JPH04187774A - ポリイミド樹脂のエッチング方法 - Google Patents
ポリイミド樹脂のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH04187774A JPH04187774A JP31441590A JP31441590A JPH04187774A JP H04187774 A JPH04187774 A JP H04187774A JP 31441590 A JP31441590 A JP 31441590A JP 31441590 A JP31441590 A JP 31441590A JP H04187774 A JPH04187774 A JP H04187774A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide resin
- substrate
- etching
- copper
- polyimide
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はポリイミド樹脂の表面に無電解めっき、あるい
は引続き電解めっきを行うことにより銅被膜を形成し、
次いで熱処理を施すことによって得られた銅ポリイミド
基板を用いて回路を形成する方法に関する。
は引続き電解めっきを行うことにより銅被膜を形成し、
次いで熱処理を施すことによって得られた銅ポリイミド
基板を用いて回路を形成する方法に関する。
［従来の技術］
ポリイミド樹脂は優れた耐熱性を有し、また機械的、電
気的および化学的特性も他のプラスチック材料に比べて
遜色が無いので、電気機器等の絶縁材料として良く用い
られている。例えば、プリント配線板（ＰＷＢ） 、フ
レキシブルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンデ
ィング（Ｔ Ａ Ｂ）実装等は、このポリイミド樹脂上
に銅被膜を形成して得られた銅ポリイミド基板を加工し
て得られる。
気的および化学的特性も他のプラスチック材料に比べて
遜色が無いので、電気機器等の絶縁材料として良く用い
られている。例えば、プリント配線板（ＰＷＢ） 、フ
レキシブルプリント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンデ
ィング（Ｔ Ａ Ｂ）実装等は、このポリイミド樹脂上
に銅被膜を形成して得られた銅ポリイミド基板を加工し
て得られる。
従来このようなＰＷＢ、ＦＰＣ，ＴＡＢ用の素材となる
銅ポリイミド基板は一般的にはポリイミド樹脂と銅箔と
を接着剤で貼り合わせるラミネート法が採られていた。
銅ポリイミド基板は一般的にはポリイミド樹脂と銅箔と
を接着剤で貼り合わせるラミネート法が採られていた。
しかしながらこのラミネート法によって得られた基板で
は銅被膜のエツチング処理やフォトレジストの剥離処理
に際して基板の銅被膜とポリイミド樹脂の界面に存在す
る接着剤層に塩素イオンや硫酸イオン等の不純物が吸着
され、該基板上に形成された回路間隔が特に狭い場合に
は絶縁不良などの障害を起こす恐れがあった。このよう
な欠点を解消するためポリイミド樹指表面に接着剤等を
介在させることなく直接的に金属層を形成させ銅ポリイ
ミド基板を得る方法が提案されている。例えば、ポリイ
ミド樹脂表面をエツチングし、活性化した後、触媒を付
与し、次いで無電解めっきをし、要すれば引続き電解め
っきを行うことにより銅ポリイミド基板を得、ポリイミ
ド樹脂と銅の高温での密着性および耐薬品性を改良する
ために該基板に１２０″Ｃ以上の熱処理を施すものであ
る。
は銅被膜のエツチング処理やフォトレジストの剥離処理
に際して基板の銅被膜とポリイミド樹脂の界面に存在す
る接着剤層に塩素イオンや硫酸イオン等の不純物が吸着
され、該基板上に形成された回路間隔が特に狭い場合に
は絶縁不良などの障害を起こす恐れがあった。このよう
な欠点を解消するためポリイミド樹指表面に接着剤等を
介在させることなく直接的に金属層を形成させ銅ポリイ
ミド基板を得る方法が提案されている。例えば、ポリイ
ミド樹脂表面をエツチングし、活性化した後、触媒を付
与し、次いで無電解めっきをし、要すれば引続き電解め
っきを行うことにより銅ポリイミド基板を得、ポリイミ
ド樹脂と銅の高温での密着性および耐薬品性を改良する
