JPH04165661A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH04165661A JPH04165661A JP2292847A JP29284790A JPH04165661A JP H04165661 A JPH04165661 A JP H04165661A JP 2292847 A JP2292847 A JP 2292847A JP 29284790 A JP29284790 A JP 29284790A JP H04165661 A JPH04165661 A JP H04165661A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- bonding
- resin
- resin film
- bonding section
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/853—On the same surface
- H10W72/865—Die-attach connectors and bond wires
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に半導体ペレ
ット搭載用のダイパッド部を有しない樹脂封止型半導体
装置の構造に関する。
ット搭載用のダイパッド部を有しない樹脂封止型半導体
装置の構造に関する。
従来、この種の樹脂封止型半導体装置は第３図の上面図
、および第４図の断面図に示す様に構成されていた。即
ち、第３図、第４図において、１は半導体ペレット、２
は両面に絶縁性接着層７ａ、７ｂを有する樹脂フィルム
、３は外部電極取立し用リード、４はリードのボンディ
ング部、５は半導体ペレット１のポンディングパッド８
とリードのボンディング部４を電気的に接続する金属細
線、６は封止樹脂層である。従来この種の構造は、特に
半導体ペレット１のサイズが大型化した場合に多く用い
られている。つ該り、ダイパッド部を設けると封止樹脂
層６からダイパッド部を除いた残りの余白部分が少なく
なってしまい、リード３を封止樹脂層６内部に配置でき
なくなってしまう場合の対策として多く用いられている
。この場合、両面に絶縁性接着層７ａ、７ｂを有する樹
脂フィルム２を介して、あらかじめリード３と半導体ペ
レット１を熱圧着した後、金属細線５をＵＮＴＣボンデ
ィング（超音波熱圧着ボンディング）することにより、
半導体ペレット１のポンディングパッド８とリード３の
ボンディング部４を電気的に接続し、その後、樹脂封止
層６で封止することによって製造されている。
、および第４図の断面図に示す様に構成されていた。即
ち、第３図、第４図において、１は半導体ペレット、２
は両面に絶縁性接着層７ａ、７ｂを有する樹脂フィルム
、３は外部電極取立し用リード、４はリードのボンディ
ング部、５は半導体ペレット１のポンディングパッド８
とリードのボンディング部４を電気的に接続する金属細
線、６は封止樹脂層である。従来この種の構造は、特に
半導体ペレット１のサイズが大型化した場合に多く用い
られている。つ該り、ダイパッド部を設けると封止樹脂
層６からダイパッド部を除いた残りの余白部分が少なく
なってしまい、リード３を封止樹脂層６内部に配置でき
なくなってしまう場合の対策として多く用いられている
。この場合、両面に絶縁性接着層７ａ、７ｂを有する樹
脂フィルム２を介して、あらかじめリード３と半導体ペ
レット１を熱圧着した後、金属細線５をＵＮＴＣボンデ
ィング（超音波熱圧着ボンディング）することにより、
半導体ペレット１のポンディングパッド８とリード３の
ボンディング部４を電気的に接続し、その後、樹脂封止
層６で封止することによって製造されている。
この従来の樹脂封止型半導体装置であると、金属細線５
をＵＮＴＣボンディングする際、リードのボンディング
部４と絶縁性接着剤７の接着強度が十分でなく、樹脂フ
ィルム２からリードのボンディング部４が剥離し、ボン
ディング時の超音波と荷重が十分に伝わらず、ボンディ
ング不良が発生し易いという欠点を有していた。っ才り
、通常、絶縁性接着層７はエポキシ系やアクリル系樹脂
を用いることが多く、ボンディング時の２００℃程度の
加熱で接着力、強度共に劣化し、さらには超音波によっ
て絶縁性接着層７ａとリードのボンディング部４の接着
力が著しく低下してしまうことが多かった。また、製品
になった後、種々の熱的ストレスが生じた際にも半導体
ペレット１とリード３と封止樹脂層６のそれぞれの間の
熱膨張係数の違いによって、リードのボンディング部４
と樹脂フィルム２が剥離し、封止樹脂層のクラック発生
の原因になり易いという問題点があった。
をＵＮＴＣボンディングする際、リードのボンディング
部４と絶縁性接着剤７の接着強度が十分でなく、樹脂フ
ィルム２からリードのボンディング部４が剥離し、ボン
ディング時の超音波と荷重が十分に伝わらず、ボンディ
ング不良が発生し易いという欠点を有していた。っ才り
、通常、絶縁性接着層７はエポキシ系やアクリル系樹脂
を用いることが多く、ボンディング時の２００℃程度の
