JPH04157700A - Prom内蔵集積回路 - Google Patents

Prom内蔵集積回路

Info

Publication number
JPH04157700A
JPH04157700A JP2282821A JP28282190A JPH04157700A JP H04157700 A JPH04157700 A JP H04157700A JP 2282821 A JP2282821 A JP 2282821A JP 28282190 A JP28282190 A JP 28282190A JP H04157700 A JPH04157700 A JP H04157700A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
input
prom
bit cell
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2282821A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunori Nagasaki
長崎 和徳
Hideyo Kanayama
金山 英世
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2282821A priority Critical patent/JPH04157700A/ja
Publication of JPH04157700A publication Critical patent/JPH04157700A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はPROM内蔵集積回路に関し、特に誤り訂正機
能を有するPROM内蔵集積回路に関する。
〔従来の技術〕
従来の誤り訂正回路を内蔵したPROM集積回路につい
て、第8図乃至第10図を参照して説明する。
第8図は従来の一例を示すPROM内蔵集積回路のフロ
ック図である。
第8図に示すように、従来のPROM内蔵集積回路は、
データ入出力バッファ1と、アドレスバッファ2と、P
ROM3Aと、検査ヒツト生成回路4および誤り訂正回
路6Aとを有し、アドレス信号は外部アドレス端子AO
〜Anに入力され、71”L/スバッファ2を介して、
PROM3Aに入力されている。また、リード信号RD
はアクティブ(“′0”)のとき、PROM3Aに対す
るデータ読み出しを指示する信号であり、ライト信号P
RGはアクティブ(0″)のとき、PROM3Aに対す
るデータ書き込みを指示する信号である。更に、データ
信号は外部データ端子Do〜Dnから入出力される。デ
ータ入出力バッファ1はデータ端子DC1”Dnに接続
され、リート信号π1−が“0”のとき圧力バッファと
して動作しデータ信号を出力し、ライト信号PRGが“
O″のとき人力バッファとして動作しデータ信号を入力
する。
次にPROM3Aへのデータ信号の書き込み動作につい
て説明する。
まず、アドレス端子AO〜Anからアドレス信号が入力
され、アドレスバッファ2を介してPROM3Aに入力
されると、PROM3Aのアドレスが指定される。次に
、ライト信号PRGを0″にし、データ端子DO〜Dn
からデータ信号を入力すると、データ人出カバラフ71
を介して検査ビット生成回路4にデータ信号が入力され
る。ここで、説明を簡素化するために、データ入力は8
ビツト構成とする。
PROM3Aには、8ビツトのデータ入出力バッファ1
より出力された8ビツトデ一〃夕信号が入力されるので
、PROM3Aのデータビットセルに入力される。。一
方、検査ビット生成回路4からの出力データCO〜C3
がPROM3Aの検査ビットセルに入力さ九る。すなわ
ち、アドレスAO〜Anで示されるPROM3Aのビッ
ト数は12ビツトとなる。
次に、PROM3Aからのデータ信号の読み出し動作に
ついて説明する。
まず、リード″信号πrが“Onのとき、アドレス端子
AO=Anで示されたPROM3Aの内容が12ビツト
で読み出される。この12ビツトデータは誤り訂正回路
6Aに入力され、PROM3Aに書き込まれたデータに
1ビツトの誤りが発生したとき、検査信号を使用して誤
りを訂正したデータ信号DOA−D7Aを出力する。こ
の読み出されたデータ信号DOA〜D7Aはデータ入出
力バッファ1を介しデータ信号端子DO〜D7より出力
される。
第9図は第8図に示す検査ビット生成回路図である。
ビットのデータ信号DO〜D8を入力し、検査信号Co
−03を出力する。ここで、データ信号DO〜D7から
検査信号CO〜C3を生成する論理式を示す。尚、“+
”は排他的論理和を表わす。
例えば、検査信号COを圧力するX12は、(1)式に
示したように、DO,D3.D4.D6.D7を入力と
している。また、検査信号01〜C3を圧力するX13
〜X15も同様である。
第10図は第8図に示す誤り訂正回路図である。
第10図に示すように、この誤り訂正回路6Aは排他的
論理和(XOR)XO〜Xllと、ANDゲートA8〜
