JPH04164855A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPH04164855A JPH04164855A JP1230754A JP23075489A JPH04164855A JP H04164855 A JPH04164855 A JP H04164855A JP 1230754 A JP1230754 A JP 1230754A JP 23075489 A JP23075489 A JP 23075489A JP H04164855 A JPH04164855 A JP H04164855A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は新規な酸化物超電導体を製造する方法に関し、
詳細には超電導遷移温度(以下、単にTcと記すことが
ある)が液体窒素温度を十分に超え、且つ加工中に酸素
を放出して上記Tcが変動するといった問題の少ない酸
化物超電導体を製造する方法に関するものである。
詳細には超電導遷移温度(以下、単にTcと記すことが
ある)が液体窒素温度を十分に超え、且つ加工中に酸素
を放出して上記Tcが変動するといった問題の少ない酸
化物超電導体を製造する方法に関するものである。
[従来の技術]
液体窒素温度を超えるTc(例えば90K)をもつ代表
的酸化物超電導体として、三層構造ペロブスカイトRB
a2CusOy (但しRはY若しくはランタニド系
列希土類元素よりなる群から選択される1種以上の元素
)が発見されている【^ppt、 phys。
的酸化物超電導体として、三層構造ペロブスカイトRB
a2CusOy (但しRはY若しくはランタニド系
列希土類元素よりなる群から選択される1種以上の元素
)が発見されている【^ppt、 phys。
Lett、 Vol、51 (1987)P57] 。
しかしながら上記酸化物超電導体は、構成員である酸素
原子が加工時の熱影響によって抜は出し易いという性質
を有しており、従って加工時の熱処理条件等で酸素含有
量が変化し、それに伴なって斜方晶−正方晶転移を起こ
し、この相転移によってTcもOKから90Kまでの範
囲で大きく変動することが知られている[Phys、
Rev、 B56(19B?) P5719] 。
原子が加工時の熱影響によって抜は出し易いという性質
を有しており、従って加工時の熱処理条件等で酸素含有
量が変化し、それに伴なって斜方晶−正方晶転移を起こ
し、この相転移によってTcもOKから90Kまでの範
囲で大きく変動することが知られている[Phys、
Rev、 B56(19B?) P5719] 。
例えばRBa2Cu30.粉末を銀パイプに充填し、こ
れを冷間線引加工によって線状にした後、粉末部の焼結
熱処理(800〜900℃)によって超電導線材とする
方法(銀シース線材法)を採用した場合、焼結熱処理時
に酸素原子が抜けてしまい、超電導特性が劣化してしま
うという欠点があった。
れを冷間線引加工によって線状にした後、粉末部の焼結
熱処理(800〜900℃)によって超電導線材とする
方法(銀シース線材法)を採用した場合、焼結熱処理時
に酸素原子が抜けてしまい、超電導特性が劣化してしま
うという欠点があった。
これに対して、RB a 2Cu 40 s型酸化物は
、850℃付近まで加熱しても酸素の抜は出しが見られ
ず安定であり、しかもTcが80に付近にあって、液体
窒素温度を上回るので実用上からも重要な物質であると
注目されている。
、850℃付近まで加熱しても酸素の抜は出しが見られ
ず安定であり、しかもTcが80に付近にあって、液体
窒素温度を上回るので実用上からも重要な物質であると
注目されている。
[発明が解決しようとする課題]
ところでRBa2Cu40a型酸化物超電導体の製造方
法としては、これまで下記の2つの方法が提案されてい
る。
法としては、これまで下記の2つの方法が提案されてい
る。
(1)仮焼粉を純酸素の高圧雰囲気下で熱処理(例えば
930℃×8時間、酸素圧100ate )する方法[
高圧酸素法; T c =81K。
