JPH04168719A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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Publication number
JPH04168719A
JPH04168719A JP2295956A JP29595690A JPH04168719A JP H04168719 A JPH04168719 A JP H04168719A JP 2295956 A JP2295956 A JP 2295956A JP 29595690 A JP29595690 A JP 29595690A JP H04168719 A JPH04168719 A JP H04168719A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
stage
developer
developing
development
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2295956A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryoichi Watanabe
亮一 渡邉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Yamagata Ltd filed Critical NEC Yamagata Ltd
Priority to JP2295956A priority Critical patent/JPH04168719A/ja
Publication of JPH04168719A publication Critical patent/JPH04168719A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造装置に関し、特にフォトレジ
ストパターンを現像液を用いて現像する現像装置に関す
る。
〔従来の技術〕
第4図(a)〜(d)は、従来のこの種の現像装置の機
能を工程順に説明する縦断面図でる。まず図(a)にお
いて、ウェーハチャック1にて保持されたウェーハ2が
カップ15内に搬送される。次に図(b)において、ウ
ェーハ2上の現像液ノズル13より現像液6を供給し、
表面張力による現像液6の液盛り形成を行う。次いで現
像が開始される。この際、ウェーハ2はモーター10に
よってウェーハチャック回転方向Rに低速回転される。
次に図(c)において、現像終了後、ウェハ2を回転さ
せながらリンス液ノズル14よりリンス液7をウェーハ
2上に供給し、ウェーハ2のリンスを行なう。処理済液
はドレイン管1から排出される。次に図(d)において
、リンス終了後、高速にてウェーハ2を回転させ、ウェ
ーハ2の乾燥を行なう。以上、(a)〜(d)の繰り返
し動作により、ウェーハ2を順次現像していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の現像装置は、現像液ノズルが中央にある
ため、現像液がウェーハ中央部から供給され、そのため
現像はウェーハ中央から外周に向けて進行する。従って
、現像されるフォトレジストの寸法は、ウェーハ中央か
ら外周に向けてばらつきが発生するという欠点がある。
特に近年、半導体装置の微細化は著しく、それに伴ない
現像の部分的な遅れはウェーハ面内の寸法制御性にも大
きく影響し、製品の歩留りを悪化させる要因となってい
る。
上述した従来の現像装置は、ウェーハ中央部にノズルか
ら現像液を供給する構造であるのに対し、本発明は瞬時
にて同時にウェーハ全面に現像液を供給するための現像
液ステージを設けたという相違点を有する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体製造装置は、ウェーハ上に塗布されたフ
ォトレジスト面に対向する平面を備えた現像ステージを
設け、この現像ステージの平面に複数の処理液吐出口を
形成して構成されている。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)〜(e)は本発明の実施例1の機能を工程
順に説明する縦断面図であり、第2図は実施例1に用い
る現像ステージの平面図である。以下、順を追って説明
する。ます図(a)において、露光処理の終了したウェ
ーハ2は、ウェーハチャック1により処理面か現像ステ
ージ5と対向して保持される。次に図(b)において、
現像ステージ5に現像液吐出口3より現像液6を供給し
、表面張力にて保持する。次に図(c)において、ウェ
ーハチャック1を下げ、現像ステージ5に平行にウェー
ハ2表面を接着させ、ウェーハ2をR方向に回転させな
がら現像を開始する。次に図(d)において、現像終了
後、現像ステージ5の中央にあるリンス液吐出口4より
リンス液7を供給し、ウェーハ上の現像液を洗い流し、
ウェーハ2表面をリンスする。次に図(e)において、
リンス終了後、ウェーハ2は高速回転により乾燥され、
次工程へ送られる。その後、ウェーハチャック2は上昇
し、初期位置へ戻る。現像ステージ5は、現像ステージ
洗浄液ノズル8からの現像ステージ洗浄液9にて洗浄さ
れ、次ウェーハ処理のため待機する。以上、(a)〜(
