JPH04171448A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH04171448A JPH04171448A JP2298691A JP29869190A JPH04171448A JP H04171448 A JPH04171448 A JP H04171448A JP 2298691 A JP2298691 A JP 2298691A JP 29869190 A JP29869190 A JP 29869190A JP H04171448 A JPH04171448 A JP H04171448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask pattern
- semiconductor element
- photomask
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハに形成される複数個の半導体
素子それぞれのマスクパターンが形成され、写真製版工
程に使用されるフォトマスクに関する。
素子それぞれのマスクパターンが形成され、写真製版工
程に使用されるフォトマスクに関する。
第２図は従来のフォトマスクの一部を拡大した状態の平
面図である。
面図である。
通常フォトマスクは、半導体ウェハに形成される複数個
の半導体素子それぞれのマスクパターンが、ガラス基板
に形成されて構成されている。
の半導体素子それぞれのマスクパターンが、ガラス基板
に形成されて構成されている。
即ち、第２図に示すように、ガラス基板に各半導体素子
のマスクパターンが形成され、各マスクパターン１の電
子回部パターン２に隣接した端部領域に、当該半導体素
子の製品型名を表わす例えば“Ａ２０３”などの文字、
数字からなる型名情報パターン３が形成されている。
のマスクパターンが形成され、各マスクパターン１の電
子回部パターン２に隣接した端部領域に、当該半導体素
子の製品型名を表わす例えば“Ａ２０３”などの文字、
数字からなる型名情報パターン３が形成されている。
ところで、この種のフォトマスクは、′１６導体ウェハ
に各半導体素子を製造するのに必要な種類のものが準備
され、ひとつのフォトマスクにおける各マスクパターン
はすべて同一形状を有している。
に各半導体素子を製造するのに必要な種類のものが準備
され、ひとつのフォトマスクにおける各マスクパターン
はすべて同一形状を有している。
そして、このようなフォトマスクが写真製版工程に使用
され、半導体ウェハ上に複数個の半導体素子が形成され
、これらの各半導体素子には前述したフォトマスクの型
名情報パターン３による製品型名を表わす文字、数字が
記入され、その後スクライブ工程によりスクライブライ
ンで各半導体素子が切り離される。
され、半導体ウェハ上に複数個の半導体素子が形成され
、これらの各半導体素子には前述したフォトマスクの型
名情報パターン３による製品型名を表わす文字、数字が
記入され、その後スクライブ工程によりスクライブライ
ンで各半導体素子が切り離される。
従来の場合、フォトマスクには製品型名を表わす文字、
数字からなる型名情報パターン３しか形成されておらず
、各半導体素子には同じ文字、数字しか記入されないた
め、各半導体素子が切り離されてしまうと、各半導体素
子に記入された文字等から製品型名はわかっても、各々
の半導体素子が半導体ウェハのどの位置に形成されたも
のかを知ることが困難になるため、例えばある半導体装
置において不具合の半導体素子が多数発見された場合な
ど、ウェハ上の位置の特定等のために追跡調査をするこ
とが容易ではなく、不具合の早期発見や不具合の対策の
施行を十分に行うことがてきないという問題点があった
。
数字からなる型名情報パターン３しか形成されておらず
、各半導体素子には同じ文字、数字しか記入されないた
め、各半導体素子が切り離されてしまうと、各半導体素
子に記入された文字等から製品型名はわかっても、各々
の半導体素子が半導体ウェハのどの位置に形成されたも
のかを知ることが困難になるため、例えばある半導体装
置において不具合の半導体素子が多数発見された場合な
ど、ウェハ上の位置の特定等のために追跡調査をするこ
とが容易ではなく、不具合の早期発見や不具合の対策の
施行を十分に行うことがてきないという問題点があった
。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、各半導体素子が切り離された後に、半導体
素子に不具合が生じて半導体素子がとのウェハのどの位
置に形成されたものなのがなどを追跡調査する必要が生
じた場合に、容易に対処できるようにすることを目的と
する。
れたもので、各半導体素子が切り離された後に、半導体
素子に不具合が生じて半導体素子がとのウェハのどの位
置に形成されたものなのがなどを追跡調査する必要が生
じた場合に、容易に対処できるようにすることを目的と
する。
二の発明に係るフォトマスクは、１′導体ウェハ上に形
成される複数個の半導体素子それぞれのマスクパターン
