともに、各酸化物超電導層の間
に、前記Ｃ軸配向された酸化物超電導層と異なる結晶配
向性を有する酸化物超電導部あるいは超電導特性を発揮
しない材料からなる不均質部が形成されてなるものであ
る。

請求項３に記載した発明は前記課題を解決するために、
リアクタの内部に設置した基材上に酸化物超電導体の原
料ガスを導入し、原料ガスの反応物を基材上に堆積させ
ることにより基材上に酸化物超電導層を形成して酸化物
超電導導体を製造する方法において、 目的の組成の酸化物超電導層を形成するための混合比の
原料ガスと、目的の組成からずれた酸化物超電導層ある
いは絶縁層などの不均質部を形成するための混合比の原
料ガスとを、隣接状態で基板上に導入し、基材上に目的
の組成の酸化物超電導層と不均質部とを交互ｊこ並列状
態で形成するものである。

請求項４に記載した発明は前記課題を解決するために、
基材上に酸化物超電導層を積層してなる酸化物超電導導
体の製造方法において、基材上に結晶配向させた酸化物
超電導層を形成する工程と、この酸化物超電導層と結晶
配向性の異なる酸化物超電導層あるいは組成比の異なる
絶縁層などの不均質部を形成する工程と、この不均質部
上に前記酸化物超電導層と同等の酸化物超電導層を形成
する工程とを繰り返し行って酸化物超電導導体を形成す
るしのである。

請求項５に記載し１こ発明は前記課題を解決するために
、内部に基材を収納可能なリアクタと、このリアクタの
内部に酸素ガスを導入するための導入部と、この導入部
の両側に整列状態で配置された複数の導入管と、リアク
タに設けられたガス排出部とを具備してなり、前記複数
の導入管が、目的の組成の酸化物超電導層を形成するた
めの混合比の原料ガスを導入するための主導入管と、目
的の組成からずれた酸化物超電導層あるいは絶縁層など
の不均質層を形成するための混合比の原料ガスを導入す
るたぬの副導入管とからなるものである。

「作用　− 本発明に係る酸化物超電導導体にあっては、酸化物超電
導層の内部にａ層方向に直交するような不均質部を導入
しているので、酸化物超電導層に磁界が作用している中
で通電した場合、酸化物超電導層の内部に侵入した磁束
線がローレンツ力により動かされようとしても前記不均
質部がこれを抑制する。従って超電導導体の臨界電流密
度が向上する。

また、目的の組成の酸化物超電導層を生成させるｆ二め
混合比の原料ガスとそれと異なる混合比の原料ガスを隣
接状態でリアクタ内の基材上に導入するので、基材上に
は目的の組成の酸化物超電導層とその他の組成の不均一
部とが整列状態で形成される。

以下に本発明を更に詳細に説明する。

第１図は本発明の一実施例の酸化物超電導導体を示すも
ので、この実施例の酸化物超電導導体５は、テープ状の
基材６上に酸化物超電導層７を形成してなるものである
。前記酸化物超電導層７は、酸化物超電導層７の長手方
向に沿って筋状の複数（第１図では３本）の不均質部分
８を形成することにより複数の超電導部７ａに分割され
てなるものである。

この不均質部８とは、結晶配向していない酸化物超電導
体の層、目的の酸化物超電導体の組成からずれた組成の
複合酸化物層、あるいは、不純物層などからなる部分で
ある。不均質部８の何方の超電導部７ａは、その結晶の
Ｃ軸を超電導部７ａの上面に垂直に向けるように結晶配
向されたものである。ここで酸化物超電導体の結晶にお
いてａ、ｂ軸方向には電流を流し易く、Ｃ軸方向には電
流を流しにくいことが知られている。従って前述のよう
にＣ軸配向させた場合、テープ状の基材５の長手方向に
沿って電流か流れ易くなる。

また、不均質部８は、層状や筋状になっているものに限
らず、島状に不連続なものでも良く、連続型、間欠型の
いずれの形状でも差し支えない。

更に、不均質部８は酸化物超電導層７内において平面千
鳥状に分散配置されていても良い。

前記基材６は、Ｓ　ｒＴ　ｉｏ　ｓ、ＭｇＯなどのよう
に酸化物超電導体に対して結晶整合性に優れ、熱膨張係
数が近い材料を用いることが好ましい。基材６として金
属基材を用いる場合は、金属基村上に前記結晶整合性に
優れ、酸化物超電導体に熱膨張係数が近い材料のバッフ
ァ層を形成したものを用いることが好ましい。このバッ
ファ層は、数分の一μ重から数μ釦程度の厚さのもので
差し支えない。