A15とを有し、PROM3Aからのデータビットセル
の出力信号DO〜D7と検査ビットセルの出力信号Co
−03とを入力する。
このデータビットセル出力信号DO〜D7のうち1ビツ
トの誤りが発生したとき、それを訂正し、訂正された圧
力信号DOA−D7Aを出力するが、誤りが発生してい
ない場合は、データ信号DO〜D7をそのまま訂正され
た信号DOA〜D7Aとして出力する。X0RXO〜X
3は以下の(2)式に基づき、PROM3Aの出力信号
Do−D7および、CO〜C3を入力し、誤りが発生し
たデータ信号のヒツトを示すコードなCOA〜C3Aと
して!1耳S0 次に示す第1表は、X0RXO〜X3の出力と誤りビッ
トの対応を表わし、PROM3Aの出力DO〜D7に対
してどのビットが誤っているかを示している。
第   1   表 また、第10図におけるAN′Dゲー)A8〜A15は
X0RXO〜X3の出力信号COA〜C7Aを第1表に
基づきデコードするものであり、ANDゲー)A8〜A
15は誤りピッ)DO〜D7に対応している。すなわち
、誤りが発生した場合、各誤りビットに対応した各AN
Dゲートがアクティブになる。例えば、DOビットに誤
りが発生すると、X0RXO〜X3の出力は、”110
0”となり、ANDゲー)A8がアクティブ(“1″)
となる。従って、DOビットに誤りが発生したことがわ
かり、誤りビットを反転してやれば、正しい(エラーの
訂正された)信号かえられる。更に、XORゲー)X4
はデータ信号のDOビットとANDゲー)A8の出力を
入力としており、D。
ビットに誤りが発生すると、ANDゲー)A8が“1″
となる。従って、X0RX4の圧力はDOビットの反転
となり、誤りが訂正されたデータ信号ありOAビットか
えられる。また、X0RX5〜XllもX0RX4と同
様に、データ信号のビットD1〜D7とANDA9〜A
15の出力を入力し、誤りが訂正されたデータ信号のD
IA〜D7Aを出力する。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の誤り訂正回路を持つPROMを内蔵する
集積回路は、データとして信頼性をさほど要求されず、
誤り訂正回路が必要でない場合でも、検査ビットセルを
他の目的に利用できないという欠点がある。
本発明の目的は、かかるPROMを有効に活用すること
のできるPROM内蔵集積回路を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のPROM内蔵集積回路は、誤り訂正機能を有す
るPROMを内蔵したPROM内蔵集積回路において、
データを記憶するデータビットセルおよび前記データの
誤りを訂正するための検査ビットセルを備えたPROM
と、前記検査ビットセルをデータビットセ、ルとして使
用する手段および検査ビットセルとして使用する手段を
選択する選択手段とを有して構成される。
口実絶倒〕 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の第一の実施例を示すPROM内蔵集積
回路のブロック図である。
第1図に示すように、本実施例は前述第6図の従来例に
入力データ切換回路5と、マルチプレクサ7と、出力デ
ータ切換回路8とを付加し、これらを制御するモード選
択信号FCCを用いたものである。
まず、アドレス信号はアドレス端子AO〜Anに入力さ
れ、アドレスバッファ2を介してPROM3に入力され
る。リード信号■はアクティブ(0”)のときにPRO
M3に対するデータ読み出しを指示する信号である。ま
た、ライト信号PRGはアクティブ(0”)のとき、P
ROM3に対するデータ書き込みを指示する信号である
一方、データ信号はデータ端子DO〜Dnを介し、デー
タ入出力バッファ1との間で入圧力される。
“0”のとき呂カバッファとして動作しデータ信号を出
力し、ライト信号PRGが°“Q”のとき入力バッファ
として動作しデータ信号を入力する。
更に、モード選択信号FCCはアクティブ(“1″)の
とき、上述した集積回路は誤り訂正回路を付加したPR
OM内蔵集積回路として動作を行ない、モード選択信号
FCCが0“のときは誤り訂正回路を持たないPROM
内蔵集積回路としての動作を行なう。
次に、モード選択信号ECCがアクティブ(1″)のと
きの動作を第2図を参照して説明するが、PROM3へ
のデータ信号の書き込み動作及び読み圧しに関する検査
ビット生成回路4の動作は従来例で説明したものと同様
であるので省略する。
第2図は第1図に示す入力データ切換回路図である。
第2図に示すように、この入力データ切換回路5におけ
るモード選択信号FCCは1″であるので、インバータ
エ1の出力は0′”となる。この結果、トランスファー
To〜T7はオフとなり、トランスファーT8〜Tll
はオンとなる。従って、PROM3の入力データアドレ
スが偶数アドレス(AO=O)のとき、入力データ切換
回路5の出力データCO〜C3は、入力データDO〜D
7の下位4ビツトとしてPROM3に出力される。
