JPH04164820A - 高温相Bi系酸化物超電導体製造用溶液および高温相Bi系酸化物超電導体の前駆体 - Google Patents
高温相Bi系酸化物超電導体製造用溶液および高温相Bi系酸化物超電導体の前駆体Info
- Publication number
- JPH04164820A JPH04164820A JP2293259A JP29325990A JPH04164820A JP H04164820 A JPH04164820 A JP H04164820A JP 2293259 A JP2293259 A JP 2293259A JP 29325990 A JP29325990 A JP 29325990A JP H04164820 A JPH04164820 A JP H04164820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- based oxide
- oxide superconductor
- temperature phase
- solution
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- -1 organic acid salt Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 14
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 4
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 159000000021 acetate salts Chemical class 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001734 carboxylic acid salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- HJKLEAOXCZIMPI-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxyethanamine Chemical compound CCOC(CN)OCC HJKLEAOXCZIMPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNNQYHFROJDYHQ-UHFFFAOYSA-N 3-(4-ethylcyclohexyl)propanoic acid 3-(3-ethylcyclopentyl)propanoic acid Chemical compound CCC1CCC(CCC(O)=O)C1.CCC1CCC(CCC(O)=O)CC1 HNNQYHFROJDYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N ethoxide Chemical compound CC[O-] HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N methoxide Chemical compound [O-]C NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- IKNCGYCHMGNBCP-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate Chemical compound CCC[O-] IKNCGYCHMGNBCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、超電導遷移温度(以下Tcと記す)が液体窒
素の沸点温度を十分に超える高温相Bi系酸化物超電導
体を製造する為に利用することのできる溶液、および該
溶液を用いることによって作成される高温相Bi系酸化
物超電導体の各種前駆体に関するものである。
素の沸点温度を十分に超える高温相Bi系酸化物超電導
体を製造する為に利用することのできる溶液、および該
溶液を用いることによって作成される高温相Bi系酸化
物超電導体の各種前駆体に関するものである。
[従来の技術]
希土類元素−アルカリ土類元素−銅酸化物系セラミック
スが酸化物超電導体として注目を集める様になって以来
、幾多の複合酸化物について超電導現象が検討されてい