また、バッファ層を形成する手段は、ＣＶＤ法、物理蒸
着法、溶射法などのように広く知られている成膜手段の
いずれを用いても良い。

酸化物超電導層７は、Ｙ　−Ｂ　ａ−Ｃｕ−０系、Ｂｉ
Ｓ　ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、Ｔ　Ｉ−Ｂ　ａ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０系、ＴＩＳ　ｒ−Ｖ−０系などに代表される酸化
物超電導体からなる層であれば、いずれのものを用いて
も良い。

また、ここで用いる酸化物超電導層７は前記のものに限
らず、公知の組成の酸化物超電導体の層で差し支えない
。更に、酸化物超電導層７を形成する手段は、ＣＶＤ法
、レーザ蒸着法、スパッタリング法などのように公知の
成膜手段のいずれを用いても良い。

酸化物超電導ｌｉ７を形成する一手段として、レーザ蒸
着装置について説明するならば、レーザ蒸着装置とは、
真空排気可能なチャンバの内部にターゲットを収納し、
このターゲットに対向させてチャンバ内に基材を設け、
前記ターゲットにレーザビームを照射することでターゲ
ットの構成粒子を叩き出すかえぐり取って基材上Ｉこ堆
積させる装置である。また、ＣＶＤ装置とは、酸化物超
電導体を構成する複数の元素の化合物のガスを真空排気
可能なリアクタに導入し、リアクタの内部で化合物ガス
を反応させ、基材上に酸化物超電導層を形成する装置で
あって、リアクタの内部にプラズマ炎などを発生させて
化合物ガスを反応さけても良い。

第１図に示す構造の酸化物超電導導体５にあっては、酸
化物超電導層７がＣ軸配向し、基材６の長手方向と幅方
向に電流が流れ５いので、臨界電流密度を高くすること
ができる。また、酸化物超電導層７は不均質部８によっ
て複数に仕切られているので、磁界が作用した場合、仕
切られた各酸化物超電導部にローレンツ力により磁束の
移動現象が生じても、不均質部８によって磁束の移動が
妨げられる結果、酸化物超電導導体５の臨界電流密度を
向上させることができる効果かある。　従って本発明に
よれば、磁界中においても臨界電流密度の高い酸化物超
電導導体５を提供することができる効果がある。

前記酸化物超電導層７において、不均質部８か形成され
ている部分の面積は、酸化物超電導層７全体の１０％以
下か好ましい。この不均質部８の面積が大きすぎると、
酸化物超電導導体５全体としての臨界電流密度の向上に
寄与しない。

また、不均質部８の厚さあるいは幅を０．５μｍ以下と
することか好ましい。

第２図は本発明の第２実施例の酸化物超電導導体を示す
もので、この例の酸化物超電導導体１０は、テープ状の
基材１１の上面に複数の酸化物超電導層１２を積層して
なる構造である。そして、各酸化物超電導層１２の間に
は酸化物超電導層１２とは結晶配向性の異なる酸化物超
電導層あるいは絶縁層などの不均質層１３が介在されて
いる。

前記基材１１と酸化物超電導層１２は先に説明した実施
例の基材６と同等のものが用いられる。

従って酸化物超電導層１２はそのＣ軸を酸化物超電導層
１２の上面に垂直に向けるように結晶配向されている。

不均質層１３は、前記結晶配向性とは異なる結晶配向性
の酸化物超電導層、あるいは、酸化物超電導層と近似組
成の複合酸化物などの絶縁層などから構成される。前記
不均質層１３は完全に連続した層状のものでも良いが、
酸化物超電導層１２゜１２の間に島状に点在した微細な
酸化物超電導部が分散した構造のものでも良い。この構
造の場合は、不均質層１３の間欠部分を介して上下の酸
化物超電導層１２．１２が部分的に接合された構造とな
る。

第３図は、第１図に示す構造の酸化物超電導導体５をＣ
ＶＤ法を適用して製造する場合に用いて好適な製造装置
の一実施例を示すものである。

第３図において、符号２０は一縦型のリアクタであって
、このリアクタ２０は、上部容器２１と下部容器２２と
を細′ぐくびれた連結部２３を介して一体化してなるも
のである。このリアクタ２０の下部容器２２の向上部に
は、ヒータ加熱機構を備えた基板ホルダ２４が設けられ
ていてその上に基板６が設置されるようになっている。

