JPH04184232A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH04184232A JPH04184232A JP2312675A JP31267590A JPH04184232A JP H04184232 A JPH04184232 A JP H04184232A JP 2312675 A JP2312675 A JP 2312675A JP 31267590 A JP31267590 A JP 31267590A JP H04184232 A JPH04184232 A JP H04184232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- diaphragm
- diaphragms
- semiconductor pressure
- strain gauge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、チップの一方の面にダイヤフラムが形成さ
れ、またチップの他方の面にそのダイヤフラムに対応し
てひずみゲージが設けられた半導体圧力センサに関する
ものである。
れ、またチップの他方の面にそのダイヤフラムに対応し
てひずみゲージが設けられた半導体圧力センサに関する
ものである。
［従来の技術］
第３図は従来の半導体圧力センサのチップの平面図であ
り、図において（１）は断面口字状のチップ、（２）は
チップ（１）の表面に円周上に沿って設けられたひずみ
ゲージ、（３）はチップ（１）の中央部に位置した受圧
部分のダイヤフラムである。
り、図において（１）は断面口字状のチップ、（２）は
チップ（１）の表面に円周上に沿って設けられたひずみ
ゲージ、（３）はチップ（１）の中央部に位置した受圧
部分のダイヤフラムである。
上記の半導体圧力センサにおいては、ダイヤフラム（３
）に圧力が加わると、ダイヤフラム（３）は変形し、そ
の変形に伴せてひずみゲージ（２）の電気抵抗が変化し
、その抵抗変化は電圧として出力される。
）に圧力が加わると、ダイヤフラム（３）は変形し、そ
の変形に伴せてひずみゲージ（２）の電気抵抗が変化し
、その抵抗変化は電圧として出力される。
［発明が解決しようとする課題］
従来の半導体圧力センサは以上のように精成されている
ので、１圧力に対して１出力のみであり、微圧力に対す
る感度が悪いという課題があった。
ので、１圧力に対して１出力のみであり、微圧力に対す
る感度が悪いという課題があった。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、従来のものと比較して１圧力に対して複数倍の出力
を得ることができ、感度のよい半導体圧力センサを提供
することを目的とする。
で、従来のものと比較して１圧力に対して複数倍の出力
を得ることができ、感度のよい半導体圧力センサを提供
することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る半導体圧力センサは、チップの一方の面
に厚さの異なる複数個のダイヤフラムを形成し、また前
記チップの他方の面にこれらのダイヤフラムにそれぞれ
対応してひずみゲージを設けたものである。
に厚さの異なる複数個のダイヤフラムを形成し、また前
記チップの他方の面にこれらのダイヤフラムにそれぞれ
対応してひずみゲージを設けたものである。
［作 用］
この発明の半導体圧力センサにおいては、ダイヤフラム
に圧力が加わると、複数のダイヤフラムは変形し、１圧
力に対してひずみゲージからはそれぞれ複数の出力が得
られる。
に圧力が加わると、複数のダイヤフラムは変形し、１圧
力に対してひずみゲージからはそれぞれ複数の出力が得
られる。
［実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図、第２図は第
１図の側断面図であり、図において、（１０）はチップ
、（１１）はチップ（１０）の表面に円周上に沿って設
けられた第１のひずみゲージ、（１２）は第１のひずみ
ゲージ（１１）の内側に円周上に沿って設けられた第２
のひずみゲージ、（１３）はチップ（１０）の裏面に第
１のひずみゲージ（１１）に対応して形成された第１の
ダイヤフラム、（１４）はチップ（１０）の裏面に第２
のひずみゲージ（１２）に対応して形成された第２のダ
イヤフラムである。そして、第１のダイヤフラム（１３
）および第２のダイヤフラム（１４）の厚さｈ ｌ、ｈ
２と、第１のひずみゲージ（１１）および第２のひず
みゲージ（１２）の半径ａｔ、ａ、との関係は次式で示
される。
１図の側断面図であり、図において、（１０）はチップ
、（１１）はチップ（１０）の表面に円周上に沿って設
けられた第１のひずみゲージ、（１２）は第１のひずみ
ゲージ（１１）の内側に円周上に沿って設けられた第２
のひずみゲージ、（１３）はチップ（１０）の裏面に第
１のひずみゲージ（１１）に対応して形成された第１の
ダイヤフラム、（１４）はチップ（１０）の裏面に第２
のひずみゲージ（１２）に対応して形成された第２のダ
イヤフラムである。そして、第１のダイヤフラム（１３
）および第２のダイヤフラム（１４）の厚さｈ ｌ、ｈ
２と、第１のひずみゲージ（１１）および第２のひず
みゲージ（１２）の半径ａｔ、ａ、との関係は次式で示
される。
ａ、 ａ２
１ｈ ２
上記のように精成された半導体圧力センサにおいては、
受圧部である第１のダイヤフラム（１３）第２のダイヤ
