JPH04190145A - 実装済プリント基板自動検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、細く絞られたレーザ光なとのピームスポッ
トを被検査プリント基板上で掃引し、ブリッジ、半田フ
ヌレ、リードの浮きあるいはチップ部品の有無の検出な
どを自動的に行なう実装済プリント基板自動検査装置に
関するものである。

〔従来の技術〕

従来、チップ部品などを実装した被検査プリント基板に
おけるブリッジあるいは半田フヌレなとの検査を行なう
ため、被検査プリント基板の部品孔に合わせて多数のピ
ンを配設したヘッドなとを用いる接触検査方式かある。

しかしながら、この接触検査方式においては、種類の異
なる被検査プリント基板毎に異なるヘッドなどを必要と
するとともに、ヘッドのピンの間隔はピンの太さによっ
て制限されるため、リードの間隔か狭い集積回路チップ
などを実装したパターンの緻密な被検査プリント基板の
検査が困難であるなどの不都合あった。

このような接触検査方式の不都合を解消するため、レー
ザ光などのビームスポットを被検査プリント基板上で掃
引し、ビームスポットの反射光を検知してブリッジなと
の検査を行なう非接触式の実装済プリント基板自動検査
装置か、本出願人によって先に提案されている（実願昭
６２−５６２５号）。

第９図は本出願人か先に提案した実装済プリント基板自
動検査装置を示す正面図である。

第９図において、１１はケーシング、１２はケーシング
１１内に配設されたＸ−Ｙステージを示し、このＸ−Ｙ
ステージ１２は被検査物としての被検査プリント基板Ｐ
をＸ軸方向とＹ軸方向に移動させるものである。

１３はＸ−Ｙステージ１２の上方に配設（配置）されて
いる受光部を示し、後述するように、受光面にスパッタ
光を検出する受光素子か多数配設されている。

１４はＸ−Ｙステージ１２の下方に配設（配置）されて
いる受光器を示し、後述するように、被検査プリント基
板Ｐの基準点を設定するときなどに受光部１３を通過す
るビームを被検査プリント基板Ｐに設けられた基準孔を
介して受光するものである。

１５はケーシング１１の上面に設けられた操作スイッチ
群、１６は動作状態を示す表示灯、１７は検査結果をプ
リントアウトするプリンタを示す。

この実装済プリント基板自動検査装置では、検査に先立
って被検査プリント基板Ｐの基準位置、検査位置あるい
は被検査プリント基板Ｐの種類なとを識別する基板塩な
どの検査用データか予め記憶装置などに登録されている
。

そして、検査を行なうときには、被検査プリント基板Ｐ
をＸ−Ｙステージ１２上に設置して基板塩などを端末装
置から入力すると、予め登録された検査個所の位置情報
などの検査用データに基ついて自動的に検査を行ない、
検査か終了すると、検出したブリッジなどの位置あるい
は個数なとの検査結果かプリンタ１７からプリントアウ
トされるとともに、図示を省略したマーカによって被検
査プリント基板Ｐのブリッジなどの位置付近にマークか
付けられる。

第１０図は第９図に示した実装済プリント基板自動検査
装置の光学系を示す斜視図である。

第１０図において、２１はレーザ光を放射するＨｅ−Ｎ
ｅレーザ銃、２２はエキスパンダを示し、このエキスパ
ンダ２２は、ビームスポットを充分に絞るためにＨｅ−
Ｎｅレーザ銃２１か放射するレーザ光を、−旦５ｍｍ径
程度の平行なビームＢに拡張するためのものである。

２３はビーム走査手段としてのガルバノメータを示し、
前述したＸ−Ｙステージ１２のＹ軸方向にビームＢを掃
引するように走査するためのＸ軸回転ミラー２３ｘと、
Ｘ−Ｙステージ１２のＸ軸方向にビームＢを掃引するよ
うに走査するためのＸ軸回転ミラー２３ｘを備え、Ｘ軸
回転ミラー２３ｘとＸ軸回転ミラー２３ｘの中間に位置
する点０１に対応する定点０をほぼ中心として各回転ミ
ラー２３ｘ、２３ｙの可動範囲に基づく立体角内てビー
ムＢを放射状に走査するものである。