ために該基板に１２０″Ｃ以上の熱処理を施すものであ
る。
［発明が解決しようとする課題］
上記方法によって得られる銅ポリイミド基板は、高温環
境下でも銅被膜とポリイミド樹脂間に高い密着力が保た
れるばかりでなく、耐薬品性にも優れることからＰＷＢ
ＳＦＰＣ，ＴＡＢ等の電子部品用の素材として好適であ
る。
境下でも銅被膜とポリイミド樹脂間に高い密着力が保た
れるばかりでなく、耐薬品性にも優れることからＰＷＢ
ＳＦＰＣ，ＴＡＢ等の電子部品用の素材として好適であ
る。
ところで、上記電子部品の中でも最も高密度化が可能な
ＴＡＢを製造する一般的な工程にはスプロケットホール
やデバイスホール等の孔を設ける工程がある。この工程
は、銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂表面にレジスト
層を形成した後、所望のマスクを用いて露光し、現像し
て溶解しポリイミド樹脂の所望部を露出し、この部分を
エツチングして除去するものである。この方法で前記方
法により得られた銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂の
エツチングを行った場合、従来と異なりポリイミド樹脂
のエツチングレジスト層で被覆された部分までエツチン
グされ、所望な形状の孔が得られないという新たな問題
が発生している。
ＴＡＢを製造する一般的な工程にはスプロケットホール
やデバイスホール等の孔を設ける工程がある。この工程
は、銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂表面にレジスト
層を形成した後、所望のマスクを用いて露光し、現像し
て溶解しポリイミド樹脂の所望部を露出し、この部分を
エツチングして除去するものである。この方法で前記方
法により得られた銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂の
エツチングを行った場合、従来と異なりポリイミド樹脂
のエツチングレジスト層で被覆された部分までエツチン
グされ、所望な形状の孔が得られないという新たな問題
が発生している。
本発明の目的は、ポリイミド樹脂表面に無電解めっきす
ることにより、要すれば引続き電解めっきすることによ
り銅被膜を形成し、次いで熱処理を施すことによって得
られた銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂部を溶解除去
するに際して、所望の部分のポリイミド樹脂のみの溶解
を可能とするポリイミド樹脂のエツチング方法の提供に
ある。
ることにより、要すれば引続き電解めっきすることによ
り銅被膜を形成し、次いで熱処理を施すことによって得
られた銅ポリイミド基板のポリイミド樹脂部を溶解除去
するに際して、所望の部分のポリイミド樹脂のみの溶解
を可能とするポリイミド樹脂のエツチング方法の提供に
ある。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは上記問題点を解決すべく種々検討した結果
、ポリイミド樹脂表面とエツチングレジストとの密着性
が充分でないため、ポリイミド樹脂の溶解液がポリイミ
ド樹脂とエツチングレジストの界面に浸入し、該界面か
らポリイミド樹脂の溶解が進行し、結果的にエツチング
レジスト層で被覆され本来溶解されるべきでない部分の
ポリイミド樹脂の一部も溶解されてしまうことなどを見
いだし本発明に至った。
、ポリイミド樹脂表面とエツチングレジストとの密着性
が充分でないため、ポリイミド樹脂の溶解液がポリイミ
ド樹脂とエツチングレジストの界面に浸入し、該界面か
らポリイミド樹脂の溶解が進行し、結果的にエツチング
レジスト層で被覆され本来溶解されるべきでない部分の
ポリイミド樹脂の一部も溶解されてしまうことなどを見
いだし本発明に至った。
即ち、上記課題を解決するための本発明の方法は、ポリ
イミド樹脂表面に無電解めっきすることにより、要すれ
ば引続き電解めっきすることにより銅被膜を形成し、次
いで熱処理を施すことによって得られる銅ポリイミド基
板のポリイミド樹脂のエツチングにおいて、該ポリイミ
ド樹脂の表面を３０〜５０℃のトルエンによって洗浄し
た後に、エツチングレジスト層を形成しエツチングする
ことにより所望部のポリイミド樹脂を溶解除去するもの
である。
イミド樹脂表面に無電解めっきすることにより、要すれ