また、上部容器２１の天井部中央には、酸素ガスやキャ
リアガスの導入部２６が形成されるとともに、導入部２
６の両側には、複数の導入管が設けられている。これら
の導入管は、主導入管２７と副導入管２８とからなり、
主導入管２７と副導入管２８は交互に整列状態で配贋さ
れている。なお、前記主導入管２７と副導入管２８はそ
れぞれ別のバブラなどの気相源に接続されて各自別個に
所望の原料ガスをキャリアガスとともに導入できるよう
になっている。

更に、リアクタ２０の下部容器２２の底部には排気部２
９が形成されていてリアクタ２０の内部の原料ガスを排
出できるようになっている。また、リアクタ２０の周囲
部には、加熱装Ｒ３０が設置されており、基板ホルダ２
４に備えられたヒータとの併用も可能である。

前記主導入管２７は、目的の組成の酸化物超電導層を生
成させるための原料ガスをリアクタ２０内に導入するた
めのもので、副導入管２８は前記組成とは異なる組成の
原料ガスをリアクタ２０内に導入するた約のものであっ
て、基板２６にできるたけ近付けることら可能である。

リアクタ２０に導入する原料ガスとして例えば、Ｙ　−
Ｂ　ａ−Ｃｕ−０系の酸化物超電導層を形成する場合、
各構成元素を含む気相源から発生させた原料ガスを用い
る。

より具体的には各気相源として、前記各元素のアセチル
アセトン化合物、ヘキサフルオロアセチルアセトン化合
物などのジケトン化合物、シクロペンタジェニル化合物
などの粉末を使用する。また、ＢａソースとしてＢａ−
ビス−２，２，６，６テトラメチルー３５−ヘプタンジ
オナート「略称Ｂ　ａ（Ｄ　Ｐ　Ｍ　）ｙＪ、Ｂａ−ビ
ス−１，１，１，２，２−ペンタフルオｏ−６．６−シ
メチルー３．５−へブタンジオン「略称Ｂ　ａ（Ｐ　Ｐ
　Ｍ）ｔＪ’−Ｂａ−ヒス−１，１，１，５，５，５−
ヘキサフルオロ−２，４−ヘプタンジオン「略称Ｂ　ａ
（ＨＦ　Ａ　）Ｊなどのβ−ジケトンキレート錯体など
が使用される。

次に前記装置を用いて第１図に示す構造の酸化物超電導
導体５を製造する場合について説明する。

第３図に示す装置を用いて酸化物超電導導体５を製造す
るには、加熱装置３０を作動させてリアクタ２０の内部
を加熱するとともに、各主導入管２７と副導入管２８を
介してリアクタ２０内にそれぞれ各気相源からキャリア
ガスとともに原料ガスを送り、導入部２６を介して酸素
ガスをリアクタ２０内に送る。

これらの原料ガスの内、目的の組成の酸化物超電導層を
形成するための混合比とした原料ガスを主導入管２７か
ら、また、前記混合比から外れた組成の原料ガスを副導
入管２８からそれぞれキャリアガスとともにリアクタ２
０内に導入すると、混合比の異なる原料ガスは互いに隣
接状態で基板６に向って流動し、基板６上で反応して酸
化物超電導層７が形成される。この場合、基板６に向っ
て流動している原料ガスは目的の混合比のものと、その
混合比からずれたものであるので、基板６上には、目的
の組成の結晶配向性の良好な超電導部７ａと不均質部８
とが隣接状態で形成されることになる。

以上のようにすることで第１図に示す構造の不均質部８
を導入した酸化物超電導導体５を製造することができる
。

前記構造の装置にあっては、リアクタ２０の連結部２３
によって原料ガスの流れが絞られるので、基板６に対し
て原料ガスが確実に層状に吹き付けられる結果、第１図
に示すような超電導部７ａと不均質部８と７二区分けさ
れた酸化物超電導層７が形成される。

なお、前記構造の製造装置ｊこおいて、主導入管２７の
径と副導入管２８の径は１０：１程度が好ましく、主導
入管２７からの流量と副導入管２８からの流量との比は
１０：１程度が好ましい。

Ｕ製造例１　」 Ｙ：Ｂａ：Ｃａ＝　１　：３　：３の組成比を有するタ
ーゲットを用い、ＲＦマグネトロンスパッタリング装置
を用いてＳ　ｒＴ　ｉｏ　ｓ製の基板上に酸化物超電導
層を成膜した。この際、スパッタリング装置のチャンバ
内の真空度を１　、ＯＸ　Ｉ　Ｏ−”Ｔｏｒｒに設定し
、酸素流量を６０ｃｃ鱈こ固定して基板加熱用のヒータ
をオン、オフしてＣ軸配向の酸化物超電導層とこの酸化
物超電導層と近似組成の絶縁層とを交互に積層させた。