２４はビームスプリッタを示し、ガルバノメータ２３か
ら供給されるビームＢを第１の分離ビームＢ１と第２の
分離ビームＢ２に分離するものてある。

２５はビームスプリッタ２４から供給される第１の分離
ビームＢ１を所定の方向に反射する第１のミラー、２６
は第１の集光レンズを示し、この第１の集光レンズ２６
は一方の焦点かガルバノメータ２３内の定点０に一致す
るように配設されている。

２７は第１の集光レンズ２６から供給される第１の分離
ビームＢ、を所定の方向に反射する第２のミラーを示し
、第１の分離ビームＢ、は第２のミラー２７によって被
検査プリント基板Ｐ上に集光される。

すなわち、定点Ｏと一方の焦点とか一致するように配設
された第１の集光レンズ２６によって第１の分離ビーム
Ｂ、を集光すると、集光された第１の分離ビームＢ１は
他方の焦点面上にビームスポットを結像するとともに、
そのビームスポットの光軸は第１の集光レンズ２６の光
軸と平行になるので、あらゆる方向に走査された第１の
分離ビームＢ１は、第１の集光レンズ２６の像側の焦点
面に配設された被検査プリント基板Ｐ上に絞られたビー
ムスポットを結像するとともに、被検査プリント基板Ｐ
に直角に照射される。

２８はスポット位置検知部を示し、被検査プリント基板
Ｐに集光されたビームスポットの散乱光を集光する第２
の集光レンズ２８ａと、第２の集光レンズ２８ａによっ
て集光された光点像か結像する受光面Ｓを備えた第１の
光点位置検出素子２８ｂで構成されている。

この受光面Ｓ上に結像される光点の位置に応じた強度の
Ｘ信号、Ｘ信号かビームスポットの位置情報として第１
の光点位置検出素子２８ｂから図示を省略した処理装置
に出力される。

２９はビームスプリッタ２４から供給される第２の分離
ビームＢ２を集光する第３の集光レンズを示し、一方の
焦点がガルバノメータ２３内の定点Ｏに一致するように
配設されている。

３０は第３の集光レンズ２９の他方の焦点に配設（配置
）されている第２の光点位置検出素子を示し、第２の分
離ビームＢ２によるビームスポットの２次元の位置座標
に応じた強度のＸ信号、Ｘ信号を図示を省略したサーボ
制御回路に出力するものである。

第１１図は本出願人か先に提案した実装済プリント基板
自動検査装置の全体構成を示すブロック図である。

第１１図において、３１は処理装置を示し、図示を省略
した記憶装置に記録されたデータ、端末装置３２および
操作部３３から入力されるデータと、受光器１４から入
力される信号に基ついて実装済プリント基板自動検査装
置の制御を行ない、第２の集光レンズ２８ａと第１の光
点位置検出素子２８ｂで構成されるスポット位置検知部
２８と、受光部１３からの入力に基づいて各種検査の結
果を判定し、プリンタ１７に検査結果を出力するととも
に、被検査プリント基板Ｐに検出個所をマークするため
のマーカ３４を制御するものである。

３５はサーボ制御部を示し、後述するように、ガルバノ
メータ２３を駆動制御するサーボ制御回路３５ａとガル
バノ駆動回路３５ｂて構成されている。

３６はＸ−Ｙステージ制御部を示し、処理装置３１から
構成される装置座標に基づいてＸ−Ｙステージ１２を駆
動し、被検査プリント基板Ｐを所定の位置に移動させる
ものである。

すなわち、Ｘ−Ｙステージ１２の図示を省略した被検査
プリント基板設置部にはＸ方向、Ｘ方向の２次元座標系
か設定されており、処理装置３１の出力する２次元座標
系上の点か、レーザビームの初期設定位置などの固定点
に一致するようにＸ−Ｙステージ１２を駆動する。

３７は受光部移動装置を示し、スポット位置検知部２８
によって被検査プリント基ｆｆ１Ｐ上のビームスポット
の位置を検知するとき、ビームスポットが受光部１３に
よって遮断されないように、処理装置３１の出力に基づ
いて受光部１３を移動させるものである。

