JPH04170212A - ラブ波型弾性表面波共振子及びその電極製造方法 - Google Patents
ラブ波型弾性表面波共振子及びその電極製造方法Info
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- JPH04170212A JPH04170212A JP29530990A JP29530990A JPH04170212A JP H04170212 A JPH04170212 A JP H04170212A JP 29530990 A JP29530990 A JP 29530990A JP 29530990 A JP29530990 A JP 29530990A JP H04170212 A JPH04170212 A JP H04170212A
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 abstract 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、主として通信機器に用いられるラブ波型弾性
表面波共振子及びその電極製造方法に関するものである
。
表面波共振子及びその電極製造方法に関するものである
。
（従来の技術）
第１図はラフ波型弾性表面波共振子の平面図（Ａ）と中
央横断面図（Ｂ）である。図において、ラブ波型弾性表
面波を発生させるために、例えはニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯ２）等の圧電基板ｌ上に設けるすたれ状電極及
び反射器電極なとの電極２の１−Ａｕとして比重の大き
い金属例えば↑（Ａｕ ）などが真空蒸着法により薄膜
形成される。Ａｕは基板との付着力が弱い材料であるた
め、従来は第２図の断面図に示しである。ように付着力
強化のためにニクロム（ＮｉＣｒ）膜を接合層３として
用い電子ビーム真空蒸着により２層成膜している。しか
し、Ａ’ｕワイヤボンディングによる引張強度試験にお
いてＡｕ電極２か剥がれるものがあり付着力が十分でな
いという欠点があった。
央横断面図（Ｂ）である。図において、ラブ波型弾性表
面波を発生させるために、例えはニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯ２）等の圧電基板ｌ上に設けるすたれ状電極及
び反射器電極なとの電極２の１−Ａｕとして比重の大き
い金属例えば↑（Ａｕ ）などが真空蒸着法により薄膜
形成される。Ａｕは基板との付着力が弱い材料であるた
め、従来は第２図の断面図に示しである。ように付着力
強化のためにニクロム（ＮｉＣｒ）膜を接合層３として
用い電子ビーム真空蒸着により２層成膜している。しか
し、Ａ’ｕワイヤボンディングによる引張強度試験にお
いてＡｕ電極２か剥がれるものがあり付着力が十分でな
いという欠点があった。
この場合の引張強度は２５μｍφの金線１本当たり４ｇ
にも耐えられないものがあり、歩留りか悪く実用上の大
きな問題点である。
にも耐えられないものがあり、歩留りか悪く実用上の大
きな問題点である。
（発明か解決しようとする課題）
本発明の目的は、上述の問題点を解決し、Ａｕワイヤボ
ンディング゛による引張強度試験においてＡｕ電轡が基
板から剥がれないような十分なせ着力をもった電極を備
えたラブ波型ｉ性表面波共振子及びその電極製造方法を
提供することにある。
ンディング゛による引張強度試験においてＡｕ電轡が基
板から剥がれないような十分なせ着力をもった電極を備
えたラブ波型ｉ性表面波共振子及びその電極製造方法を
提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明のラブ波型弾性表面波共振子は、Ａｕ電極と圧電
基板との付着力強化のためにクロム（Ｃｒ）を接合層と
して用い電子ビーム真空蒸着により２層成膜された電極
を備えたことを特徴とするものである。
基板との付着力強化のためにクロム（Ｃｒ）を接合層と
して用い電子ビーム真空蒸着により２層成膜された電極
を備えたことを特徴とするものである。
以下図面により本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明の実施例を示す断面図である。
本発明の構成は、圧電基板ｌ上に接合層としてのＣｒ膜
４を５０〜２００人程度電子ビーム蒸着した後、連続し
てＡｕ電極２を電子ビーム真空蒸着して２層成膜を行っ
たものである。
４を５０〜２００人程度電子ビーム蒸着した後、連続し
てＡｕ電極２を電子ビーム真空蒸着して２層成膜を行っ
たものである。
Ｃｒは昇華タイプの材料であるため粒子状のままるつぼ
に入れて試料に蒸着することは蒸着条件２蒸着膜厚分布
が不安定で作業性か悪い。本発明の課題解決はこの点に
あり、第４図に示す電子ビーム真空蒸着装置のるつぼの
５の炉宋すなわち内面に密接するようなハース形状に予
め加工したＣｒ母材６を用いることにより蒸着条件を満
たすことができ蒸着膜厚分布を安定させることに成功し
た。
に入れて試料に蒸着することは蒸着条件２蒸着膜厚分布
