JPS6134932A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPS6134932A JPS6134932A JP15625584A JP15625584A JPS6134932A JP S6134932 A JPS6134932 A JP S6134932A JP 15625584 A JP15625584 A JP 15625584A JP 15625584 A JP15625584 A JP 15625584A JP S6134932 A JPS6134932 A JP S6134932A
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- Japan
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- processed
- substrate
- substrates
- gas
- chamber
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45589—Movable means, e.g. fans
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は急峻な組成或いは濃度プロフィルの変化をもつ
半導体層の形成が可能な気相成長方法に関する。
半導体層の形成が可能な気相成長方法に関する。
半導体レーザや高電子移動度トランジスタなど主に化合
物半導体からなる半導体素子は半導体基板上に伝導タイ
プやキャリア濃度を異にした同種或いは異種の半導体層
を複数回に互ってエピタキシャル成長させ、この上に電
極や配線などをパターン形成して作られている。
物半導体からなる半導体素子は半導体基板上に伝導タイ
プやキャリア濃度を異にした同種或いは異種の半導体層
を複数回に互ってエピタキシャル成長させ、この上に電
極や配線などをパターン形成して作られている。
ここで各エピタキシャル成長層の接続部は結晶組成或い
は不純物濃度のプロフィルが急激な変化をしていること
が必要であり、を機金属気相エピタキシャル成長法（Ｍ
Ｏ−ＣＶＤ法）による効率の良い製造方法の実用化が要
望されている。
は不純物濃度のプロフィルが急激な変化をしていること
が必要であり、を機金属気相エピタキシャル成長法（Ｍ
Ｏ−ＣＶＤ法）による効率の良い製造方法の実用化が要
望されている。
第２図（Ａ）は従来のＭＯ−ＣＶＤ法を行う縦形装置の
構成図で同図（Ｂ）はエピタキシャル成長を行う被処理
基板１を載置するサセプタの正面図また同図（Ｃ）はこ
の斜視図である。
構成図で同図（Ｂ）はエピタキシャル成長を行う被処理
基板１を載置するサセプタの正面図また同図（Ｃ）はこ
の斜視図である。
ここで被処理基板１としてガリウム砒素（ＧａＡｓ）や
インジウムｇ（ＩｎＰ）のような化合物半導体が良く用
いられている。
インジウムｇ（ＩｎＰ）のような化合物半導体が良く用
いられている。
第２図（Ａ）において縦形反応管（以下略して反応管）
３の中央部にはカーボンブロックで構成されるか或いは
これに炭化珪素（Ｓｉ Ｃ）を被覆してなるカーボンサ
セプタ（以下略してサセプタ）２が回転軸４の上に設け
られていてモータにより低速回転するよう構成されてい
る。
３の中央部にはカーボンブロックで構成されるか或いは
これに炭化珪素（Ｓｉ Ｃ）を被覆してなるカーボンサ
セプタ（以下略してサセプタ）２が回転軸４の上に設け
られていてモータにより低速回転するよう構成されてい
る。
ここでサセプタ２の上面には切削加工によって凹部が設
けられていて被処理基板１が嵌合しており、反応管３の
外側に設けた高周波コイル５により誘導加熱されるよう
になっている。
けられていて被処理基板１が嵌合しており、反応管３の
外側に設けた高周波コイル５により誘導加熱されるよう
になっている。
次に反応管３の上部には給気口６があって反応ガスとキ
ャリアガスがマスフローコントローラなどで流速を調節
されて反応管３に導入され、熱分解終了後は排気ロアか
ら排出される。
ャリアガスがマスフローコントローラなどで流速を調節
されて反応管３に導入され、熱分解終了後は排気ロアか
ら排出される。
このような装置を用いてエピタキシャル成長が行われて
いるが被処理基板１の上に伝導タイプやキャリア濃度の
異なる半導体層を急峻なプロフィルの変化をもって成長
させる方法として従来は反応管３の中の反応ガスの交換
