JPH04167524A - 半導体装置のビアホール形成方法 - Google Patents
半導体装置のビアホール形成方法Info
- Publication number
- JPH04167524A JPH04167524A JP29499790A JP29499790A JPH04167524A JP H04167524 A JPH04167524 A JP H04167524A JP 29499790 A JP29499790 A JP 29499790A JP 29499790 A JP29499790 A JP 29499790A JP H04167524 A JPH04167524 A JP H04167524A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- tetrafluoromethane
- via hole
- mixing ratio
- trifluoromethane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 39
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置のビアホール形成方法に関し、特
にテーパー形状のビアホールを形成する方法に関する。
にテーパー形状のビアホールを形成する方法に関する。
［従来の技術］
半導体装置のビアホール形成工程において、眉間膜３０
２のビアホール３０２ａの形成は、第３図（ａ）、（ｂ
）、（ｃ）に示したように、基板３０１上の層間膜３０
２にリソグラフィ工程によりえられたレジスト３０３を
形成し、レジスト３０２をマスクとし、反応性ガスにフ
ッ素系ガスを用いた反応性イオンエツチング（以後ＲＩ
Ｅと称する）により行われている。
２のビアホール３０２ａの形成は、第３図（ａ）、（ｂ
）、（ｃ）に示したように、基板３０１上の層間膜３０
２にリソグラフィ工程によりえられたレジスト３０３を
形成し、レジスト３０２をマスクとし、反応性ガスにフ
ッ素系ガスを用いた反応性イオンエツチング（以後ＲＩ
Ｅと称する）により行われている。
上記工程では、垂直の側壁角度を有したビアホール３０
２ａが得られる。このビアホール開口後、スパッタ法を
用いた、配線形成のアルミもしくはアルミ合金の成膜が
行われる。スパッタ法を用いた成膜では、段差部でのカ
バレージがアスペクト比に大きく依存し、微細ビアホー
ルにおいては、ビアホール３０２ａの側壁形状が垂直形
状であると、スパッタアルミがビアホール内に成膜され
ず、配線の接触不良を発生する。この開運を解決するた
めに、等方性の湿式食刻と異方性の乾式食刻を組み合わ
せたビアホールの食刻方法が行われ、第４図（ａ）、（
ｂ）、（ｃ）に示したような上部が丸みを帯びた形状で
、且つ下部が垂直形状のビアホールが得られる。ビアホ
ール上部の開口系を、大きくすることにより、アスペク
ト比依存性を緩和している。
２ａが得られる。このビアホール開口後、スパッタ法を
用いた、配線形成のアルミもしくはアルミ合金の成膜が
行われる。スパッタ法を用いた成膜では、段差部でのカ
バレージがアスペクト比に大きく依存し、微細ビアホー
ルにおいては、ビアホール３０２ａの側壁形状が垂直形
状であると、スパッタアルミがビアホール内に成膜され
ず、配線の接触不良を発生する。この開運を解決するた
めに、等方性の湿式食刻と異方性の乾式食刻を組み合わ
せたビアホールの食刻方法が行われ、第４図（ａ）、（
ｂ）、（ｃ）に示したような上部が丸みを帯びた形状で
、且つ下部が垂直形状のビアホールが得られる。ビアホ
ール上部の開口系を、大きくすることにより、アスペク
ト比依存性を緩和している。
以上のように、スパッタ法を用いた成膜では、段差部で
のカバレージがアスペクト比に大きく依存し、微細ビア
ホールにおいては、ビアホールが垂直形状であると、ス
パッタアルミがビアホール内に成膜されず、配線の接触
不良を発生する。この問題を解決するために等方性の湿
式食刻と異方性の乾式食刻を組み合わせたビアホールの
食刻を行い、第４図に示したようなビアホールを得るこ
とができる。しかしながら、本方法を用いてもビアホー
ル径がサブミクロンになると、ビアホール上部の丸みを
帯びた部分と下部の垂直形状部分の接する部分でのカバ
レージ及び下部の垂直形状部分での成膜厚が減少し、配
線の接触不良を発生する。
のカバレージがアスペクト比に大きく依存し、微細ビア
ホールにおいては、ビアホールが垂直形状であると、ス
パッタアルミがビアホール内に成膜されず、配線の接触
不良を発生する。この問題を解決するために等方性の湿
式食刻と異方性の乾式食刻を組み合わせたビアホールの
食刻を行い、第４図に示したようなビアホールを得るこ
とができる。しかしながら、本方法を用いてもビアホー
ル径がサブミクロンになると、ビアホール上部の丸みを
帯びた部分と下部の垂直形状部分の接する部分でのカバ
レージ及び下部の垂直形状部分での成膜厚が減少し、配