が形成され、写真製版工程に使用されるフォトマスクに
おいて、前記各マスクパターンの一部に前記各半導体素
子それぞれの固有情報パターンを有することを特徴とし
ている。
成される複数個の半導体素子それぞれのマスクパターン
が形成され、写真製版工程に使用されるフォトマスクに
おいて、前記各マスクパターンの一部に前記各半導体素
子それぞれの固有情報パターンを有することを特徴とし
ている。
この発明においては、各半導体素子のマスクパターンの
一部に各素子それぞれの固有情報パターンを有するため
、半導体ウェハ上の各半導体素子の位置を表わす情報な
どの固有情報パターンを各マスクパターンの一部に設け
ておくことにより、当該フォトマスクを用いた各２１８
導体素子には各々の固有の情報が記入され、各半導体素
子が切り離された後に、゛１６導体素子に不具合が生じ
て不具合の原因等を追跡調査する必要が生じた場合であ
っても、６半導体素子に記入された固有の情報に基づい
て容易に追跡調査が行える。
一部に各素子それぞれの固有情報パターンを有するため
、半導体ウェハ上の各半導体素子の位置を表わす情報な
どの固有情報パターンを各マスクパターンの一部に設け
ておくことにより、当該フォトマスクを用いた各２１８
導体素子には各々の固有の情報が記入され、各半導体素
子が切り離された後に、゛１６導体素子に不具合が生じ
て不具合の原因等を追跡調査する必要が生じた場合であ
っても、６半導体素子に記入された固有の情報に基づい
て容易に追跡調査が行える。
第１図はこの発明のフォトマスクの一実施例の−・部を
拡大した状態の平面図である。
拡大した状態の平面図である。
同図において、第２図と相違するのは、ガラス基板に形
成された各゛Ｙ導体素子のマスクパターン１の一部に、
型名情報パターン３に隣接して、各゛Ｉテ導体素子の固
有情報パターン４を形成したことである。
成された各゛Ｙ導体素子のマスクパターン１の一部に、
型名情報パターン３に隣接して、各゛Ｉテ導体素子の固
有情報パターン４を形成したことである。
ところで、固有情報パターン４とり、て、コ１′導体つ
ェハ上における各半導体素子の位置を表わす数字からな
るパターンを形成する場合、平面的に見てガラス基板の
いちばん左上に位置するマスクパターン１の一部に、そ
の位置を示す（０，０）という数字からなる固有情報パ
ターン４を形成し、このマスクパターン１を基準として
右に一個だけずれた位置のマスクパターン１には（１，
、Ｏ）、下に一個だけずれた位置のマスクパターン１に
は（０，ｉ）という数字からなる固有の情報パターン４
を形成し、右及び下に一個ずつずれた位置のマスクパタ
ーン１には（１，１）という数字からなる固有情報パタ
ーン４を形成する。
ェハ上における各半導体素子の位置を表わす数字からな
るパターンを形成する場合、平面的に見てガラス基板の
いちばん左上に位置するマスクパターン１の一部に、そ
の位置を示す（０，０）という数字からなる固有情報パ
ターン４を形成し、このマスクパターン１を基準として
右に一個だけずれた位置のマスクパターン１には（１，
、Ｏ）、下に一個だけずれた位置のマスクパターン１に
は（０，ｉ）という数字からなる固有の情報パターン４
を形成し、右及び下に一個ずつずれた位置のマスクパタ
ーン１には（１，１）という数字からなる固有情報パタ
ーン４を形成する。
従って、いちばん左上のマスクパターン１から右へＮ個
、ドヘＭ個ずれた位置のパターン１には（Ｎ、Ｍ）とい
う数字からなる固有情報パターン４が形成されることに
なる。
、ドヘＭ個ずれた位置のパターン１には（Ｎ、Ｍ）とい
う数字からなる固有情報パターン４が形成されることに
なる。
このように、フォトマスクの各マスクパターン１の一部
に、各半導体素子の半導体ウェハ上の位置を表わす数字
からなる固有情報パターン４を形成しておくことにより
、このフォトマスクを用いて半導体ウェハ上に各゛Ｉ′
、導体素子を形成すると各半導体素子に各々の位置を示
す固有の情報が記入されるため、各半導体素子を切り離
した後に、半導体素子に不具合が生じて不具合の原因等
を追跡調査する必要が生じた場合であっても、フォトマ
スクの固有情報パターン４によって各半導体素子に記入
された数字に基づき、容易に追跡調査を行うことができ
、不具合の早期発見や不具合の対策の施行を十分に行う
ことが可能となる。
に、各半導体素子の半導体ウェハ上の位置を表わす数字
からなる固有情報パターン４を形成しておくことにより
、このフォトマスクを用いて半導体ウェハ上に各゛Ｉ′
、導体素子を形成すると各半導体素子に各々の位置を示
す固有の情報が記入されるため、各半導体素子を切り離
した後に、半導体素子に不具合が生じて不具合の原因等
を追跡調査する必要が生じた場合であっても、フォトマ
スクの固有情報パターン４によって各半導体素子に記入
された数字に基づき、容易に追跡調査を行うことができ
、不具合の早期発見や不具合の対策の施行を十分に行う
ことが可能となる。
なお、固有情報パターン４は、上記した半導体ウェハ上
の位置を表わす数字だけに限るものではなく、半導体ウ