また、PROM3の入力データアドレスが奇数アドレス
(AO=1)のとき、入力データ切換回路5の出力デー
タCO〜C3は、入力データDO〜D7の上位4ビツト
としてPROM3に圧力される。
次に、PROM3の内部動作を第3図を用いて説明する
第3図は第1図に示すPROM構成図である。
第3図に示すように、PROM3はデータビットセル1
1と検査ビットセル12が配線13により接続された構
造を有し、データビットセル11にはデータ入出力バッ
ファ1の出力データが入力され、検査ビットセル12に
は入力データ切換回路5の出力データが入力される。こ
のPROM3においては、入力データアドレスの27ド
レスで8ビツトの検査ビットセル12を共有しており、
また検査ビットセル12はデータビットセル11のアド
レス制御とは別に入力データアドレスのA1でも制御さ
れている。従って、データビットセル11のアドレスが
2アドレス進んでも、対応する検査ビットセルエ2は変
わらない。また、検査ビットセル12の上位ビットと下
位ビットの制御は入力データアドレスのAOで制御され
、入力データアドレスが偶数アドレス(AO=O)のと
きは下位ビットが選択され、入力データアドレスが奇数
アドレス(AO=1)のときは上位ビットが選択される
一方、PROM3から出力されたデータビットセル(0
000H〜27FFI()11のデータは誤り訂正回路
6のDO〜D7に入力され、PROM5から出力された
検査ビットセル12のデータはマルチプレクサ7で上位
ビットと下位ビットの選択が行なわれ、誤り訂正回路6
のCo−03に入力される。
第4図は第1図に示す誤り訂正回路図である。
第4図に示すように、誤り訂正回路6はモート選択信号
ECCがIf I ++の場合、ANDゲートAO−A
7は第10図で説明した従来例と同様の動作を行ない、
出力データ切換回路8は誤り訂正回路6の出力データD
OA−D7Aをそのまま出力する。
一方、モード選択信号FCCか0“のときは、第2図で
説明した入力データ切換回路5のインハータエ1の出力
が1″となるので、入力データ切換回路5からはデータ
DO〜D7がそのまま出力される。また、データ入出力
バッファ1の圧力データは、アドレスがOO00H〜2
7FFHのとき直接PROM3に入力され、アドレスが
2800H〜3F’FFHのとき入力データ切換回路5
を介してPROM3に入力される。
前述した第4図に示すように、モート選択信号ECCが
0″のとき、ANDケ−1・AO〜A7の出力は′O”
となるので、誤り訂正回路6は入カデータDo−D7を
そのままDOA−D7Aとして出力する。一方、出力デ
ータ切換回路8はアドレスに基づき出力データの制御を
行なう。このときのPROM3の内部は第5図に示すと
おりである。
第5図は第3図同様のPROM構成図である。
第5図に示すように、第3図で説明したデータビットセ
ル11.検査ビットセル12はそれぞれデータビットセ
ルIIA、IIBとして独立したメモリーとして使用さ
れる。このデータビットセル11Bはデータビットセル
IIAと同様にデータアドレス信号AO−A13により
アドレスの制御か行なわれる。アドレスがOO00H〜
27FFHの場合は、PROM3の内部のデータビット
セル11Aのデータを誤り訂正回路6を介し出力データ
DOA〜D7Aとして出力し、アドレスが2800H〜
3FFFHの場合は、PROMB内の内部データビット
セルIIBのデータを第1図に示すバス10を介して出
力する。
要するに、モード選択信号FCCが°゛1″のとき、本
実施例は誤り訂正回路6をもつIOKバイ)(OOOO
H〜27FFH)のPROM内蔵集積回路として使用で
き、モード選択信号FCCが++ Onのときは、16
にバイト (0000H〜3FFFH)のPROM内蔵
集積回路として使用することができる。
第6図は本発明の第二の実施例を示すPROM内蔵集積
回路のブロック図であり、また第7図は第6図に示す入
力データ切換回路図である。
第6図に示すように、本実施例は前述した第8図の従来
例にデータ入出力バッファ14と、入力データ切換回路
15とを付加し、モート選択信号ECCを用いてそれぞ
れを制御するように構成される。データ入出力バッファ
14はデータ端子り、+1〜Dmに接続され、データ入
出力バッファ1と同様の動作を行なう。
また、第7図に示すように、入力データ切換回路15は
FCC信号に基づき制御されるトランスファ(トランジ
スタ)T8〜Tl 1.T20〜T23と、インバータ
エ3とで構成される。
次に、本実施例の回路動作について説明する。
まず、モード選択信号FCCが1”のとき、第7図に示
す入力データ切換回路15のインバータエ3の出力がO
となるため、トランスファT20〜T23はオフとなり
、トランスファT8〜Tllはオンとなる。従って、第
6図に示す検査ビット生成回路4の出力データCO〜C
3が入力データ切換回路15を介してPROM3へ出力
される。
また、データ入出力バッファ14はこのとき動作を行な
わない。これ以後のPROM3へのデータ信号の書込み