線の接触不良を発生する。
本発明の目的は、任意のテーパ形状のビアホールを形成
できるようにした半導体装置のビアホール形成方法を提
供することにある。
できるようにした半導体装置のビアホール形成方法を提
供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置のビ
アホール形成方法においては、乾式食刻工程を有し、半
導体装置のビアホール形成を行う方法であって、 乾式食刻工程は、トリフロロメタンとテトラフロロメタ
ンの混合ガスを用い、トリフロロメタンとテトラフロロ
メタンのガス混合比を食刻の進行と共に連続に変化させ
る工程である。
アホール形成方法においては、乾式食刻工程を有し、半
導体装置のビアホール形成を行う方法であって、 乾式食刻工程は、トリフロロメタンとテトラフロロメタ
ンの混合ガスを用い、トリフロロメタンとテトラフロロ
メタンのガス混合比を食刻の進行と共に連続に変化させ
る工程である。
また、前記乾式食刻工程は、磁場を印加し、活性種密度
を増加させたマグネトロン反応性イオンエツチング方式
もしくはエレクトロンサイクロトロンレゾナンスプラズ
マエツチング方式もしくはマイクロ波エツチング方式を
用いるものである。
を増加させたマグネトロン反応性イオンエツチング方式
もしくはエレクトロンサイクロトロンレゾナンスプラズ
マエツチング方式もしくはマイクロ波エツチング方式を
用いるものである。
〔作用］
酸化膜のドライエツチングは、反応ガスにテトラフロロ
メタン、トリフロロメタン等のフロンガスを用いた反応
性イオンエツチングにより行われる。このエツチングの
プラズマ中において、水素を添加することによりカーボ
ンを主成分とした重合膜の形成が促進されることが明ら
かとなっており、酸化膜ビアホール開口工程において、
上記の手法は下地シリコン基板との選択比を向上させる
目的に広く用いられている。トリフロロメタンは、その
構成原子に、水素を有しておりカーボン系の重合膜が形
成され易いガスである。
メタン、トリフロロメタン等のフロンガスを用いた反応
性イオンエツチングにより行われる。このエツチングの
プラズマ中において、水素を添加することによりカーボ
ンを主成分とした重合膜の形成が促進されることが明ら
かとなっており、酸化膜ビアホール開口工程において、
上記の手法は下地シリコン基板との選択比を向上させる
目的に広く用いられている。トリフロロメタンは、その
構成原子に、水素を有しておりカーボン系の重合膜が形
成され易いガスである。
本発明では、この重合膜を積極的に用い、重合膜の形成
とエツチングの競合反応を利用することにより、テーパ
ー形状を有したビアホールを形成する。さらに反応ガス
としてトリフロロメタンとテトラフロロメタンを用い、
この混合比を連続に変化させることにより酸化膜ビアホ
ールのテーパー形状を任意の形状に制御す、るものであ
る。
とエツチングの競合反応を利用することにより、テーパ
ー形状を有したビアホールを形成する。さらに反応ガス
としてトリフロロメタンとテトラフロロメタンを用い、
この混合比を連続に変化させることにより酸化膜ビアホ
ールのテーパー形状を任意の形状に制御す、るものであ
る。
これに加え、エツチング装置には、磁場を印加し、活性
種密度を増加させたマグネトロン反応性イオンエツチン
グ方式もしくはエレクトロンサイクロトロンレゾナンス
プラズマエツチング方式もしくはマイクロ波エツチング
方式を用いることにより、任意のテーパー形状のビアホ
ールを得る。
種密度を増加させたマグネトロン反応性イオンエツチン
グ方式もしくはエレクトロンサイクロトロンレゾナンス
プラズマエツチング方式もしくはマイクロ波エツチング
方式を用いることにより、任意のテーパー形状のビアホ
ールを得る。
〔実施例１
次に、本発明について図面を参照し詳細に説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る実施例１の概要
を説明するための説明図である。
を説明するための説明図である。
実施例１は、第１図（ｂ）に示すように、基板１０３の
層間膜ｌ○２上にレジスト１０１を形成し、レジスト１
０１をマスクとし、反応ガスにテトラフロロメタン、ト
リフロロメタンを用い、この混合比を連続的に変化させ
ることにより、第１図（ｂ）に示したような酸化膜ビア
ホール１０２ａの側壁が内方に突き出たテーパー形状に
制御するものである。
層間膜ｌ○２上にレジスト１０１を形成し、レジスト１
０１をマスクとし、反応ガスにテトラフロロメタン、ト
リフロロメタンを用い、この混合比を連続的に変化させ
ることにより、第１図（ｂ）に示したような酸化膜ビア
ホール１０２ａの側壁が内方に突き出たテーパー形状に
制御するものである。
本実施例においては、マグネトロン反応性イオンエッチ
ング装置を用いた。１３．５６ＭＨｚの高周波を用い、
５００Ｗの電力を投入し、磁界としては、ウェハ表面上
において２００Ｇａｕｓｓの磁場を印加した。テトラフ