を速やかに行ったり、第２図（Ｂ）および（Ｃ）に示す
ようにサセプタ２を上下に分割して作り、エピタキシャ
ル成長が終わると共に上側のサセプタ８ごと被処理基板
１をハンドラを用いて移動させるか、あるいは石英やア
ルミナ製のカバーで被処理基板１を覆うなどの方法が講
じられている。
いるが被処理基板１の上に伝導タイプやキャリア濃度の
異なる半導体層を急峻なプロフィルの変化をもって成長
させる方法として従来は反応管３の中の反応ガスの交換
を速やかに行ったり、第２図（Ｂ）および（Ｃ）に示す
ようにサセプタ２を上下に分割して作り、エピタキシャ
ル成長が終わると共に上側のサセプタ８ごと被処理基板
１をハンドラを用いて移動させるか、あるいは石英やア
ルミナ製のカバーで被処理基板１を覆うなどの方法が講
じられている。
然し、このようにハンドラを使用すると装置構成が複雑
になり、また操作も容易ではなく、また反応ガスの交換
も容易には行えないと云う問題がある。
になり、また操作も容易ではなく、また反応ガスの交換
も容易には行えないと云う問題がある。
そこで本発明者はこの問題を解決する方法として第３図
に横断面図（Ａ）と縦断面図（Ｂ）を示すような構造の
ＭＯ−ＣＶＤ装置による気相成長方法を提案している。
に横断面図（Ａ）と縦断面図（Ｂ）を示すような構造の
ＭＯ−ＣＶＤ装置による気相成長方法を提案している。
（昭和５９年２月２９日出願、特願昭５９−０３７８３
５号） すなわち石英からなる横形反応管１０（以下略して反応
管）を中央部において反応管と一体化した石英壁１１と
カーボンサセプタ固定部１２とにより分割して成長室１
３と待機室１４を作り、雰囲気が相互に混入しないよう
に構成している。
５号） すなわち石英からなる横形反応管１０（以下略して反応
管）を中央部において反応管と一体化した石英壁１１と
カーボンサセプタ固定部１２とにより分割して成長室１
３と待機室１４を作り、雰囲気が相互に混入しないよう
に構成している。
ここでは便宜上反応室のうち一方を成長室１３゜他方を
待機室１４として区別し、以下待機室１４から成長室１
３へ移動して気相成長を行う場合を主として述べる。
待機室１４として区別し、以下待機室１４から成長室１
３へ移動して気相成長を行う場合を主として述べる。
ここでカーボンサセプタ固定部１２の上には被処理基板
１が載置されたカーボンサセプタ移動部１４が置かれて
おり、同図（Ａ）と（Ｂ）に示すようにカーボンサセプ
タ１２の上部に設けた移動口１５を通り、画室の雰囲気
を損なわない状態でスライド可能に構成されている。
１が載置されたカーボンサセプタ移動部１４が置かれて
おり、同図（Ａ）と（Ｂ）に示すようにカーボンサセプ
タ１２の上部に設けた移動口１５を通り、画室の雰囲気
を損なわない状態でスライド可能に構成されている。
また成長室１３と待機室１４には、反応管１０の両側に
あるステンレス製のフランジ１６を貫いてガス供給管１
７．１８．１９が設けられてそれぞれ反応ガスが供給さ
れる。
あるステンレス製のフランジ１６を貫いてガス供給管１
７．１８．１９が設けられてそれぞれ反応ガスが供給さ
れる。
例えばガリウム砒素（Ｇａ Ａｓ ）基板上にＧａＡｓ
よりなる電界効果トランジスタ（Ｆ Ｅ Ｔ’）を形成
する場合を例として言えば、ガス供給管１８からはアル
シン（ＡｓＨ：＋）とトリメチルガリウム（ＴＭＧ）か
らなる反応ガス、水素（Ｈ２）キャリアガス、硫化水素
（Ｈ２Ｓ） ドーパントガスなどからなる混合ガスが
、またガス供給管１７からは水素ガス（Ｈ２）を、また
ガス供給管１９からはアルシン（ＡｓＨ３）と水素（Ｈ
２）の混合ガスを適宜反応室に導入できるようになって
いる。
よりなる電界効果トランジスタ（Ｆ Ｅ Ｔ’）を形成
する場合を例として言えば、ガス供給管１８からはアル
シン（ＡｓＨ：＋）とトリメチルガリウム（ＴＭＧ）か
らなる反応ガス、水素（Ｈ２）キャリアガス、硫化水素
（Ｈ２Ｓ） ドーパントガスなどからなる混合ガスが
、またガス供給管１７からは水素ガス（Ｈ２）を、また
ガス供給管１９からはアルシン（ＡｓＨ３）と水素（Ｈ
２）の混合ガスを適宜反応室に導入できるようになって
いる。
そして当初、被処理基板１を載置したカーボンサセプタ
移動部１４をこれと接続する操作棒２０により待機室１
４に移動しておき、ガス供給管１９よりＡｓＨ３とＨ２
の混合ガスを供給し、排気口２１より除去しながら高周
波コイル２２に通電してカーボンサセプタ固定部１２を
所定の温度に加熱すると共に、ガス供給管１８からエピ
タキシャル成長を行うに必要な組成のガスを成長室１３