及び読み圧しに関する動作は、従来例と同様であるので
省略する。
次に、モード選択信号FCCが“0″のとき、入力デー
タ切換回路15はインバータ■3の出力が“1”となる
ため、トランスファT20〜T23がオンとなり、トラ
ンスファT8〜Tllはオフになる。従って、データ入
出力バッファ14の比カデータD8〜Dllが、圧力デ
ータCO〜C3の代りにD 8A−D IIAとしてP
ROM3へ出力される。
ここで、誤り訂正回路6の動作は前述した第一の実施例
と同様であつ、データD、〜DアはデータDOA〜D7
Aとして、データ大田カデータノ・ッファ1に出力され
、データD8〜Dllが直接データ入出力バッファ14
に出力される。
要するに、モード集積信号ECCが111Mのとき、本
実施例は誤り訂正回路6をもつ8ビツトのPROM内蔵
集積回路として使用でき、モード選択信号ECCが“0
″のときは、12ビツトのPROM内蔵集積回路として
使用できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は誤り訂正回路を付加した
PROMを内蔵する集積回路において、検査ビットセル
およびデータビットセルを備えたPROM、!:検査ビ
ットセルおよびデータビットセルを選択する選択手段と
を有することにより、PROMのデータとして高信頼性
を要求される場合には、誤り訂正回路を持つPROM内
蔵集積回路として使用することができ、また通常の信頼
性で良い場合には、検査ヒツトセルをデータビットセル
に使用することができるので、限られたPROMを有効
に使用でき、しかも目的に応じてPROMを利用できる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第一の実施例を示すPROM内蔵集積
回路のブロック図、第2区は第1区に示す入力データ切
換回路図、第3図は第1図に示すPROM構成図、第4
図は第1図に示す誤り訂正回路図、第5図は第3図同様
のPROM構成図、第6図は本発明の第二の実施例を示
すPROM内蔵集積回路のブロック図、第7図は第6図
に示す入力データ切換回路図、第8図は従来の一例を示
すF ROM内蔵集積回路のブロック図、第9図は第8
図に示す検査ビット生成回路図、第10図は第8図に示
す誤り訂正回路図である。 1.14・・・・・データ入出力バッファ、2・・・・
・・アドレスバッファ、3・・・・ プログラマブルR
OM、4・・・・・・検査ビット生成回路、5,15・
・・・入力データ切換回路、6・・・・・・誤り訂正回
路、7・・・・・・マルチプレクサ、8・・・・・・出
力データ切換回路、11゜11A、IIB・・・・・デ
ータビットセル、12・・、・検査ピットセノペ 13
・・・・・・配線、TO〜T23・・・・・・トランス
ファー(トランジスタ)、II〜工3・・・・インバー
タ、XO〜Xll・・・・・・排他的論理和回路(XO
R)、AO〜A7.A8〜A15・・・・・・ANDゲ
ート。 代理人 弁理士  内 原   音 量 1 図 5人かデ一り初捜凹誇 〆;≧す」L正目)ト 措 4 圏 一3pRO/−/ 栖S 図 第6 図 牟 7 図 翳 ε 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、誤り訂正機能を有するPROMを内蔵したPROM
    内蔵集積回路において、データを記憶するデータビット
    セルおよび前記データの誤りを訂正するための検査ビッ
    トセルを備えたPROMと、前記検査ビットセルをデー
    タビットセルとして使用する手段および検査ビットセル
    として使用する手段を選択する選択手段とを有すること
    を特徴とするPROM内蔵集積回路。 2、アドレス端子に接続されたアドレスバッファと、デ
    ータ入出力端子に接続されたデータ入出力バッファと、
    前記データ入出力バッファに接続された検査ビット生成
    回路と、前記データ入出力バッファおよび前記検査ビッ
    ト生成回路からの入力データを切換える入力データ切換
    回路と、第一および第二のビットセルを備え旦つ前記ア
    ドレスバッファ、データ入出力バッファ、入力データ切
    換回路に接続されたPROMと、前記PROMに接続さ
    れたマルチプレクサと、前記PROMからの読出しデー
    タおよび前記マルチプレクサに基づきビットの誤りを訂
    正する誤り訂正回路と、前記PROMおよび前記誤り訂
    正回路に接続され且つ出力データを切換えて前記データ
    入出力バッファに供給する出力データ切換回路とを有し
    、モード選択信号に基づき前記入力データ切換回路、P
    ROM、誤り訂正回路および出力データ切換回路を制御
    することを特徴とするPROM内蔵集積回路。 3、アドレス端子に接続されたアドレスバッファと、デ
    ータ入出力端子に接続された第一および第二のデータ入
    出力バッファと、前記第一のデータ入出力バッファに接
    続された検査ビット生成回路と、前記第二のデータ入出