930℃×8時間、酸素圧100ate )する方法[
高圧酸素法; T c =81K。
Nature 33[i (1988) P2S5−6
62またはPhys。
62またはPhys。
Rev、 R39(198B) P7347−7350
)1゜(2)仮焼粉を炭酸ナトリウム等の触媒と混合し
、これを長時間酸素気流中で熱処理する方法[常圧法;
T c =77K ; Nature 338 (1
989)P32B−3301。
)1゜(2)仮焼粉を炭酸ナトリウム等の触媒と混合し
、これを長時間酸素気流中で熱処理する方法[常圧法;
T c =77K ; Nature 338 (1
989)P32B−3301。
しかしながら、本発明者らが実験によフて確認したとこ
ろによると、上記(1) 、 (2)の方法では下記に
示す様な欠点があった。
ろによると、上記(1) 、 (2)の方法では下記に
示す様な欠点があった。
(1)の方法では、温度や圧力条件によってはRBaz
Cus 0t−6相やR2B a a Cu y O
z相等が出現し、RBa2 Cu40aの生成量が極め
て少なくなり、RBaz Cua 06相本来の特性が
失われてしまうことが分かった。また(2)の方法では
生成物中に不純物が残り易く、熱処理にも長時間を要す
ることから、実際の応用には不向きである。
Cus 0t−6相やR2B a a Cu y O
z相等が出現し、RBa2 Cu40aの生成量が極め
て少なくなり、RBaz Cua 06相本来の特性が
失われてしまうことが分かった。また(2)の方法では
生成物中に不純物が残り易く、熱処理にも長時間を要す
ることから、実際の応用には不向きである。
そればかりでなく、RBazCu4OaBa化Cu4O
aが液体窒素温度を上回るとは言うものの、Tcはいず
れも80に付近にあり液体窒素温度マージンが小さすぎ
ることから実用化が困難であり、より高いTcを示すも
のを開発することが期待されている。
aが液体窒素温度を上回るとは言うものの、Tcはいず
れも80に付近にあり液体窒素温度マージンが小さすぎ
ることから実用化が困難であり、より高いTcを示すも
のを開発することが期待されている。
本発明はこうした技術的課題を解決する為になされたも
のであって、その目的は、液体窒素温度よりも十分高い
Tcを有し且つ加工時の高温下で酸素の抜けが生じない
様な安定な超電導体を製造する方法を提供することにあ
る。
のであって、その目的は、液体窒素温度よりも十分高い
Tcを有し且つ加工時の高温下で酸素の抜けが生じない
様な安定な超電導体を製造する方法を提供することにあ
る。
[課題を解決する為の手段]
上記目的を達成し得た本発明とは、R(但しRはY及び
ランタニド系列希土類元素よりなる群から選択される1
f!以上の元素)、Ca、Ba。
ランタニド系列希土類元素よりなる群から選択される1
f!以上の元素)、Ca、Ba。
Cu、Oからなる酸化物超電導体製造用原料粉末混合物
を、不活性ガスと酸素ガスの混合雰囲気下、850〜1
100℃の温度範囲で熱間静水圧処理することにより、 (R1−、I Ca、l) B R2Cll4o8(但
し、Xは0.001〜0.5 、 Rは前と同じ意味
) で示される酸化物を含む酸化物超電導体を製造する点に
要旨を有する酸化物超電導体の製造方法である。
を、不活性ガスと酸素ガスの混合雰囲気下、850〜1
100℃の温度範囲で熱間静水圧処理することにより、 (R1−、I Ca、l) B R2Cll4o8(但
し、Xは0.001〜0.5 、 Rは前と同じ意味
) で示される酸化物を含む酸化物超電導体を製造する点に
要旨を有する酸化物超電導体の製造方法である。
[作用]
本発明者らは、液体窒素温度よりも十分高いTcを有し
、且つ高温においても酸素の抜けが生じない様な安定な
起電導体を実現すべく、様々な角度から検討を加えた。
、且つ高温においても酸素の抜けが生じない様な安定な
起電導体を実現すべく、様々な角度から検討を加えた。
その結果、三層構造ペロブスカイトRBa2Cu3Ot
型結晶構造における1重のCurlが2重のCuO鎖に
なったRBa、Cu4o、型酸化物において、Rの0.