に導入する。
移動部１４をこれと接続する操作棒２０により待機室１
４に移動しておき、ガス供給管１９よりＡｓＨ３とＨ２
の混合ガスを供給し、排気口２１より除去しながら高周
波コイル２２に通電してカーボンサセプタ固定部１２を
所定の温度に加熱すると共に、ガス供給管１８からエピ
タキシャル成長を行うに必要な組成のガスを成長室１３
に導入する。
そして温度およびガス雰囲気が定常状態に達した後は操
作棒２０をもちいてカーボンサセプタ移動部１４を成長
室１３に移してエピタキシャル成長を行い、これが終わ
ると反応が進行しない待機室１４に移し、ガス供給管１
７と１８を用いて成長室１３の雰囲気を次のエピタキシ
ャル成長に通した条件に変えこのように複数層のエピタ
キシャル成長を行う場合に成長室１３と待機室１４との
間を往復させることにより不純物濃度或いは組成プロフ
ィル変化の急峻なエピタキシャル成長層を得ることが可
能となる。
作棒２０をもちいてカーボンサセプタ移動部１４を成長
室１３に移してエピタキシャル成長を行い、これが終わ
ると反応が進行しない待機室１４に移し、ガス供給管１
７と１８を用いて成長室１３の雰囲気を次のエピタキシ
ャル成長に通した条件に変えこのように複数層のエピタ
キシャル成長を行う場合に成長室１３と待機室１４との
間を往復させることにより不純物濃度或いは組成プロフ
ィル変化の急峻なエピタキシャル成長層を得ることが可
能となる。
然し、このようにしてエピタキシャル成長層を形成して
みると目的とする急峻なプロフィルの変化は達成できる
ものの、厚さの分布が一様でないことが判り、この解決
が必要となった。
みると目的とする急峻なプロフィルの変化は達成できる
ものの、厚さの分布が一様でないことが判り、この解決
が必要となった。
本発明が解決せんとする問題点は急峻な組成或いは濃度
プロフィルの変化をもつと共に均一な厚さ分布を持つ複
数のエピタキシャル層を収率よ（製造できる気相成長方
法を確立するにある。
プロフィルの変化をもつと共に均一な厚さ分布を持つ複
数のエピタキシャル層を収率よ（製造できる気相成長方
法を確立するにある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本問題の解決は被処理基板が載置された基板ホルダを隅
壁により複数個の空間に分離された反応室内に挿入し、
該隔壁に設けられた前記基板ホルダが挿通可能な貫通孔
を通して該基板ホルダを前記各空間内に移動し、前記貫
通孔を前記基板ホルダの一部で塞ぐことにより、他の空
間から所望の空間を略完全に分離した後、該所望の空間
内で前記被処理基板上方に反応ガスを供給するガス供給
管のガス噴出口を前記被処理基板と一定距離をおいて移
動させながら前記処理基板上に半導体層を気相成長させ
ることを特徴とする気相成長方法により解決することが
できる。
壁により複数個の空間に分離された反応室内に挿入し、
該隔壁に設けられた前記基板ホルダが挿通可能な貫通孔
を通して該基板ホルダを前記各空間内に移動し、前記貫
通孔を前記基板ホルダの一部で塞ぐことにより、他の空
間から所望の空間を略完全に分離した後、該所望の空間
内で前記被処理基板上方に反応ガスを供給するガス供給
管のガス噴出口を前記被処理基板と一定距離をおいて移
動させながら前記処理基板上に半導体層を気相成長させ
ることを特徴とする気相成長方法により解決することが
できる。
本発明は第３図に示したＭＯ−ＣＶＤ装置による気相成
長方法においてエピタキシャル成長層の厚さが不均一と
なる理由はガス供給管１８の位置が固定されている点に
あることに着目した。−すなわちＭＯ−ＣＶＤにおいて
エピタキシャル層の成長は被処理基板に衝突する反応ガ
スの量に比例するので、ガス供給管１８の位置を固定す
れば、その噴出口に対向する位置において結晶成長は最
も速く、遠ざかるに従って成長速度は遅くなる筈である
。
長方法においてエピタキシャル成長層の厚さが不均一と
なる理由はガス供給管１８の位置が固定されている点に
あることに着目した。−すなわちＭＯ−ＣＶＤにおいて
エピタキシャル層の成長は被処理基板に衝突する反応ガ
スの量に比例するので、ガス供給管１８の位置を固定す
れば、その噴出口に対向する位置において結晶成長は最
も速く、遠ざかるに従って成長速度は遅くなる筈である
。
それ故に均等な厚さにエピタキシャル成長を行うにはガ
ス供給管１８か或いは被処理基板１を移動させればよい
。
ス供給管１８か或いは被処理基板１を移動させればよい
。
