JPH0447521A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0447521A JPH0447521A JP15793290A JP15793290A JPH0447521A JP H0447521 A JPH0447521 A JP H0447521A JP 15793290 A JP15793290 A JP 15793290A JP 15793290 A JP15793290 A JP 15793290A JP H0447521 A JPH0447521 A JP H0447521A
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- Japan
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- coercive force
- layer
- thin film
- recording medium
- magnetic recording
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は特に高密度記録再生特性に優れた磁気記録媒
体に関するものである。
体に関するものである。
近年、磁気記録媒体の高密度記録化に伴って、磁気記録
媒体の高保磁力化が要求されている。
媒体の高保磁力化が要求されている。
この要求を満足させるために磁性媒体も従来の酸化鉄の
針状粒子を塗布した塗布媒体から、スパッタリング法等
の薄膜形成法により製造される薄膜媒体が便用されよう
としている。
針状粒子を塗布した塗布媒体から、スパッタリング法等
の薄膜形成法により製造される薄膜媒体が便用されよう
としている。
ｌ。
８゜
ところで、このスパッタリング法により製造される磁気
記録媒体Ｃ以下、メタルスパッタ媒体と称す０）は、一
般にＮｉ −Ｐ下地硬化層を設けたＡ／ −Ｍ９基板上
にＣｒ、Ｃｏ合金薄！Ｉ！を順次形成することにより得
られ、磁気特性のｉｌＪ御はＣｒ薄膜、Ｃｏ合金薄膜の
膜厚および成膜条件（基板温度、スパッタガス圧等）に
より行われる。たとえば刊行物（Ｉ Ｋ Ｂ Ｋ Ｔ
ｒａｎｓ −Ｍｏｆ ・ＭｈＧ・−２３，、ｆ； １．
Ｊａｎｕａｒｙ １９＆？ 、ＰＬ２２〜１２４ ）
Ｋ Ｃ？薄膜およびＣｏ合金薄膜の膜厚を変えた場合の
保磁力の変化を、また、刊行物（第１１回日本心用磁気
学会学述講演概要集、Ｐ １８（１９８７，１１月））
に基板温度に対する保磁力の変化を示しであるが、保磁
力として１００００ｅ 〜１５０００ｅという高い値が
得られることが示されている。
記録媒体Ｃ以下、メタルスパッタ媒体と称す０）は、一
般にＮｉ −Ｐ下地硬化層を設けたＡ／ −Ｍ９基板上
にＣｒ、Ｃｏ合金薄！Ｉ！を順次形成することにより得
られ、磁気特性のｉｌＪ御はＣｒ薄膜、Ｃｏ合金薄膜の
膜厚および成膜条件（基板温度、スパッタガス圧等）に
より行われる。たとえば刊行物（Ｉ Ｋ Ｂ Ｋ Ｔ
ｒａｎｓ −Ｍｏｆ ・ＭｈＧ・−２３，、ｆ； １．
Ｊａｎｕａｒｙ １９＆？ 、ＰＬ２２〜１２４ ）
Ｋ Ｃ？薄膜およびＣｏ合金薄膜の膜厚を変えた場合の
保磁力の変化を、また、刊行物（第１１回日本心用磁気
学会学述講演概要集、Ｐ １８（１９８７，１１月））
に基板温度に対する保磁力の変化を示しであるが、保磁
力として１００００ｅ 〜１５０００ｅという高い値が
得られることが示されている。
しかし、保磁力の増加とともに高記録密度における再生
出力が大きくなるが、オーバーライド特性が悪化すると
いう問題点がめった。
出力が大きくなるが、オーバーライド特性が悪化すると
いう問題点がめった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れ几もので、高密度記録時の再生出力を高く維持したま
まで、オーバーライド特性の良好な磁気記録媒体を得る
ことを目的とする。
れ几もので、高密度記録時の再生出力を高く維持したま
まで、オーバーライド特性の良好な磁気記録媒体を得る
ことを目的とする。
この発明の磁気記録媒体は、非磁性基体、この非磁性基
体に設けた０ｒＩｖ１１！！からなる下地層およびこの
下地層上に、下層より上層に向けて大きな保磁力を有す
る００合金薄膜が積層さ７１、次ものである。
体に設けた０ｒＩｖ１１！！からなる下地層およびこの
下地層上に、下層より上層に向けて大きな保磁力を有す
る００合金薄膜が積層さ７１、次ものである。
この発ＦＪＡにおける磁気記録媒体は、磁性層の深層部
に低保磁力を有する層を１表層部に高保磁力を有する層
が設けであるため、高密度記録時には表層部の高保磁力
？有する層により記録再生が行われ、また、深層部の低
保磁力を有する層に記録された情報は、磁気ヘッドから
のもれ磁界が小さくと本容易に書き換えられるためオー