加熱で接着力、強度共に劣化し、さらには超音波によっ
て絶縁性接着層７ａとリードのボンディング部４の接着
力が著しく低下してしまうことが多かった。また、製品
になった後、種々の熱的ストレスが生じた際にも半導体
ペレット１とリード３と封止樹脂層６のそれぞれの間の
熱膨張係数の違いによって、リードのボンディング部４
と樹脂フィルム２が剥離し、封止樹脂層のクラック発生
の原因になり易いという問題点があった。
本発明の目的は２リードのボンディング部と樹脂フィル
ムの接着強度が向上し、２００℃程度のＵＮＴＣボンデ
ィングを実施しても何等ボンディング不具合が生ずるこ
となく、 また、製品後の半田ソルダリング工程の熱ストレスに対
してもボンディング部の接着力がつよく、かつボンディ
ング部で応力吸収が可能で樹脂クラックを防止すること
ができる樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
ムの接着強度が向上し、２００℃程度のＵＮＴＣボンデ
ィングを実施しても何等ボンディング不具合が生ずるこ
となく、 また、製品後の半田ソルダリング工程の熱ストレスに対
してもボンディング部の接着力がつよく、かつボンディ
ング部で応力吸収が可能で樹脂クラックを防止すること
ができる樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、絶縁性接着層を両面
に有する樹脂フィルムを介して半導体ペレットの回路形
成面上にリードが固着され、かつリードのボンディング
部の裏面に複数個の凹凸を有している。これにより、リ
ードのボンディング部と樹脂フィルムの接着力が向上す
ることが可能となる。
に有する樹脂フィルムを介して半導体ペレットの回路形
成面上にリードが固着され、かつリードのボンディング
部の裏面に複数個の凹凸を有している。これにより、リ
ードのボンディング部と樹脂フィルムの接着力が向上す
ることが可能となる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の一実施例の断面図である。
は本発明の一実施例の断面図である。
即ち、第１図において、１は半導体ペレット、２は両面
に絶縁性接着層７ａ、７ｂを有する樹脂フィルム、３は
外部電極取出し用リード、４はリードのボンディング部
、９はリードのボンディング部４の裏面に設けられた複
数個の凹凸、５は半導体ペレット１のポンディングパッ
ド（図示せず）とリードのボンディング部４を電気的に
接続する金属細線、６は封止樹脂層である。具体的には
９の凹凸はリードのボンディング部４の裏面をハーフエ
ツチングすることにより、大きさ５０〜２００μφ、深
さ５０〜１００μ程度のへこみが複数個設けられている
。この様な構造であれば、ＵＮＴＣボンディングの際、
リードのボンディング部９と絶縁性接着層７ａの接着面
積が増加し、樹脂フィルム２との接着強度が強化され、
ボンディング不良が解消されるという利点を有している
。
に絶縁性接着層７ａ、７ｂを有する樹脂フィルム、３は
外部電極取出し用リード、４はリードのボンディング部
、９はリードのボンディング部４の裏面に設けられた複
数個の凹凸、５は半導体ペレット１のポンディングパッ
ド（図示せず）とリードのボンディング部４を電気的に
接続する金属細線、６は封止樹脂層である。具体的には
９の凹凸はリードのボンディング部４の裏面をハーフエ
ツチングすることにより、大きさ５０〜２００μφ、深
さ５０〜１００μ程度のへこみが複数個設けられている
。この様な構造であれば、ＵＮＴＣボンディングの際、
リードのボンディング部９と絶縁性接着層７ａの接着面
積が増加し、樹脂フィルム２との接着強度が強化され、
ボンディング不良が解消されるという利点を有している
。
また、製品になった後の種々の熱ストレスに対しても、
接着強度が向上しているため、リードのボンディング部
４が樹脂フィルム２から剥離することがなく、また、リ
ードのボンディング部４の裏面にハーフエッチ等による
複数個のへこみがあるため、この部分で応力吸収が起き
、封止樹脂層６にクラック等の不具合が発生することを
防止せできる。
接着強度が向上しているため、リードのボンディング部
４が樹脂フィルム２から剥離することがなく、また、リ
ードのボンディング部４の裏面にハーフエッチ等による
複数個のへこみがあるため、この部分で応力吸収が起き
、封止樹脂層６にクラック等の不具合が発生することを
防止せできる。
第２図は本発明の実施例２の断面図である。図において
、半導体ペレット１の回路形成面上に両面に絶縁性接着
層７ａ、７ｂを有する樹脂フィルム２を介してリードの
ボンディング部４が固着されているが、リードのボンデ
ィング部４の裏面に複数個の凹凸を設け、かつ樹脂フィ
ルム２に１００〜２００μ程度の貫通孔を設けている。
、半導体ペレット１の回路形成面上に両面に絶縁性接着
層７ａ、７ｂを有する樹脂フィルム２を介してリードの
ボンディング部４が固着されているが、リードのボンデ
ィング部４の裏面に複数個の凹凸を設け、かつ樹脂フィ
ルム２に１００〜２００μ程度の貫通孔を設けている。
この実施例であると、リードのボンディング部４と絶縁