る。その結果Tc=80K(低温相)或はTc=110
K (高温相)等の高いTcを有するBi系酸化物超電
導体が有望視されるに至り、液体窒素温度での使用を0
指して特性改善の研究が進められている。
スが酸化物超電導体として注目を集める様になって以来
、幾多の複合酸化物について超電導現象が検討されてい
る。その結果Tc=80K(低温相)或はTc=110
K (高温相)等の高いTcを有するBi系酸化物超電
導体が有望視されるに至り、液体窒素温度での使用を0
指して特性改善の研究が進められている。
ところでTcが80に程度もしくはそれよりやや低い部
類に属するBi系酸化物超電導体(一般に低温相Bi系
酸化物超電導体と称されている)は、Bi、Sr、Ca
、Cu等を含み、これらの原子モル比がほぼ2:2:1
:2であるものがもっとも代表的である(例えばBi
25r2CaCu20y)、一方、Tcが110に程度
の部類に属するBi系酸化物超電導体(一般に高温相B
i系酸化物超電導体と称されている)は、(Bi+Pb
)、Sr、Ca、Cuを含み、これらのモル比がほぼ2
:2:2:3となっているものがもっとも代表的である
[例えば(BII−X P bx )2 Sr2 Ca
2 CuO3y:但し、0≦X≦0.4コ。この様に高
温相B1系酸化物超電導体は、低Tc相Bi系酸化物超
電導体と比べて、CaやCuのモル比が大きく、且つP
bを含んでいるのが一般的である。
類に属するBi系酸化物超電導体(一般に低温相Bi系
酸化物超電導体と称されている)は、Bi、Sr、Ca
、Cu等を含み、これらの原子モル比がほぼ2:2:1
:2であるものがもっとも代表的である(例えばBi
25r2CaCu20y)、一方、Tcが110に程度
の部類に属するBi系酸化物超電導体(一般に高温相B
i系酸化物超電導体と称されている)は、(Bi+Pb
)、Sr、Ca、Cuを含み、これらのモル比がほぼ2
:2:2:3となっているものがもっとも代表的である
[例えば(BII−X P bx )2 Sr2 Ca
2 CuO3y:但し、0≦X≦0.4コ。この様に高
温相B1系酸化物超電導体は、低Tc相Bi系酸化物超
電導体と比べて、CaやCuのモル比が大きく、且つP
bを含んでいるのが一般的である。
一方酸化物超電導体の応用を考慮すると、基板上へ薄膜
状に形成したり、種々の回路パターンを形成することは
重要な要件であり、その為の方法の1つとして溶液を利
用した酸化物超電導体の製造方法が提案されている。こ
の方法の概要は次の通りである。即ち、Bi系酸化物超
電導体を構成する各元素の硝酸塩や酢酸塩の水溶液、或
はこれらの元素のナフテン酸やオクチル酸等による有機
酸塩、更にはアルコキシド、アセチルアセトン等を、ア
ルコール、ヘンゼン2 トルエン等の有機溶剤に溶解し
た溶液(これを一般に母液と呼んでいる)を用い、該母
液をセラミックスや金属の基板上に塗布した後、乾燥、
焼成して基板上に酸化物超電導体被膜を形成する。
状に形成したり、種々の回路パターンを形成することは
重要な要件であり、その為の方法の1つとして溶液を利
用した酸化物超電導体の製造方法が提案されている。こ
の方法の概要は次の通りである。即ち、Bi系酸化物超
電導体を構成する各元素の硝酸塩や酢酸塩の水溶液、或
はこれらの元素のナフテン酸やオクチル酸等による有機
酸塩、更にはアルコキシド、アセチルアセトン等を、ア
ルコール、ヘンゼン2 トルエン等の有機溶剤に溶解し
た溶液(これを一般に母液と呼んでいる)を用い、該母
液をセラミックスや金属の基板上に塗布した後、乾燥、
焼成して基板上に酸化物超電導体被膜を形成する。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながらこれまで用いられてきた母ン夜は、酸化物
超電導体の構成元素を均一に混合するという必要性から
、固形分の少ない比較的粘度の低いものであり、この様
な溶液によって希望する被膜厚を得る為には、何回も塗
布を繰り返さなければならないという欠点があった。ま
た被膜厚を大きくすると、乾燥や仮焼時に収縮による割
れが多発するという問題もあった。
超電導体の構成元素を均一に混合するという必要性から
、固形分の少ない比較的粘度の低いものであり、この様
な溶液によって希望する被膜厚を得る為には、何回も塗
布を繰り返さなければならないという欠点があった。ま
た被膜厚を大きくすると、乾燥や仮焼時に収縮による割
れが多発するという問題もあった。