e)の繰り返し動作により、ウェーハ2を順次現像する
本実施例によれば、従来装置に比較し、ウェーハ面内の
現像の部分的な遅れを解消することが可能となり、ウェ
ーハ面内の現像均一性が向上され、ウェーハ面内の寸法
ばらつきが大幅に改善される。ここで、第2図に示すよ
うに、現像ステージ5の現像液吐出口3は小さく且つ数
多く設けている方がより一層現像均−性は向上される。
また2本実施例の装置と上下を逆(ウェーハ2が下側、
現像ステージ5が上側)にした構成も可能であり、逆に
しない場合と同等の効果が期待出来る。
第3図は本発明の実施例2に使用する現像ステージ5の
縦断面図である。現像ステージ5を温調するために、現
像ステージ5内に温調媒体を循環させる。温調媒体は、
温調媒体流入部11より流入し、温調媒体流出部12よ
り流出し、現像液温を一定に保温する。現像時は、一定
温度に保温された現像液6にてウェーハ2を現像する。
その他の動作は実施例1と同様である。
本実施例によれば、従来の液温だけの定温に終わらず、
ウェーハ2表面上の現像液温も現像ステージ5の恒温の
効果を受け、定温に保持されるため、実施例1に比較し
、ウェーハ間及びロット間の現像ばらつきを解消するこ
とが可能となり、ウェーハ間及びロット間の現像均一性
が向上し、ウェーハ間及びロット間の寸法ばらつきが大
幅に改善できる。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明は、瞬時にて同時にウェーハ全
面に現像液を供給し現像が行なえるため、ウェーハ面内
の現像の部分的な遅れか解消され、ウェーハ面内の現像
均一性が向上し、ウェーハ面内の寸法ばらつきが従来の
6〜8%から2〜3%以下と大幅に改善出来る効果があ
る。
また、現像液温を一定に保温し現像時に使用することに
より、ウェーハ間及びロット間の現像均一性が向上し、
ウェーハ間及びロット間の寸法ば6一 らつきが従来の9〜10%から3〜4%以下と大幅に改
善出来る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の1の機能を工程順に説明する
縦断面図、第2図は実施例1に用いる現像ステージの平
面図、第3図は本発明の実施例21・・・ウェーハチャ
ック、2・・・ウェーハ、3・・・現像液吐出口、4・
・・リンス液吐出口、5・・・現像ステージ、6・・・
現像液、7・・・リンス液、8・・・現像ステージ洗浄
液ノズル、9・・・現像ステージ洗浄液、10・・・モ
ーター、11・・・温調媒体流入部、12・・・温調媒
体流出部、13・・・現像液ノズル、14・・・リンス
液ノズル、15・・・カップ、16・・・ドレイン管、
R・・・ウェーハチャック回転方向。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ウェーハに塗布されたフォトレジストを現像液を用い
    て所望のパターンに現像する半導体装置の製造装置にお
    いて、前記ウェーハのフォトレジスト面に対向する平面
    を備えた現像ステージを設け、この現像ステージの平面
    に複数の処理液吐出口を形成したことを特徴とする半導
    体装置の製造装置。
JP2295956A 1990-11-01 1990-11-01 半導体装置の製造装置 Pending JPH04168719A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2295956A JPH04168719A (ja) 1990-11-01 1990-11-01 半導体装置の製造装置

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JP2295956A JPH04168719A (ja) 1990-11-01 1990-11-01 半導体装置の製造装置

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JPH04168719A true JPH04168719A (ja) 1992-06-16

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ID=17827277

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JP2295956A Pending JPH04168719A (ja) 1990-11-01 1990-11-01 半導体装置の製造装置

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JP (1) JPH04168719A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08279482A (ja) * 1995-04-05 1996-10-22 Nec Corp 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08279482A (ja) * 1995-04-05 1996-10-22 Nec Corp 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置

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