バーライド特性の劣化がないものである。
に低保磁力を有する層を１表層部に高保磁力を有する層
が設けであるため、高密度記録時には表層部の高保磁力
？有する層により記録再生が行われ、また、深層部の低
保磁力を有する層に記録された情報は、磁気ヘッドから
のもれ磁界が小さくと本容易に書き換えられるためオー
バーライド特性の劣化がないものである。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例の磁気記録媒体の断面図でアリ
、（ｌＩＬＩ−ｉ非磁性基体、（２）はＣｒ薄膜からな
る下地層、（３１〜＋ｌｌｌは００合金薄膜、（６１は
保護膜層である。
図はこの発明の一実施例の磁気記録媒体の断面図でアリ
、（ｌＩＬＩ−ｉ非磁性基体、（２）はＣｒ薄膜からな
る下地層、（３１〜＋ｌｌｌは００合金薄膜、（６１は
保護膜層である。
実施例１゜
非磁性基体としてＮｉ −Ｐ下地硬化層が設けられたＡ
ｔ −Ｍ？基板にテクスデャー加工を施したものを用い
、Ｃｏ合金としてＣｏ６ａｓ Ｎ１３０ Ｃｒ７．ａａ
ｔチの組成のＣ！ｏ ｈＪｔ ｃｒ ’ｉｔ：＊保護膜
材としてはカーボンを用いた。各Ｃｏ Ｎｉ Ｃｒ層の
保磁力の制御ＶＣは基板温度を変えることにより行つ九
。
ｔ −Ｍ？基板にテクスデャー加工を施したものを用い
、Ｃｏ合金としてＣｏ６ａｓ Ｎ１３０ Ｃｒ７．ａａ
ｔチの組成のＣ！ｏ ｈＪｔ ｃｒ ’ｉｔ：＊保護膜
材としてはカーボンを用いた。各Ｃｏ Ｎｉ Ｃｒ層の
保磁力の制御ＶＣは基板温度を変えることにより行つ九
。
即ち、まずｃｒ薄膜と第１層目のＣｏ Ｎｉ Ｃｒ薄膜
を基板温度１（１Ｇ℃でスパッタリング法により、Ｃｒ
厚薄１ｉ１層をＬｌｏｏＯＡ 第１層目のｃＱ Ｎｉ
（！ｒ薄膜を１６７Ａ形成し、その後基板温度を目Ｉ
℃とし第２層目のＣｏ Ｎｉ Ｃｒ薄膜を１６７ Ａ形
成し、その後基板温度を２００℃とし第８＃目のｃｏ
Ｎｉ ａｒ薄膜を１６７Ａ形成し、最後にカーボン保護
層を４０ＯＡ 形成し、磁気記録媒体を得た。なお。
を基板温度１（１Ｇ℃でスパッタリング法により、Ｃｒ
厚薄１ｉ１層をＬｌｏｏＯＡ 第１層目のｃＱ Ｎｉ
（！ｒ薄膜を１６７Ａ形成し、その後基板温度を目Ｉ
℃とし第２層目のＣｏ Ｎｉ Ｃｒ薄膜を１６７ Ａ形
成し、その後基板温度を２００℃とし第８＃目のｃｏ
Ｎｉ ａｒ薄膜を１６７Ａ形成し、最後にカーボン保護
層を４０ＯＡ 形成し、磁気記録媒体を得た。なお。
この時のスパッタガス圧は全て１０ ｍＴｏｒｒ トし
た。
た。
夫旌り１２゜
第１１−目と第２層目のＣｏ Ｎｉ Ｃｒ薄膜ならびに
第２層目と第３層目のＣｏ Ｎｉ ｃｒ薄膜の間ＫＣｒ
Ｃｒ薄膜れぞ１１００Ａ形成した以外は全て実施４１１
と同一条件でｇＸ、膜を行い磁気記録媒体を得た。
第２層目と第３層目のＣｏ Ｎｉ ｃｒ薄膜の間ＫＣｒ
Ｃｒ薄膜れぞ１１００Ａ形成した以外は全て実施４１１
と同一条件でｇＸ、膜を行い磁気記録媒体を得た。
比較例１゜
ｃｒ薄膜’（２０００Ａ 、 Ｃｏ Ｎｉ Ｃｒ薄膜を
単層５００八基板温度１００℃で成膜して磁気記録媒体
を得た。他の条件は実施例１と同じに行った。
単層５００八基板温度１００℃で成膜して磁気記録媒体
を得た。他の条件は実施例１と同じに行った。
比較例２゜
ｃｒ薄膜ｆ ２０００Ａ Ｃｏ Ｎｉ Ｃｒ薄膜を単層
５００久基板温度ｇ００℃で成膜して磁気記録媒体を得
た。他の条件は実施例１と同じに行った。
５００久基板温度ｇ００℃で成膜して磁気記録媒体を得
た。他の条件は実施例１と同じに行った。
チ厖列１．２及び比較例１．２にて得られたメタルスパ
ッタ媒体の電磁ｆ換特性及び磁気特性を測定した。ｔａ
Ｘ撲特性測定には薄膜磁気ヘッド全円い相対速ｆ１２．
１ ｍ７ｗ 、フライングノ１イトｏ、５ａｒｎｅ餘周
波数ＬＦ：３ＭＨｚ、ＨＦ８ＭＨｚにて行つ九。また占
気特性測定には試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いた。
ッタ媒体の電磁ｆ換特性及び磁気特性を測定した。ｔａ
Ｘ撲特性測定には薄膜磁気ヘッド全円い相対速ｆ１２．
１ ｍ７ｗ 、フライングノ１イトｏ、５ａｒｎｅ餘周
波数ＬＦ：３ＭＨｚ、ＨＦ８ＭＨｚにて行つ九。また占
気特性測定には試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いた。
ｔａ変換特性及び磁気特性結果２表１に示す。
以下１６行余白
’１ｆＰＪ１及び２とも保磁力は比較例２と比べ若干低
い値ではめるが、比較例１より大き々値となっている。
い値ではめるが、比較例１より大き々値となっている。
再生ｄ力において、ＬＰでの再生比力は実施例及び比較
例とも同じであるが、ＨＦでに、実施例１及び８は比較
例２に比べ若干再生出力が低いが、比較例１と比べ大き
なａを示している。オーバーライドにおいては、実施例
１及び２とも一３０ｄＢ以下であり、比較例２の一２８
