JPH04182492A - アスコルビン酸誘導体及びその製造法 - Google Patents
アスコルビン酸誘導体及びその製造法Info
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- JPH04182492A JPH04182492A JP30941490A JP30941490A JPH04182492A JP H04182492 A JPH04182492 A JP H04182492A JP 30941490 A JP30941490 A JP 30941490A JP 30941490 A JP30941490 A JP 30941490A JP H04182492 A JPH04182492 A JP H04182492A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は保存安定性並びに従来用いられている種々の化
粧品基剤との相溶性に優れた美白剤として有用な新規ア
スコルビン酸誘導体及びその製造方法に関する。
粧品基剤との相溶性に優れた美白剤として有用な新規ア
スコルビン酸誘導体及びその製造方法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕一般に
シミ、ソバカス、日焼けなどに見られる皮膚の色素沈着
は過剰のメラニンが生成することに起因するとされてい
る。L−アスコルビン酸はそのメラニンの生成を抑制す
る働きを有することが知られており、従来より、L−ア
スコルビン酸と種々の高級脂肪酸、リン酸、硫酸とのエ
ステル類を配合してなる美白化粧料が提案されている。
シミ、ソバカス、日焼けなどに見られる皮膚の色素沈着
は過剰のメラニンが生成することに起因するとされてい
る。L−アスコルビン酸はそのメラニンの生成を抑制す
る働きを有することが知られており、従来より、L−ア
スコルビン酸と種々の高級脂肪酸、リン酸、硫酸とのエ
ステル類を配合してなる美白化粧料が提案されている。
特にアスコルビン酸のリン酸エステルは保存安定性に優
れているとされている。しかしアスコルビン酸リン酸エ
ステルは、従来用いられている種々の化粧品基剤との相
溶性が充分でないことから、この化合物の美白剤として
の使用範囲は限定されるという問題点があった。
れているとされている。しかしアスコルビン酸リン酸エ
ステルは、従来用いられている種々の化粧品基剤との相
溶性が充分でないことから、この化合物の美白剤として
の使用範囲は限定されるという問題点があった。
かかる実情において、本発明者らは鋭意検討を行った結
果、次の一般式(I)、 K’CH2 〔式中、K1、K2、K3及びに4は同−又は異なって
、水酸基又は式(II) (R’、R’及びR3は水酸基で置換されていてもよい
炭素数1〜24の直鎮又は分岐鎖のアルキル基又はアル
ケニル基) で表わされる基を示す。但し、K1、に2、K3及びに
4の少なくとも一つは式(II)の基である〕で表わさ
れる新規なアスコルビン酸誘導体が保存安定性に優れ、
かつ従来用いられている種々の化粧品基剤との相溶性を
充分に満足し得る美白剤であることを見出し、本発明を
完成した。
果、次の一般式(I)、 K’CH2 〔式中、K1、K2、K3及びに4は同−又は異なって
、水酸基又は式(II) (R’、R’及びR3は水酸基で置換されていてもよい
炭素数1〜24の直鎮又は分岐鎖のアルキル基又はアル
ケニル基) で表わされる基を示す。但し、K1、に2、K3及びに
4の少なくとも一つは式(II)の基である〕で表わさ
れる新規なアスコルビン酸誘導体が保存安定性に優れ、
かつ従来用いられている種々の化粧品基剤との相溶性を
充分に満足し得る美白剤であることを見出し、本発明を
完成した。
従って、本発明は、(I)式で表わされる新規なアスコ
ルビン酸誘導体及びその製造法を提供するものである。
ルビン酸誘導体及びその製造法を提供するものである。
本発明の式(II)中、R1、R2及びR3の水酸基で
置換されていてもよい炭素数1〜24の直鎖又は分岐鎖
のアルキル基又はアルケニル基としては、例えばメチル
、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘ
プチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデ
シル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキ
サデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、
エイコシル、ヘンエイコシル、トコシル、トリツクル、
