JPH041742Y2 - - Google Patents
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- JPH041742Y2 JPH041742Y2 JP10073585U JP10073585U JPH041742Y2 JP H041742 Y2 JPH041742 Y2 JP H041742Y2 JP 10073585 U JP10073585 U JP 10073585U JP 10073585 U JP10073585 U JP 10073585U JP H041742 Y2 JPH041742 Y2 JP H041742Y2
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- semiconductor laser
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 229910015367 Au—Sb Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
イ 産業上の利用分野
本考案は半導体レーザ装置に関する。
ロ 従来の技術
現在、半導体レーザーチツプはレーザ発振動作
中に発生する熱を効率よく放熱する必要性からSi
ヒートシンクを介してCuステム上に固着されて
いる。
中に発生する熱を効率よく放熱する必要性からSi
ヒートシンクを介してCuステム上に固着されて
いる。
第３図は特開昭60−52079号公報に開示された
半導体レーザ装置を概略的に示し、２１は半導体
レーザチツプ、２２はSiヒートシンク、２３は
Cuステムである。上記Siヒートシンク２２の半
導体レーザーチツプ固着面にはCr層２４，Ni−
Cr合金層２５，Ni層２６，Ag層２７，Sn層２８
及びAu層２９を順次積層し、斯る積層層上に半
導体レーザーチツプ２１を固着している。また、
Siヒートシンク２２のCuステム固着面にはCr層
２４，Ni−Cr合金層２５，Ni層２６，Ag層２７
を順次積層し、In半田３０を用いて金メツキ３１
が施されたCuステム２３上に固着されている。
半導体レーザ装置を概略的に示し、２１は半導体
レーザチツプ、２２はSiヒートシンク、２３は
Cuステムである。上記Siヒートシンク２２の半
導体レーザーチツプ固着面にはCr層２４，Ni−
Cr合金層２５，Ni層２６，Ag層２７，Sn層２８
及びAu層２９を順次積層し、斯る積層層上に半
導体レーザーチツプ２１を固着している。また、
Siヒートシンク２２のCuステム固着面にはCr層
２４，Ni−Cr合金層２５，Ni層２６，Ag層２７
を順次積層し、In半田３０を用いて金メツキ３１
が施されたCuステム２３上に固着されている。
ハ 考案が解決しようとする問題点
このような従来の半導体レーザ装置ではSiヒー
トシンク２２が例えば1.0mm×1.2mm×0.2mmの大き
さを有する場合熱抵抗は35℃／Ｗ以上と高く従つ
て、駆動電流が大なる高出力半導体レーザには不
適当であつた。
トシンク２２が例えば1.0mm×1.2mm×0.2mmの大き
さを有する場合熱抵抗は35℃／Ｗ以上と高く従つ
て、駆動電流が大なる高出力半導体レーザには不
適当であつた。
ニ 問題点を解決するための手段
本考案は斯る問題点に鑑みてなされたもので、
従来より熱抵抗が小なる半導体レーザ装置を提供
せんとすることを目的とし、その構成的特徴は半
導体レーザチツプをSiヒートシンクを介してCu
ステム上にボンデイングしてなる半導体レーザ装
置において、上記Siヒートシンクの上記半導体レ
ーザチツプ固着面にはAu−Sb合金，Pt，Au，In
が順次積層され、上記Siヒートシンクの上記Cu
ステム固着面固着面にはAu−Sb合金，Pt，Snが
順次積層され、上記Siヒートシンクと上記Cuス
テムとはIn−Sn合金半田にて固着されたことに
ある。
従来より熱抵抗が小なる半導体レーザ装置を提供
せんとすることを目的とし、その構成的特徴は半
導体レーザチツプをSiヒートシンクを介してCu
ステム上にボンデイングしてなる半導体レーザ装
置において、上記Siヒートシンクの上記半導体レ
ーザチツプ固着面にはAu−Sb合金，Pt，Au，In
が順次積層され、上記Siヒートシンクの上記Cu
ステム固着面固着面にはAu−Sb合金，Pt，Snが
順次積層され、上記Siヒートシンクと上記Cuス
テムとはIn−Sn合金半田にて固着されたことに
ある。
ホ 作用
斯る構成では熱抵抗を25℃／Ｗにすることがで
きる。
きる。
ヘ 実施例
第１図は本考案の実施例を示し、１はｎ型Si単
結晶からなるSiヒートシンクであり、該ヒートシ
ンクの一主面にはAu：Sb＝99：１の組成を有す
る層厚2000Åの第１のAu−Sb層２、層厚約1500
Åの第１のPt層３、層厚400〜800ÅのAu層４及
び層圧３〜4μmのIn層５が順次積層され、また他
主面にはAu：Sb＝99：１の組成を有する層圧
2000Åの第２のAu−Sb層６、層厚約1500Åの第
２のPt層７及び層厚約3μmのSn層８が順次積層
されている。９は半導体レーザチツプであり、該
チツプは上記Siヒートシンク１の一主面のIn層５
上に固着される。１０は表面に酸化防止用のAu
メツキ１１が施されたCuステムであり、該Cuス
テムには上記Siヒートシンク１の他主面側がIn−
Sn合金半田１２により固着される。
結晶からなるSiヒートシンクであり、該ヒートシ
ンクの一主面にはAu：Sb＝99：１の組成を有す
る層厚2000Åの第１のAu−Sb層２、層厚約1500
Åの第１のPt層３、層厚400〜800ÅのAu層４及
び層圧３〜4μmのIn層５が順次積層され、また他
主面にはAu：Sb＝99：１の組成を有する層圧
2000Åの第２のAu−Sb層６、層厚約1500Åの第
２のPt層７及び層厚約3μmのSn層８が順次積層
されている。９は半導体レーザチツプであり、該
チツプは上記Siヒートシンク１の一主面のIn層５
上に固着される。１０は表面に酸化防止用のAu
メツキ１１が施されたCuステムであり、該Cuス
テムには上記Siヒートシンク１の他主面側がIn−
Sn合金半田１２により固着される。
尚、上記第１、第２のAu−Sb合金層２，６は
Siヒートシンク１とのオーミツクをとる働きを
し、第１、第２のPt層３，７はAu−Sb層２，６
あるいはSiヒートシンク１がIn層５やSn層８と
合金化することを防止する。
Siヒートシンク１とのオーミツクをとる働きを
し、第１、第２のPt層３，７はAu−Sb層２，６
あるいはSiヒートシンク１がIn層５やSn層８と
合金化することを防止する。
また、Sn層８はIn−Sn合金半田１２との合金
化を促し、Au層４はIn層５の均一な成膜を促す。