ェハ自身を表わす記号などを記入してもよく、その他追
跡調査に必要な固有情報を記入してもよいのは言うまで
もない。
の位置を表わす数字だけに限るものではなく、半導体ウ
ェハ自身を表わす記号などを記入してもよく、その他追
跡調査に必要な固有情報を記入してもよいのは言うまで
もない。
また、固有情報パターン４は、上記実施例のような（０
，０）などの記号に限らず、図形やバーコードなどであ
ってもよいのは勿論である。
，０）などの記号に限らず、図形やバーコードなどであ
ってもよいのは勿論である。
さらに、上記実施例では、固有情報パターン４が各半導
体素子それぞれのマスクパターン１の端部に形成されて
いる場合を図示（第１図）して説明したが、マスクパタ
ーン１中に形成してもよい。
体素子それぞれのマスクパターン１の端部に形成されて
いる場合を図示（第１図）して説明したが、マスクパタ
ーン１中に形成してもよい。
以上のように、この発明のフォトマスクによれば、半導
体ウェハ上に形成される各半導体素子それぞれのマスク
パターンの一部に各素子それぞれの固有情報パターンを
有するので、当該フォトマスクを用いて各半導体素子を
形成すると、各半導体素子に各々の固有の情報が記入さ
れるため、各半導体素子を切り離した後に半導体素子に
不具合が生じた場合であっても、半導体素子に記入され
た情報に基づいて容易に追跡調査を行うことができ、不
具合の早期発見や、不具合の対策の施行を十分に行うこ
とが可能となり、半導体素子の信頼性の向上を図る上で
極めて有効である。
体ウェハ上に形成される各半導体素子それぞれのマスク
パターンの一部に各素子それぞれの固有情報パターンを
有するので、当該フォトマスクを用いて各半導体素子を
形成すると、各半導体素子に各々の固有の情報が記入さ
れるため、各半導体素子を切り離した後に半導体素子に
不具合が生じた場合であっても、半導体素子に記入され
た情報に基づいて容易に追跡調査を行うことができ、不
具合の早期発見や、不具合の対策の施行を十分に行うこ
とが可能となり、半導体素子の信頼性の向上を図る上で
極めて有効である。
第１図はこの発明のフォトマスクの一実施例の一部を拡
大した状態の平面図、第２図は従来のフォトマスクの一
部を拡大した状態の平面図である。 図において、１はマスクパターン、４は固有情報パター
ンである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
大した状態の平面図、第２図は従来のフォトマスクの一
部を拡大した状態の平面図である。 図において、１はマスクパターン、４は固有情報パター
ンである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体ウェハ上に形成される複数個の半導体素子
それぞれのマスクパターンが形成され、写真製版工程に
使用されるフォトマスクにおいて、前記各マスクパター
ンの一部に前記各半導体素子それぞれの固有情報パター
ンを有することを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2298691A JPH04171448A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2298691A JPH04171448A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171448A true JPH04171448A (ja) | 1992-06-18 |
Family
ID=17863038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2298691A Pending JPH04171448A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04171448A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6077632A (en) * | 1998-02-24 | 2000-06-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Mask and device for managing the same |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP2298691A patent/JPH04171448A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6077632A (en) * | 1998-02-24 | 2000-06-20 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Mask and device for managing the same |
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