1〜50原子%をCaに置換した(R1−1t Cax
) 882 C140B型酸化物はTcが液体窒素温
度より十分高く且つ850℃付近まで酸素の抜は出しが
なく安定に加工し得ることが分かった。そしてその具体
的製造方法について検討を重ねた結果、R,Ca、Ba
。
型結晶構造における1重のCurlが2重のCuO鎖に
なったRBa、Cu4o、型酸化物において、Rの0.
1〜50原子%をCaに置換した(R1−1t Cax
) 882 C140B型酸化物はTcが液体窒素温
度より十分高く且つ850℃付近まで酸素の抜は出しが
なく安定に加工し得ることが分かった。そしてその具体
的製造方法について検討を重ねた結果、R,Ca、Ba
。
Cu、O等からなる粉末混合物を、不活性ガスと酸素ガ
スの混合雰囲気下、850〜1100℃の温度範囲で熱
間静水圧加圧処理(以下HIP処理と言うことがある)
すれば、希望する(Rs −* Ca、I)11a2C
u40.型酸化物超電導体が得られることを見出し、本
発明を完成した。
スの混合雰囲気下、850〜1100℃の温度範囲で熱
間静水圧加圧処理(以下HIP処理と言うことがある)
すれば、希望する(Rs −* Ca、I)11a2C
u40.型酸化物超電導体が得られることを見出し、本
発明を完成した。
本発明におけるHIP処理は、不活性ガスと酸素ガスの
混合雰囲気下の処理であるので、純酸素による場合と同
じ圧力(例えば200atm)を酸素分圧で達成しよう
とすれば混合雰囲気としての全圧を大幅に高めることが
できる0例えば不活性ガスと酸素のモル比を1:1にし
たときは全圧を400気圧に、また4:1にしたときは
全圧を1000気圧にすることが可能となり、Cu原子
の拡散が更に高められ、(R1−、Ca、) Ba2C
u、06型酸化物超電導体の生成が促進されるものと考
えられる。またこのことは、純酸素によって全圧力を高
くする場合と比べ、操業上の安全性の見地からも大きな
利点である。
混合雰囲気下の処理であるので、純酸素による場合と同
じ圧力(例えば200atm)を酸素分圧で達成しよう
とすれば混合雰囲気としての全圧を大幅に高めることが
できる0例えば不活性ガスと酸素のモル比を1:1にし
たときは全圧を400気圧に、また4:1にしたときは
全圧を1000気圧にすることが可能となり、Cu原子
の拡散が更に高められ、(R1−、Ca、) Ba2C
u、06型酸化物超電導体の生成が促進されるものと考
えられる。またこのことは、純酸素によって全圧力を高
くする場合と比べ、操業上の安全性の見地からも大きな
利点である。
HIP処理における温度は、RBa2Cu30y型酸化
物の生成を抑制し、(R1−X Caw )Ba2Cu
、06型酸化物の生成を促進するという観点から、少な
くとも850℃以上であることが必要であるが、110
0℃を超えるとR2Ba4Cu、O□が生成して混和と
なりやすいので温度上限は1100℃にする必要がある
。
物の生成を抑制し、(R1−X Caw )Ba2Cu
、06型酸化物の生成を促進するという観点から、少な
くとも850℃以上であることが必要であるが、110
0℃を超えるとR2Ba4Cu、O□が生成して混和と
なりやすいので温度上限は1100℃にする必要がある
。
−力木発明において、(R1−*(:aJ BazCu
<Oa型酸酸化物Ca置換量(即ちXの範囲)を、0.
001〜0.5とした理由は下記の通りである。即ちC
a置換の効果が現われるのはXが0.001以上のと艶
であり、また本発明の製造条件下においてはXが0.5
を超えることはほとんどないからである。尚好ましい範
囲は0.001〜0.2である。
<Oa型酸酸化物Ca置換量(即ちXの範囲)を、0.