が不安定で作業性か悪い。本発明の課題解決はこの点に
あり、第４図に示す電子ビーム真空蒸着装置のるつぼの
５の炉宋すなわち内面に密接するようなハース形状に予
め加工したＣｒ母材６を用いることにより蒸着条件を満
たすことができ蒸着膜厚分布を安定させることに成功し
た。
しかも、この方法は作業性に優れている。
すなわち、一体物に固められ、るつほに内接したＣｒ母
材に照射される電子ビームによる発熱か接触面を介して
るつぼに熱伝導発散し、るつほは冷却されているので良
好な蒸着条件が保たれる。
材に照射される電子ビームによる発熱か接触面を介して
るつぼに熱伝導発散し、るつほは冷却されているので良
好な蒸着条件が保たれる。
（発明の効果）
本発明を実施することにより次のような効果が得られる
。
。
（１）Ａｕワイヤボンディングによる引張強度試験にお
いて、２５μｍφ金線１本当たり６ｇ以上の強度に十分
耐えることができ実用上の効果が極めて大きい。
いて、２５μｍφ金線１本当たり６ｇ以上の強度に十分
耐えることができ実用上の効果が極めて大きい。
（２）圧電基板と十分な付着力をもったＡｕ電極を備え
たラブ波型弾性表面波共振子を製造することができる。
たラブ波型弾性表面波共振子を製造することができる。
（３）接着層のＣｒの蒸着条件、蒸着膜厚分布が安定し
作業性か良くなる。
作業性か良くなる。
第１図はラブ波型弾性表面波共振子の構゛造例を示す平
面図と断面図、第２図は従来のラブ波型弾性表面波共振
子の断面図、第３図は本発明のラブ波型弾性表面波共振
子の断面図、第４図は本発明のＣｒ母材の形状を示す説
明図である。
面図と断面図、第２図は従来のラブ波型弾性表面波共振
子の断面図、第３図は本発明のラブ波型弾性表面波共振
子の断面図、第４図は本発明のＣｒ母材の形状を示す説
明図である。
Claims (2)
- （１）圧電基板上に比重の大きい金属が電極として形成
されラブ波型弾性表面波を発生するラブ波型弾性表面波
共振子において、 前記電極として、前記圧電基板上に、付着力強化のため
のクロムからなる接合層と該接合層上の前記比重の大き
い金属からなる電極層とが２層成膜されていることを特
徴とするラブ波型弾性表面波共振子。 - （２）圧電基板上にラブ波型弾性表面波を発生する所定
の形状の電極を電子ビーム真空蒸着装置によって形成す
るために、 前記電子ビーム真空蒸着装置のるつぼの内面に面接触す
るような一体物形状に予め加工されたクロム母材を用い
て前記電極の接合層を形成し、続けて該接合層上に金を
蒸着することにより電極層を形成して２層成膜すること
を特徴とするラブ波型弾性表面波共振子の電極製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29530990A JPH04170212A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | ラブ波型弾性表面波共振子及びその電極製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29530990A JPH04170212A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | ラブ波型弾性表面波共振子及びその電極製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04170212A true JPH04170212A (ja) | 1992-06-17 |
Family
ID=17818941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29530990A Pending JPH04170212A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | ラブ波型弾性表面波共振子及びその電極製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04170212A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52141543A (en) * | 1976-05-21 | 1977-11-25 | Hitachi Ltd | Manufacture of surface elastic wave unit |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP29530990A patent/JPH04170212A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52141543A (en) * | 1976-05-21 | 1977-11-25 | Hitachi Ltd | Manufacture of surface elastic wave unit |
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