更に上記各層は蒸着により形成される。
化を促し、Au層４はIn層５の均一な成膜を促す。
更に上記各層は蒸着により形成される。
斯る本実施例装置ではSiヒートシンク１を1.0
mm×1.2mm×0.2mmの大きさとした場合、その熱抵
抗は25℃／Ｗと従来に較べて10℃／Ｗ程度低くな
つた。
mm×1.2mm×0.2mmの大きさとした場合、その熱抵
抗は25℃／Ｗと従来に較べて10℃／Ｗ程度低くな
つた。
また、上記半導体レーザチツプ９として三洋電
機株式会社製の半導体レーザSLD−302に装着さ
れているインナーストライプタイプの発振波長約
790nmの半導体レーザチツプを用いて寿命試験を
行なつたところ第２図において〇印で示すような
結果が得られた。また第２図中、×印は第３図に
示した従来の装置において上記SLD−302に装着
された半導体レーザチツプを用いたときの寿命試
験結果を示す。尚、斯る寿命試験は60℃の高温雰
囲気中で出力30mWの連続発振を行なつた際の駆
動電流の変化を調べたものである。
機株式会社製の半導体レーザSLD−302に装着さ
れているインナーストライプタイプの発振波長約
790nmの半導体レーザチツプを用いて寿命試験を
行なつたところ第２図において〇印で示すような
結果が得られた。また第２図中、×印は第３図に
示した従来の装置において上記SLD−302に装着
された半導体レーザチツプを用いたときの寿命試
験結果を示す。尚、斯る寿命試験は60℃の高温雰
囲気中で出力30mWの連続発振を行なつた際の駆
動電流の変化を調べたものである。
第２図より明らかな如く、本実施例半導体レー
ザ装置では3000時間以上の連続発振を行なつても
その駆動電流は変化せず、これに対して従来の装
置では500時間以上の連続発振を行なうとその駆
動電流は急激に上昇した。これは明らかに装置の
熱抵抗の相違にある。
ザ装置では3000時間以上の連続発振を行なつても
その駆動電流は変化せず、これに対して従来の装
置では500時間以上の連続発振を行なうとその駆
動電流は急激に上昇した。これは明らかに装置の
熱抵抗の相違にある。
ト 考案の効果
本考案の半導体レーザ装置では熱抵抗を10℃／
Ｗ程度低減でき、従つて半導体レーザチツプの長
寿命化が計れると共に半導体レーザチツプとして
高出力半導体レーザに最適である。
Ｗ程度低減でき、従つて半導体レーザチツプの長
寿命化が計れると共に半導体レーザチツプとして
高出力半導体レーザに最適である。
第１図は本考案の実施例を示す断面図、第２図
は寿命特性を示す特性図、第３図は従来装置を示
す断面図である。 １……Siヒートシンク、２，６……第１，第２
のAu−Sb層、３，７……第１，第２のPt層、４
……Au層、５……In層、８……Sn層、９……半
導体レーザチツプ、１０……Cuステム、１２…
…In−Sn合金半田。
は寿命特性を示す特性図、第３図は従来装置を示
す断面図である。 １……Siヒートシンク、２，６……第１，第２
のAu−Sb層、３，７……第１，第２のPt層、４
……Au層、５……In層、８……Sn層、９……半
導体レーザチツプ、１０……Cuステム、１２…
…In−Sn合金半田。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体レーザチツプをSiヒートシンクを介して
Cuステム上にボンデイングしてなる半導体レー
ザ装置において、 上記Siヒートシンクの上記半導体レーザチツプ
固着面にはAu−Sb合金，Pt，Au，Inが順次積層
され、上記Siヒートシンクの上記Cuステム固着
面にはAu−Sb合金，Pt，Snが順次積層され、上
記Siヒートシンクと上記CuステムとはIn−Sn合
金半田にて固着されたことを特徴とする半導体レ
ーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10073585U JPH041742Y2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10073585U JPH041742Y2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6210461U JPS6210461U (ja) | 1987-01-22 |
| JPH041742Y2 true JPH041742Y2 (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=30970834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10073585U Expired JPH041742Y2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH041742Y2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023177015A (ja) * | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 成膜装置用部材 |
| JP2023177197A (ja) * | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 成膜装置用部材の製造方法、堆積物除去方法、有価金属回収方法、および成膜装置用部材の再生方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2539323B2 (ja) * | 1992-10-29 | 1996-10-02 | 京三電機株式会社 | 燃料蒸発ガス排出抑制装置 |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP10073585U patent/JPH041742Y2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023177015A (ja) * | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 成膜装置用部材 |
| JP2023177197A (ja) * | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 成膜装置用部材の製造方法、堆積物除去方法、有価金属回収方法、および成膜装置用部材の再生方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6210461U (ja) | 1987-01-22 |
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