ロロメタン、トリフロロメタンの総流量を５０ｃｃ／分
とし、混合比を第１図（ａ）のように変化させた。エツ
チング開始時点では、テトラフロロメタンの混合比を１
００％（テトラフロロメタンとトリフロロメタンの総混
合比に対する流量比）とし、エツチングの進行と共に直
線的に減少させる。ビアホールエツチング終了直前には
、その混合比を１０％まで減少させ、その後再び増加さ
せオーバーエツチング終了時には５０％に増加させる。
ング装置を用いた。１３．５６ＭＨｚの高周波を用い、
５００Ｗの電力を投入し、磁界としては、ウェハ表面上
において２００Ｇａｕｓｓの磁場を印加した。テトラフ
ロロメタン、トリフロロメタンの総流量を５０ｃｃ／分
とし、混合比を第１図（ａ）のように変化させた。エツ
チング開始時点では、テトラフロロメタンの混合比を１
００％（テトラフロロメタンとトリフロロメタンの総混
合比に対する流量比）とし、エツチングの進行と共に直
線的に減少させる。ビアホールエツチング終了直前には
、その混合比を１０％まで減少させ、その後再び増加さ
せオーバーエツチング終了時には５０％に増加させる。
エツチング開始時点では、テトラフロロメタンを１００
％とするのは、エツチング初期において、重合膜の形成
を支配的にしテーパーエツチングを行う。エツチングの
進行と共にテトラフロロメタンの流量比を減少させるこ
とにより、垂直エツチングを実現させる。更に、シリコ
ン表面の露出するオーバーエツチング時間においては、
テトラフロロメタンの混合比を増加させることにより、
シリコンとの選択比を確保する。
％とするのは、エツチング初期において、重合膜の形成
を支配的にしテーパーエツチングを行う。エツチングの
進行と共にテトラフロロメタンの流量比を減少させるこ
とにより、垂直エツチングを実現させる。更に、シリコ
ン表面の露出するオーバーエツチング時間においては、
テトラフロロメタンの混合比を増加させることにより、
シリコンとの選択比を確保する。
上記エツチングを行うことにより、第１図（ｂ）に見ら
れるようなビアホール形状が得られた。
れるようなビアホール形状が得られた。
（実施例２）
第２図（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る実施例２の概要
を説明するための説明図である。
を説明するための説明図である。
実施例２は、反応ガスにテトラフロロメタン。
トリフロロメタンを用い、この混合比を連続的に変化さ
せることにより、第２図（ｂ）に示したような酸化膜ビ
アホール１０２ａの側壁が凹状としたテーパー形状に制
御するものである。
せることにより、第２図（ｂ）に示したような酸化膜ビ
アホール１０２ａの側壁が凹状としたテーパー形状に制
御するものである。
本実施例においては、マグネトロン反応性イオンエツチ
ング装置を用いた。１３．５６ＭＨｚの高周波を用い、
４００Ｗの電力を投入し、磁界としては、ウェハ表面上
において１００Ｇａｕｓｓの磁場を印加した。テトラフ
ロロメタン、トリフロロメタンの総流量を５０ｃｃ／分
とし、混合比を第２図（ａ）のように変化させた。エツ
チング開始時点では、テトラフロロメタンの混合比を０
％（テトラフロロメタンとトリフロロメタンの総混合比
に対する流量比）としトリフロロメタンのみでエツチン
グを行い、テトラフロロメタンの混合率をエツチングの
進行と共に直線的に増加させる。ビアホールエツチング
終了直前には、その混合比を１００％まで増加させ、そ
の後再び増加させオーバーエツチング終了時には６０％
に増加させる。
ング装置を用いた。１３．５６ＭＨｚの高周波を用い、
４００Ｗの電力を投入し、磁界としては、ウェハ表面上
において１００Ｇａｕｓｓの磁場を印加した。テトラフ
ロロメタン、トリフロロメタンの総流量を５０ｃｃ／分
とし、混合比を第２図（ａ）のように変化させた。エツ
チング開始時点では、テトラフロロメタンの混合比を０
％（テトラフロロメタンとトリフロロメタンの総混合比
に対する流量比）としトリフロロメタンのみでエツチン
グを行い、テトラフロロメタンの混合率をエツチングの
進行と共に直線的に増加させる。ビアホールエツチング
終了直前には、その混合比を１００％まで増加させ、そ
の後再び増加させオーバーエツチング終了時には６０％
に増加させる。
エツチング開始時点では、テトラフロロメタンを０％と
するのは、エツチング初期において、重合膜の形成を押
え垂直エツチングを行う。エツチングの進行と共にテト
ラフロロメタンの流量比を増加させることにより、テー
パーエツチングを実現させる。更に、シリコン表面の露
出するオーバーエツチング時間においては、テトラフロ
ロメタンの混合比を減少させることにより、重合膜形成
による汚染を抑制する。
するのは、エツチング初期において、重合膜の形成を押
え垂直エツチングを行う。エツチングの進行と共にテト
ラフロロメタンの流量比を増加させることにより、テー
パーエツチングを実現させる。更に、シリコン表面の露