001〜0.5とした理由は下記の通りである。即ちC
a置換の効果が現われるのはXが0.001以上のと艶
であり、また本発明の製造条件下においてはXが0.5
を超えることはほとんどないからである。尚好ましい範
囲は0.001〜0.2である。
尚本発明のHIP処理前の原料粉末の組成は必ずしも(
R+Ca): Ba : Cu=1 : 2 : 4に
する必要はなく、これからはずれた組成であってもHI
P処理によって実質的に(tt+−xcax)tlar
cu406相が生成されておればよい、しかしこの相を
安定的に生成させるためにはやはり原料粉末の組成を(
R+Ca):Ba:Cu=1 :2:4にするのが好ま
しい。
R+Ca): Ba : Cu=1 : 2 : 4に
する必要はなく、これからはずれた組成であってもHI
P処理によって実質的に(tt+−xcax)tlar
cu406相が生成されておればよい、しかしこの相を
安定的に生成させるためにはやはり原料粉末の組成を(
R+Ca):Ba:Cu=1 :2:4にするのが好ま
しい。
また本発明におけるHIP処理工程と製品成形工程との
関係については、■予め原料粉を混合後、薄膜化或は線
材化し、その後HI Pfi理して超電導体としてもよ
く、成は■粉末状態でHIP処理を行なフて超電導体と
した後、薄膜化或は線材化する様にしてもよい。
関係については、■予め原料粉を混合後、薄膜化或は線
材化し、その後HI Pfi理して超電導体としてもよ
く、成は■粉末状態でHIP処理を行なフて超電導体と
した後、薄膜化或は線材化する様にしてもよい。
以下本発明を実施例によフて更に詳細に説明するが、下
記実施例は本発明を限定する性質のものでなく、前・後
記の趣旨に徴して設計変更することはいずれも本発明の
技術的範囲に含まれるものである。
記実施例は本発明を限定する性質のものでなく、前・後
記の趣旨に徴して設計変更することはいずれも本発明の
技術的範囲に含まれるものである。
[実施例]
まず本発明方法によフて得られる酸化物超電導体の基本
構造であるRBa、Cu40.の構造を第1図に示し、
従来のRBa、Cu30.の構造を第2図に示す、第1
図及び第2図において、1はR,2はBa、3はCu、
4は線分の交差点に配置される0を夫々示す。
構造であるRBa、Cu40.の構造を第1図に示し、
従来のRBa、Cu30.の構造を第2図に示す、第1
図及び第2図において、1はR,2はBa、3はCu、
4は線分の交差点に配置される0を夫々示す。
本発明方法によって得られる酸化物超電導体[(R+−
* Ca、)Ba2Cua 06 (x=0.o01
〜o、s ) ]は、第1図に示す様に三層構造ペロブ
スカイトRB a 2 Cu s Oy型結晶構造にお
ける1重のCuO鎖が、2重のCuO鎮になったRBa
2CL1406酸化物において、Rの0.1〜50原子
%をCaに置換したものである。この2重のCuO鎖を
有する構造において、Rの一部をCaに置換した物質を
、不活性ガスと酸素ガスの混合雰囲気下でのHIPfi
理によって製造するのが本発明の最大の特徴である。
* Ca、)Ba2Cua 06 (x=0.o01
〜o、s ) ]は、第1図に示す様に三層構造ペロブ
スカイトRB a 2 Cu s Oy型結晶構造にお
ける1重のCuO鎖が、2重のCuO鎮になったRBa
2CL1406酸化物において、Rの0.1〜50原子
%をCaに置換したものである。この2重のCuO鎖を
有する構造において、Rの一部をCaに置換した物質を
、不活性ガスと酸素ガスの混合雰囲気下でのHIPfi
理によって製造するのが本発明の最大の特徴である。
実施例1
純度99.9%のY2O,、Ho、Os、BaCO5゜
CuQ、CaCo、の各粉末を用い、(R1−Ca、)
Ba2Cu40.(但し、R=Y、H)におけるXが0
、0.05.0.1 、0.2 、0.3 、0.5
となる様に原料粉末混合物を調製し、空気中で880℃
×16時間の仮焼処理を行なった。仮焼粉を粉砕した後
、Ar−80%、0−20%の混合ガス雰囲気下、全圧
1000ats(酸素分圧p02 =200atm )
にて830℃、880℃。
CuQ、CaCo、の各粉末を用い、(R1−Ca、)