加熱ヒータをオンにした状態では、基板を７５０℃に加
熱し、加熱ヒータをオフとした状態では実質的に基板を
３００〜４００℃程度に保持している。加熱ヒータをオ
ンとした状態を２時間、加熱ヒータをオフとした状態を
３０分間、繰り返し、合計５回積層した。

その結果、厚さ０．２μｍのＣ軸配向した酸化物超電導
層と、厚さ０．０５μ門でＣ軸配向が見られず、前記酸
化物超電導層と近似組成の絶縁層とを合計５層形成する
ことができ、合計的１μ−の厚さの酸化物超電導層が得
られた。

得られた酸化物超電導層の臨界電流特性を測定するため
に、酸化物超電導層の上面に平行に磁界をかけ、それと
直角に電流を流して臨界電流値を測定した。また、通常
のスパッタリング法により厚さ１μｍのＣ軸配向した酸
化物超電導層を形成し、前記と同等の方向ｊこ磁界をか
けつつ電流を流して臨界電流値を測定した。それらの結
果を第１表に記載した。

第１表から明らかなように本発明方法に係る酸化物超電
導導体は、磁場をかけて通電した場合に臨界電流密度の
低下割合が少なく、優秀な特性を発揮することが明らか
になった。従って、複数の酸化物超電導層の間に介在さ
せた絶＃層がピンニングセンタの役割を果たしているこ
とが判明した。

ただし、電子顕微鏡で絶縁層の存在を観察してみると、
Ｃ軸配向した酸化物超電導層の間にはさんだ絶縁層は、
均一に存在するのではなく、島状に存在し、約１７２は
存在しないことか判明しｆこ。

この結果から、１層目（最上層）の酸化物超電導層の表
面部分に通電してもＣ軸配向させた各酸化物超電導層ｊ
こ充分に電流が流れており、しかも各酸化物超電導層間
にピンニングセンタも存在する結果となり、前記の良好
な結果が得られたものと思われる。

Ｕ製造ＰＩ　２　Ｊ Ｂ　ｉ：Ｓ　ｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝　２　：２　：１　：２
の組成比にするため、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝　Ｉ　
、５　：３　：３　：２Ｊこ合うようＤＰＭ系原料を配
合し、Ａ原料とした。又、配合組成をＢ　ｉ：Ｓ　ｒ：
Ｃａ：Ｃｕ＝　２　：３　：２　：２とした原料をＢ原
料とした。前記Ａ原料とＢ原料をそれぞれ独立に第３図
に示す導入管でチャンバに導入し、導入部からの０．ガ
ス流路に従って基板に向けて流し込んだ。Ａ原料用導入
管を６本、日原料導入管を５本、交互に配置した第３図
に示す構成の製造装置を用い、チャンバ内部を真空引き
して成膜を行った。

なお、基板と導入管との間の部分では、チャンバの胴径
を絞り、基板上面全部に反応ガスか十分に当たるように
なっている。また、基板として上面を（１００）面とし
たＭｇＯ製の基板を用い、基板を８５０℃に加熱して成
膜した。その結果、基板４０上に超電導部４１と不均質
部４２とが横向きに整列した第４図に示す構造の酸化物
超電導層を生成させることができた。

第４図に示す構成の酸化物超電導層の境界部分ははっき
りしていないが、成分分析をしてみると、Ｃ軸配向しｈ
酸化物超電導部は幅約１ｎｍであってほぼＢｉ：Ｓｒ：
Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：１：２の組成で臨界温度Ｔｃ＝８
０Ｋを示すが、配向していない不均質部は、Ｓｒが欠如
した部分であり、超電導性を示さない絶縁部分であった
。この不均質部は約１μｍ〜０．０１μｍの幅を示し、
層状に成膜されていた。この不均質部分のＳＭＥ／ＥＤ
Ｓ分析を行った結果、不均質部分は０゜５〜０．１μｍ
の幅をとっているが、部分的には０．１μｍ以下の幅と
なっている可能性も見られた。しかもこの不均質部は、
配向された酸化物超電導部と平行に生成されているが、
所々不生成部分や幅変動部分があり、不規則となってい
る。

前記のように形成された酸化物超電導導体に垂直ｊこ磁
界をかけて液体窒素中で臨界電流特性を測定した結果を
第２表に示す。

第２表 第２表から明らかなように、本発明の酸化物超電導導体
は、磁界ｊこ強いものであった。

「発明の効果」 以上説明したように本発明の酸化物超電導導体は、酸化
物超電導層の内部に不均質部を設けているので、磁界が
作用している中で通電した場合、不均質部でローレンツ
力による磁束線の移動が抑制される結果、臨界電流密度
を向上させることができる効果がある。そして、このよ
うな優れた特性は、基材上に不均質部を介して層状に酸
化物超電導層を積層した構造のものであっても、基材上
に形成した酸化物超電導層内？こ不均質部を形成した構
造のものであっても同様に得ることができる。