フラム（１４）に圧力が加わると、第１のダイヤフラム
（１３）、第２のダイヤフラム（１４）は変形し、−圧
力に対して、第１のひずみゲージ（１１）および第２の
ひずみゲージ（１２）からは等しい電圧がそれぞれ得ら
れる、つまり一圧力に対して二つの同じ出力が得られる
ことになり、出力は２倍となり、それだけ感度が向上す
る。
受圧部である第１のダイヤフラム（１３）第２のダイヤ
フラム（１４）に圧力が加わると、第１のダイヤフラム
（１３）、第２のダイヤフラム（１４）は変形し、−圧
力に対して、第１のひずみゲージ（１１）および第２の
ひずみゲージ（１２）からは等しい電圧がそれぞれ得ら
れる、つまり一圧力に対して二つの同じ出力が得られる
ことになり、出力は２倍となり、それだけ感度が向上す
る。
なお、上記実施例では第１のダイヤフラム（１３）、第
２のダイヤフラム（１４）を有する半導体圧力センサに
ついて説明したが、３個以上のダイヤフラムを有し、か
つそれに対応したひずみゲージを有していてもよい、そ
の場合にはダイヤフラムの数に対応して半導体圧力セン
サの感度は上昇する。
２のダイヤフラム（１４）を有する半導体圧力センサに
ついて説明したが、３個以上のダイヤフラムを有し、か
つそれに対応したひずみゲージを有していてもよい、そ
の場合にはダイヤフラムの数に対応して半導体圧力セン
サの感度は上昇する。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明の半導体圧力センサによ
れば、チップの一方の面に厚さの異なる複数個のダイヤ
フラムを形成し、またチップの他方の面にこれらのダイ
ヤフラムにそれぞれ対応してひずみゲージを設けたこと
により、−圧力に対して複数倍の出力を得ることができ
、それだけ微圧力に対しても感度が向上するという効果
がある。
れば、チップの一方の面に厚さの異なる複数個のダイヤ
フラムを形成し、またチップの他方の面にこれらのダイ
ヤフラムにそれぞれ対応してひずみゲージを設けたこと
により、−圧力に対して複数倍の出力を得ることができ
、それだけ微圧力に対しても感度が向上するという効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図、第２図は第
１図の側断面図、第３図は従来の半導体圧力センサの一
例を示す平面図、第４図は第３図の側断面図である。 図において、（１０）はチップ、（１１）は第１のひず
みゲージ、（１２）は第２のひずみゲージ、（１３）は
第１のダイヤフラム、（１４）は第２のダイヤフラムで
ある。 なお、各口中、同一符号は同一または相当部分を示す。
１図の側断面図、第３図は従来の半導体圧力センサの一
例を示す平面図、第４図は第３図の側断面図である。 図において、（１０）はチップ、（１１）は第１のひず
みゲージ、（１２）は第２のひずみゲージ、（１３）は
第１のダイヤフラム、（１４）は第２のダイヤフラムで
ある。 なお、各口中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- チップの一方の面に厚さの異なる複数個のダイヤフラム
を形成し、また前記チップの他方の面にこれらのダイヤ
フラムにそれぞれ対応してひずみゲージを設けたことを
特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2312675A JPH04184232A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2312675A JPH04184232A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04184232A true JPH04184232A (ja) | 1992-07-01 |
Family
ID=18032071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2312675A Pending JPH04184232A (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04184232A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5160577A (ja) * | 1974-11-25 | 1976-05-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPH02256278A (ja) * | 1987-04-10 | 1990-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
-
1990
- 1990-11-20 JP JP2312675A patent/JPH04184232A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5160577A (ja) * | 1974-11-25 | 1976-05-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPH02256278A (ja) * | 1987-04-10 | 1990-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
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