尚Bi系酸化物超電導体被膜の形成においては、高温相
Bi系酸化物超電導体の生成速度か速く、且つ生成率も
高くなることが望まれ、また電流をより流れやすくする
には結晶の配向性を高めることも重要な要件となる。
Bi系酸化物超電導体の生成速度か速く、且つ生成率も
高くなることが望まれ、また電流をより流れやすくする
には結晶の配向性を高めることも重要な要件となる。
本発明はこうした技術的課題を解決する為になされたも
のであって、その目的は、塗布性能が良好で、高温相を
効率良く生成することのできる様な母液としての酸化物
超電導体前駆体、およびその様な前駆体を製造する為の
最適な溶液を提供することにある。また本発明の他の目
的は、上記溶液を利用し、酸化物超電導体の前駆体とし
て最適な粉末を提供することにある。
のであって、その目的は、塗布性能が良好で、高温相を
効率良く生成することのできる様な母液としての酸化物
超電導体前駆体、およびその様な前駆体を製造する為の
最適な溶液を提供することにある。また本発明の他の目
的は、上記溶液を利用し、酸化物超電導体の前駆体とし
て最適な粉末を提供することにある。
[課題を解決する為の手段コ
上記目的を達成した本発明のBi系酸化物超電導体製造
用溶液とは、少なくともCa、CuおよびPbの金属元
素を含む、アルコキシド、有機酸塩または硝酸塩を出発
原・料として粘調な液状若しくはゾル状に作製したもの
である点に要旨を有するものである。
用溶液とは、少なくともCa、CuおよびPbの金属元
素を含む、アルコキシド、有機酸塩または硝酸塩を出発
原・料として粘調な液状若しくはゾル状に作製したもの
である点に要旨を有するものである。
また上記溶液に、比較的安定な低温相Bi系酸化物を主
体とする粉末を混合することによって、高温相Bi系酸
化物超電導体の製造に最適な塗布剤となり得る前駆体と
しての母液が得られる。
体とする粉末を混合することによって、高温相Bi系酸
化物超電導体の製造に最適な塗布剤となり得る前駆体と
しての母液が得られる。
更に、上記の様な前駆体を乾燥または仮焼すれば、低温
相粒子の周囲にCa、CuおよびPbを均一に分散させ
た形態の前駆体粉末か得られ、この粉末は高温相Bi系
酸化物超電導体の前駆体として有用であり、この粉末を
焼成することによって希望する形状の高温相B1系酸化
物超電導体が得られる。
相粒子の周囲にCa、CuおよびPbを均一に分散させ
た形態の前駆体粉末か得られ、この粉末は高温相Bi系
酸化物超電導体の前駆体として有用であり、この粉末を
焼成することによって希望する形状の高温相B1系酸化
物超電導体が得られる。
[作用コ
本発明者らは、■固形分率を高くすることができ、■塗
布性能が良好で、■高温相Bi系酸化物を効率良く生成
で籾、■また結晶配向性を高めることができる様な、塗
布剤(母液)を得るという観点のもとに、様々な角度か
ら検討した。千の結果、Ca、CuおよびPbのアルコ
キシド、有機酸塩または硝酸塩を出発原料として粘調な
液状またはゾル状に作成した溶液は、Bi系酸化物の前
駆体母液を得る為の最適な溶液となることを見出し、こ
の様な溶液と低温相Bi系酸化物超電導体を主体とする
粉末を適度な割合で混合すれば希望する前駆体としての
母液が得られることを見出した。また上記の母液は、基
板に塗布した後乾燥。
布性能が良好で、■高温相Bi系酸化物を効率良く生成
で籾、■また結晶配向性を高めることができる様な、塗
布剤(母液)を得るという観点のもとに、様々な角度か
ら検討した。千の結果、Ca、CuおよびPbのアルコ
キシド、有機酸塩または硝酸塩を出発原料として粘調な
液状またはゾル状に作成した溶液は、Bi系酸化物の前
駆体母液を得る為の最適な溶液となることを見出し、こ
の様な溶液と低温相Bi系酸化物超電導体を主体とする
粉末を適度な割合で混合すれば希望する前駆体としての
母液が得られることを見出した。また上記の母液は、基
板に塗布した後乾燥。
焼成すれば、基板上に高温相Bi系酸化物超電導被膜を
形成することができるのであるが、この母液を直接的に
乾燥、仮焼すれば有用なりl系酸化物超電導体前駆体粉
末が得られることを見出した。
形成することができるのであるが、この母液を直接的に
乾燥、仮焼すれば有用なりl系酸化物超電導体前駆体粉
末が得られることを見出した。
Ca、CuおよびPbのアルコキシド、有機酸塩または
硝酸塩を適切な溶媒に完全に溶解させることで均一な混
合ができ、また混合溶液の縮・重合反応の調節や溶質の