このように構成された実装済プリント基板自動検査装置
は、レーザビームを照射する位置を示す位置情報が処理
装置３１からサーボ制御回路３５ａに出力されると、サ
ーボ制御回路３５ａは第２の光点位置検出素子３０から
入力されるＸ信号、Ｘ信号に基づいてガルバノ駆動回路
３５ｂに出力しているＸ制御信号、Ｘ制御信号を補正し
て出力するので、ガルバノ駆動回路３５ｂによってガル
バノメータ２３か補正駆動され、各ビームＢ、Ｂ。

およびＢ２の走査方向か補正される。

そして、被検査プリント基板Ｐに照射される第１の分離
ビーＡ　Ｂ　＋　と、第２の光点位置検出素子３０に照
射される第２の分離ビームＢ２かガルバノメータ２３で
走査されるときは、一体のビームＢであるので、第２の
光点位置検出素子３０に照射される第２の分離ビームＢ
２の走査位置に基づいてビームＢの走査方向の制御を行
なえば、ガルバノ駆動回路３５ｂなどか直接検知し得な
い要因によって走査方向にずれか生じても、ビームスポ
ットの位置を高い精度で制御することができる。

第１２図は受光部によるスパッタ光の受光状態を示す説
明図、第１３図は受光部の受光面を示す受光部の展開図
である。

第１２図、第１３図において、受光面Ｓ、、Ｓ２の全面
には多数の受光素子りか配設されており、反射角度の低
いスパッタ光Ｅ、は周囲の受光面Ｓ１の受光素子りによ
って受光され、反射角度の高いスパッタ光Ｅ２は天井部
の受光面Ｓ２の受光素子りによって受光される。

このように、あらゆる方向の各スパッタ光Ｅ１、Ｂ２か
検知され、受光量を増加させるとともに、受光面Ｓ、、
Ｓ２に配設された受光素子りの各出力を適宜選択するこ
とにより、反射方向を選択してスパッタ光Ｅ、、Ｅ２の
検出を行なうことかできる。

なお、受光部１３の天井部の受光面Ｓ２には開口Ｗか設
けられ、この間口Ｗを通して第１の分離ビームＢ１が被
検査プリント基板Ｐに照射される。

第１４図、第１５図（ａ）　、　（ｂ）はチップ部品の
半田フヌレの検出を示す説明図である。

第１４図において、第１の分離ビームＢ１を走査して被
検査プリント基板Ｐに実装されたチップ部品Ｔの半田部
Ｈ，，Ｈ２にビームスポットを照射し、この半田部Ｈ，
，Ｈ２からのスパッタ光Ｅ　ｌ　ｌ＋　Ｅ　ｌ□を受光
部１３て受光し、その総受光量を検出して半田フヌレか
検出される。

すなわち、第１５図（ａ）　、　（ｂ）に半田フヌレを
生じていない場合と半田フヌレが生じている場合の、ビ
ームスポット位置とスパッタＥ　Ｉ　Ｉ　＋　Ｅ　１□
光の強度の関係を示すように、半田フヌレが生じている
部分からはスパッタ光Ｅ１□が検知されずに総受光量か
減少し、半田フヌレが検出される。

なお、第１５図において、ＳＩＩ＋３２１は半田部Ｈ，
，Ｈ，におけるスパッタ光Ｅ　Ｉ　Ｉ　＋　Ｅ　１２の
総受光量、ＳＳ＋はチップ部品Ｔの端子部分におけるス
パッタ光Ｅｌ＋の総受光量を示す。

第１６図はチップ部品の有無の判定を示す説明図である
。

第１６図において、被検査プリント基板Ｐにチップ部品
Ｔか搭載されていれば、第１の分離ビームＢ１は、実線
で示すように、チップ部品Ｔ上の点Ｍにビームスポット
となる。

しかし、被検査プリント基板Ｐにチップ部品Ｔが搭載さ
れていなければ、第１の分離ビームＢ１は、点線で示す
ように、被検査プリント基板Ｐ上の点Ｎにビームスポッ
トとなる。

このように、点Ｍ、Ｎに生じたビームスポットは第２の
集光レンズ２８ａによって第２の光点位置検出素子２８
ｂの受光面Ｓ上の異なる２点、すなわち点ｍ、ｎに結像
する。