また、目的の組成の酸化物超電導層を得るための原料ガ
スをリアクタ内に送る主導入管とその組成からずれた原
料ガスを導入する副導入管とを備えた装置で基材上に成
膜するならば、ｃｔｉＩ！ｌ配向した酸化物超電導部と
不均質部とが隣接状態で配列された酸化物超電導層を形
成することができる。

更に、基材上に酸化物超電導層を積層する場合に酸化物
超電導層を形成してから不均質部を形成し、再び酸化物
超電導層を形成する操作を繰り返すことで、臨界電流密
度が高く、その特性か高磁界中であっても低下しない積
層構造の酸化物超電導導体を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は本発
明の第２実施例の斜視図、第３図は酸化物超電導導体の
製造装置の一例を示す構成図、第４図は実施例で製造さ
れた酸化物超電導導体の斜視図、第５図はＹ　−Ｂ　ａ
−Ｃｕ−０系の酸化物超電導体の結晶構造を示す原子配
列図、第６図は従来の酸化物超電導導体の斜視図である
。 ５．１０・・・酸化物超電導導体、６，１１．４０・・
基材、７．１２・・酸化物超電導層、７ｇ、４１・・・
超電導部、８．４２・・・不均質部、１３・・不均質層
、２０・・・リアクタ、２１・・・上部容器、２２・・
・下部容器、２６・・・導入部、２７・・主導入管、２
８・・・副導入管、２９・・・排出部、３０・・・加熱
装置。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基材上に酸化物超電導層を形成してなる酸化物超
   電導導体において、前記酸化物超電導層の内部に、酸化
   物超電導層をその通電方向に沿う複数の酸化物超電導部
   に分割する不均質部が形成され、各酸化物超電導部がそ
   の結晶軸のｃ軸を通電方向に対して直角に向けるように
   結晶配向されてなることを特徴とする酸化物超電導導体
   。
2. （２）基材上に複数の酸化物超電導層を積層してなる酸
   化物超電導導体において、前記複数の酸化物超電導層の
   各々がそれぞれの結晶軸のｃ軸を通電方向に直角に向け
   るように結晶配向されてなるとともに、各酸化物超電導
   層の間に、前記ｃ軸配向された酸化物超電導層と異なる
   結晶配向性を有する酸化物超電導部あるいは超電導特性
   を発揮しない材料からなる不均質部が形成されてなるこ
   とを特徴とする酸化物超電導導体。
3. （３）リアクタの内部に設置した基材上に酸化物超電導
   体の原料ガスを導入し、原料ガスの反応物を基材上に堆
   積させることにより基材上に酸化物超電導層を形成して
   酸化物超電導導体を製造する方法において、 目的の組成の酸化物超電導層を形成するための混合比の
   原料ガスと、目的の組成からずれた酸化物超電導層ある
   いは絶縁層などの不均質部を形成するための混合比の原
   料ガスとを、隣接状態で基板上に導入し、基材上に目的
   の組成の酸化物超電導層と不均質部とを交互に並列状態
   で形成することを特徴とする酸化物超電導導体の製造方
   法。
4. （４）基材上に酸化物超電導層を積層してなる酸化物超
   電導導体の製造方法において、基材上に結晶配向させた
   酸化物超電導層を形成する工程と、この酸化物超電導層
   と結晶配向性の異なる酸化物超電導層あるいは組成比の
   異なる絶縁層などの不均質部を形成する工程と、この不
   均質部上に前記酸化物超電導層と同等の酸化物超電導層
   を形成する工程とを繰り返し行って酸化物超電導導体を
   形成することを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法
   。
5. （５）内部に基材を収納可能なリアクタと、このリアク
   タの内部に酸素ガスを導入するための導入部と、この導
   入部の両側に整列状態で配置された複数の導入管と、リ
   アクタに設けられたガス排出部とを具備してなり、前記
   複数の導入管が、目的の組成の酸化物超電導層を形成す
   るための混合比の原料ガスを導入するための主導入管と
   、目的の組成からずれた酸化物超電導層あるいは絶縁層
   などの不均質層を形成するための混合比の原料ガスを導
   入するための副導入管とからなることを特徴とする酸化
   物超電導導体の製造装置。