種類を選択することにより、塗布や印刷等の使用目的に
あフた粘性が得られる。この粘調な溶液と低温相を主成
分とする粉末とを混合することにより、塗布剤中の固形
分を増加することができ、乾燥による塗布膜の割れが少
なくなり、また、ディッピング法に比べて膜厚を増加さ
せやすくする。
硝酸塩を適切な溶媒に完全に溶解させることで均一な混
合ができ、また混合溶液の縮・重合反応の調節や溶質の
種類を選択することにより、塗布や印刷等の使用目的に
あフた粘性が得られる。この粘調な溶液と低温相を主成
分とする粉末とを混合することにより、塗布剤中の固形
分を増加することができ、乾燥による塗布膜の割れが少
なくなり、また、ディッピング法に比べて膜厚を増加さ
せやすくする。
本発明の前駆体としての母液は溶液と固体を混合したも
のであり、低温相粒子の周囲にCa。
のであり、低温相粒子の周囲にCa。
CuおよびPbの元素を均一に分散することができ、固
体間混合と比べてより迅速且つ均一に低温相から高温相
への変換ができる。即ち、高Tc相Bi系酸化物超電導
体は低Tc相Bi系酸化物超電導体に比べて、CaやC
uのモル比が大きく且つPbを含んだものであり、従っ
て少なくともCa、CuおよびPbを含む溶液を用いる
ことによって、低Tc相のものを高Tc相に変換するこ
とができ、希望する高温相Bi系酸化物超電導体が得ら
れる。また低Tc相粒子の周囲に、Ca。
体間混合と比べてより迅速且つ均一に低温相から高温相
への変換ができる。即ち、高Tc相Bi系酸化物超電導
体は低Tc相Bi系酸化物超電導体に比べて、CaやC
uのモル比が大きく且つPbを含んだものであり、従っ
て少なくともCa、CuおよびPbを含む溶液を用いる
ことによって、低Tc相のものを高Tc相に変換するこ
とができ、希望する高温相Bi系酸化物超電導体が得ら
れる。また低Tc相粒子の周囲に、Ca。
CuおよびPb等の元素を均一分散させてなるものは微
粒子状に調整し易く、こうした観点からも固体混合方式
に比較して反応が円滑に進行することが期待できる。
粒子状に調整し易く、こうした観点からも固体混合方式
に比較して反応が円滑に進行することが期待できる。
本発明の溶液の出発原料としてのアルコキシドは、一般
式M(OR)X(但し、M=Ca。
式M(OR)X(但し、M=Ca。
Cu、Pb、Rはアルキル基)で表わされる各種のもの
が挙げられるが、Bi系酸化物超電導体製造時における
乾燥工程や仮焼工程を考慮すると、アルキル基の炭素数
は小さいほうが好ましい。この様なアルコキシドとして
は、メトキシド、エトキシド、プロポキシド等が挙げら
れる。尚アルコキシドの溶媒としてはアルコールが一般
的であるが、Caのアルコキシドを用いる場合にはCa
が水と反応して水酸化カルシウムの沈殿を生じやすいの
で、エチレングリコールやグリセリンの多価アルコール
を用いるのが好ましい。またアルコールへの溶解度が低
いCuやPbのアルコキシドには、ジメチルアミノエタ
ノールのようなアミノアルコールやアミノアセタールの
使用が好ましい。
が挙げられるが、Bi系酸化物超電導体製造時における
乾燥工程や仮焼工程を考慮すると、アルキル基の炭素数
は小さいほうが好ましい。この様なアルコキシドとして
は、メトキシド、エトキシド、プロポキシド等が挙げら
れる。尚アルコキシドの溶媒としてはアルコールが一般
的であるが、Caのアルコキシドを用いる場合にはCa
が水と反応して水酸化カルシウムの沈殿を生じやすいの
で、エチレングリコールやグリセリンの多価アルコール
を用いるのが好ましい。またアルコールへの溶解度が低
いCuやPbのアルコキシドには、ジメチルアミノエタ
ノールのようなアミノアルコールやアミノアセタールの
使用が好ましい。
本発明で用いることのできる有機酸塩としては、各種の
カルボン酸塩が考えられるが、この様なカルボン酸塩と
しては通常の酢酸塩が使用でき、これは水で十分溶かす
ことができる。
カルボン酸塩が考えられるが、この様なカルボン酸塩と
しては通常の酢酸塩が使用でき、これは水で十分溶かす
ことができる。
一方硝酸塩も水に溶かすことができるが、アルコキシド
との共用の為水を使用できない時にはアルコールを溶媒
として用いればよい。
との共用の為水を使用できない時にはアルコールを溶媒
として用いればよい。
構成元素が溶解した溶液を、室温から80℃の温度範囲
で縮重合反応や加熱濃縮を行なうことにより粘調な溶液
またはゾルが得られる。
で縮重合反応や加熱濃縮を行なうことにより粘調な溶液