テトラデシル、エチニル、プロペニル、ブテニル、ペン
テニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニ
ノペデセニル、ドデセニル、ウンデセニル、トリデセニ
ル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニル
、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、エ
イコセニル、ヘキサデセニル、トコセニル、トリデセニ
ル、テトラデシル、メチルヘキシル、エチルヘキシル、
メチルヘプチル、エチルヘプチル、メチルノニル、メチ
ルウンデセニル、メチルへプタテ゛カニル、ヘキシルデ
シル、オクチルデシル、ヒドロキシメチル、ヒドロキシ
エチル、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシブチル、ヒド
ロキシペンチル、ヒドロキシヘキシル、ヒドロキシへブ
チル、ヒドロキシオクチル、ヒ)’o4ジノニル、ヒド
ロキシデシル、ヒドロキシランデシル、ヒドロキシドデ
シル、ヒドロキシトリデシル、ヒドロキシテトラデシル
、ヒドロキシペンタデシル、ヒドロキシヘキサデシル、
ヒドロキシヘプタデシル、ヒドロキシオクタデシル、ヒ
ドロキシノナデシル、ヒドロキシエイコシル、ヒドロキ
シヘンエイコシル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシエイ
コシル、ヒドロキシエイコシル、ヒドロキシエチニル、
ヒドロキシプロペニル、ヒドロキシブテニル、ヒドロキ
シペンテニル、ヒドロキシへキセニル、ヒドロキシへブ
テニル、ヒドロキシオクテニル、ヒドロキシノネニル、
ヒドロキシデセニル、ヒドロキシドデセニル、ヒドロキ
シウンデセニル、ヒドロ手シトリデセニル、ヒドロキシ
テトラデセニル、ヒドロキシペンタデセニル、ヒドロキ
シへキサデセニル、ヒドロキシへブタデセニル、ヒドロ
キシオクタデセニル、ヒドロキシノナデセニル、ヒドロ
キシウンデセニル、ヒドロキシオクタデセニル、ヒドロ
キシトコセニル、ヒドロキシウンデセニル、ヒドロキシ
ウンデセニル、とドロキシメチルヘキシル、ヒドロキシ
エチルヘキシル、ヒドロキシメチルヘプチル、ヒドロキ
シエチルへブチル、ヒドロキシメチルノニル、ヒドロキ
シメチルウンデセニル、ヒドロキシメチルへブタデカニ
ル、ヒドロキシへキシルデシル、ヒドロキシオクチルデ
シルブチル等の基が挙げられる。
置換されていてもよい炭素数1〜24の直鎖又は分岐鎖
のアルキル基又はアルケニル基としては、例えばメチル
、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘ
プチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデ
シル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキ
サデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、
エイコシル、ヘンエイコシル、トコシル、トリツクル、
テトラデシル、エチニル、プロペニル、ブテニル、ペン
テニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニ
ノペデセニル、ドデセニル、ウンデセニル、トリデセニ
ル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニル
、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、エ
イコセニル、ヘキサデセニル、トコセニル、トリデセニ
ル、テトラデシル、メチルヘキシル、エチルヘキシル、
メチルヘプチル、エチルヘプチル、メチルノニル、メチ
ルウンデセニル、メチルへプタテ゛カニル、ヘキシルデ
シル、オクチルデシル、ヒドロキシメチル、ヒドロキシ
エチル、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシブチル、ヒド
ロキシペンチル、ヒドロキシヘキシル、ヒドロキシへブ
チル、ヒドロキシオクチル、ヒ)’o4ジノニル、ヒド
ロキシデシル、ヒドロキシランデシル、ヒドロキシドデ
シル、ヒドロキシトリデシル、ヒドロキシテトラデシル
、ヒドロキシペンタデシル、ヒドロキシヘキサデシル、
ヒドロキシヘプタデシル、ヒドロキシオクタデシル、ヒ
ドロキシノナデシル、ヒドロキシエイコシル、ヒドロキ
シヘンエイコシル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシエイ
コシル、ヒドロキシエイコシル、ヒドロキシエチニル、
ヒドロキシプロペニル、ヒドロキシブテニル、ヒドロキ
シペンテニル、ヒドロキシへキセニル、ヒドロキシへブ
テニル、ヒドロキシオクテニル、ヒドロキシノネニル、
ヒドロキシデセニル、ヒドロキシドデセニル、ヒドロキ
シウンデセニル、ヒドロ手シトリデセニル、ヒドロキシ
テトラデセニル、ヒドロキシペンタデセニル、ヒドロキ
シへキサデセニル、ヒドロキシへブタデセニル、ヒドロ
キシオクタデセニル、ヒドロキシノナデセニル、ヒドロ
キシウンデセニル、ヒドロキシオクタデセニル、ヒドロ
キシトコセニル、ヒドロキシウンデセニル、ヒドロキシ
ウンデセニル、とドロキシメチルヘキシル、ヒドロキシ
エチルヘキシル、ヒドロキシメチルヘプチル、ヒドロキ
シエチルへブチル、ヒドロキシメチルノニル、ヒドロキ
シメチルウンデセニル、ヒドロキシメチルへブタデカニ
ル、ヒドロキシへキシルデシル、ヒドロキシオクチルデ
シルブチル等の基が挙げられる。
本発明化合物(I)は、次の反応式に従って、アスコル
ビン酸リン酸エステル(III)にグリシジルアンモニ
ウム塩(V)を反応せしめることにより製造される。
ビン酸リン酸エステル(III)にグリシジルアンモニ
ウム塩(V)を反応せしめることにより製造される。
以下余白
(I)
〔式中、に1、R2、R3及びに4は前記の意味を示し
し1、R2、R3及びし4は同−又は異なって、水酸基
又は式(式中、nは2又は1の数であり、n=2の場合
、Mは同−又は異なって、水素原子又は1価の陽イオン
であり、n=1の場合、Mは2価の陽イオンである) で表わされる基を示す。但し、Ll及びR2の少なくと
も一方は式(TV)の基である。Xoは陰イオンを示す
。R’、 R2及びR3は前記と同じものを示す〕(I
n)式で表わされるアスコルビン酸リン酸エステルとし
ては、例えばアスコルビン酸−2−リン酸、アスコルビ
ン酸−3−リン酸、アスコルビン酸−5−リン酸、アス
コルビン酸−6−リン酸、アスコルビン酸−2,3−シ
リン酸、アスコルビン酸−2,6−シリン酸等が挙げら
れる。(I)式中のMとしては、例えば水素原子、アル
カリ金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム、酸性
アミン、トリアルカノールアミン等の1価陽イオン;ア
ルカリ土類金属等の2価陽イオンが挙げられる。
し1、R2、R3及びし4は同−又は異なって、水酸基
又は式(式中、nは2又は1の数であり、n=2の場合
、Mは同−又は異なって、水素原子又は1価の陽イオン
であり、n=1の場合、Mは2価の陽イオンである) で表わされる基を示す。但し、Ll及びR2の少なくと
も一方は式(TV)の基である。Xoは陰イオンを示す
。R’、 R2及びR3は前記と同じものを示す〕(I
n)式で表わされるアスコルビン酸リン酸エステルとし
ては、例えばアスコルビン酸−2−リン酸、アスコルビ
ン酸−3−リン酸、アスコルビン酸−5−リン酸、アス
コルビン酸−6−リン酸、アスコルビン酸−2,3−シ
リン酸、アスコルビン酸−2,6−シリン酸等が挙げら
れる。(I)式中のMとしては、例えば水素原子、アル
カリ金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム、酸性
アミン、トリアルカノールアミン等の1価陽イオン;ア
ルカリ土類金属等の2価陽イオンが挙げられる。
また、(V)式のグリシジルアンモニウム塩は公知の方
法に従って、対応するトリアルキル−又はトリアルケニ
ル−アミンにエビハロヒトリンを反応させることによっ
て容易に製造される。
法に従って、対応するトリアルキル−又はトリアルケニ
ル−アミンにエビハロヒトリンを反応させることによっ
て容易に製造される。
(V)式中のXとしては、例えばハロゲン、Tルキル硫
酸エステル等の陰イオンが挙げられる。
酸エステル等の陰イオンが挙げられる。
本発明方法を実施するには、アスコルビン酸リン酸エス
テル(III)に、これに対し通常1〜lO倍モル、好
ましくは1〜5倍モルのグリシジルアンモニウム塩(V
)を反応させる。反応は不活性溶媒の存在下において、
10〜120℃、好ましくは40〜90℃の温度で行わ
れる。不活性溶媒としては、例えば水、メタノール、エ
タノール、イソプロパツール、ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド等の極性溶媒あるいはこれから選
ばれる二種以上の混合溶媒が使用されるが、その中でも
水又は水と低級アルコールとの混合溶媒が特に好ましい
。
テル(III)に、これに対し通常1〜lO倍モル、好