    力バッファおよび前記検査ビット生成回路からの入力デ
    ータを切換える入力データ切換回路と、第一および第二
    のビットセルを備え且つ前記アドレスバッファ、第一の
    データ入出力バッファ、入力データ切換回路に接続され
    たPROMと、前記PROMからの読出しデータに基づ
    きビット誤りを訂正し旦つ訂正されたデータを前記第一
    および第二のデータ入出力バッファへ供給する誤り訂正
    回路とを有し、モード選択信号に基づき前記第二の入出
    力バッファ、入力データ切換回路、誤り訂正回路を制御
    することを特徴とするPROM内蔵集積回路。
JP2282821A 1990-10-19 1990-10-19 Prom内蔵集積回路 Pending JPH04157700A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2282821A JPH04157700A (ja) 1990-10-19 1990-10-19 Prom内蔵集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2282821A JPH04157700A (ja) 1990-10-19 1990-10-19 Prom内蔵集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04157700A true JPH04157700A (ja) 1992-05-29

Family

ID=17657523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2282821A Pending JPH04157700A (ja) 1990-10-19 1990-10-19 Prom内蔵集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04157700A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10109449B4 (de) * 2000-08-02 2012-11-08 Continental Teves Ag & Co. Ohg Verfahren und Schaltungsanordnung zur Speicherung von Prüfbit-Worten

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10109449B4 (de) * 2000-08-02 2012-11-08 Continental Teves Ag & Co. Ohg Verfahren und Schaltungsanordnung zur Speicherung von Prüfbit-Worten

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7266759B2 (en) Semiconductor integrated circuit device and error checking and correcting method thereof
JP2001351398A (ja) 記憶装置
JP4901334B2 (ja) メモリコントローラ
WO2020199490A1 (zh) 一种双模式检错内存及双模式检错方法
JPH04157700A (ja) Prom内蔵集積回路
JP2003345650A (ja) フラッシュメモリシステム
JP2000132995A (ja) 半導体装置
JPS6019538B2 (ja) プログラム書込み方式
JPH08115268A (ja) メモリ回路装置
JPS59132500A (ja) 2ビツト誤り訂正方式
JP3252029B2 (ja) 符号化装置及び符号化方法
JPH08314811A (ja) メモリインタフェース装置
JPH02113487A (ja) アドレス入力回路
US11088711B2 (en) Memory apparatus and data accessing method thereof
US10382061B2 (en) Convolutional decoder and method of decoding convolutional codes
JPH01196647A (ja) 誤り訂正機能を有する記憶装置
JPH0746517B2 (ja) 半導体メモリ及びそのテスト方法
JP3309458B2 (ja) 記憶装置
JPH05151102A (ja) マイクロコンピユータテスト回路
JP3253906B2 (ja) データ処理装置及びデータ処理方法
JPH01119997A (ja) 半導体記憶装置
JPH08129510A (ja) メモリデータ訂正装置
JPH01119996A (ja) 半導体記憶装置
JPS6131491B2 (ja)
JPH01135126A (ja) 誤り訂正情報出力回路