またはゾルが得られる。
このようにして作成された粘調な溶液またはゾルを、主
に低Tc相で構成されている基板やコーテイング膜上に
塗布し、次いで適切な熱処理を施すと、低Tc相の大部
分または膜の表面上部を高Tc相に変えることができる
。また低Tc相の粉末と混合してスラリー、インクまた
はペースト状に加工すれば、グリーンシートや印刷等で
の成形が可能となり、成形後、乾燥−仮焼一本焼成を適
切な条件で実施すれば大部分を高Tc相で構成された基
板や厚膜を製造できる。更に上述した如く、上記の粘調
な溶液またはゾルを乾燥または仮焼することによって、
各種形状のBi系酸化物超電導体の製造に有用な前駆体
粉末が得られる。
に低Tc相で構成されている基板やコーテイング膜上に
塗布し、次いで適切な熱処理を施すと、低Tc相の大部
分または膜の表面上部を高Tc相に変えることができる
。また低Tc相の粉末と混合してスラリー、インクまた
はペースト状に加工すれば、グリーンシートや印刷等で
の成形が可能となり、成形後、乾燥−仮焼一本焼成を適
切な条件で実施すれば大部分を高Tc相で構成された基
板や厚膜を製造できる。更に上述した如く、上記の粘調
な溶液またはゾルを乾燥または仮焼することによって、
各種形状のBi系酸化物超電導体の製造に有用な前駆体
粉末が得られる。
尚本発明の液状前駆体に適当な増粘剤や結合剤を付加す
ることにより、紡糸成形も可能となり、ファイバー状の
超電導体を得ることもできる。
ることにより、紡糸成形も可能となり、ファイバー状の
超電導体を得ることもできる。
以下本発明を実施例によって更に詳細に説明するが、下
記実施例は本発明を限定する性買のものではなく、前・
後記の趣旨に徴して設計変更することはいずれも本発明
の技術的範囲に含まれるものである。
記実施例は本発明を限定する性買のものではなく、前・
後記の趣旨に徴して設計変更することはいずれも本発明
の技術的範囲に含まれるものである。
[実施例〕
実施例I
Ca (OC2H5)2 (2,5X 10−”mol
)をエチレングリコール(30ml)に溶解し、Cu(
OC2H5)2(2,5X 10−”glol)をアミ
ノアセタール(50ml)と酢酸(10川1)に溶解し
た。
)をエチレングリコール(30ml)に溶解し、Cu(
OC2H5)2(2,5X 10−”glol)をアミ
ノアセタール(50ml)と酢酸(10川1)に溶解し
た。
またジメチルアミノエタノール(25ml)とアセトン
(5ml)にP b (OC2HS)2 (6,25X
10−3Ilol)を溶解させた。これら3種は混合し
ても沈殿を生じない均一な混合溶液であった。そして酢
酸水でpH=5〜6に調整して加水分解および重合反応
を行ない、粘調なゾルを得た。
(5ml)にP b (OC2HS)2 (6,25X
10−3Ilol)を溶解させた。これら3種は混合し
ても沈殿を生じない均一な混合溶液であった。そして酢
酸水でpH=5〜6に調整して加水分解および重合反応
を行ない、粘調なゾルを得た。
得られたゾルに低Tc相粉末を、最終の組成が高Tc相
の組成となるように加え、加温しながら混合を行なって
粘性をさらに上げ、ペースト状にした。
の組成となるように加え、加温しながら混合を行なって
粘性をさらに上げ、ペースト状にした。
次に上記ペーストを用いて、厚膜の塗布をAg基板上に
行なった。即ち、10 x 30 x O,1(mII
+)のAg基板に#250メツシュを用いてスクリーン
印刷法で膜を形成した。−回当たりの塗布厚みは約5μ
mとし、200℃で乾燥および500℃で仮焼の後に次
の膜を重ねた。このような工程を縁り返して最終約30
μmの仮焼膜を形成した。
行なった。即ち、10 x 30 x O,1(mII
+)のAg基板に#250メツシュを用いてスクリーン
印刷法で膜を形成した。−回当たりの塗布厚みは約5μ
mとし、200℃で乾燥および500℃で仮焼の後に次
の膜を重ねた。このような工程を縁り返して最終約30
μmの仮焼膜を形成した。
仮焼膜を840℃で12時間焼成することにより、高T
c相が主相の厚膜が得られた。また得られた高Tc相の
T c (offset)は105にであった。
c相が主相の厚膜が得られた。また得られた高Tc相の
T c (offset)は105にであった。
実施例2
Ca源、Cu源、Pb源として全て酢酸塩を用い、実施
例1と同量のモル数で実験した。これらの酢酸塩を同時
に酢酸水に溶解させた後、加温濃縮して粘調なゾルを得
た。