ｄＢと比べ良好な特性を示している。
例とも同じであるが、ＨＦでに、実施例１及び８は比較
例２に比べ若干再生出力が低いが、比較例１と比べ大き
なａを示している。オーバーライドにおいては、実施例
１及び２とも一３０ｄＢ以下であり、比較例２の一２８
ｄＢと比べ良好な特性を示している。
なお、上記実施ｇＡｊＶＣおいては非磁性基体としてＮ
ｉ −Ｐ下地硬化層を設はテクスチャー加工を施したＡ
／ −ＭＰ基板、００合金薄膜としてＣ０６２−５Ｎｉ
３０ Ｃｒ？、５ ａｔ％のＣｏ Ｎｉ Ｃｒ薄膜を形
成した場合について説明したが、これに限らず他の基板
また他の００合金薄膜に適用しても同様の効果【奏する
。
ｉ −Ｐ下地硬化層を設はテクスチャー加工を施したＡ
／ −ＭＰ基板、００合金薄膜としてＣ０６２−５Ｎｉ
３０ Ｃｒ？、５ ａｔ％のＣｏ Ｎｉ Ｃｒ薄膜を形
成した場合について説明したが、これに限らず他の基板
また他の００合金薄膜に適用しても同様の効果【奏する
。
また実施例において、各００合金薄膜の保磁力を制御す
る方法とじて成膜時の基板温度により行ったが、他の方
法、たとえば、Ｃｏ合省の組成金変えることにより行っ
ても良い。筐た、４゜ 実施列においては、００合金薄膜を３層積層したものに
ついて説明したが、これに限らず、２層以上のものに適
用しても同様の効果を奏する。
る方法とじて成膜時の基板温度により行ったが、他の方
法、たとえば、Ｃｏ合省の組成金変えることにより行っ
ても良い。筐た、４゜ 実施列においては、００合金薄膜を３層積層したものに
ついて説明したが、これに限らず、２層以上のものに適
用しても同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば非磁性基体上にＣｒ１
ｉｌ膜からなる下地層、このＣｒ１ｌｉ膜からなる下地
層上に下層から上層に向うに伴い保磁力の大きなＣｏ合
金薄膜を積層したので、高密度記録時の再生出力の低下
も小さく、かつオーバーライド特性の良好な磁気記録媒
体全得ることができる。
ｉｌ膜からなる下地層、このＣｒ１ｌｉ膜からなる下地
層上に下層から上層に向うに伴い保磁力の大きなＣｏ合
金薄膜を積層したので、高密度記録時の再生出力の低下
も小さく、かつオーバーライド特性の良好な磁気記録媒
体全得ることができる。
第１図はこの発明の一実厖例の出猟記録媒体の断面図で
ある。図において、１１１は非磁性基体、２１はＣｒ薄
膜からなる下地層、・３）〜１５１は００合金薄膜であ
る。
ある。図において、１１１は非磁性基体、２１はＣｒ薄
膜からなる下地層、・３）〜１５１は００合金薄膜であ
る。
Claims (1)
- （１）非磁性基体上にＣｒ薄膜、Ｃｏ合金薄膜が順に形
成された磁気記録媒体において、保磁力が下層より上層
が大きな値をもつ上記Ｃｏ合金薄膜が積層されたことを
特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15793290A JPH0447521A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15793290A JPH0447521A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0447521A true JPH0447521A (ja) | 1992-02-17 |
Family
ID=15660630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15793290A Pending JPH0447521A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0447521A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1600951A1 (en) * | 2004-05-24 | 2005-11-30 | Hitachi Global Storage Technologies B. V. | Magnetic Recording System |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP15793290A patent/JPH0447521A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1600951A1 (en) * | 2004-05-24 | 2005-11-30 | Hitachi Global Storage Technologies B. V. | Magnetic Recording System |
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