したかって、受光面Ｓの結像位置に応じてチップ部品Ｔ
の有無と、チップ部品Ｔの高さを判定することかできる
。

〔発明か解決しようとする課題〕

従来の実装流プリント基板自動検査装置は、以上のよう
に構成されているので、被検査プリント基板Ｐに近接さ
せてチップ部品Ｔか実装されていると、ビームスポット
の反射光が近接したチップ部品Ｔの半田部によって反射
（二次反射）するため、この二次反射光を受光素子りが
受光することにより、受光素子りか受光した反射光か一
次反射光であるのか、二次反射光であるのがか判定でき
ない。

したかって、半田フヌレなどの検査か精度よく行なえな
いという不都合があった。

また、第１４図、第１５図に示すように、ビームスポッ
トの反射角の推移によって半田部Ｈｌ　　ｌＨ２の良否
の判定を行なっているので、クリーム半田の状態によっ
ては半田部Ｈ，，Ｈ２か被検査プリント基板Ｐから浮い
た状態で半田され、ビームスポットの反射角の推移が正
常な半田部Ｈ１＋Ｈ２と同様になるため、半田付は状態
の検査か精度よく行なえないという不都合があった。

さらに、スポット位置検知部２８の出力によらなければ
、すなわち受光部１３または他の受光部の出力によって
チップ部品Ｔの有無などが検知てきないという不都合が
あった。

この発明は、上記したような不都合を解消するためにな
されたものて、比較的簡単な構成で、受光部で受光した
反射光か一次反射光または二次反射光であるか、反射光
か正常に半田付けされた半田部からのものであるかが判
定でき、すなわち半田付けの不良および半田部が正常な
状態て被検査プリント基板に接続しているかなどの検査
が精度よく行なえ、ビームスポット照射方向と反対方向
への反射光を受光した第２の受光部の出力によってチッ
プ部品の有無、および実装部品の極性の正否の検査が行
なえる実装済プリント基板自動検査装置を提供するもの
である。

〔課題を解決するための手段〕

この発明にかかる実装済プリント基板自動検査装置は、
上記した目的を達成するため、複数に分割した受光面の
受光量をそれぞれのディジタル値に変換して処理装置に
出力する複数のディジタル変換部を設けたものである。

また、他の発明にかかる実装済プリント基板自動検査装
置は、ミラーを、ビームを反射し、反射光を透過させる
ハーフミラ−とし、この７１−フミラーを透過した反射
光を受光する第２の受光部を設けるとともに、複数に分
割した受光面の受光量および第２の受光部の受光量をそ
れぞれのディジタル値に変換して処理装置に出力する複
数のディジタル変換部を設けたものである。

〔作　用〕

この発明における実装済プリント基板自動検査装置は、
上記のように構成されているので、複数のディジタル変
換部の出力を処理装置で処理することにより、ビームス
ポットの反射光の方向および反射光の強弱を検知できる
。

したかって、ビームスポットの反射光の方向および反射
光の強弱に基づき、反射光が一次反射光または二次反射
光であるか、反射光が正常に半田付けされた半田部から
のものであるか、すなわち半田付けの不良および半田部
が正常な状態で被検査プリント基板に接続しているかな
どの検査が精度よく行なえるとともに、チップ部品の有
無、および実装部品の極性の正否の検査を受光部および
第２の受光部の出力に基づいて行なうことかできる。

〔実施例〕

以下、この発明の実施例を図に基づいて説明する。

第１図はこの発明の一実施例による実装済プリント基板
自動検査装置の光学系およびディジタル変換部を示す構
成図であり、第９図〜第１２図と同一部分に同一符号を
付して説明を省略する。

第１図おいて、２７Ａはハーフミラ−を示し、第１の分
離ビームＢ、を前述のように反射し、ビームスポットの
反射光を透過させるものである。

１８は第１のディジタル変換部を示し、受光部（第１の
受光部）１３で受光したビームスポットの反射光の反射
角に応じて受光した受光素子から供給される受光量に応
じた信号（アナログ信号）を増幅するアンプ１８ａと、
アンプ１８ａの出力をディジタル値に変換するアナログ
・ディジタル変換器（Ａ／Ｄ変換器）１８ｂで構成され
、Ａ／Ｄ変換器１８ｂのディジタル値は処理装置３１に
出力される。