例1と同量のモル数で実験した。これらの酢酸塩を同時
に酢酸水に溶解させた後、加温濃縮して粘調なゾルを得
た。
この後の操作は実施例1と同様に、低Tc相の粉末と混
合してペーストを作製し、Ag基板に印刷後、仮焼、本
焼成を行なりて高Tc相を主相とする厚膜を得た。この
膜のT c (offset)は、102にであった。
合してペーストを作製し、Ag基板に印刷後、仮焼、本
焼成を行なりて高Tc相を主相とする厚膜を得た。この
膜のT c (offset)は、102にであった。
比較例
Bi系酸化物超電導体の構成元素であるBi。
Sr、Ca、Cuの各酢酸塩を高Tc相の理想組成に配
合し、Biの一部(12,5%)はPbの酢酸塩を用い
て置換した。これらの出発原料を酢酸水で均一に溶解さ
せた後、加温濃縮して粘度を調節し、デイツプコーティ
ングに通したゾルを得た。
合し、Biの一部(12,5%)はPbの酢酸塩を用い
て置換した。これらの出発原料を酢酸水で均一に溶解さ
せた後、加温濃縮して粘度を調節し、デイツプコーティ
ングに通したゾルを得た。
デイツプコーティングで比較的良好に形成される膜の厚
みは1回当たり約1μmであり、これ以上厚く塗布する
と熱処理中に膜に割れが多発した。このため実施例1で
用いた塗布剤に比べて、同じ膜厚を得るには約5倍の塗
布回数を必要とし、煩雑であった。
みは1回当たり約1μmであり、これ以上厚く塗布する
と熱処理中に膜に割れが多発した。このため実施例1で
用いた塗布剤に比べて、同じ膜厚を得るには約5倍の塗
布回数を必要とし、煩雑であった。
次にAg基板を用いて、塗布−乾燥−仮焼を10回繰り
返し、約10μmの厚みの仮焼膜を得た。この仮焼膜を
実施例1と同様に、840℃で12時間本焼成を行なフ
たが、低Tc相が主相テあり、このときのT c (o
ffset)は75にであった。
返し、約10μmの厚みの仮焼膜を得た。この仮焼膜を
実施例1と同様に、840℃で12時間本焼成を行なフ
たが、低Tc相が主相テあり、このときのT c (o
ffset)は75にであった。
[発明の効果]
Claims (3)
- (1)高温相Bi系酸化物超電導体を製造するための溶
液であって、少なくともCa,CuおよびPbの金属元
素を含む、アルコキシド,有機酸塩または硝酸塩を出発
原料として粘調な液状若しくはゾル状に作製したもので
あることを特徴とする高温相Bi系酸化物超電導体製造
用溶液。 - (2)低温相Bi系酸化物超電導体を主体とする粉末と
、請求項(1)に記載の溶液を混合したものである高温
相Bi系酸化物超電導体の液状前駆体。 - (3)請求項(2)の液状前駆体を乾燥または仮焼して
低温相粒子の周囲にCa,CuおよびPbを均一に分散
させたものである高温相Bi系酸化物超電導体の粉末状
前駆体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2293259A JPH04164820A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 高温相Bi系酸化物超電導体製造用溶液および高温相Bi系酸化物超電導体の前駆体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2293259A JPH04164820A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 高温相Bi系酸化物超電導体製造用溶液および高温相Bi系酸化物超電導体の前駆体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164820A true JPH04164820A (ja) | 1992-06-10 |
Family
ID=17792514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2293259A Pending JPH04164820A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 高温相Bi系酸化物超電導体製造用溶液および高温相Bi系酸化物超電導体の前駆体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04164820A (ja) |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP2293259A patent/JPH04164820A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chen et al. | Texture development, microstructure evolution, and crystallization of chemically derived PZT thin films | |