然し、成長室１３はカーボンサセプタ移動部１４の一部
により密閉するのでカーボンサセプタ移動部工４及びそ
れに載置された被処理基板１は移動させることはできな
い。
により密閉するのでカーボンサセプタ移動部工４及びそ
れに載置された被処理基板１は移動させることはできな
い。
そこで本発明はガス供給管１８を移動可能とすることに
より均等な膜厚をもつエピタキシャル成長を行うもので
ある。
より均等な膜厚をもつエピタキシャル成長を行うもので
ある。
第１図は本発明を実施した横形半導体成長装置の横断面
図（Ａ）と縦断面図（Ｂ）でフランジ１６に設けられて
いるガス供給管１８が左右に移動可能に設けられている
以外は第３図に示す従来構造と違わない。
図（Ａ）と縦断面図（Ｂ）でフランジ１６に設けられて
いるガス供給管１８が左右に移動可能に設けられている
以外は第３図に示す従来構造と違わない。
本発明はガス供給管１８にベローズ２２を付け、これを
成長室１３の中に設け、ガス供給管１８を移動させて気
相成長を行うものである。
成長室１３の中に設け、ガス供給管１８を移動させて気
相成長を行うものである。
すなわちＯリング２３により例えばステンレス製のベロ
ーズ２２でガス供給管１８を固定し、一方ベローズ２２
の他端はフランジ１６に固定しである。
ーズ２２でガス供給管１８を固定し、一方ベローズ２２
の他端はフランジ１６に固定しである。
このように被処理基板１に沿って噴出口２４を移動させ
ることにより基板に対する反応ガスの供給は均等となり
、均一な膜厚分布を持つエピタキシャル層の成長が可能
となる。
ることにより基板に対する反応ガスの供給は均等となり
、均一な膜厚分布を持つエピタキシャル層の成長が可能
となる。
なおベローズ２２を成長室１３の内側でなく外側に設け
ることも考えられるが、この場合は実験の結果、ベロー
ズの縮小の際にその中の反応ガスが成長室１３に吐き出
されて雰囲気の構成を損なうため成長膜に良い゛影響を
与えないことが判った。
ることも考えられるが、この場合は実験の結果、ベロー
ズの縮小の際にその中の反応ガスが成長室１３に吐き出
されて雰囲気の構成を損なうため成長膜に良い゛影響を
与えないことが判った。
以上のように本発明は横形反応管１０を石英壁１１とカ
ーボンサセプタ固定部１２により成長室１３と待機室１
４とに分離し、カーボンサセプタ移動部１４に載置した
被処理基板１にガス供給管１８を移動させながら結晶成
長を行い、所定の膜成長が終わった後は待機室１４にス
ライドさせるもので、本発明の実施により、膜厚分布が
良くまた濃度或いは急峻なプロフィルをもつエピタキシ
ャル成長層の形成が可能となる。
ーボンサセプタ固定部１２により成長室１３と待機室１
４とに分離し、カーボンサセプタ移動部１４に載置した
被処理基板１にガス供給管１８を移動させながら結晶成
長を行い、所定の膜成長が終わった後は待機室１４にス
ライドさせるもので、本発明の実施により、膜厚分布が
良くまた濃度或いは急峻なプロフィルをもつエピタキシ
ャル成長層の形成が可能となる。
第１図は本発明に係る半導体成長装置を説明するもので
、（Ａ）は横断面図、 （Ｂ）は縦断面図。 第２図と第３図は従来の半導体成長装置の構造の説明図
であり、第２図（Ａ）は縦形の断面図。 （Ｂ）はサセプタ部分の拡大図、 （Ｃ）はこの斜視図
。 第３図は本発明者が提案中の横形成長装置の説明図で（
Ａ）は横断面図、 （Ｂ）は縦断面図である。 図において １は被処理基板、 ２はサセプタ、１０は反応
管、 １１は石英壁、１２はカーボンサセプ
タ固定部、 １３は成長室、 １４は待機室１５は移動口
、 １６はフランジ、１７、１８．１９は
ガス供給管、 ２２はへローズ、２４は噴出口 である。 ネ／図
、（Ａ）は横断面図、 （Ｂ）は縦断面図。 第２図と第３図は従来の半導体成長装置の構造の説明図
であり、第２図（Ａ）は縦形の断面図。 （Ｂ）はサセプタ部分の拡大図、 （Ｃ）はこの斜視図
。 第３図は本発明者が提案中の横形成長装置の説明図で（
Ａ）は横断面図、 （Ｂ）は縦断面図である。 図において １は被処理基板、 ２はサセプタ、１０は反応
管、 １１は石英壁、１２はカーボンサセプ
タ固定部、 １３は成長室、 １４は待機室１５は移動口
、 １６はフランジ、１７、１８．１９は
ガス供給管、 ２２はへローズ、２４は噴出口 である。 ネ／図
Claims (2)
- （１）被処理基板が載置された基板ホルダを隔壁により
複数個の空間に分離された反応室内に挿入し、該隔壁に
設けられた前記基板ホルダが挿通可能な貫通孔を通して