なお、この第１のディジタル変換部１８は、後述する第
２図に示すように、複数のディジタル変換部で構成され
ている。

１９は第２の受光部を示し、ハーフミラ−２７Ａを透過
したビームスポットの反射光を受光し、受光量に応じた
アナログ信号を出力するものである。

２０は第２のディジタル変換部を示し、第２の受光部１
９から供給される受光量に応じたアナログ信号を増幅す
るアンプ２０ａと、アンプ２０ａの出力をディジタル値
に変換するＡ／Ｄ変換器２０ｂで構成され、Ａ／Ｄ変換
器２０ｂのディジタル値は処理装置３１に出力される。

第２図は反射光の角度と受光部の受光素子の関係を示す
受光部の展開図である。

第２図において、Ｄ１〜Ｄ６はビームスポットの反射角
に応じて配置した受光素子を示し、この受光素子Ｄ１〜
Ｄ６の中では、受光素子Ｄ１て受光する反射光の反射角
が一番小さく、受光素子Ｄ６て受光する反射光の反射角
か一番大きいものとなる。

１８ａ、　〜１８ａ、は受光部（第１の受光部）１３の
各受光素子Ｄ１〜Ｄ＠から供給される受光量に応じたア
ナログ信号を増幅するアンプ、１８ｂ、　〜１８ｂ、は
各アンプ１８ａ、　〜１８ａｓの出力をディジタル値に
変換するＡ／Ｄ変換器を示し、このＡ／Ｄ変換器１８ｂ
１〜１８ｂ８のディジタル値は処理装置３１に出力され
る。

なお、アンプ１８ａ１とＡ／Ｄ変換器１８ｂ１、アンプ
１８ａ２とＡ／Ｄ変換器１８ｂ２、アンプ１８ａ２とＡ
／Ｄ変換器１８ｂ３、アンプ１８ａ４とＡ／Ｄ変換器１
８ｂ４、アンプ１８ａ５とＡ／Ｄ変換器１８ｂ５、アン
プ１８ａｓとＡ／Ｄ変換器１８ｂ６はそれぞれディジタ
ル変換部１８Ａ１〜１８Ａ６を構成し、各ディジタル変
換部１８Ａ１〜１８Ａ６によって第１のディジタル変換
部１８が構成されている。

第３図は二次反射を示す説明図、第４図は二次反射の特
性を示す説明図である。

第３図において、Ｔ３．Ｔ２はチップ部品を示し、被検
査プリント基板Ｐに近接させて実装されている。

Ｈは各チップ部品Ｔ、、Ｔ２の半田部を示し、傾斜角を
４５度とする。

第４図において、計測数列は受光素子Ｄ１〜Ｄ６を示し
、アナログ値は受光素子Ｄ１〜Ｄ６か受光した反射光量
を示す。

このように構成されたこの発明の実装法プリント基板自
動検査装置は、第３図に示すように、被検査プリント基
板Ｐにチップ部品Ｔ、、、Ｔ２か近接させて実装されて
いる状態で、ガルバノメータ２３によって第１の分離ビ
ームＢ１を走査すると、受光素子Ｄ１〜Ｄ６て受光され
た反射光の方向は第４図に示すように、検出される。

しかし、反射光の反射方向は反射光を受光する受光素子
り、〜Ｄ６によって決定されるか、この受光素子Ｄ１〜
Ｄ６で受光した受光量はディジタル変換部１８（１８Ａ
、〜１８Ａａ）で受光量かディジタル値に変換されて処
理装置３１に出力されるので、このディジタル値を処理
装置３Ｉて判定することにより、受光した反射光が一次
反射光であるか、二次反射光であるかを判定することか
できる。

すなわち、例えば反射光の受光量か最大で１００のとき
、反射光の受光量が第４図に示すような値であれば、す
なわち８０．７６の値てあれば、反射光は一次反射光で
あると判定でき、３４．２３のように低い値であれば、
反射光は二次反射光であると判定できる。