| US5407618A (en) | Method for producing ceramic oxide compounds | |
| JP3548801B2 (ja) | 特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液組成物、希土類超電導膜製造用溶液組成物、特定金属錯体の非結晶固形物、特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液の製造方法、希土類超電導膜製造用溶液の製造方法、及び超電導薄膜の形成方法。 | |
| US5135907A (en) | Manufacture of high purity superconducting ceramic | |
| CN103304232B (zh) | 一种采用溶胶-凝胶法合成Tl-2212超导薄膜的制备方法 | |
| JP2012062239A (ja) | チタン酸バリウムの前駆体水溶液、水溶性前駆体およびその製造方法 | |
| JP2810047B2 (ja) | 超伝導体製造用安定溶液及び超導薄膜の製造方法 | |
| Gul et al. | The influence of thermal processing on microstructure of sol–gel-derived SrSnO3 thin films | |
| Selvaraj et al. | Sol-gel thin films of SrTiO3 from chemically modified alkoxide precursors | |
| US6559103B1 (en) | Method for producing superconducting oxide compounds | |
| CN107248430A (zh) | 溶胶凝胶法制备(00l)方向外延的Bi2212超导薄膜 | |
| JP3548802B2 (ja) | 特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液組成物、希土類超電導膜製造用溶液組成物、特定金属錯体の非結晶固形物、特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液の製造方法、希土類超電導膜製造用溶液の製造方法、及び超電導薄膜の製造方法。 | |
| JPH01131025A (ja) | 酸化物系超電導材料の製造方法 | |
| JPH0574528B2 (ja) | ||
| AU592943B2 (en) | Formation of superconducting metal oxide film by pyrolysis | |
| JP4252054B2 (ja) | 超伝導セラミックス薄膜の形成方法 | |
| JPH0476322B2 (ja) | ||
| KR100529420B1 (ko) | 비스무스나트륨 산화티타늄 화합물 제조방법 | |
| JPH02107560A (ja) | YBa↓2Cu↓3O↓7の成形焼成物品及びその製造方法 | |
| JPH01215702A (ja) | 超電導薄膜の製造法 | |
| JPH0426513A (ja) | 銅含有酸化物超電導前駆体の製造方法 | |
| JPH04325417A (ja) | Bi系酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPS63270316A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH0255207A (ja) | 複合金属酸化物薄膜の製造方法 | |
| Sun et al. | Synthesis of high purity 110 K phase in the Bi (Pb)-Sr-Ca-Cu-O superconductor by the sol-gel method |