ば引続き電解めっきすることにより銅被膜を形成し、次
いで熱処理を施すことによって得られる銅ポリイミド基
板のポリイミド樹脂のエツチングにおいて、該ポリイミ
ド樹脂の表面を３０〜５０℃のトルエンによって洗浄し
た後に、エツチングレジスト層を形成しエツチングする
ことにより所望部のポリイミド樹脂を溶解除去するもの
である。
［作用コ
ポリイミド樹脂表面に無電解めっきすることにより、要
すれば引続き電解めっきすることにより銅被膜を形成し
、次いで熱処理を施すことによって得られる銅ポリイミ
ド基板のポリイミド樹脂表面とエツチングレジストとの
間に充分な密着性が得られない原因は、該基板に熱処理
を施した際にポリイミド樹脂表面に不純物が付着し、こ
の不純物が通常の洗浄法では完全に除去できずポリイミ
ド樹脂表面に残留するためと考えられる。 該不純物の
発生機構については充分な知見が得られていないが、該
基板を熱処理した際にポリイミド樹脂内部から発生した
物質がポリイミド樹脂表面に強固に付着したものと考え
られる。
すれば引続き電解めっきすることにより銅被膜を形成し
、次いで熱処理を施すことによって得られる銅ポリイミ
ド基板のポリイミド樹脂表面とエツチングレジストとの
間に充分な密着性が得られない原因は、該基板に熱処理
を施した際にポリイミド樹脂表面に不純物が付着し、こ
の不純物が通常の洗浄法では完全に除去できずポリイミ
ド樹脂表面に残留するためと考えられる。 該不純物の
発生機構については充分な知見が得られていないが、該
基板を熱処理した際にポリイミド樹脂内部から発生した
物質がポリイミド樹脂表面に強固に付着したものと考え
られる。
本発明は該基板にエツチングレジストを塗布する前にポ
リイミド樹脂表面をトルエンで洗浄し、ポリイミド樹脂
表面とエツチングレジストの密着性を改良するものであ
るが、これはポリイミド樹脂表面の洗浄方法について種
々検討した結果得られた知見であり、該不純物の除去に
最も効果のある洗浄法であると考えられる。
リイミド樹脂表面をトルエンで洗浄し、ポリイミド樹脂
表面とエツチングレジストの密着性を改良するものであ
るが、これはポリイミド樹脂表面の洗浄方法について種
々検討した結果得られた知見であり、該不純物の除去に
最も効果のある洗浄法であると考えられる。
本発明において行うトルエン洗浄は３０〜５０℃のトル
エンを用いて行う。トルエンの温度が３０℃以下の場合
には、得られる物の密着性が十分でなくポリイミド樹脂
のエツチングの際にエッチングレジストに被覆されたポ
リイミド樹脂部も部分的に溶解されてしまう。また、ト
ルエンの温度が５０℃を超える場合は洗浄効果は問題無
いものの作業環境が著しく低下し、またトルエンの引火
、爆発の危険性が増大する。
エンを用いて行う。トルエンの温度が３０℃以下の場合
には、得られる物の密着性が十分でなくポリイミド樹脂
のエツチングの際にエッチングレジストに被覆されたポ
リイミド樹脂部も部分的に溶解されてしまう。また、ト
ルエンの温度が５０℃を超える場合は洗浄効果は問題無
いものの作業環境が著しく低下し、またトルエンの引火
、爆発の危険性が増大する。
本発明における洗浄時間は、基板の熱処理条件等によっ
て影響をうけ一概に決定できない。よって、処理に際し
てはあらかじめ予備実験等で洗浄不足の発生しないよう
に適切な条件を求めておく必要がある。
て影響をうけ一概に決定できない。よって、処理に際し
てはあらかじめ予備実験等で洗浄不足の発生しないよう
に適切な条件を求めておく必要がある。
なお、ポリイミド樹脂のエツチングレジストは特殊なも
のを用いる必要はなく、ポリイミド樹脂の溶解液に耐性
のあるものであれば良く、またその形成条件は常法で充
分本発明による効果が得られる。
のを用いる必要はなく、ポリイミド樹脂の溶解液に耐性
のあるものであれば良く、またその形成条件は常法で充
分本発明による効果が得られる。
［実施例１コ
鐘淵化学工業社製ＮＰＩ−５０型ポリイミドフィルム上
に無電解銅めっき法により厚さ１．５μｍの銅めっき被
膜を形成した後、該基板を真空加熱炉に静置して真空度
１０−’ ｔｏｒｒにおいて昇温速度１０℃／ｗｉｎ
で昇温し、４００℃で１時間の熱処理を施した後、室
温まで冷却した。得られた基板をトルエンに４０℃で５
分間浸漬し、エチルアルコールで洗浄した後充分水洗し
、乾燥した。その後該基板の銅めっき被膜上に東京応化