該基板ホルダを前記各空間内に移動し、前記貫通孔を前
記基板ホルダの一部で塞ぐことにより、他の空間から所
望の空間を略完全に分離した後、該所望の空間内で前記
被処理基板上方に反応ガスを供給するガス供給管のガス
噴出口を前記被処理基板と一定距離をおいて移動させな
がら前記処理基板上に半導体層を気相成長させることを
特徴とする気相成長方法。 - （２）上記ガス供給管はそれと接続され上記半導体層を
気相成長させる反応側壁の内側に設けられたベローズを
伸縮して移動させることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15625584A JPS6134932A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15625584A JPS6134932A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134932A true JPS6134932A (ja) | 1986-02-19 |
| JPH0520896B2 JPH0520896B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=15623790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15625584A Granted JPS6134932A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134932A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6377614A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Hitachi Ltd | Ｖｔｒシリンダの嵌合装置 |
| JPH02104928U (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-21 | ||
| JPH02232124A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Miyota Seimitsu Kk | ならい治具 |
| WO2018234611A1 (en) * | 2017-06-21 | 2018-12-27 | Picosun Oy | APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS558003A (en) * | 1978-06-30 | 1980-01-21 | Fujitsu Ltd | Gaseous growth method and vertical type gaseous growth device |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP15625584A patent/JPS6134932A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS558003A (en) * | 1978-06-30 | 1980-01-21 | Fujitsu Ltd | Gaseous growth method and vertical type gaseous growth device |
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| EP3642386A4 (en) * | 2017-06-21 | 2020-07-08 | Picosun Oy | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD |
| US11505864B2 (en) | 2017-06-21 | 2022-11-22 | Picosun Oy | Adjustable fluid inlet assembly for a substrate processing apparatus and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0520896B2 (ja) | 1993-03-22 |
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