したかって、第３図に示すように、チップ部品Ｔ、、Ｔ
２を近接されて被検査プリント基板Ｐに実装すると、従
来は反射光の反射方向（計測数列）に基づいて半田面が
平面であると判定され、すなわち半田不良（ブリッジな
ど）と判定されるか、この発明によれば、反射光の受光
量をも参照して半田部Ｈの半田状態を判断するので、半
田付けか正常であると判定できる。

このように、受光量をも参照して半田部Ｈの半田状態を
判断するので、ビームスポットの反射角の推移によって
半田部Ｈか正常であると判定できても、クリーム半田の
状態によって半田部Ｈが被検査プリント基板Ｐに正常な
状態で接続していないと、受光量のアナログ値が低い値
になるため、半田部Ｈの形状のみならず、半田部Ｈの被
検査プリント基板Ｐとの接続状態をも判定できる。

なお、−次反射光と二次反射光を区別（判定）する値お
よび半田部Ｈの被検査プリント基板Ｐとの接続状態を値
は、例えば５０〜６０の間の任意の値とすることができ
る。

第５図はチップダイオードの極性を判定するときの掃引
方向を示す説明図である。

第５図において、ＴＤはチップダイオードを示し、極性
を示す白いマークＭＡが設けられている。

そして、矢印方向は第１の分離ビームＢ、の掃引方向を
示す。

第６図（ａ）　、　（ｂ）はチップダイオードの極性を
判定する反射光の特性を示す波形図である。

第６図において、レベルは受光量を示す。

第５図に示すように、第１の分離ビームＢ、を矢印方向
に掃引すると、チップダイオードＴＤに照射されたビー
ムスポットの反射光は、ハーフミラ−２７Ａを透過して
第２の受光部１９で受光されるので、この第２の受光部
１９て受光された反射光の受光量は第２のディジタル変
換部２０でディジタル値に変換されて処理装置３１に出
力される。

したかって、処理装置３１は、例えば第２のディジタル
変換部２０から第６図ｆａ）に示すような出力が供給さ
れると、すなわち掃引方向の上流にマークＭＡに対応す
る出力かあると、チップダイオードＴＤの極性が正常で
あると判定する。

しかし、処理装置３１は、例えば第２のディジタル変換
部２０から第６図（ｂ）に示すような出力か供給される
と、すなわち掃引方向の下流にマークＭＡに対応する出
力かあると、チップダイオードＴＤの極性が異常である
と判定する。

第７図はチップ部品の有無を判定するときの掃引方向を
示す説明図である。

第８図（ａ）　、　（ｂ）はチップ部品の有無を判定す
る反射光の特性を示す波形図である。

第７図において、矢印方向は第１の分離ビームＢ１の掃
引方向を示す。

第８図において、レベルは受光量を示す。

第７図に示すように、第１の分離ビームＢ１を矢印方向
に掃引すると、チップ部品Ｔに照射されたビームスポッ
トの反射光は、ハーフミラ−２７Ａを透過して第２の受
光部１９て受光される。

したかって、第５図で説明したように、処理装置３１は
、第２のディジタル変換部２０から第８図（ａ）に示す
ような出力か供給されると、チップ部品Ｔか実装されて
いると判定し、第２のディジタル変換部２０から第８図
（ｂｌに示すような出力か供給されると、チップ部品Ｔ
が実装されていないと判定する。

このように、反射光の傾斜角では検査できないチップダ
イオードＴＤなとの極性を、第１の分離ビームＢ１の照
射方向と反対方向に反射される反射光に基づき、検査す
ることかできる。

また、スポット位置検知部２８の出力によらずに第２の
受光部１９の出力に基づいてチップ部品Ｔなとの有無を
検査することができる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、複数に分割した受光
面の受光量をそれぞれのディジタル値に変換して処理装
置に出力する複数のディジタル変換部を設けたので、ま
たはミラーを、ビームを反射し、反射光を透過させるハ
ーフミラ−とし、このハーフミラ−を透過した反射光を
受光する第２の受光部を設けるとともに、複数に分割し
た受光面の受光量および第２の受光部の受光量をそれぞ
れのディジタル値に変換して処理装置に出力する複数の
ディジタル変換部を設けたので、複数のディジタル変換
部の出力を処理装置で処理することにより、ビームスポ
ットの反射光の方向および反射光の強弱を検知できる。