出するオーバーエツチング時間においては、テトラフロ
ロメタンの混合比を減少させることにより、重合膜形成
による汚染を抑制する。
上記エツチングを行うことにより、第２図（ｂ）に見ら
れるようなビアホール形状が得られた。
れるようなビアホール形状が得られた。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は、半導体装置のビアホール
形成において、重合膜の形成とエツチングの競合反応を
利用することにより、テーパー形状を有したビアホール
を形成することができる。
形成において、重合膜の形成とエツチングの競合反応を
利用することにより、テーパー形状を有したビアホール
を形成することができる。
さらに反応ガスとしてトリフロロメタンとテトラフロロ
メタンを用い、この混合比を連続に変化させることによ
り、酸化膜ビアホールのテーパー形状を任意の形状に制
御することができる。また、これに加え、磁場を印加し
活性種密度を増加させたマグネトロン反応性イオンエツ
チング方式もしくはエレクトロンサイクロトロンレゾナ
ンスプラズマエツチング方式もしくはマイクロ波エツチ
ング方式を用いることにより、任意のテーパー形状のビ
アホールを得ることができる。
メタンを用い、この混合比を連続に変化させることによ
り、酸化膜ビアホールのテーパー形状を任意の形状に制
御することができる。また、これに加え、磁場を印加し
活性種密度を増加させたマグネトロン反応性イオンエツ
チング方式もしくはエレクトロンサイクロトロンレゾナ
ンスプラズマエツチング方式もしくはマイクロ波エツチ
ング方式を用いることにより、任意のテーパー形状のビ
アホールを得ることができる。
第１図は、本発明の実施例１の概念を示した図であり、
（ａ）は、トリフロロメタンとテトラフロロメタンとの
混合比の変化を示した図、（ｂ）は、このエツチングに
より得られるビアホール形状を示す縦断面図、第２図は
、本発明の実施例２の概念を示した図であり、（ａ）は
、トリフロロメタンとテトラフロロメタンとの混合比の
変化を示した図、 （ｂ）は、このエツチングにより得
られるビアホール形状を示す縦断面図、第３図（ａ）。 （ｂ）、（Ｃ）は、従来例を工程順に示す断面図、第４
図（ａ）、（ｂ）、、（ｃ）は、従来例を工程順に示す
断面図である。
（ａ）は、トリフロロメタンとテトラフロロメタンとの
混合比の変化を示した図、（ｂ）は、このエツチングに
より得られるビアホール形状を示す縦断面図、第２図は
、本発明の実施例２の概念を示した図であり、（ａ）は
、トリフロロメタンとテトラフロロメタンとの混合比の
変化を示した図、 （ｂ）は、このエツチングにより得
られるビアホール形状を示す縦断面図、第３図（ａ）。 （ｂ）、（Ｃ）は、従来例を工程順に示す断面図、第４
図（ａ）、（ｂ）、、（ｃ）は、従来例を工程順に示す
断面図である。
Claims (2)
- （１）乾式食刻工程を有し、半導体装置のビアホール形
成を行う方法であって、 乾式食刻工程は、トリフロロメタンとテトラフロロメタ
ンの混合ガスを用い、トリフロロメタンとテトラフロロ
メタンのガス混合比を食刻の進行と共に連続に変化させ
る工程であることを特徴とする半導体装置のビアホール
形成方法。 - （２）前記乾式食刻工程は、磁場を印加し、活性種密度
を増加させたマグネトロン反応性イオンエッチング方式
もしくはエレクトロンサイクロトロンレゾナンスプラズ
マエッチング方式もしくはマイクロ波エッチング方式を
用いることを特徴とする請求項第（１）項記載の半導体
装置のビアホール形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29499790A JPH04167524A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体装置のビアホール形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29499790A JPH04167524A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体装置のビアホール形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167524A true JPH04167524A (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=17815006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29499790A Pending JPH04167524A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体装置のビアホール形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04167524A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5567270A (en) * | 1995-10-16 | 1996-10-22 | Winbond Electronics Corp. | Process of forming contacts and vias having tapered sidewall |