工業社製フォトレジストＰＭＥＲＨＣ−６００を厚さ４
０μｍに均一に塗布し、７０℃で３０分間乾燥した。そ
の後該基板のポリイミド樹脂表面に富士薬品工業社製フ
ォトレジスト ＦＳＲ−Ｓと希釈液ＦＳＲ−Ｔの等体積
比の混合液を厚さ１０μｍに均一に塗布し７０℃で３０
分乾燥した。得られた基板のＰＭＥＲ側にインナーリー
ド部においてリード幅７０μｍ１リード間隔６０μｍの
リードが形成されるようにマスキングを施し、一方ＰＳ
Ｒ側にはデバイスホールおよびスプロケットホールが形
成されるようにマスキングを施し、それぞれのフォトレ
ジスト層に１０００ ｍＪ／ｃ＋ｉ”および１００ ｍ
Ｊ／ｃ＋ａ”の紫外線を照射した後現像を行った。その
後露出した銅の無電解めっき被膜上に厚さ３５μｍの銅
を電気めっきし、ＰＭＥＲの剥離を行った後無電解銅め
っき被膜を電気銅めっき被膜をマスクとして溶解除去を
行った。その後電気銅めっき被膜および露出したポリイ
ミド樹脂表面に富士薬品工業社製フォトレジスト ＦＳ
Ｒ−Ｓを厚さ １５μｍに均一に塗布して１３０℃で３
０分間乾燥した。
に無電解銅めっき法により厚さ１．５μｍの銅めっき被
膜を形成した後、該基板を真空加熱炉に静置して真空度
１０−’ ｔｏｒｒにおいて昇温速度１０℃／ｗｉｎ
で昇温し、４００℃で１時間の熱処理を施した後、室
温まで冷却した。得られた基板をトルエンに４０℃で５
分間浸漬し、エチルアルコールで洗浄した後充分水洗し
、乾燥した。その後該基板の銅めっき被膜上に東京応化
工業社製フォトレジストＰＭＥＲＨＣ−６００を厚さ４
０μｍに均一に塗布し、７０℃で３０分間乾燥した。そ
の後該基板のポリイミド樹脂表面に富士薬品工業社製フ
ォトレジスト ＦＳＲ−Ｓと希釈液ＦＳＲ−Ｔの等体積
比の混合液を厚さ１０μｍに均一に塗布し７０℃で３０
分乾燥した。得られた基板のＰＭＥＲ側にインナーリー
ド部においてリード幅７０μｍ１リード間隔６０μｍの
リードが形成されるようにマスキングを施し、一方ＰＳ
Ｒ側にはデバイスホールおよびスプロケットホールが形
成されるようにマスキングを施し、それぞれのフォトレ
ジスト層に１０００ ｍＪ／ｃ＋ｉ”および１００ ｍ
Ｊ／ｃ＋ａ”の紫外線を照射した後現像を行った。その
後露出した銅の無電解めっき被膜上に厚さ３５μｍの銅
を電気めっきし、ＰＭＥＲの剥離を行った後無電解銅め
っき被膜を電気銅めっき被膜をマスクとして溶解除去を
行った。その後電気銅めっき被膜および露出したポリイ
ミド樹脂表面に富士薬品工業社製フォトレジスト ＦＳ
Ｒ−Ｓを厚さ １５μｍに均一に塗布して１３０℃で３
０分間乾燥した。
上記処理によって得られた基板を抱水ヒドラジンに５０
℃で５分間浸漬してポリイミド樹脂の溶解除去を行った
。さらに該基板よりＦＳＲを剥離することによってイン
ナーリード部においてリード幅 ７０ μｍ１ リード
間隔 ６０ μｍのリードを持つＴＡＢテープを得た。
℃で５分間浸漬してポリイミド樹脂の溶解除去を行った
。さらに該基板よりＦＳＲを剥離することによってイン
ナーリード部においてリード幅 ７０ μｍ１ リード
間隔 ６０ μｍのリードを持つＴＡＢテープを得た。
得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド樹脂開孔形状
は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、に優れている
ＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製造することが
できた。
は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、に優れている
ＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製造することが
できた。
［実施例２コ
基板のトルエンによる洗浄を３０℃で１０分行った以外
は実施例１と同様な手順でＴＡＢテープを製造した。
は実施例１と同様な手順でＴＡＢテープを製造した。
得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド樹脂開孔形状
は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、に優れている
ＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製造することが
できた。
は良好であり、電気的、機械的、耐熱性、に優れている
ＴＡＢテープを精度良く、かつ安定して製造することが
できた。
［比較例１］
実施例１の工程において、トルエンによ６基板の洗浄は
行わず、その他の工程は実施例１と同様な手順でＴＡＢ
テープを製造した。
行わず、その他の工程は実施例１と同様な手順でＴＡＢ
テープを製造した。
得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド樹脂開孔形状
は、デバイスホール部およびスプロケットホール部にお
いて１１００ｔ１程度のオーバーエツチングが観察され
、このＴＡＢテープを電子部品として用いた場合信頼性
に欠けることになる。
は、デバイスホール部およびスプロケットホール部にお
いて１１００ｔ１程度のオーバーエツチングが観察され
、このＴＡＢテープを電子部品として用いた場合信頼性
に欠けることになる。
［比較例２コ
基板のトルエンによる洗浄を２０”Ｃで１時間行った以
外は実施例１と同様な手順でＴＡＢテープを製造した。
外は実施例１と同様な手順でＴＡＢテープを製造した。
得られたＴＡＢテープにおけるポリイミド樹脂開孔形状
は、デバイスホール部およびスプロケットホール部にお
いて５０μｍ程度のオーバーエツチングが観察され、こ
のＴＡＢテープを電子部品として用いた場合信頼性に欠
けることになる。
は、デバイスホール部およびスプロケットホール部にお
いて５０μｍ程度のオーバーエツチングが観察され、こ
のＴＡＢテープを電子部品として用いた場合信頼性に欠
けることになる。
［発明の効果コ
本発明の方法によれば、簡単にポリイミド樹脂表面とエ
ツチングレジストの密着性を改良できる。
ツチングレジストの密着性を改良できる。
このためポリイミド樹脂のエツチング精度が向上し、電
気的、機械的、熱的に優れているＴＡＢテープを精度良
く、かつ安定して製造することができる。
気的、機械的、熱的に優れているＴＡＢテープを精度良
く、かつ安定して製造することができる。
特許出願人 住友金属鉱山株式会社
Claims (1)
- ポリイミド樹脂表面に無電解めっきすることにより、
要すれば引続き電解めっきすることにより銅被膜を形成
し、次いで熱処理を施すことによって得られる銅ポリイ
ミド基板のポリイミド樹脂のエッチングにおいて、該ポ
リイミド樹脂の表面を３０〜５０℃のトルエンによって
洗浄した後に、エッチングレジスト層を形成しエッチン
グすることを特徴とするポリイミド樹脂のエッチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31441590A JPH04187774A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | ポリイミド樹脂のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31441590A JPH04187774A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | ポリイミド樹脂のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04187774A true JPH04187774A (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=18053073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31441590A Pending JPH04187774A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | ポリイミド樹脂のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04187774A (ja) |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP31441590A patent/JPH04187774A/ja active Pending
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