ましくは1〜5倍モルのグリシジルアンモニウム塩(V
)を反応させる。反応は不活性溶媒の存在下において、
10〜120℃、好ましくは40〜90℃の温度で行わ
れる。不活性溶媒としては、例えば水、メタノール、エ
タノール、イソプロパツール、ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド等の極性溶媒あるいはこれから選
ばれる二種以上の混合溶媒が使用されるが、その中でも
水又は水と低級アルコールとの混合溶媒が特に好ましい
。
斯くして得られる反応生成物中には本発明の目的物の一
般式(I>で示されるアスコルビン酸誘導体の他に、副
生物としての無機塩、未反応のアスコルビン酸リン酸エ
ステル(III) 、グリシジルアンモニウム塩(V)
及びそのエポキシ開環物が含まれている。この反応生成
物は、そのまま化粧料等に使用することもできるが、更
に高純度のものが必要とされる場合には、例えばイオン
交換クロマトグラフィー法、電気透析法、溶媒分別法、
再結晶法などの公知の方法により適宜精製することがで
きる。
般式(I>で示されるアスコルビン酸誘導体の他に、副
生物としての無機塩、未反応のアスコルビン酸リン酸エ
ステル(III) 、グリシジルアンモニウム塩(V)
及びそのエポキシ開環物が含まれている。この反応生成
物は、そのまま化粧料等に使用することもできるが、更
に高純度のものが必要とされる場合には、例えばイオン
交換クロマトグラフィー法、電気透析法、溶媒分別法、
再結晶法などの公知の方法により適宜精製することがで
きる。
以上のごとくして得られる本発明の新規なアスコルビン
酸誘導体(I)は保存安定性と従来用いられている種々
の化粧品基剤との相溶性に優れており、美白化粧料とし
て有利に使用することができる。
酸誘導体(I)は保存安定性と従来用いられている種々
の化粧品基剤との相溶性に優れており、美白化粧料とし
て有利に使用することができる。
以下に実施例を挙げ、本発明を更に詳細に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例1
反応器にL−アスコルビン酸−2−ホスフェートマグネ
シウム塩5水和物10g (28,4ミリモル)を加え
水250gに溶解し、希塩酸でpH6,5に調整した後
、60℃に昇温した。次に反応系を60℃に保ちながら
、グリシジルジメチルドデシルアンモニウムクロライド
43g (I41,8ミリモル)を100gの30%エ
タノールに溶解させた溶液を徐々に滴下した後、60℃
で15時間反応させた。反応終了後、減圧下で反応溶媒
を除去した後、残渣を10倍量のアセトンで洗浄し、未
反応のグリシジルジメチルドデシルアンモニウムクロラ
イドとこれのエポキシ開環物を除いた。得られた粗生成
物を4倍量のエタノールで洗浄し、薄層クロマトグラフ
ィーで単一のスポットを与えるまで精製し、L−アスコ
ルビン酸−2−[(3−(N−ドデシル−N、N−ジメ
チルアンモニウム)−2−ヒドロキシ)プロピル〕ホス
フェートを1.8g(単離収率8%)得た。
シウム塩5水和物10g (28,4ミリモル)を加え
水250gに溶解し、希塩酸でpH6,5に調整した後
、60℃に昇温した。次に反応系を60℃に保ちながら
、グリシジルジメチルドデシルアンモニウムクロライド
43g (I41,8ミリモル)を100gの30%エ
タノールに溶解させた溶液を徐々に滴下した後、60℃
で15時間反応させた。反応終了後、減圧下で反応溶媒
を除去した後、残渣を10倍量のアセトンで洗浄し、未
反応のグリシジルジメチルドデシルアンモニウムクロラ
イドとこれのエポキシ開環物を除いた。得られた粗生成
物を4倍量のエタノールで洗浄し、薄層クロマトグラフ
ィーで単一のスポットを与えるまで精製し、L−アスコ
ルビン酸−2−[(3−(N−ドデシル−N、N−ジメ
チルアンモニウム)−2−ヒドロキシ)プロピル〕ホス
フェートを1.8g(単離収率8%)得た。
’tl−NMR;δ(ppm) 020基準4.5pp
m0.55(s、3H,a)、 1.05(broad
、18H,b)。
m0.55(s、3H,a)、 1.05(broad
、18H,b)。
1、45 (s、 2H,E) 、 2.90 (s、
6H,d) 。
6H,d) 。
3.0−3.8(broad、IOH,e)、 4.0
8(S、 11(、f) HOCH2− C)+3 IR(KBr錠剤法):第1図 実施例2 反応器にL−アスコルビン酸−2−ホスフェ−トマクネ
シウム塩5水和物10g (28,4ミ!1モル)を加
え水250gに溶解し、希塩酸でpH6゜5に調整した
後、60℃に昇温した。次に反応系を60℃に保ちなが
ら、グリシジルトリメチルアンモニウムクロライド8.
