JPH04162811A - パワーアンプおよびその制御方法 - Google Patents

パワーアンプおよびその制御方法

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JPH04162811A
JPH04162811A JP2290260A JP29026090A JPH04162811A JP H04162811 A JPH04162811 A JP H04162811A JP 2290260 A JP2290260 A JP 2290260A JP 29026090 A JP29026090 A JP 29026090A JP H04162811 A JPH04162811 A JP H04162811A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
base
output
voltage
power amplifier
Prior art date
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Pending
Application number
JP2290260A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinji Oda
伸二 小田
Akifumi Shimizu
昌文 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2290260A priority Critical patent/JPH04162811A/ja
Publication of JPH04162811A publication Critical patent/JPH04162811A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 庄  +71u11肚 この発明はパワーアンプおよびその制御方法に関シ、特
に電源投入後の出力電圧立ち上がりの安定化に、関する
従】!」幻1 従来、この種のパワーアンプは、第4図に示すように、
コンパレータ(1)9反転回路■、差動アンプ■、出力
段(4)およびバイアス回路■で構成されており、出力
段(至)は8級プッシュプルで構成されており、パワー
トランジスタQ5 、QEiはNPNTrである。この
ような回路構成では、通常、電源投入後、出力電圧v0
は0.1V程度からvo。の中点まで上昇してその後、
中点電位を維持する。以下、この回路の動作を説明する
電源投入直後は、コンパレータ(1)のV□、■よりフ
ィルタ電圧■が低いため、電流11が流れており、その
結果、差動アンプ3にI2およびI3の電流値が定常時
より多く流れ、その結果トランジスタQ2のベース電位
は、第5図(a)のように定常時より上昇している。さ
らに、コンパレータ(1)に11の電流が流れていると
きは、反転回路■のトランジスタQ1が飽和しているの
で、バイアス回路■のトランジスタQ9のベース電位は
、第5図(b)の ようにほぼGND電位である。その
結果、出力段(4)のトランジスタQ4にはベース電流
が流れないため、トランジスタQ5のエミッタ電位(出
力電圧VO)は、第5図(C)のようにほぼGND電位
である。この場合、トランジスタQ6は、飽和状態にな
っている。
次に、フィルタ電圧■が上昇してコンパレータ(1)が
切換わると、まず、反転回路■のトランジスタQ1の飽
和が解除されるので、バイアス回路■のトランジスタQ
9のベース電位は、第5図(b)のように時刻t2で上
昇する。次に、電流I、が減少するため、差動アンプ■
の電流12,1.が減少して、トランジスタQ2のベー
ス電位が、第5図(a)のように時刻t1で低下する。
その結果、時刻t1でトランジスタQ4にベース電流が
流れて、トランジスタQ5が動作し、第5図(C)のよ
うに時刻t1で出力電圧vo (8)が立ち上がる。
日の   。
ところで、上記の従来のパワーアンプの制御方法では、
パワートランジスタQBが飽和状態から活性領域に移行
するとき、パワートランジスタQ5が急激に動作するの
で、瞬間的に大電流がパワートランジスタQ5.Q6に
流れるため、発振しやすい。
従って、天絡あるいは地絡の保護回路を同一チップに内
蔵した場合は、上記の発振によってこれらの保護回路が
誤動作して、出力電圧V。が立ち上がらないという欠点