Ba2Cu40.(但し、R=Y、H)におけるXが0
、0.05.0.1 、0.2 、0.3 、0.5
となる様に原料粉末混合物を調製し、空気中で880℃
×16時間の仮焼処理を行なった。仮焼粉を粉砕した後
、Ar−80%、0−20%の混合ガス雰囲気下、全圧
1000ats(酸素分圧p02 =200atm )
にて830℃、880℃。
930℃、980℃の各温度で10時間のHIP処理を
行なった。
行なった。
得られた粉末X線回折に付した。第3図および第4図に
その結果の一部を示す、第3図はYa、e Caa、、
Bat Cu406 (980℃。
その結果の一部を示す、第3図はYa、e Caa、、
Bat Cu406 (980℃。
HIP)に対応するものであり、第4図はH06,@@
Cao、osB az CL120g (930’C
。
Cao、osB az CL120g (930’C
。
HIP)に対応するものである。第3図の粉末X線パタ
ーンでは、粉末生成相がYBa2Cu、O,型構造を示
すことを示しており、第4図の粉末X線パターンでは、
粉末生成相がYBaz Cu40.型構造と共にYBa
2Cu307型構造を含んでいることを示している。
ーンでは、粉末生成相がYBa2Cu、O,型構造を示
すことを示しており、第4図の粉末X線パターンでは、
粉末生成相がYBaz Cu40.型構造と共にYBa
2Cu307型構造を含んでいることを示している。
また前記粉末試料の超電導特性を振動試料型磁力計を用
いて測定した。その結果の一部を第5図及び第6図に示
す。第5図はY、、、Ca、、。
いて測定した。その結果の一部を第5図及び第6図に示
す。第5図はY、、、Ca、、。
Ba2 Cu4oa (980℃、HIP)に対応す
るものであり、第6図はHoo、esc ao、O5”
a2Cu4o6 (930℃、HIP)に対応する
ものである。これらの結果から明らかな様に、本発明で
得られる( Rr−8Cax)Ba2Cu406型酸化
物はTcも高い値を示している。
るものであり、第6図はHoo、esc ao、O5”
a2Cu4o6 (930℃、HIP)に対応する
ものである。これらの結果から明らかな様に、本発明で
得られる( Rr−8Cax)Ba2Cu406型酸化
物はTcも高い値を示している。
粉末X線回折と超電導特性の結果を総括して第1表に示
す。尚第1表中RBa2 Cu40゜型酸化物[(Rr
−X Ca、)Bat Cu406も含む]を(1−2
−4) として示し、RBa2第1表から次の様に考察
することができる。Rの種類によって若干の違いはある
ものの、HIP処理温度が高い程(1−2−4)相が生
成し易く、従って(1−2−4)相の単相化の為にはH
IP@埋温度をなるべく高くするのがよいことが分かる
。またCaの原子比が大餘くなるにつれて(1−2−4
)相が生成し難い傾向を示すが、原子比が大台くなるに
つれてTcも大きくなる傾向を示す。
す。尚第1表中RBa2 Cu40゜型酸化物[(Rr
−X Ca、)Bat Cu406も含む]を(1−2
−4) として示し、RBa2第1表から次の様に考察
することができる。Rの種類によって若干の違いはある
ものの、HIP処理温度が高い程(1−2−4)相が生
成し易く、従って(1−2−4)相の単相化の為にはH
IP@埋温度をなるべく高くするのがよいことが分かる
。またCaの原子比が大餘くなるにつれて(1−2−4
)相が生成し難い傾向を示すが、原子比が大台くなるに
つれてTcも大きくなる傾向を示す。
[発明の効果]
以上述べた如く本発明によれば、液体窒素温度よりも十
分高い超電導遷移温度を有し、且つ加工時の高温下で酸
素の抜けが生じない様な(R1−1t ea、)Baz
Cu4o6型酸化物超酸化物超電導れた。
分高い超電導遷移温度を有し、且つ加工時の高温下で酸
素の抜けが生じない様な(R1−1t ea、)Baz
Cu4o6型酸化物超酸化物超電導れた。
第1図はRBaz Cu40gの構造を説明する為の図
、第2図はRBaz Cus o7の構造を説明する為
の図、第3図は本発明によフて得られるYo、e Ca
(+、I Ba2Cu40aの粉末X線回折パターンを
示すグラフ、第4図は本発明によって得られるHOo、