6g (56,8ミリモル)を100gの30%エタノ
ールに溶解させた溶液を徐々に滴下した後、60℃で1
5時間反応させた。反応終了後、減圧下で反応溶媒を除
去した後、残渣を10倍量のアセトンで洗浄し、未反応
のグリシジルトリメチルアンモニウムクロライドとこれ
のエポキシ開環物を除いた。得られた粗生成物を4倍量
のエタノールで洗浄し、薄層クロマトグラフィーで単一
のスポットを与えるまで精製し、L−アスコルビン酸−
2−[(3−(N、N、N−)ジメチルアンモニウム)
−2−ヒドロキシ)プロピル〕ホスフェートを0.7g
(単離収率7.5%)得た。
8(S、 11(、f) HOCH2− C)+3 IR(KBr錠剤法):第1図 実施例2 反応器にL−アスコルビン酸−2−ホスフェ−トマクネ
シウム塩5水和物10g (28,4ミ!1モル)を加
え水250gに溶解し、希塩酸でpH6゜5に調整した
後、60℃に昇温した。次に反応系を60℃に保ちなが
ら、グリシジルトリメチルアンモニウムクロライド8.
6g (56,8ミリモル)を100gの30%エタノ
ールに溶解させた溶液を徐々に滴下した後、60℃で1
5時間反応させた。反応終了後、減圧下で反応溶媒を除
去した後、残渣を10倍量のアセトンで洗浄し、未反応
のグリシジルトリメチルアンモニウムクロライドとこれ
のエポキシ開環物を除いた。得られた粗生成物を4倍量
のエタノールで洗浄し、薄層クロマトグラフィーで単一
のスポットを与えるまで精製し、L−アスコルビン酸−
2−[(3−(N、N、N−)ジメチルアンモニウム)
−2−ヒドロキシ)プロピル〕ホスフェートを0.7g
(単離収率7.5%)得た。
’H−NMR;δ(ppm) 020基準4.5ppm
2、90 (s、 9H,a) 、 2.9−3.80
CHi 実施例3 反応器にL−アスコルビン酸−6−ホスフェートマグネ
シウム塩5水和物10g(28,4ミIJモル)を加え
水250gに溶解し、希塩酸でpH6,5に調整した後
、60℃に昇温した。次に反応系を60℃に保ちながら
、グリシジルトリメチルアンモニウムクロライド43g
(I41,8ミリモル)を100gの30%エタノー
ルに溶解させた溶液を徐々に滴下した後、60℃で15
時間反応させた。反応終了後、減圧下で反応溶媒を除去
した後、残渣を10倍量のアセトンで洗浄し、未反応の
グリシジルジメチルドデシルアンモニウムクロライドと
これのエポキシ開環物を除いた。得られた粗生成物を4
倍量のエタノールで洗浄し、薄層クロマトグラフィーで
単一のスポットを与えるまで精製し、L−アスコルビン
酸−6−(:(3−(N−ドデシル−N、N−ジメチル
アンモニウム)−2−ヒドロキシ)プロピル〕ホスフェ
ートを0.9g(単離収率4%)得た。
2、90 (s、 9H,a) 、 2.9−3.80
CHi 実施例3 反応器にL−アスコルビン酸−6−ホスフェートマグネ
シウム塩5水和物10g(28,4ミIJモル)を加え
水250gに溶解し、希塩酸でpH6,5に調整した後
、60℃に昇温した。次に反応系を60℃に保ちながら
、グリシジルトリメチルアンモニウムクロライド43g
(I41,8ミリモル)を100gの30%エタノー
ルに溶解させた溶液を徐々に滴下した後、60℃で15
時間反応させた。反応終了後、減圧下で反応溶媒を除去
した後、残渣を10倍量のアセトンで洗浄し、未反応の
グリシジルジメチルドデシルアンモニウムクロライドと
これのエポキシ開環物を除いた。得られた粗生成物を4
倍量のエタノールで洗浄し、薄層クロマトグラフィーで
単一のスポットを与えるまで精製し、L−アスコルビン
酸−6−(:(3−(N−ドデシル−N、N−ジメチル
アンモニウム)−2−ヒドロキシ)プロピル〕ホスフェ
ートを0.9g(単離収率4%)得た。
’H−NMR;δ(ppm) 020基準4.5ppm
2、90−3.70 (broad、 IOH,e)
、 4.10(S、 IH,f) 以下余白 Hi 試験例 ![例1で得られたし一アスコルビン酸−2−C(3−
(N−ドデシル−N、N−ジメチルアンモニウム)−2
−ヒドロキシ)プロピル〕ポスフェート(発明化合物)
の各種溶媒に対する溶解性を試験した。すなわち、発明
化合物50mgを10mj!容試験管にとり、これに各
種溶媒2rn1.を加えて振盪し、溶解するものを○で
、不溶のものを×で示した。その結果を第1表に示す。
2、90−3.70 (broad、 IOH,e)
、 4.10(S、 IH,f) 以下余白 Hi 試験例 ![例1で得られたし一アスコルビン酸−2−C(3−
(N−ドデシル−N、N−ジメチルアンモニウム)−2
−ヒドロキシ)プロピル〕ポスフェート(発明化合物)
の各種溶媒に対する溶解性を試験した。すなわち、発明
化合物50mgを10mj!容試験管にとり、これに各
種溶媒2rn1.を加えて振盪し、溶解するものを○で
、不溶のものを×で示した。その結果を第1表に示す。
第1図はL−アスコルビン酸−2−[(3−(N−ドデ
シル−N、N−ジメチルアンモニウム)−2−ヒドロキ