したがって、ビームスポットの反射光の方向および反射
光の強弱に基づき、反射光が一次反射光または二次反射
光であるか、反射光が正常に半田付けされた半田部から
のものであるか、すなわち半田付けの不良および半田部
が正常な状態で被検査プリント基板に接続しているかな
との検査か精度よく行なえるとともに、チップ部品の有
無、および実装部品の極性の正否の検査を、比較的簡単
な構成で受光部および第２の受光部の出力に基づいて行
なえるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による実装済プリント基板
自動検査装置の光学系およびディジタル変換部を示す構
成図、 第２図は反射光の角度と受光部の受光素子の関係を示す
受光部の展開図、 第３図は二次反射を示す説明図、 第４図は二次反射の特性を示す説明図、第５図はチップ
ダイオードの極性を判定するときの掃引方向を示す説明
図、 第６図（ａ）　、　（ｂ）はチップダイオードの極性を
判定する反射光の特性を示す波形図、 第７図はチップ部品の有無を判定するときの掃引方向を
示す説明図、 第８図（ａｌ　、　（ｂ）はチップ部品の有無を判定す
る反射光の特性を示す波形図、 第９図は本出願人か先に提案した実装済プリント基板自
動検査装置を示す正面図、 第１０図は第９図に示した実装済プリント基板自動検査
装置の光学系を示す斜視図、 第１１図は本出願人が先に提案した実装済プリント基板
自動検査装置の全体構成を示すブロック図、 第１２図は受光部によるスパッタ光の受光状態を示す説
明図、 第１３図は受光部の受光面を示す受光部の展開図、 第１４図、第１５図（ａ）　、　（ｂ）はチップ部品の
半田フヌレの検出を示す説明図、 第１６図はチップ部品の有無の判定を示す説明図である
。 １２・・・Ｘ−Ｙステージ、１３・・・受光部、１４・
・・受光器、１８・・・第１のディジタル変換部、１８
Ａ１１８Ａ、・・・ディジタル変換部、１９・・・第２
の受光部、２０・・・第２のディジタル変換部、２１・
・・Ｈｅ−Ｎｅレーザ銃、２３・・・ガルバノメータ（
ビーム走査手段）、２４・・・ビームスプリッタ、２７
Ａ・・・ハーフミラ−１３０・・・第２の光点位置検出
素子、３１・・・処理装置、３５・・・サーボ制御部、
Ｗ・・・開口、Ｄ１〜Ｄ６・・・受光素子、Ｐ・・・被
検査プリント基板、Ｔ、Ｔ、、Ｔ２・・・チップ部品、
ＴＤ・・・チップダイオード、Ｂ・・・ビーム、Ｂ１・
・・第１の分離ビーム、Ｂ２・・・第２の分離ビーム。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）処理装置の制御に基づいたビーム走査手段で定点
   を中心に細く絞られたビームを走査し、この走査した前
   記ビームをミラーで反射して受光部の開口から被検査プ
   リント基板に直角に照射したビームスポットの反射光を
   、この反射光の反射角に応じて複数に分割した前記受光
   部の受光面で検知して前記被検査プリント基板の検査を
   行なう実装済プリント基板自動検査装置において、 前記複数に分割した受光面の受光量をそれぞれのディジ
   タル値に変換して前記処理装置に出力する複数のディジ
   タル変換部を設けた、 ことを特徴とする実装済プリント基板自動検査装置。
2. （２）処理装置の制御に基づいたビーム走査手段で定点
   を中心に細く絞られたビームを走査し、この走査した前
   記ビームをミラーで反射して受光部の開口から被検査プ
   リント基板に直角に照射したビームスポットの反射光を
   、この反射光の反射角に応じて複数に分割した前記受光
   部の受光面で検知して前記被検査プリント基板の検査を
   行なう実装済プリント基板自動検査装置において、 前記ミラーを、前記ビームを反射し、前記反射光を透過
   させるハーフミラーとし、 このハーフミラーを透過した反射光を受光する第２の受
   光部を設けるとともに、 前記複数に分割した受光面の受光量および前記第２の受
   光部の受光量をそれぞれのディジタル値に変換して前記
   処理装置に出力する複数のディジタル変換部を設けた、 ことを特徴とする実装済プリント基板自動検査装置。