があった。
そこで、この発明は、パワートランジスタQ5゜QBの
切り換わり時に、両トランジスタQ5 、QGが同時に
動作状態にならないパワートランジスタおよびその制御
方法を提供することを目的とする。
、の この発明のパワーアンプは、特許請求の範囲1の基準電
圧とフィルタ電圧とを比較するコンパレータと、このコ
ンパレータの出力に応じて動作する反転回路およびバイ
アス回路と、前記反転回路の出力に応じて動作する差動
アンプと、この差動アンプおよび前記バイアス回路の出
力に応じて動作する出力段とを具備するパワーアンプに
おいて、 前記反転回路を構成するトランジスタのベースをフロー
ティングにするとともに、エミッタを抵抗を介して接地
して構成されている。
この発明のパワーアンプは、また、特許請求の範囲2の
基準電圧とフィルタ電圧とを比較するコンパレータと、
このコンパレータの出力に応じて動作する反転回路およ
びバイアス回路と、前記反転回路の出力に応じて動作す
る差動アンプと、この差動アンプおよび前記バイアス回
路の出力に応じて動作する出力段とを具備するパワーア
ンプにおいて、 前記バイアス回路に電源電圧分圧手段を設け、その分圧
点を、基準電圧に応じて動作するトランジスタと並列接
続されたトランジスタのベースおよび反転回路を構成す
るトランジスタのコレクタに接続するとともに、反転回
路を構成するトランジスタのベースに、コレクタΦベー
スを短絡したトランジスタのベースを接続して構成され
ている。
また、この発明のパワーアンプめ制御方法は波形の上下
をNPNトランジスタで出力するプッシュプル方式のパ
ワーアンプにおいて、上下のパワートランジスタを電流
制限した状態で出力電圧を立ち上げた後、上下のパワー
トランジスタの電流制限を解除することによって構成さ
れている。
1反 上記の構成によると、波形の上下をNPNトランジスタ
で出力するプッシュプル方式のパワーアンプにおいて、
出力電圧が立ち上がるときに上下のパワートランジスタ
の電流を制限することによって、瞬間的な発振を防止で
きるため、天絡あるいは地絡の保護回路が同一チップに
内蔵されていても、誤動作することなく、出力が安定に
立ち上がる。
尖五阻 − 以下、この発明について図面を参照して説明する。
第1図は、この発明の一実施例のパワーアンプの等価回
路図である。第4図の従来例とはトランジスタQlのベ
ース−GND間の抵抗R1を削除した点と、トランジス
タQlのエミッターGND間に抵抗R3を挿入した点が
異なっており、その他の回路は従来例と同一であるので
、同一箇所には同一符号を付している。
次に上記のトランジスタQlを含むコンパレータ(1)
の動作について説明する。
電源投入直後は、フィルタ電圧■がVrer(6)より
低いため、電流!、が流れており、12およびI3の電
流値が定常値より多く流れ、その結果トランジスタQ2
のベース電位は、第2図(a)のように定常時より上昇
している。このとき、トランジスタQlのベースには電
流I4が流れているため、トランジスタQ9のベース電
圧を下げるように動作する。この場合、トランジスタQ
lのエミッターGND間には抵抗R3が挿入されている
ので、抵抗R3の電位降下分がある。その結果、トラン
ジスタQ3のベース電位は抵抗値R3の値で自由に決め
ることができ、トランジスタQ9のベース電位を0.9
 V程度に設定した場合は、第2図(b)のようになる
この場合、トランジスタQlのべ−x −G N D 
間に抵抗が入っていないため、フィルタ電圧■が上昇し
てコンパレータ(1)が切換わるとき、トランジスタQ
9のベース電圧上昇よりもトランジスタQ2のベース電
圧が降下する時刻t□の方が早い。よって、トランジス
タQ9のベース電位が定常時より下がった状態、つまり
トランジスタQ8の電流値が定常値より少ない状態で、
トランジスタQ2のベースが定常値になるため、パワー
トランジスタQ5 、QBの電流を制限した状態で出力
電圧V。I23)が第2図(C)の時刻t1で、発振す
ることなく安定に立ち上がる。
出力電圧V。(8)が安定に立ち上がった後、トランジ
スタQlが完全にオフし、トランジスタQ3のベースが
時刻t3で定常値になるので、出力に接続された負荷を
充分に駆動できるようにする。
災胤叢2 第3図は、この発明の第2実施例について説明するパワ
ーアンプの等価回路図である。この実施例は、前記第1
の実施例の反転回路■のトランジスタQ13のコレクタ