| KR20000043225A (ko) * | 1998-12-28 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체소자의 질화막 식각방법 |
| KR100487415B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2005-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP29499790A patent/JPH04167524A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5567270A (en) * | 1995-10-16 | 1996-10-22 | Winbond Electronics Corp. | Process of forming contacts and vias having tapered sidewall |
| KR20000043225A (ko) * | 1998-12-28 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체소자의 질화막 식각방법 |
| KR100487415B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2005-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6569774B1 (en) | Method to eliminate striations and surface roughness caused by dry etch | |
| US4522681A (en) | Method for tapered dry etching | |
| JPS6365625A (ja) | エッチング方法 | |
| JPH10116823A (ja) | メタルポリサイド構造体のエッチング方法 | |
| US7361607B2 (en) | Method for multi-layer resist plasma etch | |
| KR100528685B1 (ko) | 시료의 표면 가공방법 | |
| JP2004505464A (ja) | 半導体構造物から有機残留物を除去する方法 | |
| JP5248063B2 (ja) | 半導体素子加工方法 | |
| US4678540A (en) | Plasma etch process | |
| US8143175B2 (en) | Dry etching method | |
| US5968278A (en) | High aspect ratio contact | |
| JP3353532B2 (ja) | トレンチエッチング方法 | |
| JPH04167524A (ja) | 半導体装置のビアホール形成方法 | |
| JPH0677177A (ja) | ドライエッチング法及びドライエッチング装置 | |
| JP2757838B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02156529A (ja) | 半導体ウェーハの酸化物層傾斜エッチング方法 | |
| JPH10144633A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01239932A (ja) | ポリシリサイド構造ゲート積層膜のドライエッチング方法 | |
| JP3865323B2 (ja) | エッチング方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH03196623A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP4360065B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2985841B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3399494B2 (ja) | ＷＳｉＮの低ガス圧プラズマエッチング方法 | |
| JP4994161B2 (ja) | メタルゲートのドライエッチング方法 | |
| JPH06120174A (ja) | 半導体装置の製造方法 |