シ)プロピル〕ホスフェートのIRスペクトル図である
。 以上
シル−N、N−ジメチルアンモニウム)−2−ヒドロキ
シ)プロピル〕ホスフェートのIRスペクトル図である
。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、K^1、K^2、K^3及びK^4は同一又は
異なって、水酸基又は式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (R^1、R^2及びR^3は水酸基で置換されていて
もよい炭素数1〜24の直鎖又は分岐鎖のアルキル基又
はアルケニル基) で表わされる基を示す。但し、K^1、K^2、K^3
及びK^4の少なくとも一つは式(II)の基である〕 で表わされるアスコルビン酸誘導体。 2、一般式( I )において、K^3及びK^4が水酸
基である請求項1記載のアスコルビン酸誘導体。 3、一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中、L^1、L^2、L^3及びL^4は同一又は
異なって、水酸基又は式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、nは2又は1の数であり、n=2の場合、Mは
同一又は異なって、水素原子又は1価の陽イオンであり
、n=1の場合、Mは2価の陽イオンである)で表わさ
れる基を示す。但し、L^1、L^2、L^3及びL^
4の少なくとも一つは式(IV)の基である〕 で表わされるアスコルビン酸リン酸エステルに一般式(
V) ▲数式、化学式、表等があります▼(V) 〔式中、R^1、R^2及びR^3は水酸基で置換され
ていてもよい炭素数1〜24の直鎖又は分岐鎖のアルキ
ル基又はアルケニル基を示し、X^■は陰イオンを示す
〕 で表わされるグリシジルアンモニウム塩を反応せしめる
ことを特徴とする請求項1又は2記載のアスコルビン酸
誘導体の製造法。
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| JP30941490A JP2772712B2 (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | アスコルビン酸誘導体及びその製造法 |
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| JP2772712B2 JP2772712B2 (ja) | 1998-07-09 |
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| JP (1) | JP2772712B2 (ja) |
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
| EP0514588A3 (en) * | 1991-05-20 | 1993-12-22 | Kao Corp | Novel phosphobetaine and detergent and cosmetic containing the same |
| FR2764891A1 (fr) * | 1997-06-04 | 1998-12-24 | Pacific Corp | Derive de l'acide l-ascorbique stable dans l'eau, procede pour sa preparation et composition cosmetique de blanchiment de la peau le contenant |
| JP2010195687A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-09 | Seiwa Kasei Co Ltd | アスコルビン酸誘導体由来組成物、その製造方法、及び化粧料 |
| JP2016121099A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 株式会社成和化成 | カチオン性アスコルビン酸誘導体及び該化合物を配合した化粧料 |
| JP2018509376A (ja) * | 2014-11-27 | 2018-04-05 | セルトリオン・インコーポレイテッド | ペプチドが結合された安定したアスコルビン酸誘導体、その製造方法、及びそれを含む化粧料組成物 |
| CN109401535A (zh) * | 2018-09-25 | 2019-03-01 | 江苏理工学院 | 一种纳米银美缝剂及其制备方法 |
| KR20200043406A (ko) | 2017-08-23 | 2020-04-27 | 이치마루 화루코스 가부시키가이샤 | 미백제, 미백용 피부 외용제 및 피부의 미백 방법 |
-
1990
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