esCao、osBaz Cu406の粉末X線回折パ
ターンを示すグラフ、第5図はYo、e Cao、+
B R2Cua Oaの超電導特性を示すグラフ、第6
図はHOo、 *sCa o、 osB a 2Cu4
06の超電導特性を示すグラフである。 1・・・R2・・・Ba 3・・・Cu 4・・・0 出願人 財団法人 国際超電導産業 技術研究センター 第1図 0−I YBa2Cu2O7 第2図 O吐1 YBa2Cu307
、第2図はRBaz Cus o7の構造を説明する為
の図、第3図は本発明によフて得られるYo、e Ca
(+、I Ba2Cu40aの粉末X線回折パターンを
示すグラフ、第4図は本発明によって得られるHOo、
esCao、osBaz Cu406の粉末X線回折パ
ターンを示すグラフ、第5図はYo、e Cao、+
B R2Cua Oaの超電導特性を示すグラフ、第6
図はHOo、 *sCa o、 osB a 2Cu4
06の超電導特性を示すグラフである。 1・・・R2・・・Ba 3・・・Cu 4・・・0 出願人 財団法人 国際超電導産業 技術研究センター 第1図 0−I YBa2Cu2O7 第2図 O吐1 YBa2Cu307
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 R(但しRはY及びランタニド系列希土類元素よりなる
群から選択される1種以上の元素),Ca,Ba,Cu
,Oからなる酸化物超電導体製造用原料粉末混合物を、
不活性ガスと酸素ガスの混合雰囲気下、850〜110
0℃の温度範囲で熱間静水圧処理することにより、 (R_1_−_xCa_x)Ba_2Cu_4O_8(
但し、xは0.001〜0.5,Rは前と同じ意味) で示される酸化物を含む酸化物超電導体を生成すること
を特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1230754A JPH04164855A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 酸化物超電導体の製造方法 |
| DE69020327T DE69020327T2 (de) | 1989-07-07 | 1990-07-07 | Oxyde supraleitfahiges mittel und verfahren zur herstellung. |
| PCT/JP1990/000877 WO1991000847A1 (en) | 1989-07-07 | 1990-07-07 | Oxide superconductor and method of producing the same |
| KR1019910700270A KR0159487B1 (ko) | 1989-07-07 | 1990-07-07 | 산화물초전도체 및 그 제조방법 |
| EP90910173A EP0436723B1 (en) | 1989-07-07 | 1990-07-07 | Oxide superconductor and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1230754A JPH04164855A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164855A true JPH04164855A (ja) | 1992-06-10 |
Family
ID=16912755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1230754A Pending JPH04164855A (ja) | 1989-07-07 | 1989-09-06 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04164855A (ja) |
-
1989
- 1989-09-06 JP JP1230754A patent/JPH04164855A/ja active Pending
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