性接着層７ａの接着強度が向上すると共に、絶縁性接着
層７ａと樹脂フィルム２との接着強度も向上し、これに
よって、より高温域で、かつより強い超音波のもとに高
速なボンディングが可能となるという利点を有し、てい
る。
性接着層７ａの接着強度が向上すると共に、絶縁性接着
層７ａと樹脂フィルム２との接着強度も向上し、これに
よって、より高温域で、かつより強い超音波のもとに高
速なボンディングが可能となるという利点を有し、てい
る。
以上説明した様に、本発明は半導体ペレットの回路形成
面上に両面に絶縁性接着層を有する樹脂フィルムを介し
てリードのボンディング部を固着して成る構造において
、リードのボンディング部の裏面に複数個の凹凸を設け
ているため、リードのボンディング部と樹脂フィルムの
接着強度が向上し、２００℃程度のＬＩＮＴＣボンディ
ングを実施しても、何らボンディング不具合が生じない
という効果を有する。また、製品になった後の２４０℃
程度の半田ソルダリング工程の熱ストレスに対しても、
リードのボンディング部の接着力が強く、またリードの
ボンディング部で応力吸収が可能となり、樹脂クラック
を防止することができるという効果を有する。
面上に両面に絶縁性接着層を有する樹脂フィルムを介し
てリードのボンディング部を固着して成る構造において
、リードのボンディング部の裏面に複数個の凹凸を設け
ているため、リードのボンディング部と樹脂フィルムの
接着強度が向上し、２００℃程度のＬＩＮＴＣボンディ
ングを実施しても、何らボンディング不具合が生じない
という効果を有する。また、製品になった後の２４０℃
程度の半田ソルダリング工程の熱ストレスに対しても、
リードのボンディング部の接着力が強く、またリードの
ボンディング部で応力吸収が可能となり、樹脂クラック
を防止することができるという効果を有する。
来の樹脂封止型半導体装置の一例のそれぞれ上面図と断
面図である。 １・・・半導体ペレット、２・・・樹脂フィルム、３・
・・リード、４・・・リードのボンディング部、５・・
・金属細線、６・・・封止樹脂層、７ａ、７ｂ・・・絶
縁性接着層、８・・・ペレットのポンディングパッド、
９・・・凹凸、１０・・・貫通孔。
面図である。 １・・・半導体ペレット、２・・・樹脂フィルム、３・
・・リード、４・・・リードのボンディング部、５・・
・金属細線、６・・・封止樹脂層、７ａ、７ｂ・・・絶
縁性接着層、８・・・ペレットのポンディングパッド、
９・・・凹凸、１０・・・貫通孔。
Claims (1)
- 半導体ペレットの回路形成面上に両面に絶縁性接着材
を有する樹脂フィルムを介してリードが固着され、前記
リードとペレットの接続パッドが金属細線ボンディング
によって電気的接続をされて成る樹脂封止型半導体装置
において、前記リードの少なくともボンデング部分の裏
面に複数個の凹凸を設けたことを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2292847A JPH04165661A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2292847A JPH04165661A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04165661A true JPH04165661A (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=17787137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2292847A Pending JPH04165661A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04165661A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0613525A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US6208017B1 (en) * | 1994-10-07 | 2001-03-27 | Nec Corporation | Semiconductor device with lead-on-chip structure |
-
1990
- 1990-10-30 JP JP2292847A patent/JPH04165661A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0613525A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US6208017B1 (en) * | 1994-10-07 | 2001-03-27 | Nec Corporation | Semiconductor device with lead-on-chip structure |
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