を、トランジスタQ15 、Qlで構成されるカレント
ミラーに接続し、バイアス回路■のトランジスタQll
のエミッタとQIOベースとの接続点に、トランジスタ
Q14のエミッタを接続し、そのコレクタは接地し、ベ
ースとvo。との間に抵抗R4+ベースとGNDとの間
には抵抗R1sを接続シ、かつベースをトランジスタQ
1コレクタと接続した点を除いては第1の実施例と同様
であるため、同一部分には同一参照符号を付してその説
明を省略する。
この実施例では、電源投入直後のフィルタ電位■がV−
r(eより低いときは、電流I4が流れるためトランジ
スタQ14のベース電位がトランジスタQllのベース
電位より下がると、トランジスタQ14が動作してトラ
ンジスタQ14のエミッタ電位が下がる。
つまり、トランジスタQ9のベース電位が下がっており
、この状態でフィルタ電位■が上昇してコンパレータ(
1)が切換わると、まず、トランジスタQ2のベース電
位が定常値になって、出力電圧V。(8)が立ち上がる
。次に、電流I4が減少して、トランジスタQ14がカ
ットオフしてトランジスタQ3のベース電位を定常値に
する。この場合、電源投入直後のトランジスタQBのベ
ース電位は、抵抗R4+R5で任意に調整できるので、
パワートランジスタQ5. QBが発振しないような値
を選ぶことができる。
発瀝じB九1 以上説明したように、この発明は、出力電圧が立ち上が
るときに上下のパワートランジスタの電流を制限するこ
とによって、瞬間的な発振を防止するようにしたことに
より、天絡あるいは地絡の保護回路が同一チップに内蔵
されていても、誤動作することなく、出力が安定に立ち
上がるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の第1の実施例によるパワーアンプの
等価回路図、第2図(a)〜(c)は第1図の動作タイ
ミングをあられした電圧波形図である。 第3図はこの発明の第2の実施例によるパワーアンプの
等価回路図である。 第4図は従来のパワーアンプの等価回路図であり、第5
図は第4図の動作タイミングをあられした電圧波形図で
ある。 1・・・・・・コンパレータ、 2・・・・・・反転回路、 3・・・・・・差動アンプ、 4・・・・・・出力段、 5・・・・・・バイアス回路、 8・・・・・・Vrafz 7・・・・・・フィルタ電圧、 8・・・・・・出力電圧y。。 w4.1図 勘2図  tl ↓ 1訂″1″I tl  一時間 ↓ 一時間 →乃藺 113  図 114図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基準電圧とフィルタ電圧とを比較するコンパレータ
    と、このコンパレータの出力に応じて動作する反転回路
    およびバイアス回路と、前記反転回路の出力に応じて動
    作する差動アンプと、この差動アンプおよび前記バイア
    ス回路の出力に応じて動作する出力段とを具備するパワ
    ーアンプにおいて、 前記反転回路を構成するトランジスタのベースをフロー
    ティングにするとともに、エミッタを抵抗を介して接地
    したことを特徴とするパワーアンプ。 2、基準電圧とフィルタ電圧とを比較するコンパレータ
    と、このコンパレータの出力に応じて動作する反転回路
    およびバイアス回路と、前記反転回路の出力に応じて動
    作する差動アンプと、この差動アンプおよび前記バイア
    ス回路の出力に応じて動作する出力段とを具備するパワ
    ーアンプにおいて、 前記バイアス回路に電源電圧分圧手段を設け、その分圧
    点を、基準電圧に応じて動作するトランジスタと並列接
    続されたトランジスタのベースおよび反転回路を構成す
    るトランジスタのコレクタに接続するとともに、反転回
    路を構成するトランジスタのベースに、コレクタ・ベー
    スを短絡したトランジスタのベースを接続したことを特
    徴とするパワーアンプ。 3、波形の上下をNPNトランジスタで出力するプッシ
    ュプル方式のパワーアンプにおいて、 上下のパワートランジスタを電流制限した状態で出力電
    圧を立ち上げた後、上下のパワートランジスタの電流制
    限を解除することを特徴とするパワーアンプの制御方法
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